JPH0376038B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0376038B2 JPH0376038B2 JP56120852A JP12085281A JPH0376038B2 JP H0376038 B2 JPH0376038 B2 JP H0376038B2 JP 56120852 A JP56120852 A JP 56120852A JP 12085281 A JP12085281 A JP 12085281A JP H0376038 B2 JPH0376038 B2 JP H0376038B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- laser
- semiconductor laser
- optical
- tunable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0425—Electrodes, e.g. characterised by the structure
- H01S5/04256—Electrodes, e.g. characterised by the structure characterised by the configuration
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0607—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying physical parameters other than the potential of the electrodes, e.g. by an electric or magnetic field, mechanical deformation, pressure, light, temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
- H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
- H01S5/06256—Controlling the frequency of the radiation with DBR-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1234—Actively induced grating, e.g. acoustically or electrically induced
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体レーザを用いた波長多重通
信装置に関する。
信装置に関する。
従来より、長距離光伝送のために開発された単
一縦モード発振を行なう半導体レーザとして、
GaAs−Ga1-XAlXAs2重ヘテロ構造DFB
（Distributed−feedback）レーザダイオードが知
られている。このレーザダイオードは光閉じ込め
層上に1μｍ以下の一定周期のコルゲーシヨンを
形成したもので、コルゲーシヨンの周期Λによつ
て発振波長λLが λL＝2nΛ／ｍ ……(1) ｎ；活性層の屈折率 ｍ；ブラツク回折の次数 の関係で決まり、この発振波長λLで単一波長発振
の縦モード動作が安定に行なわれるという利点が
ある。しかしながら、コルゲーシヨンの形成は、
その周期が通常1μｍ以下と小さいため、電子ビ
ーム露光法やホログラフイツクな方法によらなけ
ればならず、GaAs活性層等の光閉じ込め層上に
これらの方法でコルゲーシヨンを形成したのち
Ga1-XAlXAs層を成長させる必要があるため、熱
損傷が生じる問題があり、また製造工程が複雑で
あるという欠点がある。しかも発振波長はコルゲ
ーシヨンの周期で決まり安定である反面、可変で
きないことにより、多重通信の一手法である波長
多重通信への応用展開の途が閉ざされていること
も問題である。
一縦モード発振を行なう半導体レーザとして、
GaAs−Ga1-XAlXAs2重ヘテロ構造DFB
（Distributed−feedback）レーザダイオードが知
られている。このレーザダイオードは光閉じ込め
層上に1μｍ以下の一定周期のコルゲーシヨンを
形成したもので、コルゲーシヨンの周期Λによつ
て発振波長λLが λL＝2nΛ／ｍ ……(1) ｎ；活性層の屈折率 ｍ；ブラツク回折の次数 の関係で決まり、この発振波長λLで単一波長発振
の縦モード動作が安定に行なわれるという利点が
ある。しかしながら、コルゲーシヨンの形成は、
その周期が通常1μｍ以下と小さいため、電子ビ
ーム露光法やホログラフイツクな方法によらなけ
ればならず、GaAs活性層等の光閉じ込め層上に
これらの方法でコルゲーシヨンを形成したのち
Ga1-XAlXAs層を成長させる必要があるため、熱
損傷が生じる問題があり、また製造工程が複雑で
あるという欠点がある。しかも発振波長はコルゲ
ーシヨンの周期で決まり安定である反面、可変で
きないことにより、多重通信の一手法である波長
多重通信への応用展開の途が閉ざされていること
も問題である。
本発明は、上記に鑑み、製造容易で、安定な単
一縦モード発振を行わせることができ、しかも発
振波長を変えることができる可変波長半導体レー
ザを用いた波長多重通信装置を提供することを目
的とする。
一縦モード発振を行わせることができ、しかも発
振波長を変えることができる可変波長半導体レー
ザを用いた波長多重通信装置を提供することを目
的とする。
すなわち、本発明による波長多重通信装置は、
光閉じ込め層上に表面弾性波を発生する超音波振
動子を有し、前記超音波振動子の振動周波数を変
化させることによつてレーザの発振波長を変える
