JPH0369878B2 - - Google Patents
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- JPH0369878B2 JPH0369878B2 JP61286789A JP28678986A JPH0369878B2 JP H0369878 B2 JPH0369878 B2 JP H0369878B2 JP 61286789 A JP61286789 A JP 61286789A JP 28678986 A JP28678986 A JP 28678986A JP H0369878 B2 JPH0369878 B2 JP H0369878B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は基材の上にダイヤモンドを形成する
装置に関する。より詳しくは炭化水素と水素の混
合気体を高周波プラズマ放電又は直流グロー放電
又はマイクロ波によつて活性化させ、この活性化
したガスと基材にレーザを照射してダイヤモンド
の薄膜などを形成する装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] This invention relates to an apparatus for forming diamonds on a substrate. More specifically, it is a device that activates a mixed gas of hydrocarbon and hydrogen using high-frequency plasma discharge, direct current glow discharge, or microwave, and irradiates the activated gas and base material with a laser to form a thin film of diamond, etc. Regarding.
従来、ダイヤモンドの合成方法としては、(イ)高
温高圧法、(ロ)熱フイラメントCVD法(CVD:化
学的気相折出反応のこと)、及び(ハ)プラズマCVD
法が知られている。
Traditionally, diamond synthesis methods include (a) high temperature and high pressure method, (b) thermal filament CVD method (CVD: chemical vapor deposition reaction), and (c) plasma CVD.
The law is known.
(イ) 高温高圧法は1950年代に始めて人工的にダイ
ヤモンドが合成できるようになつた方法であつ
て、数千度の高温と数千〜数万気圧の高圧下に
おいて金属溶媒を用いて合成する方法である。(b) The high-temperature and high-pressure method is a method that first became possible to synthesize diamonds artificially in the 1950s, and it uses a metal solvent to synthesize diamonds at high temperatures of several thousand degrees and high pressures of several thousand to tens of thousands of atmospheres. It's a method.
(ロ) 熱フイラメントCVD法は例えばCH4とH2の
混合ガスを加熱したタングステンフイラメント
の周辺に導入してCVD反応を起こさせ、この
反応生成物を基材の上に析出させる方法であ
る。(b) The hot filament CVD method is a method in which, for example, a mixed gas of CH 4 and H 2 is introduced around a heated tungsten filament to cause a CVD reaction, and the reaction product is deposited on the base material.
(ハ) プラズマCVD法は例えばCH4とH2の混合ガ
スの中に対向する電極を設けこの電極の間に放
電を起こさせてプラズマを発生させCH4等を分
解して炭素を析出させる方法である。(c) The plasma CVD method is a method in which, for example, opposing electrodes are placed in a mixed gas of CH 4 and H 2 and a discharge is caused between the electrodes to generate plasma, decompose CH 4 , etc., and precipitate carbon. It is.
上記のような従来のダイヤモンドの合成方法
(イ)、(ロ)、(ハ)においては、それぞれ下記のような問
題があつた。(イ)の高温高圧法においては装置が大
型化し、製造コストが高価なものになる上、薄膜
は形成出来ない。(ロ)の熱フイラメントCVD法に
おいては基材の上にダイヤモンドを析出させるこ
とが出来るが他に黒鉛(グラフアイト)及びアモ
ルフアス状の炭素も同時に析出するので品質の上
で問題があつた。(ハ)のプラズマCVD法において
は上記(ロ)の場合と同様な問題の外、反応速度にも
問題があつた。
Conventional diamond synthesis methods as above
The following problems occurred in (a), (b), and (c), respectively. In the high temperature and high pressure method (a), the equipment becomes large and the manufacturing cost becomes high, and thin films cannot be formed. In the hot filament CVD method (b), diamond can be deposited on the base material, but graphite and amorphous carbon are also deposited at the same time, which poses a quality problem. In the plasma CVD method (c), in addition to the same problems as in the case (b) above, there was also a problem with the reaction rate.
