JPH0374971B2 - - Google Patents
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- JPH0374971B2 JPH0374971B2 JP24401284A JP24401284A JPH0374971B2 JP H0374971 B2 JPH0374971 B2 JP H0374971B2 JP 24401284 A JP24401284 A JP 24401284A JP 24401284 A JP24401284 A JP 24401284A JP H0374971 B2 JPH0374971 B2 JP H0374971B2
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- H03K5/22—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral
- H03K5/24—Circuits having more than one input and one output for comparing pulses or pulse trains with each other according to input signal characteristics, e.g. slope, integral the characteristic being amplitude
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は比較回路に関するもので、さらに詳し
く言えば、電界効果トランジスタを用いた比較回
路に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a comparison circuit, and more specifically, to a comparison circuit using field effect transistors.
第4図は、従来良く知られた比較回路の一例で
ある。401は第1の電源端子、402は第2の
電源端子、403は第1の入力端子、404は第
2の入力端子、405は出力端子、406は第1
導電型の電界効果トランジスタ(以下FFTと略
す)、407はFET406とともに反転増幅器4
08を構成する第2導電型のFET、409は加
算コンデンサ、410,411は加算コンデンサ
409に第1の入力端子403からの入力と、第
2の入力端子404からの入力を交互に接続する
為のスイツチ、412は反転増幅器の入力と出力
を接続する為のスイツチである。
FIG. 4 shows an example of a conventionally well-known comparison circuit. 401 is a first power supply terminal, 402 is a second power supply terminal, 403 is a first input terminal, 404 is a second input terminal, 405 is an output terminal, 406 is a first
A conductive field effect transistor (hereinafter abbreviated as FFT) 407 is an inverting amplifier 4 along with a FET 406.
08 is a second conductivity type FET, 409 is an addition capacitor, and 410 and 411 are for connecting the input from the first input terminal 403 and the input from the second input terminal 404 to the addition capacitor 409 alternately. The switch 412 is a switch for connecting the input and output of the inverting amplifier.
次に、第4図の回路の動作について説明する。
この第4図の回路は、比較回路の中でも、自己校
正型比較回路と呼ばれる種類に属するものであ
り、その動作は校正モード時φと比較モード時
の2つのモードをくり返すことで、入力端子40
3と入力端子404の電位を比較し、その結果を
出力端子405に出力する。 Next, the operation of the circuit shown in FIG. 4 will be explained.
The circuit shown in Fig. 4 belongs to a type of comparison circuit called a self-calibration type comparison circuit, and its operation repeats two modes: φ in calibration mode and comparison mode. 40
3 and the potential of the input terminal 404 and output the result to the output terminal 405.
まず、校正モードφにおいては、スイツチ41
0,412は閉じられ、スイツチ411は開かれ
る。このとき、加算コンデンサ409の反転増幅
器408側には、反転増幅器の閾値電位が印加さ
れ、反対側には入力端子403の電位が印加され
るので、加算コンデンサ409には、その電子差
に相当する電荷が蓄積される。 First, in the calibration mode φ, the switch 41
0,412 is closed and switch 411 is opened. At this time, the threshold potential of the inverting amplifier is applied to the inverting amplifier 408 side of the summing capacitor 409, and the potential of the input terminal 403 is applied to the opposite side. Charge is accumulated.
次に、この状態により比較モードに移る。比
較モードにおいては、スイツチ410,412
は開かれ、スイツチ411は閉じられる。このと
きには、加算コンデンサ409の入力側には、入
力端子404の電位が印加され、かつ、加算コン
デンサ409自体は校正モードφ時に蓄えた電荷
を保持しているので、入力端子404の電位が入
力端子403の電位より僅かでも大きい(小さ
い)と反転増幅器408の入力はその閾値より上
昇(降下)し、その結果、反転増幅器408の出
力は大きく下降(上昇)して、入力端子403の
電位と入力端子404の電位の比較が達成され
る。 Next, due to this state, a transition is made to the comparison mode. In comparison mode, switches 410, 412
is opened and switch 411 is closed. At this time, the potential of the input terminal 404 is applied to the input side of the summing capacitor 409, and since the summing capacitor 409 itself holds the charge accumulated during the calibration mode φ, the potential of the input terminal 404 is applied to the input side of the summing capacitor 409. If the potential of the inverting amplifier 408 is even slightly larger (smaller) than the potential of the input terminal 403, the input of the inverting amplifier 408 rises (falls) below its threshold value. A comparison of the potentials at terminal 404 is accomplished.