ようにした可変波長半導体レーザと、前記可変波
長半導体レーザに制御信号を与えて発振波長を制
御する変調手段と、前記可変波長半導体レーザに
接続されレーザ光を伝搬させる光フアイバと、前
記光フアイバからのレーザ光を波長に応じて分配
する光分波手段と、前記光分波手段に接続され、
各々に所定の波長範囲のレーザ光が入射される複
数の光フアイバとからなることが特徴となつてい
る。この可変波長半導体レーザは製造容易であり
ながら超音波振動子の振動周波数を変えることに
よつてレーザ発振波長を変えることができ、この
可変波長半導体レーザを光フアイバに接続するこ
とにより、簡単に波長多重通信装置が構成でき
る。また、可変波長半導体レーザの発振波長を変
えることによつて波長多重にしているので、受信
側の光分波手段に対して同期信号を送らなくて
も、この光分波手段によつて複数の波長ごとに分
け、複数波長のそれぞれに載せられた情報を複数
の受信部にそれぞれ分配することができる。さら
にノイズに強い通信が可能となる。
光閉じ込め層上に表面弾性波を発生する超音波振
動子を有し、前記超音波振動子の振動周波数を変
化させることによつてレーザの発振波長を変える
ようにした可変波長半導体レーザと、前記可変波
長半導体レーザに制御信号を与えて発振波長を制
御する変調手段と、前記可変波長半導体レーザに
接続されレーザ光を伝搬させる光フアイバと、前
記光フアイバからのレーザ光を波長に応じて分配
する光分波手段と、前記光分波手段に接続され、
各々に所定の波長範囲のレーザ光が入射される複
数の光フアイバとからなることが特徴となつてい
る。この可変波長半導体レーザは製造容易であり
ながら超音波振動子の振動周波数を変えることに
よつてレーザ発振波長を変えることができ、この
可変波長半導体レーザを光フアイバに接続するこ
とにより、簡単に波長多重通信装置が構成でき
る。また、可変波長半導体レーザの発振波長を変
えることによつて波長多重にしているので、受信
側の光分波手段に対して同期信号を送らなくて
も、この光分波手段によつて複数の波長ごとに分
け、複数波長のそれぞれに載せられた情報を複数
の受信部にそれぞれ分配することができる。さら
にノイズに強い通信が可能となる。
以下本発明の一実施例について図面を参照しな
がら説明する。第１図は、本発明の一実施例にか
かる波長多重通信装置に用いるための、可変波長
半導体レーザの一例を示すものである。この第１
図に示された可変波長半導体レーザは、基本的に
は、２重ヘテロ構造レーザダイオードにより構成
されている。この図に示すように、２重ヘテロ構
造レーザダイオードは、ｎ−GaAs単結晶基板１
に液相エピタキシー技術を用いてｎ−Ga1-XAlX
As層２、ｐ−GaAs層３、ｐ−Ga1-XAlXAs層４、
ｐ−GaAs層５を成長させ、劈開面８，９で劈開
し、両面に電極６，７を設けてなる。このｐ−
GaAs層３がキヤリア及び光の閉じ込めを行なう
活性層となつて矢印１０方向にレーザ光を出射す
る。この２重ヘテロ構造レーザダイオードの一部
をエツチング技術などによつて切り欠き、ｐ−
GaAs層３を露出させこの層３の上に絶縁膜１１
を形成し、この絶縁膜１１上に櫛形電極超音波振
動子（以下IDTと称する）１２を設ける。
がら説明する。第１図は、本発明の一実施例にか
かる波長多重通信装置に用いるための、可変波長
半導体レーザの一例を示すものである。この第１
図に示された可変波長半導体レーザは、基本的に
は、２重ヘテロ構造レーザダイオードにより構成
されている。この図に示すように、２重ヘテロ構
造レーザダイオードは、ｎ−GaAs単結晶基板１
に液相エピタキシー技術を用いてｎ−Ga1-XAlX
As層２、ｐ−GaAs層３、ｐ−Ga1-XAlXAs層４、
ｐ−GaAs層５を成長させ、劈開面８，９で劈開
し、両面に電極６，７を設けてなる。このｐ−
GaAs層３がキヤリア及び光の閉じ込めを行なう
活性層となつて矢印１０方向にレーザ光を出射す
る。この２重ヘテロ構造レーザダイオードの一部
をエツチング技術などによつて切り欠き、ｐ−
GaAs層３を露出させこの層３の上に絶縁膜１１
を形成し、この絶縁膜１１上に櫛形電極超音波振
動子（以下IDTと称する）１２を設ける。
この第１図の構成において、IDT１２にｆなる
周波数の電界を印加すると、表面弾性波（以下
SAWと称する）が発生し、ｐ−GaAs層３上に
沿つて光出射方向に伝搬する。このSAWにより、
従来のDFBレーザダイオードにおけるコルゲー
シヨンと同様な効果が生じ、単一縦モード発振を
生じさせることができる。すなわちSAWの波長
をΛとすれば、前記(1)式で示した波長のλLのレー
ザ光が得られる。そしてIDT１２の印加電界の周
波数ｆを変化させてSAWの波長Λを△Λ変化さ
せると、(1)式より △λL＝2n△Λ／ｍ ……(2) SAWの伝搬速度をＶとすると Ｖ＝fΛ だから、 Δf＝△Λ×（−f2／Ｖ） ……(3) (3)式を(2)式に代入すると、 ΔλL＝−2nV△ｆ／f2m ……(4) となり、IDT１２の発振周波数を△ｆ変化させれ
ばレーザ発振波長を△λL変化させることができ
る。
周波数の電界を印加すると、表面弾性波（以下
SAWと称する）が発生し、ｐ−GaAs層３上に
沿つて光出射方向に伝搬する。このSAWにより、
従来のDFBレーザダイオードにおけるコルゲー
シヨンと同様な効果が生じ、単一縦モード発振を
生じさせることができる。すなわちSAWの波長
をΛとすれば、前記(1)式で示した波長のλLのレー
ザ光が得られる。そしてIDT１２の印加電界の周
波数ｆを変化させてSAWの波長Λを△Λ変化さ
せると、(1)式より △λL＝2n△Λ／ｍ ……(2) SAWの伝搬速度をＶとすると Ｖ＝fΛ だから、 Δf＝△Λ×（−f2／Ｖ） ……(3) (3)式を(2)式に代入すると、 ΔλL＝−2nV△ｆ／f2m ……(4) となり、IDT１２の発振周波数を△ｆ変化させれ
