JPH0371399B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0371399B2 JPH0371399B2 JP61102984A JP10298486A JPH0371399B2 JP H0371399 B2 JPH0371399 B2 JP H0371399B2 JP 61102984 A JP61102984 A JP 61102984A JP 10298486 A JP10298486 A JP 10298486A JP H0371399 B2 JPH0371399 B2 JP H0371399B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- chamber
- growth
- seed crystal
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、昇華法またはハロゲン輸送法を用い
た−族化合物（ZnS、ZnSe、ZnTe、…）の
バルク単結晶成長方法に関するものである。
た−族化合物（ZnS、ZnSe、ZnTe、…）の
バルク単結晶成長方法に関するものである。
＜従来技術とその問題点＞
ZnS、ZnSe等の−族化合物半導体単結晶
の成長に際し、昇華法あるいはハロゲン輸送法を
用いた従来の成長法では、単結晶成長初期に存在
する結晶性の乱れをバルク単結晶がそのまま引き
継いだ形態となるため、成長した結晶は均質な結
晶部分が著しく制限される。従つて、実用上必要
な径大寸法の単結晶を再現性良く得ることは容易
でない。これらの問題は多くの−族化合物半
導体に現出する。
の成長に際し、昇華法あるいはハロゲン輸送法を
用いた従来の成長法では、単結晶成長初期に存在
する結晶性の乱れをバルク単結晶がそのまま引き
継いだ形態となるため、成長した結晶は均質な結
晶部分が著しく制限される。従つて、実用上必要
な径大寸法の単結晶を再現性良く得ることは容易
でない。これらの問題は多くの−族化合物半
導体に現出する。
＜発明の目的＞
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、昇華
法、ハロゲン輸送法を用いた−族化合物のバ
ルク単結晶を気相成長させる方法において、成長
装置中の種結晶成長及び伸長のための種結晶室と
単結晶成長室を分離し、種結晶発生部の構造に技
術的手段を駆使することによつて任意の寸法の均
質な高品質バルク単結晶を成長させる方法を提供
することを目的とするものである。
法、ハロゲン輸送法を用いた−族化合物のバ
ルク単結晶を気相成長させる方法において、成長
装置中の種結晶成長及び伸長のための種結晶室と
単結晶成長室を分離し、種結晶発生部の構造に技
術的手段を駆使することによつて任意の寸法の均
質な高品質バルク単結晶を成長させる方法を提供
することを目的とするものである。
＜発明の概要＞
上記目的を達成するため、本発明の結晶成長方
法は、種結晶の成長に自然核発生を利用する種結
晶発生用ヒートシンクを備えた種結晶室と核発生
後成長した種結晶の貫穿が可能な隔壁で仕切られ
た単結晶成長室を具備した成長装置を利用した単
結晶成長法を特徴とするものである。具体的に
は、昇華法またはハロゲン輸送法を用いて種結晶
成長室中に自然核発生させるヒートシンク部より
低温となる構造を持たず、ヒートシンク部と結晶
成長室までが適度な距離を隔てて設置された成長
装置を用いることによつてヒートシンク部で自然
核発生した結晶が種結晶室で伸び結晶成長室に達
した後、その先端の良質な小単結晶から結晶成長
室で乱れの少ない単結晶成長を行なうものであ
る。
法は、種結晶の成長に自然核発生を利用する種結
晶発生用ヒートシンクを備えた種結晶室と核発生
後成長した種結晶の貫穿が可能な隔壁で仕切られ
た単結晶成長室を具備した成長装置を利用した単
結晶成長法を特徴とするものである。具体的に
は、昇華法またはハロゲン輸送法を用いて種結晶
成長室中に自然核発生させるヒートシンク部より
低温となる構造を持たず、ヒートシンク部と結晶
成長室までが適度な距離を隔てて設置された成長
装置を用いることによつてヒートシンク部で自然
核発生した結晶が種結晶室で伸び結晶成長室に達
した後、その先端の良質な小単結晶から結晶成長
室で乱れの少ない単結晶成長を行なうものであ
る。
＜実施例＞
ZnSの沃素輸送法による単結晶成長を例にとつ
て本発明の１実施例を説明する。
て本発明の１実施例を説明する。
第１図は本実施例の説明に供する原理説明図で
ある。種発生用ヒートシンク１、自然核発生用種
結晶２を有する種結晶室３及び単結晶成長室５を
具備して気相成長装置が構成され、種発生用ヒー
トシンク部１より自然核発生させた種結晶２が、