本従来例の回路は自己校正型である為、デバイ
スに要求される精度が緩くて良いという利点をも
つている。 Since the circuit of this conventional example is of a self-calibration type, it has the advantage that the precision required for the device is less strict.
ところで、上述した従来の比較回路の動作にお
いて、その誤動作の要因の一つに、校正モードφ
に比較モードにおける反転増幅器408の閾値
の変動が挙げられる。これは、校正モードφ時よ
り、比較モード時において反転増幅器408の
閾値が低下(上昇)した場合、入力端子403と
404の電位が等しくても、加算コンデンサ40
9には、校正モードφ時の閾値を前提として電荷
が蓄積されている結果、見かけ上入力端子404
の電位が403の電位より高く(低く)見えるこ
とによる。この為、反転増幅器408の閾値変動
は、本従来例において大きな問題となるが、本従
来例の回路では、反転増幅器408をFFT2個4
06,407により構成している為、電源電圧
(第1の電源端子の電位と第2の電源端子の電位
の差)の変動が、反転増幅器408の閾値に著し
い影響を及ぼす。このため本従来例の回路は、電
源電圧変動に著しく弱いという欠点をもつてい
る。
By the way, in the operation of the conventional comparison circuit mentioned above, one of the causes of malfunction is the calibration mode φ.
Another example is the variation of the threshold value of the inverting amplifier 408 in the comparison mode. This is because if the threshold of the inverting amplifier 408 is lowered (increased) in the comparison mode than in the calibration mode φ, even if the potentials of the input terminals 403 and 404 are equal, the summing capacitor 40
As a result of the charge being accumulated at the input terminal 404 assuming the threshold value in the calibration mode φ, the input terminal 404
This is because the potential of 403 appears higher (lower) than the potential of 403. For this reason, the threshold fluctuation of the inverting amplifier 408 becomes a big problem in this conventional example, but in the circuit of this conventional example, the inverting amplifier 408 is
06 and 407, fluctuations in the power supply voltage (difference between the potential of the first power supply terminal and the potential of the second power supply terminal) significantly affect the threshold value of the inverting amplifier 408. Therefore, the circuit of this conventional example has the disadvantage of being extremely susceptible to power supply voltage fluctuations.
本発明は、以上の点に鑑みてなされたもので、
電源電圧の変動に強い、自己校正型比較回路、特
にFETを用いた比較回路を提供することを目的
とする。 The present invention has been made in view of the above points, and
The purpose of this invention is to provide a self-calibrating comparison circuit that is resistant to fluctuations in power supply voltage, especially a comparison circuit using FETs.
本発明によれば、第1の電源端子と、第2の電
源端子と、第1の入力端子と、第2の入力端子
と、出力端子と、第1の電源端子と第2の電源端
子との間に直列に接続されて反転増幅器を構成す
る第1の種類の第1のFETと第2の種類の第2
のFETと、第1の電源端子と第2の電源端子と
の間に直列に接続されてバイアス回路を構成する
第1の種類の第3のFETと第2の種類の第4の
FETと、前述の反転増幅器の入力に一端を接続
した第1の容量素子と、第1の容量素子の残る一
端と第1の入力端子及び第2の入力端子との間に
それぞれ置かれた第1及び第2のスイツチ素子
と、反転増幅器の入力と出力との間に置かれた第
3のスイツチ素子と、一端を第2の電源端子に接
続した第2の容量素子と、第2の容量素子の残る
一端と前述のバイアス回路の出力との間に置かれ
た第4のスイツチ素子と、第4のスイツチ素子と
第2の容量素子との接続点の電位と、バイアス回
路の出力の電位とを比較増幅する差動増幅回路
と、差動増幅器の出力に一端を接続した第5のス
イツチ素子と、バイアス回路の出力に一端を接続
し、第5のスイツチ素子の残る一端にもう一端を
接続した第6のスイツチ素子と、前述の反転増幅
器の出力と第1又は第2の電源素子との間に並列
にソースドレイン間を接続し第5と第6のスイツ
チとの接続点にゲートを接続した第5のFETと、
バイアス回路の出力と第1又は第2の電源素子と
の間に並列にソース・ドレイン間を接続し、第5
と第6のスイツチの接続点にゲートを接続した第
6のFETとを含んで構成され、出力端子を反転
増幅器の出力に接続した比較回路を得る。
According to the present invention, the first power terminal, the second power terminal, the first input terminal, the second input terminal, the output terminal, the first power terminal and the second power terminal a first FET of a first type and a second FET of a second type connected in series between
A third FET of the first type and a fourth FET of the second type are connected in series between the first power terminal and the second power terminal to form a bias circuit.