この発明に係るダイヤモンド薄膜の形成装置
は、炭化水素と水素の混合気体を高周波プラズマ
放電又は直流グロー放電又はマイクロ波により活
性化させ、この活性化した混合気体にレーザを照
射してダイヤモンドを形成させる装置において、
上記混合気体を収容する容器と、この容器にガス
を導入する管路と、この容器内のガスを排出する
管路と、この容器内にレーザを投射する窓と、上
記混合気体に高周波プラズマ放電を形成させる電
極、又は直流グロー放電を形成させる電極又はマ
イクロ波を導く導波管及びこのマイクロ波の照射
面に設けた冷却装置と、上記容器内に設けられ基
材を載置するX−Yテーブルと、この基材の加熱
装置とを設け、上記基材に沿つてレーザを照射す
るとともに、このレーザと交差させて上記基材の
表面にもレーザを照射するように構成したもので
ある。
The diamond thin film forming apparatus according to the present invention activates a gas mixture of hydrocarbon and hydrogen by high-frequency plasma discharge, direct current glow discharge, or microwave, and forms diamond by irradiating the activated gas mixture with a laser. In the device,
A container for storing the above-mentioned mixed gas, a conduit for introducing the gas into this container, a conduit for discharging the gas in this container, a window for projecting a laser into this container, and a high-frequency plasma discharge for the above-mentioned mixed gas. or an electrode for forming a DC glow discharge, or a waveguide for guiding microwaves, a cooling device provided on the microwave irradiation surface, and an X-Y provided in the container on which the substrate is placed. A table and a heating device for the base material are provided, and the laser beam is irradiated along the base material, and the surface of the base material is also irradiated with the laser beam intersecting with the laser beam.
この発明においては容器内に設けたX−Yテー
ブルの上に設置した基材はテーブルの運動に連動
する。
In this invention, the base material placed on the X-Y table provided inside the container is linked to the movement of the table.
上記の容器内に設けた電極の間に炭化水素と水
素を導びくと共に高周波プラズマ放電、又は直流
グロー放電、又はマイクロ波を加えれば混合ガス
は活性化される。 The mixed gas is activated by introducing hydrocarbon and hydrogen between the electrodes provided in the container and applying high frequency plasma discharge, direct current glow discharge, or microwave.
さらに上記基材表面の近傍に又は直接にレーザ
を照射すれば、上記の活性化された混合ガスはレ
ーザを吸収してさらに活性化の度合を増し、イオ
ン又はラジカル粒子の濃度が上昇し、かつ基材表
面も活性化させ、炭素がダイヤモンド構造で基材
の表面に析出する。 Furthermore, if the laser is irradiated near or directly to the surface of the base material, the activated mixed gas absorbs the laser and further increases the degree of activation, increasing the concentration of ions or radical particles, and The surface of the base material is also activated, and carbon is deposited on the surface of the base material in a diamond structure.
ここで、混合ガスの活性化の度合は混合される
ガスの比、圧力、放電電力及びレーザパワーに支
配され、基板表面の活性化の度合は基材の表面温
度及び表面に照射するレーザパワーに支配される
が、本発明では2つのレーザのパワー(出力)バ
ランスによつて、ガスの活性化の度合と基板表面
の活性化の度合とを別々に定められるから、析出
条件の選択の幅が大きく、ダイヤモンドの析出速
度、密度、絶縁性等の膜特性など容易に制御でき
る。 Here, the degree of activation of the mixed gas is controlled by the ratio of gases mixed, pressure, discharge power, and laser power, and the degree of activation of the substrate surface is determined by the surface temperature of the substrate and the laser power irradiated to the surface. However, in the present invention, the degree of activation of the gas and the degree of activation of the substrate surface can be determined separately depending on the power (output) balance of the two lasers, so the range of selection of deposition conditions is increased. Due to its large size, film properties such as diamond deposition rate, density, and insulation properties can be easily controlled.
また、2方向から照射されたレーザの交点近傍
で局所的な強いガスの活性領域が形成されること
となり、基材表面のごく限定された領域で高速度
のダイヤモンド析出が得られる。これに加え、レ
ーザを照射された部分の基材表面が一定状態に活
性化されているから、基材表面−析出初層間、ま
たは、X−Yテーブルの走査により析出層を重ね
合わせた際の各層間の結合力が増し、ダイヤモン
ド析出層におけるグラフアイト含有率も低下して
高品質のダイヤモンド薄膜が得られる。 In addition, a localized active region of strong gas is formed near the intersection of the laser beams irradiated from two directions, resulting in high-speed diamond precipitation in a very limited area on the surface of the base material. In addition, since the base material surface of the part irradiated with the laser is activated in a certain state, the difference between the base material surface and the initial deposited layer or when deposited layers are overlapped by scanning the X-Y table. The bonding strength between each layer increases, and the graphite content in the diamond precipitated layer decreases, resulting in a high-quality diamond thin film.
