JPH0375942B2

JPH0375942B2 -

Info

Publication number: JPH0375942B2
Application number: JP1196318A
Authority: JP
Inventors: Takashi Ishiguro; Ariake Shin; Emiko Hamada; Juji Arai
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1988-07-30
Filing date: 1989-07-28
Publication date: 1991-12-03
Also published as: JPH02132656A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、透明な基板上に少なくとも光吸収層
と反射層を有する書き込み可能な光情報記録媒体
とこれに情報を記録する方法に関する。

〔従来の技術〕

レーザ光の照射により、データを記録すること
ができる、いわゆる書き込み可能な光情報記録媒
体は、Te，Bi，Mn等の金属層や、シアニン、メ
ロシアニン、フタロシアニン等の色素層等からな
る記録層を有し、レーザ光の照射により、上記記
録層を変形、昇華、蒸発或は変性させる等の手段
で、ピツトを形成し、データを記録する。この記
録層を有する光情報記録媒体では、ピツトを形成
する際の記録層の変形、昇華、蒸発或は変性等を
容易にするため、記録層の背後に空隙を設けるこ
とが一般に行なわれている。具体的には例えば、
空間部を挟んで２の基板を積層する、いわゆるエ
アサンドイツチ構造と呼ばれる積層構造がとられ
る。

この光情報記録媒体では、上記透光性を有する
基板１側からレーザ光を照射し、ピツトを形成す
る。そして、記録したデータを再生するときは、
上記基板１側から記録時よりパワーの弱いレーザ
光を照射し、上記ピツトとそれ以外の部分との反
射光の違いにより、信号を読みとる。

一方、予めデータが記録され、その後のデータ
の書き込みや消去ができない、いわゆるROM型
光情報記録媒体が情報処理や音響部門で既に広く
実用化されている。この種の光情報記録媒体は、
上記のような記録層を持たず、記録データを再生
するためのピツトを予めプレス等の手段でポリカ
ーボネート製の基板の上に形成し、この上にAu，
Ag，Cu，Al等の金属膜からなる反射層を形成
し、さらにこの上を保護層で覆つたものである。

このROM型光情報記録媒体で最も代表的なも
のが音響部門や情報処理部門等で広く実用化され
ているコンパクトデイスク、いわゆるCDであり、
このCDの記録、再生信号の仕様は、いわゆるCD
フオーマツトとして規格化され、これに準拠する
再生装置は、コンパクトデイスクプレヤー（CD
プレーヤ）として極めて広く普及している。

上記光情報記録媒体は、何れのものも中心に回
転軸にクランプするための孔を有する円板状形
態、すなわち光デイスクの形態をとる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記光情報記録媒体は、やはりCDと同じレー
ザ光を用いる記録手段であるため、再生に際し、
既に広く普及したCDに準拠することが強く望ま
れる。

しかしながら、前者の光情報記録媒体は、CD
には無い記録層を有し、さらにこの記録層にピツ
トを形成するのを容易にするために、空隙層等を
有するため、CDに比べてレーザ光の反射率が低
くなる。このため、いわゆるCDについての規格
を定めた上記CDフオーマツトを満足することが
困難である。従つて、従来においては、CDに準
拠可能な書き込み可能な光情報記録媒体を提供す
ることができなかつた。

本発明は、上記従来の問題点を解消するためな
されたもので、70％以上の高い反射率を有し、か
つデータの再生に際し、CDフオーマツトに準拠
する変調度の出力信号が得られる書き込みが可能
な光情報記録媒体を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

すなわち、上記目的を達成するため、本発明に
おいて採用した手段の要旨は、透光性を有する基
板上に少なくとも光吸収層、反射層が順次形成さ
れた光情報記録媒体において、光吸収層の複素屈
折率の実数部nabsと膜厚dabsと再生光の波長λ
とで与えられるρ＝nabs・dabs／λが、0.05≦ρ
≦0.6であり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部
kabsが0.3以下である光情報記録媒体及びこれを
用いて上記透光性基板側からレーザ光をレーザ吸
収層に照射し、ピツトを形成する光情報記録方法
である。