ばレーザ発振波長を△λL変化させることができ
る。
たとえば(4)式において、ｍ＝１、Ｖ＝3300、
（ｍ／ｓ）、ｎ＝3.37、ｆ＝20（ＧHz）、Δf＝２（Ｇ
Hz）とすると、 ΔλL＝0.11（μｍ） となり、IDT１２の発振周波数を20GHzとしたと
き1μｍの波長のレーザ光が得られている場合に、
IDT１２の発振周波数を2GHz変えるとレーザ光
の波長を1100〓変えられることが分る。
（ｍ／ｓ）、ｎ＝3.37、ｆ＝20（ＧHz）、Δf＝２（Ｇ
Hz）とすると、 ΔλL＝0.11（μｍ） となり、IDT１２の発振周波数を20GHzとしたと
き1μｍの波長のレーザ光が得られている場合に、
IDT１２の発振周波数を2GHz変えるとレーザ光
の波長を1100〓変えられることが分る。
第２図は本発明の一実施例にかかる波長多重通
信装置に用いるための、可変波長半導体レーザの
他の例を示すものである。この第２図に示された
可変波長半導体レーザは、基本的には、ITG（集
積２重導波路形）レーザダイオードにより構成さ
れている。この図において、ITGレーザダイオー
ドは、ｎ−GaAs基板２１と、この基板２１上に
形成されたGa1-XAlXAs層２２，２４，２６、
GaAs活性層２３，２５、ｐ−GaAs層２７と、
電極２８，２９と絶縁膜３０とにより構成されて
いる。このITGレーザダイオードにおいて、光閉
じ込め層であるGaAs活性層２３に平行な絶縁膜
３０の表面にIDT３１が形成されている。
信装置に用いるための、可変波長半導体レーザの
他の例を示すものである。この第２図に示された
可変波長半導体レーザは、基本的には、ITG（集
積２重導波路形）レーザダイオードにより構成さ
れている。この図において、ITGレーザダイオー
ドは、ｎ−GaAs基板２１と、この基板２１上に
形成されたGa1-XAlXAs層２２，２４，２６、
GaAs活性層２３，２５、ｐ−GaAs層２７と、
電極２８，２９と絶縁膜３０とにより構成されて
いる。このITGレーザダイオードにおいて、光閉
じ込め層であるGaAs活性層２３に平行な絶縁膜
３０の表面にIDT３１が形成されている。
このIDT３１に高周波電界を印加するとSAW
が光閉じ込め層であるGaAs活性層２３上に伝搬
され、DBFレーザダイオードにおけるコルゲー
シヨンと同様の機能が達成できる。またIDT３１
の周波数を変えることによりレーザ発振波長を変
えることができることは上述と同様である。
が光閉じ込め層であるGaAs活性層２３上に伝搬
され、DBFレーザダイオードにおけるコルゲー
シヨンと同様の機能が達成できる。またIDT３１
の周波数を変えることによりレーザ発振波長を変
えることができることは上述と同様である。
これらの可変波長半導体レーザが、第３図に示
すようなこの発明の一実施例にかかる波長多重通
信装置に用いられる。すなわち、第３図におい
て、可変波長半導体レーザ４２は中央処理装置４
１からの制御信号によりその発振波長が制御され
るようになつており、波長の異なるレーザ光信号
を出力する。この可変波長半導体レーザ４２は光
フアイバ４３に接続されており、出力されたレー
ザ光信号がこの光フアイバ４３に入射させられ
る。このレーザ光信号は光フアイバ４３中に伝搬
されて他端で出射する。光フアイバ４３の他端に
は光分波装置４４が接続されている。この光分波
装置４４は、入力された光信号を波長ごとに分け
て出力するものである。そしてこの光分波装置４
４の出力側には、１、２、…、ｎの各チヤンネル
の光フアイバ４５が接続されており、波長ごとに
分けられた光信号がそれら各チヤンネルの光フア
イバ４５に分配される。
すようなこの発明の一実施例にかかる波長多重通
信装置に用いられる。すなわち、第３図におい
て、可変波長半導体レーザ４２は中央処理装置４
１からの制御信号によりその発振波長が制御され
るようになつており、波長の異なるレーザ光信号
を出力する。この可変波長半導体レーザ４２は光
フアイバ４３に接続されており、出力されたレー
ザ光信号がこの光フアイバ４３に入射させられ
る。このレーザ光信号は光フアイバ４３中に伝搬
されて他端で出射する。光フアイバ４３の他端に
は光分波装置４４が接続されている。この光分波
装置４４は、入力された光信号を波長ごとに分け
て出力するものである。そしてこの光分波装置４
４の出力側には、１、２、…、ｎの各チヤンネル
の光フアイバ４５が接続されており、波長ごとに
分けられた光信号がそれら各チヤンネルの光フア
イバ４５に分配される。
このように中央処理装置４１からの制御信号に
よつて波長の異なつたレーザ光信号が得られる可
変波長半導体レーザ４２を用いているため、１個
の可変波長半導体レーザ４２できわめて簡単に波
長多重通信装置を構成することができる。また、
可変波長半導体レーザ４２の発振波長を変えるこ
とによつて波長多重にしているので、受信側の光
分波装置４４に対して同期信号を送らなくても、
この光分波装置４４によつて複数の波長ごとに分
け、複数波長のそれぞれに載せられた情報を複数
チヤンネルの光フアイバ４５（つまり複数の受信
部）にそれぞれ分配することができる。さらにノ
イズに強い通信が実現できる利点も得られる。
よつて波長の異なつたレーザ光信号が得られる可
変波長半導体レーザ４２を用いているため、１個
の可変波長半導体レーザ４２できわめて簡単に波
長多重通信装置を構成することができる。また、
可変波長半導体レーザ４２の発振波長を変えるこ
とによつて波長多重にしているので、受信側の光
分波装置４４に対して同期信号を送らなくても、
この光分波装置４４によつて複数の波長ごとに分
け、複数波長のそれぞれに載せられた情報を複数
チヤンネルの光フアイバ４５（つまり複数の受信