FET, a first capacitive element whose one end is connected to the input of the above-mentioned inverting amplifier, and a first capacitive element placed between the remaining one end of the first capacitive element and the first input terminal and the second input terminal, respectively. the first and second switch elements, a third switch element placed between the input and output of the inverting amplifier, a second capacitor element whose one end is connected to the second power supply terminal, and a second capacitor element. A fourth switch element placed between the remaining end of the element and the output of the aforementioned bias circuit, a potential at a connection point between the fourth switch element and the second capacitive element, and a potential at the output of the bias circuit. a differential amplifier circuit that compares and amplifies the signals; a fifth switch element with one end connected to the output of the differential amplifier; one end connected to the output of the bias circuit; and the other end connected to the remaining one end of the fifth switch element. The source and drain are connected in parallel between the connected sixth switch element and the output of the above-mentioned inverting amplifier and the first or second power supply element, and a gate is connected at the connection point between the fifth and sixth switch. The connected fifth FET and
The source and drain are connected in parallel between the output of the bias circuit and the first or second power supply element, and the fifth
and a sixth FET whose gate is connected to the connection point of the sixth switch, and whose output terminal is connected to the output of the inverting amplifier.
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第1図は本発明の回路の一実施例である。10
1は第1の電源端子、102は第2の電源端子、
103は第1の入力端子、104は第2の入力端
子、105は出力端子、106は第1導電型の第
1のFETで、107の第2導電型の第2のFET
とともに、反転増幅器108を構成している。1
09は第1導電型の第3のFETで、110の第
2導電型の第4のFETとともに、バイアス回路
111を構成してなる。112は反転増幅器10
8の入力に信号を伝える第1の容量素子(以下加
算コンデンサと呼ぶ)であり、113,114は
加算コンデンサに、入力端子103,104より
入つてくる入力を交互に接続する第1及び第2の
スイツチ素子、115は反転増幅器108の入力
と出力を短絡する為の第3のスイツチ素子、11
6は第2の容量素子(以下ホールドコンデンサと
呼ぶ)、117はバイアス回路111の出力とホ
ールドコンデンサ116を短絡する為の第4のス
イツチ素子、118はホールドコンデンサ116
の電位と、バイアス回路111の出力電位を比較
増幅する為の差動増幅回路、121は反転増幅器
106の閾値を制御する為の第2導電型の第5の
FET、122はバイアス回路111の出力を制
御する為の第2導電型の第6のFET、119,
120はFET121、FET122のゲートにか
かる電位を差動増幅器118の出力又は、バイア
ス回路111の出力に切換える為のスイツチ素子
である。本実施例においては、FET106と
FET109、FET107とFET110、FET1
21とFET122はおのおの類似の整合のとれ
たものであるとする。 FIG. 1 shows an embodiment of the circuit of the present invention. 10
1 is a first power supply terminal, 102 is a second power supply terminal,
103 is a first input terminal, 104 is a second input terminal, 105 is an output terminal, 106 is a first FET of the first conductivity type, and 107 is a second FET of the second conductivity type.
Together, they constitute an inverting amplifier 108. 1
A third FET 09 of the first conductivity type forms a bias circuit 111 together with a fourth FET 110 of the second conductivity type. 112 is an inverting amplifier 10
8 is a first capacitive element (hereinafter referred to as an addition capacitor) that transmits a signal to the input, and 113 and 114 are first and second capacitors that alternately connect inputs coming from input terminals 103 and 104 to the addition capacitor. A switch element 115 is a third switch element 115 for shorting the input and output of the inverting amplifier 108.