さらに、X−Yテーブルを用いて、2方向から
照射されたレーザ光の交点およびレーザ照射領域
を基材表面で走査することにより、均一なダイヤ
モンド薄膜が膜厚の制御性高く得られ、基材の加
熱温度も低くて済む。 Furthermore, by using an X-Y table to scan the intersection of laser beams irradiated from two directions and the laser irradiation area on the substrate surface, a uniform diamond thin film can be obtained with high controllability of the film thickness, and the substrate The heating temperature can also be lower.
第1図a、bはこの発明に係る高周波プラズマ
又は直流グロー放電とレーザを併用した装置によ
る一実施例を示す説明図である。
FIGS. 1a and 1b are explanatory diagrams showing an embodiment of an apparatus using a combination of high-frequency plasma or DC glow discharge and laser according to the present invention.
図において、aは平面図、bは側面の断面図、
1はレーザ透過用の窓2,2a,2b,2cを設
けた容器、3はこの容器内に導入した混合ガス、、
4,4aは窓2,2aから容器内のガスに照射し
たレーザ、4bはこの容器1内に設けX−Yテー
ブル(図示せず)の上に載置した基材8に直接照
射したレーザ4aの反射したレーザ、6はこの容
器1内に対向して設けた電極10,10aに高周
波又は直流電力を与える電源、8はこの表面にダ
イヤモンドの薄膜を形成させる基材、12はCH4
+H2など炭化水素と水素の混合ガス3が導入さ
れる管路、12aは容器1内の混合ガス3を排出
するための管路、13は導入ガス13aは排気ガ
スである。又上記のX−Yテーブルには基材8を
加熱する装置が備えてある。 In the figure, a is a plan view, b is a side sectional view,
1 is a container provided with windows 2, 2a, 2b, and 2c for laser transmission; 3 is a mixed gas introduced into this container;
4 and 4a are lasers irradiated to the gas inside the container through the windows 2 and 2a, and 4b is a laser 4a that is provided inside the container 1 and directly irradiated to the base material 8 placed on an X-Y table (not shown). 6 is a power source that applies high frequency or DC power to electrodes 10 and 10a provided oppositely in this container 1, 8 is a base material on which a diamond thin film is formed, and 12 is a CH 4
A pipe 12a is a pipe through which a mixed gas 3 of hydrocarbon and hydrogen such as + H2 is introduced, a pipe 12a is a pipe for discharging the mixed gas 3 in the container 1, and an introduced gas 13a is an exhaust gas. Further, the above-mentioned X-Y table is equipped with a device for heating the base material 8.
次にこの動作について説明する。先ず容器1内
にその表面にダイヤモンドを形成させようとする
基材8を置く、次にこの容器1に設けた管路12
aの先端に備えた真空ポンプ(図示せず)によつ
て容器1内を真空にする。続いて管路12より炭
化水素と水素の混合ガス(導入ガス13)を導入
する。 Next, this operation will be explained. First, the base material 8 on which diamond is to be formed is placed in the container 1, and then the conduit 12 provided in the container 1 is placed.
The inside of the container 1 is evacuated by a vacuum pump (not shown) provided at the tip of the container 1. Subsequently, a mixed gas of hydrocarbon and hydrogen (introduced gas 13) is introduced from the pipe 12.
続いて高周波又は直流の電源6を投入すれば電
極10,10aの間に高周波プラズマ放電又は直
流グロー放電が発生して混合ガス3の一部はイオ
ン化するなどプラズマ状態になる。 Subsequently, when the high frequency or direct current power source 6 is turned on, a high frequency plasma discharge or a direct current glow discharge is generated between the electrodes 10 and 10a, and a part of the mixed gas 3 is ionized and becomes a plasma state.
ここでさらにレーザ4を照射れば、混合ガス3
はさらに活性化の度合を強めてプラズマの濃度が
上昇する。 If the laser 4 is further irradiated here, the mixed gas 3
further increases the degree of activation and increases the plasma concentration.
混合ガス3の成分の一つである炭化水素例えば
CH4は炭素と水素に分解し一部イオン又はラジカ
ルが生成すると共に炭素がダイヤモンドの形で基
材8の上に析出する。 Hydrocarbons that are one of the components of mixed gas 3, e.g.
CH 4 is decomposed into carbon and hydrogen, some ions or radicals are generated, and carbon is deposited on the base material 8 in the form of diamonds.
第2図a、bはこの発明の他の実施例、即ちマ
イクロ波とレーザを併用した装置の説明図であ
る。 FIGS. 2a and 2b are explanatory diagrams of another embodiment of the present invention, that is, an apparatus using both microwave and laser.