部）にそれぞれ分配することができる。さらにノ
イズに強い通信が実現できる利点も得られる。
なお、上記の実施例では、可変波長半導体レー
ザとしてDFBレーザダイオードとITGレーザダ
イオードに超音波振動子を設けて構成したものを
用いたが、これら以外の半導体レーザに超音波振
動子を設けて可変波長半導体レーザとしたものを
用いてもよいことはもちろんである。また、材料
的にもGaAs系以外のものでも圧電性のある材料
で構成されたレーザダイオードであるならば超音
波振動子を設けて可変波長半導体レーザとして用
いることができる。
ザとしてDFBレーザダイオードとITGレーザダ
イオードに超音波振動子を設けて構成したものを
用いたが、これら以外の半導体レーザに超音波振
動子を設けて可変波長半導体レーザとしたものを
用いてもよいことはもちろんである。また、材料
的にもGaAs系以外のものでも圧電性のある材料
で構成されたレーザダイオードであるならば超音
波振動子を設けて可変波長半導体レーザとして用
いることができる。
第１図は本発明にかかる波長多重通信装置の一
実施例に用いる可変波長半導体レーザの一例を示
す模式的な斜視図、第２図は可変波長半導体レー
ザの他の例を示す模式的な斜視図、第３図は本発
明にかかる波長多重通信装置の一実施例の全体を
示すブロツク図である。 １，２１……ｎ−GaAs基板、３，２３，２５
……GaAs活性層、１１，３０……絶縁膜、１
２，３１……IDT。
実施例に用いる可変波長半導体レーザの一例を示
す模式的な斜視図、第２図は可変波長半導体レー
ザの他の例を示す模式的な斜視図、第３図は本発
明にかかる波長多重通信装置の一実施例の全体を
示すブロツク図である。 １，２１……ｎ−GaAs基板、３，２３，２５
……GaAs活性層、１１，３０……絶縁膜、１
２，３１……IDT。
Claims (1)
- １ 光閉じ込め層上に表面弾性波を発生する超音
波振動子を有し、前記超音波振動子の振動周波数
を変化させることによつてレーザの発振波長を変
えるようにした可変波長半導体レーザと、前記可
変波長半導体レーザに制御信号を与えて発振波長
を制御する変調手段と、前記可変波長半導体レー
ザに接続されレーザ光を伝搬させる光フアイバ
と、前記光フアイバからのレーザ光を波長に応じ
て分配する光分波手段と、前記光分波手段に接続
され、各々に所定の波長範囲のレーザ光が入射さ
れる複数の光フアイバとからなる波長多重通信装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120852A JPS5821888A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 可変波長半導体レ−ザ |
| DE19823228586 DE3228586A1 (de) | 1981-07-31 | 1982-07-30 | Abstimmbarer halbleiterlaser |
| US06/403,819 US4532632A (en) | 1981-07-31 | 1982-07-30 | Tunable semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56120852A JPS5821888A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 可変波長半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5821888A JPS5821888A (ja) | 1983-02-08 |
| JPH0376038B2 true JPH0376038B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=14796536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56120852A Granted JPS5821888A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 可変波長半導体レ−ザ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4532632A (ja) |
| JP (1) | JPS5821888A (ja) |
| DE (1) | DE3228586A1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3517814A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Laseranordnung |
| US4750801A (en) * | 1985-09-30 | 1988-06-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Optical waveguide resonator filters |
| US4893353A (en) * | 1985-12-20 | 1990-01-09 | Yokogawa Electric Corporation | Optical frequency synthesizer/sweeper |
| JP2574752B2 (ja) * | 1986-01-22 | 1997-01-22 | 株式会社日立製作所 | 情報記録媒体および記録再生方法 |
| US4767198A (en) * | 1987-06-24 | 1988-08-30 | Unisys Corporation | SAW/BAW Bragg cell |