6 is a second capacitive element (hereinafter referred to as a hold capacitor), 117 is a fourth switch element for short-circuiting the output of the bias circuit 111 and the hold capacitor 116, and 118 is a hold capacitor 116
121 is a differential amplifier circuit for comparing and amplifying the potential of the output potential of the bias circuit 111 and the output potential of the bias circuit 111;
FET 122 is a sixth FET of the second conductivity type for controlling the output of the bias circuit 111, 119,
120 is a switch element for switching the potential applied to the gates of FET 121 and FET 122 to the output of differential amplifier 118 or the output of bias circuit 111. In this example, FET106 and
FET109, FET107 and FET110, FET1
It is assumed that FET 21 and FET 122 are similar and well-matched.
第1図の回路の動作は、校正モードφの比較モ
ードの2つのモードより成つている。 The operation of the circuit shown in FIG. 1 consists of two modes: a calibration mode φ and a comparison mode.
まず、校正モードφにおいては、スイツチ11
3,115,117,120が閉じられ、スイツ
チ114,119は開かれる。この状態では、ま
ず、バイアス回路111の出力と第2の電源端子
102との間に、FET122のドレインとゲー
トとを接続したものが追加された形で、バイアス
回路111の出力が定まる。この出力はスイツチ
117を通じてホールドコンデンサ116に記憶
されると同時に、FET121のゲートにも印加
される。この時、スイツチ115は閉じているの
でFET106,107はともにドレインとゲー
トが短絡された状態であり、今、FET106と
109、FET107と110、FET121と1
22は良く整合のとれたものであるとしているの
で、反転増幅器108の閾値は、バイアス回路1
11の出力と一致し、その電位が加算コンデンサ
112の一端に印加される。加算コンデンサ11
2のもう一端にはスイツチ113を介して入力端
子103の電位が印加されるので、加算コンデン
サ112には、入力端子103の電位と反転増幅
器108の閾値の電位差分の電荷が蓄えられる。
次に、この状態より比較モードに移る。比較モ
ードにおいては、スイツチ113,115,1
17,120は開かれ、スイツチ114,119
は閉じられる。 First, in the calibration mode φ, the switch 11
3, 115, 117, 120 are closed and switches 114, 119 are opened. In this state, first, the output of the bias circuit 111 is determined by adding the drain and gate of the FET 122 connected between the output of the bias circuit 111 and the second power supply terminal 102. This output is stored in the hold capacitor 116 through the switch 117 and is also applied to the gate of the FET 121 at the same time. At this time, switch 115 is closed, so both FETs 106 and 107 have their drains and gates shorted, and now FETs 106 and 109, FETs 107 and 110, FETs 121 and 1
22 are well matched, the threshold value of the inverting amplifier 108 is the same as that of the bias circuit 1.
11, and its potential is applied to one end of the summing capacitor 112. Addition capacitor 11
Since the potential of the input terminal 103 is applied to the other end of the summing capacitor 112 via the switch 113, a charge equal to the potential difference between the potential of the input terminal 103 and the threshold of the inverting amplifier 108 is stored in the summing capacitor 112.
Next, from this state, the mode shifts to comparison mode. In comparison mode, switches 113, 115, 1
17,120 is opened, switch 114,119
is closed.
校正モードφの間と、比較モードの間とで電
源変動が存在しなかつた場合、差動増幅器118
の出力は、ホールドコンデンサ116と、バイア
ス回路111の出力が一致するように動作し、結
局校正モードの時のバイアス回路出力と同じ電位
に落ちつく。この出力はFET121のゲートに
も印加され、反転増幅器108の閾値にも影響す
るが、この場合、FET121のゲート電位が校
正モード時より、変化しないので、反転増幅器1
08の閾値も変動しない。従つて、あとの動作は
第4図に掲げた従来例と同じになり、スイツチ1
14を介して伝えられる入力端子104の電位が
入力端子103より高い(低い)場合には、反転
増幅器108の入力はその閾値より高く(低く)
なり、その出力として出力端子105の電位は降
下して(上昇)して比較動作が完了する。 If there is no power supply fluctuation between the calibration mode φ and the comparison mode, the differential amplifier 118
The output of the hold capacitor 116 and the output of the bias circuit 111 are operated to match each other, and eventually settle to the same potential as the output of the bias circuit in the calibration mode. This output is also applied to the gate of FET 121 and affects the threshold of inverting amplifier 108, but in this case, since the gate potential of FET 121 does not change from that in the calibration mode, inverting amplifier 108
The threshold value of 08 also does not change. Therefore, the rest of the operation is the same as the conventional example shown in Figure 4, and switch 1
14 is higher (lower) than the input terminal 103, the input of the inverting amplifier 108 is higher (lower) than its threshold.