なお、上記光吸収層は透光性基板上の一部の領
域に形成し、同光吸収層の無い領域を予め信号再
生のピツトを形成されたROM領域とすることも
できる。

〔作用〕

本発明者らは、透光性基板上に有機色素からな
る光吸収層および金属からなる光反射層を設けた
上記光情報記録媒体から、CDフオーマツトに準
拠した反射率70％以上、かつ変調度として示され
るI11／Itopが0.6以上、I3／Itopが0.3〜0.7という
再生信号を得るためには、光情報記録媒体の光吸
収層の複素屈折率の実数部nabsとその膜厚dabs
と、再生光の波長λとで与えられるρ＝nabs・
dabs／λが非常に重要なパラメーターであるこ
とに着目し、この点につき実験およびシミユレー
シヨンを行つた結果、第７図のような関係を得る
ことができた。第７図は、再生光として、波長λ
＝780nmの半導体レーザ光を用い、反射層として
Auを用い、或るｋの値を有する光吸収層を用い
た場合に、光情報記録媒体の光吸収層の複素屈折
率の実数部nabsとその膜厚dabsと、再生光の波
長λとで与えられるρ＝nabs・dabs／λと、基
板側から入射させた光の反射率との関係を示すグ
ラフである。

このグラフを見ると、ρが0.6よりも小さいと
きには、ほぼ確実に反射率が70％以上を確保でき
ることがわかる。ρが0.05に満たない領域や、
0.6を越える領域であつても70％以上の反射率が
得られる場合がある。しかし、ρが0.05に満たな
い領域の場合は、光吸収層の膜厚dabsを0.05μm
以下と、相当薄くしなければならないため、デー
タの記録のためのピツトを形成するのが困難とな
り、上記のような再生信号が得られない。また、
0.6を越える領域の場合は、均一な膜厚に制御す
ることが困難になり、記録特性にばらつきが生
じ、I3／Itopが0.3に満たながつたり、ジツター
エラーが増大したりする等の実用上の問題が生じ
る。すなわち、ρを0.05〜0.6とすることにより、
反射率をCDフオーマツトに準拠する70％以上と
することができることがわかる。

また、本発明者らはこれらの結果をさらに検討
した結果、ρを0.5〜0.6の範囲内に設定しただけ
では必ずしもCD規格に規定されたような出力信
号を安定して得られるわけではなく、kabsが重
要なパラメーターであることを見出だした。第８
図は、反射層にAu膜を用いた光情報記録媒体に
おいて、光吸収層の透光性を変え、ρを一定にし
ながら、その虚部kabsを０に近い値から2.0まで
変化させたときの反射率を変化を示すグラフであ
る。

このグラフをみると、kabsが０に近づけば近
づくほど反射率が高くなることがわかる。本発明
者らは、実験およびシミユレーシヨンの結果よ
り、ρが0.5〜0.6の範囲内で安定して高い反射率
を維持するためには、光吸収層の透光性が十分高
くなければならず、同層の複素屈折率の虚部
kabsが0.3以下である必要があることを見出だし
た。ρが0.05〜0.6の範囲内で、kabsが0.3よりも
大きいと反射率70％以上を確保することは困難で
ある。

これらの結果より、第９図のような結果を得る
ことができる。第９図は、ρとkabsとの値にお
いてCD規格に準拠する組み合わせの臨界値を示
すグラフである。

このグラフからわかるように、CD規格に準拠
する記録信号を得ることができる光情報記録媒体
を提供するためには、ρ＝nabs・dabs／λが0.05
〜0.6の範囲であり、かつkabsが0.3以下であるこ
とが必要であることがわかる。

さらにいえば、ρ＝nabs・dabs／λは、十分
な変調度をとるためには、0.1以上の範囲が望ま
しく、変調度の大きい安定した記録特性を得るた
めには、0.45±0.1の範囲が最も望ましい範囲で
ある。