図において、aはその平面図、bは側面図、1
〜13aは第1図と同一又は相当部分を示す。2
0は導波管21を介して容器1内にマイクロ波を
照射するマイクロ波発生器、22は冷却水を巡ら
したプランジヤー、24,25は冷却水である。 In the figure, a is a plan view, b is a side view, 1
13a indicate the same or equivalent parts as in FIG. 2
0 is a microwave generator that irradiates microwaves into the container 1 through a waveguide 21, 22 is a plunger that circulates cooling water, and 24 and 25 are cooling water.
又基材8を加熱する装置を備えX−Yテーブル
は第1図の項で説明したものと同様に容器1の下
部に設けてある。 Further, an X-Y table equipped with a device for heating the base material 8 is provided at the bottom of the container 1 in the same manner as that described in the section of FIG.
次にこの動作について説明する。この発明にお
いても基材8を設け、混合ガス3の成分及び導入
の仕方等は上記第1図の実施例と全く同一であ
る。 Next, this operation will be explained. In this invention as well, a base material 8 is provided, and the components of the mixed gas 3 and the method of introduction are exactly the same as in the embodiment shown in FIG. 1 above.
次にマイクロ波発生器20を始動すればマイク
ロ波は導波管21を介して容器1内の炭化水素と
水素の混合ガス3を横切つてプランジヤー22の
側面に照射され、混合ガス3を活性化させる。プ
ランジヤーに照射されたマイクロ波の余分なエネ
ルギーは冷却水によつて熱エネルギーとして奪わ
れる。 Next, when the microwave generator 20 is started, the microwave is irradiated through the waveguide 21 across the mixed gas 3 of hydrocarbon and hydrogen in the container 1 to the side of the plunger 22, activating the mixed gas 3. to become The excess energy of the microwave irradiated to the plunger is taken away by the cooling water as thermal energy.
マイクロ波の照射によつて活性化された混合ガ
ス3に更にレーザ4を照射すれば、上記第1図に
示した実施例と同様に炭化水素は炭素と水素に分
解して、一部はプラズマ状態を形成し、この炭素
がダイヤモンドの形で適当に表面処理された基材
の表面に薄膜を形成する。 If the mixed gas 3 activated by microwave irradiation is further irradiated with the laser 4, the hydrocarbons will be decomposed into carbon and hydrogen, as in the embodiment shown in FIG. This carbon forms a diamond-shaped thin film on the surface of a suitably surface-treated substrate.
レーザ4aのように直接基材8に照射すれば基
材8の表面も活性化されるから部分的にダイヤモ
ンドを形成させることも出来る。 If the base material 8 is directly irradiated with the laser 4a, the surface of the base material 8 will also be activated, so that diamond can be formed partially.
基材8をX−Yテーブル(図示せず)上に載置
して走行すればダイヤモンドの薄膜は基材8の一
部又は全面にわたつて形成される。 When the base material 8 is placed on an X-Y table (not shown) and run, a diamond thin film is formed over a part or the entire surface of the base material 8.
基材8の走行速度を調節すればダイヤモンドの
層は厚薄部分を有して分布させることが出来る。
この様に一度ダイヤモンドの層が形成されればそ
の後のレーザ4aはダイヤモンド結晶の表面を活
性化させる作用をしながら積層する。 By adjusting the traveling speed of the base material 8, the diamond layer can be distributed with thick and thin portions.
Once a diamond layer is formed in this way, the subsequent laser 4a acts to activate the surface of the diamond crystal while laminating the diamond layer.
又この発明の装置によれば活性化手段の出力を
調節して最適条件を得ることが容易である。 Further, according to the device of the present invention, it is easy to adjust the output of the activation means to obtain optimum conditions.
この発明は以上説明した通り、基材を設けた容
器の中において、炭化水素と水素の混合ガスを高
周波又は直流放電又はマイクロ波によつて活性化
させ、更に上記の基材に添つて、又は上記基材に
直接レーザを照射すれば混合ガスは更に活性化し
て基材の一部にダイヤモンドの薄膜を形成させる
ことが出来る。
As explained above, this invention activates a mixed gas of hydrocarbon and hydrogen in a container provided with a base material by high frequency, direct current discharge, or microwave, and then activates the mixed gas along with the base material or If the base material is directly irradiated with a laser, the mixed gas can be further activated and a thin diamond film can be formed on a part of the base material.
又X−Yテーブルによつて基材を移動させれば
ダイヤモンドは基材の一部又は全部に渡つて分布
させることが出来る。 Furthermore, by moving the substrate using an X-Y table, the diamond can be distributed over part or all of the substrate.