As an output, the potential of the output terminal 105 decreases (increases) and the comparison operation is completed.
又、校正モードφの間と比較モードの間と
で、電源変動が存在した場合について考えてみる
と、もし、校正モードφの間より比較モードの
間のほうが電源電圧が大きかつた(小さかつた)
とすると、まず、バイアス回路111の出力が上
昇(降下)するので、差動増幅器118はそれを
検出し、その出力電位を上昇(降下)させ、その
電位上昇(降下)がFET122を通じて、バイ
アス回路111の出力を降下(上昇)する。そし
て、バイアス回路111の出力がホールドコンデ
ンサ116の電位と一致するまで差動増幅器11
8の出力が上昇(降下)することになる。この差
動増幅器118の出力は、FET121のゲート
にも印加されているので、この出力の上昇(降
下)は反転増幅器108の閾値の低下(上昇)を
もたらす。しかし、このとき反転増幅器108の
電源電圧もバイアス回路111と同様に増大(減
少)しているので、その閾値は校正モードφの時
より上昇(低下)しており、このFET121に
よる閾値の低下(上昇)と相殺し合つて、結局反
転増幅器の閾値は、電源電圧の変動を受けず一定
となることがわかる。この後の動作は、電源変動
のない場合と同様になり、入力端子103と10
4の電位の比較が達成されることは明らかであ
る。 Also, if we consider the case where there is a power supply fluctuation between the calibration mode φ and the comparison mode, what if the power supply voltage was larger (smaller and smaller) during the comparison mode than during the calibration mode φ? Ta)
Then, first, the output of the bias circuit 111 rises (drops), so the differential amplifier 118 detects this and raises (drops) its output potential, and the rise (drop) in potential is passed through the FET 122 to the bias circuit. Decrease (increase) the output of 111. Then, the differential amplifier 11
The output of 8 will rise (fall). Since the output of the differential amplifier 118 is also applied to the gate of the FET 121, a rise (fall) in this output causes a fall (increase) in the threshold of the inverting amplifier 108. However, at this time, the power supply voltage of the inverting amplifier 108 is also increasing (decreasing) in the same way as the bias circuit 111, so its threshold value has increased (decreased) from that in the calibration mode φ, and the decrease in the threshold value due to this FET 121 ( It can be seen that the threshold value of the inverting amplifier eventually becomes constant without being affected by fluctuations in the power supply voltage. The operation after this is the same as when there is no power fluctuation, and the input terminals 103 and 10
It is clear that a comparison of 4 potentials is achieved.
第2図に本発明の異なる実施例を示す。第1図
の実施例はいわゆるCMOS(相補型MOS)構成と
呼ばれる回路であつたが、第2図はE/D
MOS(エンハンスメント/デブリーシヨンMOS)
と呼ばれる回路で構成した例である。回路構成動
作とも基本的第1図の実施例とかわらない。 FIG. 2 shows a different embodiment of the invention. The embodiment shown in Fig. 1 was a circuit with a so-called CMOS (complementary MOS) configuration, but the embodiment shown in Fig. 2 is an E/D
MOS (Enhancement/Debrission MOS)
This is an example of a circuit called . The circuit configuration and operation are basically the same as the embodiment shown in FIG.
第3図に、本発明のさらに異なる実施例を示
す。第3図の実施例は、バイアス回路と、ホール
ドコンデンサ、差動増幅器より成るブロツク1つ
に対し、反転増幅器、加算コンデンサ、入力切換
えスイツチより成るブロツクを2つ以上配置した
(この例では4つ)例である。このような配置に
より比較回路が多数使用される回路(例えば並列
型アナログ−デジタル変換器)においても、本発
明を著しい素子数の増大を招くことなく、利用で
きることが理解できよう。 FIG. 3 shows yet another embodiment of the invention. In the embodiment shown in Fig. 3, two or more blocks each consisting of an inverting amplifier, a summing capacitor, and an input switch are arranged for one block consisting of a bias circuit, a hold capacitor, and a differential amplifier (in this example, there are four blocks each). ) is an example. It will be understood that this arrangement allows the present invention to be utilized even in a circuit in which a large number of comparison circuits are used (for example, a parallel analog-to-digital converter) without significantly increasing the number of elements.