さらに、本発明の光情報記録媒体のkabsは、
0.3以下であれば、０に近づけば近づくほど反射
率は向上する。従つて、この範囲が最も望まし
い。しかし、０に近づけば近づくほど記録感度が
悪くなるため、０より大きいことが必要である。
具体的には、0.01以上の範囲が望ましく、実に
は、0.05前後が望ましい。

なお、本発明の内容は、他の層がある場合にお
いても適用可能である。たとえば、基板と光吸収
層との間に透明層（たとえばSiO2等のエンハン
ス層、下引き層等）を設けた場合には、この層を
基板の一部として扱つても良く、光吸収層と反射
層との間（たとえば、接着層、硬質層等）を設け
た場合には、これらの層を第２吸収層として考
え、 ρ＝（nl・dl＋n₂・d₂）／λとして扱い、多数
層になる場合には、ρ＝Σ（ni・di）／λ（但し、
ｉは整数）とすれば、複数の層がある場合にも同
様に扱うことができる。

また、ｋが０でない場合には、膜厚の比率によ
つて平均値としてのｋをｋ＝１／ΣdiΣdiki として求めれば単層の場合と同様に扱うことがで
きる。

また、基板にグルーブが形成されている場合に
は、dabsは、グルーブ内の光吸収層の膜厚とラ
ンド部の光吸収層の膜厚の平均値であらわされ
る。

透光性基板上の一部の領域に上記光吸収層が形
成され、同光吸収層の無い領域に予め信号再生用
のピツトが形成されたROM領域を有する光情報
記録媒体では、ROM領域に予めプレス等で大量
に画一的なデータを記録しておくことができ、し
かもここには光吸収層が無いため、誤消去や別な
データの誤記録のおそれが無い。また、光吸収層
を有する領域では、使用者独自のデータを任意に
記録することができる。そして、この記録された
データがCD規格に準じた信号をもつて再生でき
るため、上記ROM領域の情報と同様に、市販の
CDブレヤーで再生することができる。

なお、上記作用はデイスク形状の記録媒体に限
らず、カード形状またはテープ形状の光情報記録
媒体においても同様に考えることができる。

〔実施例〕

次に、図面を参照しながら、本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。

本発明による光情報記録媒体の模式的な構造の
例を、第１図〜第３図及び第４図〜第６図に示
す。これらの図面において、１は、透光性を有す
る基板、２は、その上に形成された光吸収層で、
照射されたレーザ光を吸収して発熱し、溶融、蒸
発、昇華、変形または変性し、当該光吸収層２や
基板１の表面にピツトを形成する作用を有する層
である。また３は、その上に形成された反射層、
４は、その外側に設けられた保護層を示す。

なお、第１図〜第３図で示したのは、透光性基
板１のほぼ全面に光吸収層２を形成した場合であ
るが、第４図〜第６図では、透光性基板１の外周
寄りの一部にのみ光吸収層２が形成され、ここが
記録可能領域１１となつており、それより内周側
の部分にROM領域１０が形成されている場合で
ある。

以下望ましい具体的実施例について記載する。

透光性基板１の材料は、レーザ光に対する屈折
率が1.4〜1.6の範囲の透明度の高い材料で、耐衝
撃性に優れた樹脂が望ましい。具体的には、ポリ
カーボネート、アクリル等が例示できるが、これ
らに限られるわけではない。

上記のような材料を用いて、基板は例えば射出
成形等の手段により成形される。

このような基板に、スパイラル状にプリグルー
ブが形成されていてもよい。プリグループは、通
常考えられる条件のものであればどのような条件
のものでもよいが、50〜250nmの深さが好適であ
る。