種結晶室３で伸び隣設する単結晶成長室５で単結
晶４が成長する。第１図はこの様子を示してい
る。尚結晶成長の原材料６は装置下方に載置され
ている。
ある。種発生用ヒートシンク１、自然核発生用種
結晶２を有する種結晶室３及び単結晶成長室５を
具備して気相成長装置が構成され、種発生用ヒー
トシンク部１より自然核発生させた種結晶２が、
種結晶室３で伸び隣設する単結晶成長室５で単結
晶４が成長する。第１図はこの様子を示してい
る。尚結晶成長の原材料６は装置下方に載置され
ている。
第２図は、本発明の１実施例の説明に供する沃
素輸送法を用いた結晶成長装置の要部構成図であ
る。
素輸送法を用いた結晶成長装置の要部構成図であ
る。
石英アンプル７′は、直径数十mm、長さ数十cm
の単結晶成長室５′と長さ10〜30mmの種結晶室
３′を有し、種結晶室３′の上方より棒状の石英ヒ
ートシンク１′が垂設されている。ヒートシンク
１′は下端に種結晶の自然核を発生させるために
用いられ、種結晶２′は種結晶室３′で成長するに
従つて径小となり、ヒートシンク１′下端より下
方に先鋭化されながら伸びる。そして単結晶成長
室５′との境界隔壁付近で最小径となる。この種
結晶２′から単結晶成長室５′で良質なバルク単結
晶が成長する。種結晶室３′にヒートシンク１′よ
りも低温部となるような構造があるとヒートシン
ク１′以外からも自然核発生し、複数の種結晶を
用いた成長即ち多結晶成長となることは明らかで
ある。石英アンプル７′の底部には、原料として
ZnS６′が載置されている。上記構成を具備する
石英アンプル７′等を温度制御する成長炉（図示
せず）には必要な温度が付与されており、各部の
温度は600℃から1200℃の範囲で適宜選定される。
の単結晶成長室５′と長さ10〜30mmの種結晶室
３′を有し、種結晶室３′の上方より棒状の石英ヒ
ートシンク１′が垂設されている。ヒートシンク
１′は下端に種結晶の自然核を発生させるために
用いられ、種結晶２′は種結晶室３′で成長するに
従つて径小となり、ヒートシンク１′下端より下
方に先鋭化されながら伸びる。そして単結晶成長
室５′との境界隔壁付近で最小径となる。この種
結晶２′から単結晶成長室５′で良質なバルク単結
晶が成長する。種結晶室３′にヒートシンク１′よ
りも低温部となるような構造があるとヒートシン
ク１′以外からも自然核発生し、複数の種結晶を
用いた成長即ち多結晶成長となることは明らかで
ある。石英アンプル７′の底部には、原料として
ZnS６′が載置されている。上記構成を具備する
石英アンプル７′等を温度制御する成長炉（図示
せず）には必要な温度が付与されており、各部の
温度は600℃から1200℃の範囲で適宜選定される。
ヒートシンク１′の下端面を最も低い温度に設
定し、例として石英アンプル７′を850℃前後に加
熱する。加熱されたZnS６′原料は沃素（I2）ガ
スと反応し、ZnI2、S2分子となつて上昇し、ヒー
トシンク１′下端面で冷却されて種結晶２′が析出
する。この種結晶２′は種結晶室３′内で成長し単
結晶成長室５′との境界の最小径先端部である小
単結晶表面よりバルク状のZnS単結晶４′が成長
される。このバルクZnS単結晶４′は小単結晶表
面より成長されたものであるため、結晶欠陥の導
入される確率もきわめて小さく良好な結晶性を有
する単結晶となる。
定し、例として石英アンプル７′を850℃前後に加
熱する。加熱されたZnS６′原料は沃素（I2）ガ
スと反応し、ZnI2、S2分子となつて上昇し、ヒー
トシンク１′下端面で冷却されて種結晶２′が析出
する。この種結晶２′は種結晶室３′内で成長し単
結晶成長室５′との境界の最小径先端部である小
単結晶表面よりバルク状のZnS単結晶４′が成長
される。このバルクZnS単結晶４′は小単結晶表
面より成長されたものであるため、結晶欠陥の導
入される確率もきわめて小さく良好な結晶性を有
する単結晶となる。
＜発明の効果＞
以上詳説した本発明の装置を用いることによ
り、ヒートシンク部で自然核発生した結晶が種結
晶室で伸び、結晶成長室に達した先端の良質な小
単結晶から結晶成長室内で乱れの少ない単結晶成
長を行うことが可能となるため、任意の寸法の均
質な高品位バルク単結晶を容易に得ることができ
る。
り、ヒートシンク部で自然核発生した結晶が種結
晶室で伸び、結晶成長室に達した先端の良質な小
単結晶から結晶成長室内で乱れの少ない単結晶成
長を行うことが可能となるため、任意の寸法の均
質な高品位バルク単結晶を容易に得ることができ
る。
第１図は本発明の１実施例の説明に供する成長
装置の原理図である。第２図は本発明の１実施例
の説明に供する成長装置の要部構成図である。 １，１′……種結晶自然核発生用ヒートシンク、
２，２′……自然核発生種結晶、３，３′……種結
