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JPH0370915B2 - - Google Patents
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JPH0370915B2 - - Google Patents

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JPH0370915B2
JPH0370915B2 JP19900784A JP19900784A JPH0370915B2 JP H0370915 B2 JPH0370915 B2 JP H0370915B2 JP 19900784 A JP19900784 A JP 19900784A JP 19900784 A JP19900784 A JP 19900784A JP H0370915 B2 JPH0370915 B2 JP H0370915B2
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Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は半導体レーザの共振器端面に誘電体等
の保護膜を被覆した場合の端面反射率を測定する
装置に関するものである。
＜従来技術＞ 半導体レーザの共振器端面の劣化を防止すると
ともにその光反射率の制御設定を企図して共振器
の両端面に誘電体等の保護膜を被覆した種々の光
反射率を示す半導体レーザが開発されている。従
来、この保護膜が被覆された共振器端面の反射率
を測定する手段として、前面光出力を後面光出力
の値を求め、これらと各反射率との関係を表わす
次式を用いて反射率を算出していた。
但し、 P1：一方の端面の光出力 R1：一方の端面の光反射率 P2：他方の端面の光出力 R2：他方の端面の光反射率 しかしながら、このような算出方法では端面反
射率のいずれか一方即ちR1，R2の一方が判明し
ていなければ他方の端面反射率を求めることがで
きない。従つて一般的には共振器端面の一方を劈
開面の状態とし他方の端面のみ保護膜を被覆して
反射率を変化させ、劈開面の反射率を既知のもの
として保護膜を被覆した端面の反射率を(1)式より
算出していた。両端面とも保護膜を被覆した場合
には、上述した如く一方の面を劈開面とし他方の
面に同一条件で保護膜を被覆したモニタ用の半導
体レーザを利用して保護膜の被覆された端面の反
射率を(1)式より求める方法が採用されていた。こ
のため半導体レーザ個々の端面反射率の測定を直
接的に行なうことができず工程内でのバラツキを
評価することが不可能であつた。
＜発明の目的＞ 本発明は上述の問題点に鑑み、出力されたレー
ザ光の帰還光を利用することにより、共振器両端
面に保護膜が被覆された場合であつても容易にそ
の両端面の反射率を求めることができる半導体レ
ーザの端面反射率測定装置を提供することを目的
とする。
＜発明の原理と構成＞ 半導体レーザの共振器前面光出力の一部がその
出射端面に帰還すると前面光出力及び後面光出力
と帰還光量との間に一定の関数関係があることが
思い出された。以下これを第２図とともに説明す
る。半導体レーザの共振器両端面をf1，f2とし、
f1，f2の端面反射率を各々R1，R2とする。またf1
からの光出力をP1，f2からの光出力をP2とし、外
部反射鏡Ｍで反射したf1からの出力光の一部rP1
（０≦ｒ≦１）とする。このrP1の光量の光が半導
体レーザのf1より共振器内部へ帰還されるものと
する。共振器内部のf1における入射方向と反射方
向の光出力をP1′，P1″，f2における入射方向と反
射方向の光出力をP2′，P2″、共振器の利得をＡと
する。これらの関係式は次の如く表わされる。
P1＝（１−R1）P1′ …(3) P1″＝｛√1＋（１−R1）√｝2P1′ …(4) P2＝（１−R2）P2′ …(5) P2″＝R2P2′ …(6) P2′＝AP1″ …(7) P1′＝AP2″ …(8) 上記(3)乃至(8)式より次式が求まる。
P1／P2＝１−R1／１−R2・√R2／√Ｒ＋（１−R1）√
ｒ…(9) 即ち、ｒとR1及びR2が定まればP1とP2の割合
は一義的に決定される。また帰還光がない場合即
ちｒ＝０の場合は(1)式となる。
帰還光がrP1の時の前面光出力P1（ｒ）と後面
光出力P2（ｒ）の比をXrとし、帰還光がない時の
前面出力P1と後面光出力P2の比をX0とすると
Xr，X0及びX0対Xrの比は Xr＝P1（ｒ）／P2（ｒ）＝１−R1／１−R2・ √R2／√R1＋（１−R1）√ｒ …（11） Xr／X0＝√R1／√R1＋（１＋R1）√ｒ…（12） となる。
従つて、帰還光量の出射光量に対する割合ｒ、
帰還光がない時の前面光出力と後面光出力の比
X0及び帰還光がある時の前面光出力と後面光出
力の比Xrが設定されるとR1が求められ、次に(1)
式よりR2が求められることになる。
＜実施例＞ 第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザ
の端面反射率測定装置の構成図である。
半導体レーザ１のレーザ発振用共振器の両端面
にはSiO2，Al2O3等の誘導体から成る保護膜が被
覆され、一方の端面（前面）よりレーザ光出射方
向にコリメータレンズ２、レンズ光を直交する２
方向に分割するビームスプリツタ３、レーザ光が
反射される反射鏡４が配置されている。またビー
ムスプリツタ３で分割されたレーザ光が照射され
る位置に光検出器５，６が設けられている。半導
体レーザ１の他方の端面（後面）には該端面より
出力されるレーザ光が照射される光検出器７が配
置されている。またビームスプリツタ３と反射鏡
４との間にはレーザ反射光を開閉するためのシヤ
ツタ８が介設されている。光検出器７、半導体レ
ーザ１、コリメートレンズ２及びビームスプリツ
タ３は図中の光軸Ｃに整合して順次配置されてい
る。
半導体レーザ１より出力されたレーザ光は、後
面より出力されたレーザ光が光検出器７に照射さ
れてその出力強度が求められ、前面より出力され
たレーザ光がコリメートレンズ２を通過して平行
光束となり、ビームスプリツタ３で２方向に分割