| US4872176A (en) * | 1988-04-25 | 1989-10-03 | General Electric Company | Device and method for monitoring a light-emitting device |
| EP0361399A3 (en) * | 1988-09-28 | 1990-07-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Semmiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
| FR2648576B1 (fr) * | 1989-06-15 | 1991-08-30 | France Etat | Dispositif acousto-optique utilisant un super-reseau en tant que milieu d'interaction |
| US5023944A (en) * | 1989-09-05 | 1991-06-11 | General Dynamics Corp./Electronics Division | Optical resonator structures |
| FR2653125B1 (fr) * | 1989-10-13 | 1991-12-13 | Saint Laurent Parfums Yves | Systeme ternaire a base d'ethers perfluores. |
| US5101294A (en) * | 1990-03-30 | 1992-03-31 | The University Of Connecticut | Surface acoustic wave optical modulator |
| US5070509A (en) * | 1990-08-09 | 1991-12-03 | Eastman Kodak Company | Surface emitting, low threshold (SELTH) laser diode |
| US5345466A (en) * | 1992-11-12 | 1994-09-06 | Hughes Aircraft Company | Curved grating surface emitting distributed feedback semiconductor laser |
| JP2920738B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1999-07-19 | 株式会社村田製作所 | 音響光学偏向素子 |
| JP3438443B2 (ja) * | 1995-11-10 | 2003-08-18 | Ｋｄｄｉ株式会社 | 光デバイス |
| JP2856183B2 (ja) * | 1996-12-19 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 光波長フィルタ |
| GB2363011B (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-17 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
| US6898217B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-05-24 | Intel Corporation | Ultrasonic tunable laser |
| JP4536488B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
| EP2048753B1 (en) | 2007-10-11 | 2009-11-25 | Alcatel Lucent | Laser module and method of providing a laser module |
| NL1038419C2 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-05 | Rotterdam Res B V | Wavelength tunable laser diode comprising a surface acoustic wave generator. |
| DE102013210561B4 (de) * | 2013-06-06 | 2016-11-10 | Albert-Ludwig-Universität Freiburg | Biegewandler mit einem piezoelektrischen Element |
| US9519163B2 (en) * | 2013-09-24 | 2016-12-13 | Oracle International Corporation | Tunable silicon grating couplers |
| CN103490280B (zh) * | 2013-09-27 | 2016-01-20 | 中国科学院半导体研究所 | 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3755671A (en) * | 1972-09-29 | 1973-08-28 | Rca Corp | Method of providing a semiconductor body with piezoelectric properties |
| US4039249A (en) * | 1973-03-28 | 1977-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Integrated optical devices including tunable fixed grating |