プリグルーブは、基板の射出成形時のスタンパ
を押し当てることにより形成されるのが通常であ
る。

基板１と光吸収層との間に、SiO₂等の耐溶層
やエンハンス層をコーテイングしておいてもよ
い。

光吸収層２の材料は、光吸収性の有機色素が望
ましく、シアニン色素、ポリメチン色素、トリア
リールメタン色素、ピリリウム色素、フエナンス
レン色素、テトラデヒドロコリン色素、トリアリ
ールアミン色素、スクアリリウム色素、クロコニ
ツクメンチ色素、フタロシアニン色素、アズレニ
ウム色素等が例示できるが、これらに限定される
ものではなく、低融点金属等、公知の記録層材料
を用いても本発明の効果を得ることが可能であ
る。

なお、光吸収層２には、他の色素、樹脂（例え
ばニトロセルロース等の熱可塑性樹脂、熱可塑性
エラストマー）、液ゴム等を含んでいても良い。

光吸収層２は、上記の色素および任意の添加剤
を公知の有機溶媒（たとえばアルコール、アセチ
ルアセトン、トルエン等）で溶解・溶媒和したも
のをプリグルーブが形成された透光性基板、また
はさらに基板上に他の層をコーテイングした基板
の表面に形成される。

この場合の形成手段としては、蒸着法、LB法、
スピンコート法等が挙げられるが、光吸収層の濃
度、粘度、溶剤の乾燥速度を調節することにより
層厚を制御できるために、スピコート法が望まし
い。

なお、第４図〜第６図のようなROM領域１０
を有する光情報記録媒体は、透光性基板１の表面
のROM領域１０となる部分に信号再生用のピツ
ト９（第５図参照）をスタンパ等で予め形成して
おき、その外側の記録可能領域１１にのみ上記材
料をコーテイングして光吸収層２を形成すること
により得られる。

反射層３は、金属膜が望ましく、例えば、金、
銀、アルミニウムあるいはこれらを含む合金を、
蒸着法、スパツタ法等の手段により形成される。
光情報記録媒体の反射率が70％以上を有すること
が必要であるため、金または金を含む合金を主体
とする金属で形成することが望ましい。さらに、
反射層の酸化を防止するための耐酸化層等の他の
層を介在させてもよい。

なお、光吸収層の反射層側の層は、基板側の層
に比べて熱変形温度が高く、かつ硬度が高いもの
であることが望ましい。このように構成すること
によつて記録信号のブロツクエラーレートの低減
に効果が認められる。

保護層４は耐衝撃性の優れた樹脂によつて形成
されることが望ましい。たとえば紫外線硬化樹脂
をスピンコート法により塗布し、紫外線を照射し
て硬化させることにより形成する。また、ウレタ
ン等の弾性材で形成してもよい。

本発明による光情報記録媒体は、光吸収層２に
レーザ光を照射することにより、光吸収層２にピ
ツトを形成するものに限られない。例えば、光吸
収層より反射層側にある層を基板１側にある層に
比べて熱変形し難い層で形成した場合、レーザ光
より引き起こされた光吸収層２のエネルギーは基
板１側の層に与えられ、その結果、基板１側の層
に凸状、波状もしくは凹状のピツトが形成され
る。

本実施例の場合においては、第３図と第５図に
模式的に示すように、記録後の光デイスクの上記
基板１の光吸収層２と接する表面部分に、吸収層
側に突出したピツト５が確認でき、このようにし
て形成されたピツト５の再生波形は、CDのそれ
と同様のものであることがわかつている。

記録信号の再生は、基板側から読取りレーザを
照射することにより、ピツト部分の反射光とピツ
ト以外の部分の反射光の光学的位相差を読み取る
ことにより行われる。

この構成の具体的実施例について、以下に説明
する。

実施例１幅0.8μm、深0.08μm、ピツチ1.6μmのスパイラ
ル状のプリグループが形成された厚さ1.2mm、外
径120mmφ、内径16mmφのポリカーボネート基板
１を射出成形法により成形した。