される。ビームスプリツタ３で光軸Ｃと直交する
方向へ分割されたレーザ光は光検出器５へ照射さ
れて前面からのレーザ出力強度が求められる。ビ
ームスプリツタ３より光軸Ｃに沿つて直進するレ
ーザ光は反射鏡４の反射面に垂直に入射し、その
反射光は同じ光軸Ｃに沿つて逆方向に進行してビ
ームスプリツタ３へ入射する。ビームスプリツタ
３で反射光は光軸方向の光と光軸Ｃに直光する方
向の光に２分割され、光軸Ｃに直交する方向の光
は光検出器６へ照射されてその強度が求められ
る。光軸Ｃに沿つて進む光はコリメートレンズ２
を通過して半導体レーザ１の共振端面より内部へ
帰還され、複合共振器を形成する。
上記構成において、シヤツタ８を閉成して反射
光を遮断し、半導体レーザ１に帰還光がない場合
の光検出器５及び光検出器７に照射されるレーザ
光の前面光出力P1と後面光出力P2の比X0を測定
する。次にシヤツタ８を開成してレーザ光を反射
鏡４で反射させた後半導体レーザ１に帰還させた
場合の前面光出力P1（ｒ）と後面光出力P2（ｒ）
の比Xrを測定する。また光検出器５，６により
前面のレーザ出射光量に対する帰還光量の割合ｒ
も同時に測定する。これらの測定値X0，Xr，ｒ
を（12）式に代入することにより前面反射率R1
が求められ、更に(1)式よりR2を求めることがで
きる。
第３図は本発明の他の実施例を示す半導体レー
ザの端面反射率測定装置の構成図である。
本実施例は半導体レーザ１、コリメートレンズ
２、ビームスプリツタ３及び光検出器５，６につ
いては第１図と同様の構成をなす。半導体レーザ
１の後面より出力されたレーザ光は光検出器７に
照射されるが、この光検出器７の検出信号は
APC（オートパワーコントロール）回路９へ入力
されAPC回路９の出力によつて半導体レーザ１
の駆動電流が制御される。ビームスプリツタ３の
通過した光軸Ｃの方向に沿つて進行する出力レー
ザ光は集束レンズ１０を通過して集束され、反射
鏡４でスポツト状に照射された後、反射光となつ
て集束レンズ１０より光軸Ｃに沿つて逆方向へ進
行し半導体レーザ１に帰還される。半導体レーザ
１は光検出器７によりその出力強度が検出され、
出力強度の変化がAPC回路９を介して駆動系へ
フイードバツクされる。これによつて強度が常に
一定になるように半導体レーザ１が駆動される。
この場合上述の(10)式（11）式は となり、（12）式は P1（ｒ）／P1＝√R1／√R1＋（１−R1）√ｒ…（12）
′ で表わされる。従つて、光検出器５の検出信号の
みで容易にR1が算出される。
尚、端面反射率以外に半導体レーザ１の端面反
射率の変化についても測定することが可能であ
る。
＜発明の効果＞ 以上説明した如く本発明によれば半導体レーザ
の共振器両端面の光反射率を精度良く直接測定す
ることができ、素子間の光反射率のバラツキ等に
ついても調べることができる。従つて半導体レー
ザの製造工程における歩留りの向上あるいは品質
の改良等に寄与することが期待される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザ
の端面反射率測定装置の構成図である。第２図は
本発明の基本原理を説明する説明図である。第３
図は本発明の他の実施例を示す半導体レーザの端
面反射率測定装置の構成図である。 １…半導体レーザ、２…コリメートレンズ、３
…ビームスプリツタ、４…反射鏡、５，６，７…
光検出器、８…シヤツタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 半導体レーザの共振器の両端面より出力され
    るレーザ光強度をそれぞれ測定する光検出手段
    と、一方の前記端面より出力されるレーザ光を反
    射して前記半導体レーザへ帰還させる光反射手段
    と、該光反射手段により反射されるレーザ反射光
    を遮断する位置で開閉されるシヤツタ手段と、前
    記レーザ反射光の強度を測定する光検出手段と、
    を具備して成る半導体レーザの共振端面反射率測
    定装置。
JP59199007A 1984-09-21 1984-09-21 半導体レ−ザの共振端面反射率測定装置 Granted JPS6177388A (ja)

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JP59199007A JPS6177388A (ja) 1984-09-21 1984-09-21 半導体レ−ザの共振端面反射率測定装置
US06/777,247 US4660983A (en) 1984-09-21 1985-09-18 Apparatus for measuring reflectivities of resonator facets of semiconductor laser
DE19853533465 DE3533465A1 (de) 1984-09-21 1985-09-19 Vorrichtung zur messung der reflexionsvermoegen von resonatorfacetten von halbleiterlasern
GB8523301A GB2166237B (en) 1984-09-21 1985-09-20 Apparatus for measuring reflectivities of resonator facets of semiconductor laser

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JPS6177388A JPS6177388A (ja) 1986-04-19
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DE3533465A1 (de) 1986-03-27
JPS6177388A (ja) 1986-04-19
DE3533465C2 (ja) 1990-04-12
GB8523301D0 (en) 1985-10-23
US4660983A (en) 1987-04-28
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