| JPS5214392A (en) * | 1975-07-24 | 1977-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
| JPS53130992A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Takao Kawamura | Twoodimensional distribution feedback solid laser and laser array |
| FR2426922A1 (fr) * | 1978-05-26 | 1979-12-21 | Thomson Csf | Structure optique compacte a source integree |
| US4216440A (en) * | 1978-08-28 | 1980-08-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Surface acoustic wave tuning for lasers |
| US4318058A (en) * | 1979-04-24 | 1982-03-02 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor diode laser array |
| US4327962A (en) * | 1980-02-13 | 1982-05-04 | Redman Charles M | Laser/amplifier/detector diode |
| US4390236A (en) * | 1981-03-19 | 1983-06-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Tunable polarization independent wavelength filter |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56120852A patent/JPS5821888A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-30 DE DE19823228586 patent/DE3228586A1/de active Granted
- 1982-07-30 US US06/403,819 patent/US4532632A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4532632A (en) | 1985-07-30 |
| JPS5821888A (ja) | 1983-02-08 |
| DE3228586A1 (de) | 1983-02-17 |
| DE3228586C2 (ja) | 1990-12-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0376038B2 (ja) | ||
| US6700910B1 (en) | Wavelength tunable laser and optical device | |
| JP3073540B2 (ja) | 波長分割多重化光通信システム及びその送信装置 | |
| JPS59205789A (ja) | 半導体デバイス | |
| JP3198338B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP2002169131A (ja) | 光半導体素子及び光半導体素子の変調方法 | |
| JPH06103778B2 (ja) | 半導体分布帰還形レーザを含む光学装置およびその駆動方法 | |
| JP3043796B2 (ja) | 集積型光カップラ | |
| JP2000012952A (ja) | 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子 | |
| JP2947142B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JPH11312846A (ja) | 偏波依存性を持つ位相シフト領域を有する分布帰還型半導体レーザ、それを用いた光送信機及び光通信システム | |
| JP2000151014A (ja) | 光機能素子及び光通信装置 | |
| JP2907234B2 (ja) | 半導体波長可変装置 | |
| JPH0311554B2 (ja) | ||
| US6363093B1 (en) | Method and apparatus for a single-frequency laser | |
| JP2005159118A (ja) | ミリ波光源 | |
| JP3246703B2 (ja) | 偏波変調可能な半導体レーザおよびこれを用いた光通信方式 | |
| JPS5892289A (ja) | 可変波長半導体レ−ザ | |
| JPH0158876B2 (ja) | ||
| JP3104801B2 (ja) | 集積型光カップラ | |
| JPS63299291A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP3226072B2 (ja) | 偏波変調可能な半導体レーザとその使用法 | |
| JP4048635B2 (ja) | 波長分割多重通信システム及び光源 | |
| JP2902260B2 (ja) | 光波長フィルタ | |
| JPS5895888A (ja) | 可変波長半導体レ−ザ |