光吸収層を形成するための有機色素として、
0.65gの１，1′ジブチル３，３，3′，3′テトラメチ
ル４，５，4′，5′ジベンゾインドジカーボシアニ
ンパークロレート（日本感光色素(株)製、品番
NK3219）を、ジアセトンアルコール溶剤10c.c.に
溶解し、これを上記の基板１の上にスピンコート
法により塗布し、膜厚0.13μmの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈
折率は、nabs＝2.7，kabs＝0.05である。後述す
るように、再生光の半導体レーザの波長λ＝
780nmであり、ρ＝nabs・dabs／λ＝0.45であ
る。

このデイスクの全面にスパツタリング法によ
り、膜厚600オングストロームのAu膜を成膜し、
反射層３を形成した。この反射層３の複素屈折率
はnref＝0.16，kref＝4.67である。さらに、この
反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み
10μmの保護層４を形成した。

こうして得られた光デイスクに、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m／sec、記録パワー
6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、
この光デイスクを、市販のCDプレーヤ（Aurex
XR−V73、再生光の波長λ＝780nm）で再生し
た。この光デイスクの反射率が72％、I11／Itop
が0.65，I3／Itopが0.35であつた。

CD規格では、反射率が70％以上、I11／Itopが
0.6以上、I3／Itopが0.3〜0.7と定められており、
この実施例よる光デイスクは、この規格を満足し
ている。

実施例２上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネ
ート基板１に、光吸収層を形成するための有機色
素として、0.5gの１，1′ジエチル３，３，3′，
3′テトラメチル５，5′ジエトキシインドジカーボ
シアニンアイオダイドを、イソプロピルアルコー
ル溶剤10c.c.に溶解したものをスピンコート法によ
り塗布し、膜0.10μmの色素膜からなる光吸収層
２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率は、
nabs＝2.65，kabs＝0.05であり、ρ＝nabs・
dabs／λ＝0.34である。

このデイスクの全面にスパツタリング法によ
り、膜厚500オングストロームのCu膜を成膜し、
反射層３を形成した。この反射層３の複素屈折率
はnref＝0.12，kref＝4.89である。さらに、この
反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み
10μmの保護層を形成した。

こうして得られた光デイスクに、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m／sec、記録パワー
6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、
この光デイスクを、上記実施例１で用いたのと同
じCDプレーヤで再生した。この結果、光デイス
クの反射率が71％、I11／Itopが0.63，I3／Itopが
0.33であつた。従つて、この実施例による光デイ
スクも、上記実施例と同様に、CD規格を満足し
ている。

実施例３上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネ
ート基板１に、膜厚900オングストロームの
GaAs膜をスパツタリング法により成膜し、光吸
収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈折率
は、nabs＝3.6，kabs＝0.07であり、ρ＝nabs・
dabs／λ＝0.42である。

このデイスクの全面にスパツタリング法によ
り、膜厚550オングストロームのAg膜を成膜し、
反射層３を形成した。この反射層３の複素屈折率
はnref＝0.086，kref＝5.29である。さらに、この
反射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み
10μmの保護層を形成した。

こうして得られた光デイスクに、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m／sec、記録パワー
6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、
この光デイスクを、上記実施例１で用いたのと同
じCDプレーヤで再生した。この結果、光デイス
クの反射率が73％、I11／Itopが0.63，I3／Itopが
0.35であつた。従つて、この実施例による光デイ
スクも、上記実施例と同様に、CD規格を満足し
ている。

実施例４幅0.5μm、深さ0.15μm、ピツチ1.6μmのスパイ
ラル状のプリグループが形成された厚さ1.2mm、
外径120mmφ、内径15mmφのポリカーボネート基
板１を射成形法により成形した。

光吸収層を形成するための有機色素として、実
施例１と同じ色素0.050gとニトロセルロース
0.005gを、イソプロピルアルコール溶剤10c.c.に溶
解し、これを上記の基板１の上にスピンコート法
により塗布し、平均膜厚0.025μmの色素膜からな
る光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素
屈折率は、nabs＝2.0，kabs＝0.04である。再生
光の半導体レーザの波長λ＝780nmであり、ρ＝
nabs・dabs／λ＝0.064である。