以上説明したように、本発明によれば、電源電
圧の変動に強い自己校正型比較回路を提供するこ
とが可能である。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a self-calibrating comparison circuit that is resistant to fluctuations in power supply voltage.
本発明の回路は、FETと、容量素子とスイツ
チ素子により構成されていることから、FETと
してMOSFETを、容量素子としてMOS容量をス
イツチ素子としてMOS伝送ゲートを使用するこ
とで容易にIC(集積回路)化することが期待で
き、MOSICにおける従来のデジタル技術と組み
合わせることで、アナログデジタル混在ICのよ
うな今後、伸びつつある分野にも、応用可能であ
る。以上述べたように、本発明の用途は広く、こ
れによる実用上の利益は多大である。 Since the circuit of the present invention is composed of a FET, a capacitive element, and a switch element, it is easy to use an IC (integrated circuit ), and by combining it with conventional digital technology in MOSIC, it can be applied to fields that are growing in the future, such as analog-digital mixed ICs. As described above, the present invention has a wide range of applications, and the practical benefits thereof are considerable.
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図は
本発明の異なる実施例の回路図、第3図は本発明
のさらに異なる実施例の回路図、第4図は従来の
比較回路の一例の回路図である。
101……第1の電源端子、102……第2の
電源端子、103,104……入力端子、105
……出力端子、106,109……第1導電型の
FET、107,110,121,122……第
2導電型のFET、108……反転増幅器、11
1……バイアス回路、112,116……容量素
子、113,114,115,117,119,
120……スイツチ素子、118……差動増幅
器、201……第1の電源端子、202……第2
の電源端子、203,204……入力端子、20
5……出力端子、206,209……第1導電型
のFET、207,210,221,222……
第2導電型のFET、208……反転増幅器、2
11……バイアス回路、212,216……容量
素子、213,214,215,217,21
9,220……スイツチ素子、218……差動増
幅器、301……第1の電源素子、302……第
2の電源端子、303a〜d,304a〜d……
入力端子、305a〜d……出力端子、306a
〜d,309……第1導電型のFET、307a
〜d,310,321a〜d,322……第2導
電型のFET、312a〜d,316……容量素
子、313a〜d,314a〜d,315a〜
d,317,319,320……スイツチ素子、
318……差動増幅器、401……第1の電源素
子、402……第2の電源端子、403,404
……入力端子、405……出力端子、406……
第1導電型のFET、407……第2導電型の
FET、408……反転増幅器、409……容量
素子、410,411,412……スイツチ素
子。
Fig. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the present invention, Fig. 2 is a circuit diagram of a different embodiment of the present invention, Fig. 3 is a circuit diagram of a further different embodiment of the present invention, and Fig. 4 is a conventional comparison. FIG. 2 is a circuit diagram of an example of a circuit. 101...First power supply terminal, 102...Second power supply terminal, 103, 104...Input terminal, 105
... Output terminal, 106, 109 ... First conductivity type
FET, 107, 110, 121, 122...FET of second conductivity type, 108...Inverting amplifier, 11
1... Bias circuit, 112, 116... Capacitive element, 113, 114, 115, 117, 119,
120... Switch element, 118... Differential amplifier, 201... First power supply terminal, 202... Second
power supply terminals, 203, 204...input terminals, 20
5... Output terminal, 206, 209... FET of first conductivity type, 207, 210, 221, 222...
FET of second conductivity type, 208...Inverting amplifier, 2
11... Bias circuit, 212, 216... Capacitive element, 213, 214, 215, 217, 21
9, 220... Switch element, 218... Differential amplifier, 301... First power supply element, 302... Second power supply terminal, 303a-d, 304a-d...
Input terminals, 305a-d...Output terminals, 306a
~d, 309...FET of first conductivity type, 307a
~d, 310, 321a-d, 322...FET of second conductivity type, 312a-d, 316... Capacitive element, 313a-d, 314a-d, 315a-
d, 317, 319, 320... switch element,
318... Differential amplifier, 401... First power supply element, 402... Second power supply terminal, 403, 404
...Input terminal, 405...Output terminal, 406...
FET of the first conductivity type, 407... of the second conductivity type
FET, 408...inverting amplifier, 409...capacitive element, 410, 411, 412... switch element.