上記の活性化手段の出力は調節できるから混合
ガスの成分に合せて適当に調節して最適条件を決
めることが出来る。ダイヤモンド及びこの薄膜の
工学的価値などは周知のことである。 Since the output of the above-mentioned activation means can be adjusted, it is possible to determine optimal conditions by appropriately adjusting it according to the components of the mixed gas. The engineering value of diamond and its thin films is well known.
又例えば半導体基板上に形成されたダイヤモン
ドの薄膜はその熱伝導性が優れているので極めて
有用である。 For example, a diamond thin film formed on a semiconductor substrate is extremely useful because of its excellent thermal conductivity.
第1図a、bはこの発明の一実施例を示す説明
図、第2図a、bはこの発明の他の実施例を示す
説明図である。
図において、1は容器、2は窓、3は混合ガ
ス、4,4aはレーザ、6は電源(直流又は高周
波)、8は基材、10は電極、12は管路、13
は導入ガス、13aは排気ガス、20はマイクロ
波発生器、21は導波管、22はプランジヤー、
24は冷却水である。なお各図中、同一符号は同
一または相当部分を示す。
1A and 1B are explanatory diagrams showing one embodiment of the present invention, and FIGS. 2A and 2B are explanatory diagrams showing another embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a container, 2 is a window, 3 is a mixed gas, 4 and 4a are lasers, 6 is a power source (DC or high frequency), 8 is a base material, 10 is an electrode, 12 is a conduit, 13
13a is an introduction gas, 13a is an exhaust gas, 20 is a microwave generator, 21 is a waveguide, 22 is a plunger,
24 is cooling water. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
放電又は直流グロー放電又はマイクロ波により活
性化させ、この活性化した混合気体にレーザを照
射してダイヤモンドを形成させる装置において、
上記混合気体を収容する容器と、この容器にガス
を導入する管路と、この容器内のガスを排出する
管路と、この容器内にレーザを投射する窓と、上
記混合気体に高周波プラズマ放電を形成させる電
極、又は直流グロー放電を形成させる電極又はマ
イクロ波を導く導波管及びこのマイクロ波の照射
面に設けた冷却装置と、上記容器内に設けられ基
材を載置するX−Yテーブルと、この基材の加熱
装置とを設け、上記基材に沿つてレーザを照射す
るとともに、このレーザと交差させて上記基材の
表面にもレーザを照射するように構成したことを
特徴とするダイヤモンド薄膜の形成装置。1. In an apparatus that activates a gas mixture of hydrocarbon and hydrogen by high-frequency plasma discharge, direct current glow discharge, or microwave, and forms diamond by irradiating the activated gas mixture with a laser,
A container for storing the above-mentioned mixed gas, a conduit for introducing the gas into this container, a conduit for discharging the gas in this container, a window for projecting a laser into this container, and a high-frequency plasma discharge for the above-mentioned mixed gas. or an electrode for forming a DC glow discharge, or a waveguide for guiding microwaves, a cooling device provided on the microwave irradiation surface, and an X-Y provided in the container on which the substrate is placed. A table and a heating device for the base material are provided, and the laser beam is irradiated along the base material and the surface of the base material is also irradiated by intersecting the laser beam. A device for forming diamond thin films.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28678986A JPS63144195A (en) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | Forming apparatus for diamond thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28678986A JPS63144195A (en) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | Forming apparatus for diamond thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144195A JPS63144195A (en) | 1988-06-16 |
| JPH0369878B2 true JPH0369878B2 (en) | 1991-11-05 |
Family
ID=17709065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28678986A Granted JPS63144195A (en) | 1986-12-03 | 1986-12-03 | Forming apparatus for diamond thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144195A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981717A (en) * | 1989-02-24 | 1991-01-01 | Mcdonnell Douglas Corporation | Diamond like coating and method of forming |
| JP2602991B2 (en) * | 1990-10-25 | 1997-04-23 | 株式会社島津製作所 | Diamond surface modification method |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60122796A (en) * | 1983-12-06 | 1985-07-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Vapor phase synthesis method of diamond |
| JPS60127293A (en) * | 1983-12-15 | 1985-07-06 | Asahi Chem Ind Co Ltd | Production of diamond |
| JPS61201694A (en) * | 1985-02-28 | 1986-09-06 | Nec Corp | Vapor phase synthesis method for diamond |
| JPS6385011U (en) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 |
-
1986
- 1986-12-03 JP JP28678986A patent/JPS63144195A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63144195A (en) | 1988-06-16 |
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