このデイスクの全面に蒸着法により、膜厚500
オングストロームのAu膜を成膜し、反射層３を
形成した。この反射層３の複素屈折率はnref＝
0.16，kref＝4.67である。さらに、この反射層３
の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これ
に紫外線を照射して硬化させ、厚み10μmの保護
層４を形成した。

こうして得られた光デイスクに、実施例１と同
様に波長780nmの半導体レーザによつて、EFM
信号を記録し、市販のCDプレーヤで再生した。
この光デイスクの反射率は82％、I11／Itopが
0.60，I3／Itopが0.31であり、この実施例による
光デイスクは、CD規格を満足している。

実施例５上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネ
ート基板１に光吸収層を形成するための有機色素
として、１，1′ジブチル３，３，3′，3′テトラメ
チル５，６，5′，6′テトラメトキシインドジカー
ボシアニンパークロレート0.050gとニトロセルロ
ース0.005gを、ジアセトンアルコール溶剤10c.c.に
溶解し、これを上記の基板１の上にスピンコート
法により塗布し、膜厚0.020μmの色素膜からなる
光吸収層２を形成した。この光吸収層２の複素屈
折率は、nabs＝2.0，kabs＝0.29であり、再生光
の半導体レーザの波長λ＝780nmであり、ρ＝
nabs・dabs／λ＝0.051である。

このデイスクの全面に蒸着法により、膜厚500
オングストロームのAu膜を成膜し、反射層３を
形成し、さらに、この反射層３の上に紫外線硬化
性樹脂をスピンコートし、これに紫外線を照射し
て硬化させ、厚み10μmの保護層４を形成した。

こうして得られた光デイスクに、実施例１と同
様に波長780nmの半導体レーザによつて、EFM
信号を記録し、市販のCDプレーヤで再生した。
この光デイスクの反射率は70％、I11／Itopが
0.61，I3／Itopが0.30であり、この実施例による
光デイスクは、CD規格を満足している。

実施例６直径46〜100mmφの範囲（ROM領域１０）に、
幅0.6μm、深さ０，10μm、ピツチ1.6μmのスパイ
ラル状のCDフオーマツト信号が再生できるプレ
ピツト８が成形され、その外の直径100〜117mmφ
の範囲（記録可能領域１１）に、幅0.7μm、深さ
0.07μm、ピツチ1.6μmのスパイラル状のプリグル
ープが形成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径
15mmφのポリカーボネート基板１を射出成形法に
より成形した。

光吸収層を形成するための有機色素として、実
施例１と同じ色素0.8gを、アセチルアセトン溶剤
10c.c.に溶解し、これを上記の基板１の直径100mm
φより外周側の部分、つまり記録可能領域１１の
上にのみスピンコー法により塗布し、膜厚
0.17μmの色素膜からなる光吸収層２を形成した。
この光吸収層２の複素屈折率は、nabs＝2.7，
kabs＝0.05である。再生光の半導体レーザの波長
λ＝780nmであり、ρ＝nabs・dabs／λ＝0.59で
ある。

こうして得られた光デイスクの上記記録可能領
域に、実施例１と同様に波長780nmの半導体レー
ザによつて、EFM信号を記録し、ROM領域及び
記録可能領域について市販のCDプレーヤで再生
した。この光デイスクの記録可能領域の反射率は
70％、I11／Itopが0.62，I3／Itopが0.32であり、
ROM領域の反射率が90％、I11／Itopが0.80，
I3／Itopが0.50であつた。従つて、この実施例に
よる光デイスクは、上記ROM領域及び記録可能
領域の何れもがCD規格を満足している。