Claims (1)
の入力端子と、第2の入力端子と、前記第1の電
源端子と前記第2の電源端子の間に接続された反
転増幅器と、前記第1の電源端子と前記第2の電
源端子の間に接続されたバイアス回路と、前記反
転増幅器の入力に一端を接続した第1の容量素子
と、前記第1の容量素子の他端と前記第1の入力
端子の間に接続された第1のスイツチ素子と、前
記第1の容量素子の他端と前記第2の入力端子の
間に接続された第2のスイツチ素子と、前記反転
増幅器の入力と出力の間に接続された第3のスイ
ツチ素子と、前記第2の電源端子に一端が接続さ
れた第2の容量素子と、前記第2の容量素子の他
端に前記バイアス回路の出力の間に接続された第
4のスイツチ素子と、前記第2の容量素子の他端
の電位と前記バイアス回路の出力の電位とを比較
増幅する差動増幅回路と、前記差動増幅回路の出
力に一端が接続された第5のスイツチ素子と、前
記バイアス回路の出力と前記第5のスイツチ素子
の他端の間に接続された第6のスイツチ素子と、
前記反転増幅器の出力と前記第1又は第2の電源
端子の間にソース・ドレイン電流路が接続され前
記第5のスイツチ素子の他端にゲートが接続され
た第1の電界効果トランジスタと、前記バイアス
回路の出力と前記第1又は第2の電源端子の間に
ソース・ドレイン電流路が接続され前記第5のス
イツチ素子の他端にゲートが接続された第2の電
界効果トランジスタと、前記反転増幅器の出力に
接続された出力端子とを有し、第1のモードで前
記第1、第3、第4および第6のスイツチ素子が
閉になるとともに前記第2および第5のスイツチ
素子が開になり、第2のモードで前記第1、第
3、第4および第6のスイツチ素子が開になると
ともに前記第2および第5のスイツチ素子が閉に
なることを特徴とする比較回路。 2 前記反転増幅器および前記バイアス回路は同
一構成であり、前記第2の容量素子の他端は前記
バイアス回路の入力に接続されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の比較回路。[Claims] 1. A first power terminal, a second power terminal, and a first power terminal.
an input terminal, a second input terminal, an inverting amplifier connected between the first power supply terminal and the second power supply terminal, and between the first power supply terminal and the second power supply terminal. a bias circuit connected to the inverting amplifier, a first capacitive element having one end connected to the input of the inverting amplifier, and a first capacitive element connected between the other end of the first capacitive element and the first input terminal. a switch element, a second switch element connected between the other end of the first capacitive element and the second input terminal, and a third switch element connected between the input and output of the inverting amplifier. a second capacitive element having one end connected to the second power supply terminal, and a fourth switch element connected to the other end of the second capacitive element between the output of the bias circuit; a differential amplifier circuit that compares and amplifies the potential at the other end of the second capacitive element and the potential at the output of the bias circuit; a fifth switch element having one end connected to the output of the differential amplifier circuit; a sixth switch element connected between the output of the bias circuit and the other end of the fifth switch element;
a first field effect transistor having a source-drain current path connected between the output of the inverting amplifier and the first or second power supply terminal and a gate connected to the other end of the fifth switch element; a second field effect transistor having a source-drain current path connected between the output of the bias circuit and the first or second power supply terminal and a gate connected to the other end of the fifth switch element; an output terminal connected to the output of the amplifier, wherein in a first mode the first, third, fourth and sixth switch elements are closed and the second and fifth switch elements are open. , and in the second mode, the first, third, fourth and sixth switch elements are opened and the second and fifth switch elements are closed. 2. The comparison circuit according to claim 1, wherein the inverting amplifier and the bias circuit have the same configuration, and the other end of the second capacitive element is connected to the input of the bias circuit. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24401284A JPS61123215A (en) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Comparator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24401284A JPS61123215A (en) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Comparator circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61123215A JPS61123215A (en) | 1986-06-11 |
| JPH0374971B2 true JPH0374971B2 (en) | 1991-11-28 |
Family
ID=17112397
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24401284A Granted JPS61123215A (en) | 1984-11-19 | 1984-11-19 | Comparator circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61123215A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712497B1 (en) * | 2001-09-24 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | High speed comparison circuit |
-
1984
- 1984-11-19 JP JP24401284A patent/JPS61123215A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61123215A (en) | 1986-06-11 |
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