晶室、４，４′……単結晶、５，５′……単結晶成
長室、６，６′……原料、７，７′……成長装置。
装置の原理図である。第２図は本発明の１実施例
の説明に供する成長装置の要部構成図である。 １，１′……種結晶自然核発生用ヒートシンク、
２，２′……自然核発生種結晶、３，３′……種結
晶室、４，４′……単結晶、５，５′……単結晶成
長室、６，６′……原料、７，７′……成長装置。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 昇華法またはハロゲン輸送法を用いた−
族化合物半導体単結晶の気相成長方法において、 自然核発生させるヒートシンク部を備え、該ヒ
ートシンク部が最も低温に保たれた種結晶室と、 該結晶室に適宜空間を隔てて設けられた結晶成
長室の少なくとも２室を介して、 前記種結晶室で伸長し、前記結晶成長室との境
界で最小径先端部をなす種結晶に連結されたバル
ク単結晶を前記結晶成長室で成長せしめることを
特徴とする化合物半導体単結晶の気相成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298486A JPS62256792A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 化合物半導体単結晶の気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10298486A JPS62256792A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 化合物半導体単結晶の気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62256792A JPS62256792A (ja) | 1987-11-09 |
| JPH0371399B2 true JPH0371399B2 (ja) | 1991-11-13 |
Family
ID=14341980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10298486A Granted JPS62256792A (ja) | 1986-04-30 | 1986-04-30 | 化合物半導体単結晶の気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62256792A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101311401B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2013-09-25 | 장희선 | 철근 인양장치 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712030B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1995-02-08 | スタンレー電気株式会社 | ▲ｉｉ▼―▲ｖｉ▼族化合物半導体結晶成長装置 |
| US5725659A (en) * | 1994-10-03 | 1998-03-10 | Sepehry-Fard; Fareed | Solid phase epitaxy reactor, the most cost effective GaAs epitaxial growth technology |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49129694A (ja) * | 1973-04-04 | 1974-12-12 | ||
| JPS6143275U (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-20 | 三洋電機株式会社 | 結晶成長装置 |
-
1986
- 1986-04-30 JP JP10298486A patent/JPS62256792A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101311401B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2013-09-25 | 장희선 | 철근 인양장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62256792A (ja) | 1987-11-09 |
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