実施例７直径46〜100mmφの範囲（ROM領域１０）に、
幅0.6μm、深さ0.10μm、ピツチ1.6μmのスパイラ
ル状のCDフオーマツト信号が再生できるプレピ
ツト８が形成され、その外側の直径100〜117mmφ
の範囲（記録可能領域１１）に、幅0.5μm、深さ
0.18μm、ピツチ1.6μmのスパイラルプリグループ
が形成された厚さ1.2mm、外径120mmφ、内径15mm
φのポリカーボネート基板１を射出成形法により
成形した。

光吸収層を形成するための有機色素として、
１，1′ジエチル３，３，3′，3′テトラメチル５，
７，5′，7′テトラメトキシインドジカーボシアニ
ンパークロレート0.55gを、ジアセトンアルコー
ル溶剤10c.c.に溶解し、これを上記の基板１の直径
100mmφより外周側の部分、つまり記録可能領域
１１の上にのみスピンコート法により塗布し、平
均膜厚120nmの色素膜からなる光吸収層２を形成
した。この光吸収層２の複素屈折率は、nabs＝
2.9，kabs＝0.20である。再生光の半導体レーザ
の波長λ＝780nmであり、ρ＝nabs・dabs／λ
＝0.45である。

こうして得られた光デイスクの上記記録可能領
域に、実施例１と同様に波長780nmの半導体レー
ザによつて、EFM信号を記録し、ROM領域及び
記録可能領域について市販のCDプレヤーで再生
した。この光デイスクの記録可能領域の反射率は
70％、I11／Itopが0.70，I3／Itopが0.40であり、
ROM領域は反射率、I11／Itop、I3／Itopは上記
実施例６と同様であつた。従つて、この実施例に
よる光デイスクは、上記ROM領域及び記録可能
領域の何れもがCD規格を満足している。

比較例１上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネ
ート基板１に、同実施例と同じ有機色素0.065g
を、イソプロピルアルコール溶剤10c.c.に溶解した
ものをスピンコート法により塗布し、膜厚
0.01μmの色素膜からなる光吸収層２を形成した。
この光デイスクにおけるρは、nabs・dabs／λ
＝0.035である。

このデイスクの全面にスパツタリング法によ
り、膜厚600オングストロームのAl膜を成膜し、
反射層３を形成した。この反射層３の複素屈折率
はnref＝1.87，kref＝7.0である。さらに、この反
射層３の上に紫外線硬化性樹脂をスピンコート
し、これに紫外線を照射して硬化させ、厚み
10μmの保護層を形成した。

こうして得られた光デイスクに、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m／secで照射し、EFM信
号の記録を試みたが、記録パワー10mWをもつて
しても十分な記録が行えなかつた。そして、この
光デイスクを、上記実施例１で用いたのと同じ
CDプレーヤで再生した。この結果、光デイスク
の反射率が70％であるが、I11／Itopが0.20，I3／
Itopが0.08であつた。すなわち、kabsが0.3以下
であつたとしても、ρが0.05よりも小さい場合に
は、反射率は70％を確保できる場合はあるが、変
調度がとれなくなり、CD規格を満足することが
できないことがわかる。

比較例２上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネ
ート基板１に、同実施例と同じ有機色素1.3gを、
イソプロピルアルコール溶剤10c.c.に溶解したもの
をスピンコート法により塗布し、膜厚0.26μmの
色素膜からなる光吸収層２を形成した。この光デ
イスクでは、ρ＝nabs・dahs／λ＝0.90である。

このデイスクの全面にスパツタリング法によ
り、膜厚600オングストロームのAu膜を成膜し、
反射層３を形成した。さらに、この反射層３の上
に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫
外線を照射して硬化させ、厚み10μmの保護層を
形成した。

こうして得られた光デイスクに、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m／sec、記録パワー
6.0mVで照射し、EFM信号を記録した。そして、
この光デイスクを、上記実施例１で使用したのと
同じCDプレーヤで再生した。この結果、光デイ
スクの反射率は62％、I11／Itopは0.60，I3／Itop
は0.30であり、再生信号のアイパターンが明瞭で
なく、エヤー発生が多く見られた。この結果か
ら、kabsが0.3以下であつたとしても、ρが0.6よ
りも大きい場合には、反射率が低くなり、CD規
格を満足することができないことがわかる。

比較例３上記実施例１と同様に成形されたポリカーボネ
ート基板１に、光吸収層２を形成するための有機
色素として、0.58gの１，1′ジエチル３，３，3′，
3′テトラメチルインドトリカーボシアニンパーク
ロレート（日本感光色素(株)製、品番NK2885）
を、イソプロピルアルコール溶剤10c.c.に溶解した
ものをスピンコート法により塗布し、膜厚
0.12μmの色素膜からなる光吸収層２を形成した。
この光吸収層２の複素屈折率は、nabs＝2.7，
kabs＝1.6であり、ρ＝nabs・dabs／λ＝0.42で
ある。

このデイスクの全面にスパツタリング法によ
り、膜厚600オングストロームのAg膜を成膜し、
反射層３を形成した。さらに、この反射層３の上
に紫外線硬化性樹脂をスピンコートし、これに紫
外線を照射して硬化させ、厚み10μmの保護層を
形成した。

こうして得られた光デイスクに、波長780nmの
半導体レーザを線速1.2m／sec、記録パワー
6.0mWで照射し、EFM信号を記録した。そして、
この光デイスクを、上記実施例１で用いたのと同
じCDプレーヤで再生したところ、反射率は僅か
10％であり、再生することができなかつた。この
ように、ρが0.05以上0.6以下の範囲内であつた
としても、kabsが0.3よりも大きい場合、反射率
が非常に低くなつてしまい、CD規格を満足する
ことができないことがわかる。

〔発明の効果〕

以上説明した通り、本発明による光情報記録媒
体によれば、CD規格に準拠した、反射率が70％
以上、かつ、変調度として示される。I11／Itop
が0.6以上、I3／Itopが0.3〜0.7という出力信号を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、光情報記録媒体の構造の一例を示す
模式半断面斜視図、第２図は、同光情報記録媒体
の要部断面図、第３図は、同光情報記録媒体の記
録後の要部断面図、第４図は、光情報記録媒体の
構造の他の例を示す模式半断面斜視図、第５図
は、同光情報記録媒体のＡ部断面図、第６図は、
同光情報記録媒体の記録後のＢ部断面図、第７図
は、光情報記録媒体の光吸収層におけるρ＝
nabs・dabs／λと反射率との関係の例を示すグ
ラフ、第８図は、上記複素屈折率の虚部kabsと
反射率との関係を示すグラフ、第９図は、ρ＝
nabs・dabs／λとkabsにおいてCD規格を満たす
領域を示すグラフである。１……基板、２……光吸収層、３……反射層、
４……保護層、１０……ROM領域、１１……記
録可能領域。

Claims

【特許請求の範囲】１透光性を有する基板上に少なくとも光吸収
層、反射層が順次形成された光情報記録媒体にお
いて、光吸収層の複素屈折率の実数部nabsと膜
厚dabsと再生光の波長λとで与えられるρ＝
nabs・dabs／λが、0.05≦ρ≦0.6であり、かつ
光吸収層の複素屈折率の虚部kabsが0.3以下であ
ることを特徴とする光情報記録媒体。２上記特許請求の範囲第１項において、上記光
吸収層が透光性基板上の一部の領域に形成され、
同光吸収層の無い領域に予め信号再生用のピツト
が形成されたROM領域を有する光情報記録媒
体。３透光性を有する基板上に少なくとも光吸収
層、反射層が順次形成された光情報記録媒体に情
報を記録する方法において、光吸収層の複素屈折
率の実数部nabsと膜厚dabsと再生光の波長λと
で与えられるρ＝nabs・dabs／λが、0.05≦ρ≦
0.6であり、かつ光吸収層の複素屈折率の虚部
kabsが0.3以下である光情報記録媒体を用い、該
透光性基板側からレーザ光をレーザ吸収層に照射
し、ピツトを形成することを特徴とする光情報記
録方法。