JPH038595B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH038595B2 JPH038595B2 JP59178952A JP17895284A JPH038595B2 JP H038595 B2 JPH038595 B2 JP H038595B2 JP 59178952 A JP59178952 A JP 59178952A JP 17895284 A JP17895284 A JP 17895284A JP H038595 B2 JPH038595 B2 JP H038595B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse width
- pulse
- etalon
- laser
- frequency shift
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1106—Mode locking
- H01S3/1109—Active mode locking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、レーザパルス幅短縮装置に関する
ものである。
ものである。
従来、可飽和色素を用いた受動モード同期法に
よつて短パルスレーザ光を発生させていた。しか
しこの方法は、安定性、信頼性に劣るため、外部
から強制変調をかける強制モード同期法が採用さ
れている。一方、この強制モード同期法では比較
的長いパルス幅のパルスしか得られていない。こ
のため、極短幅のパルスを得るには何らかのパル
ス幅短縮を施す必要がある。
よつて短パルスレーザ光を発生させていた。しか
しこの方法は、安定性、信頼性に劣るため、外部
から強制変調をかける強制モード同期法が採用さ
れている。一方、この強制モード同期法では比較
的長いパルス幅のパルスしか得られていない。こ
のため、極短幅のパルスを得るには何らかのパル
ス幅短縮を施す必要がある。
従来、行われてきたパルス幅短縮の主なものは
次の二つである。
次の二つである。
第1の方法は、光フアイバを通すなどして時間
的に周波数変化させたパルスを、2個の回折格子
で周波数による光路差を設け、パルス幅短縮を行
うものである。
的に周波数変化させたパルスを、2個の回折格子
で周波数による光路差を設け、パルス幅短縮を行
うものである。
第2の方法は、可飽和色素を多数回通過させる
ことによりパルス幅短縮を行うものである。
ことによりパルス幅短縮を行うものである。
ところで、上記各方法はいずれも有力な方法で
あるが、調整に熟練を要し、また発振器内に組み
込むことができない。さらに、価格的にも高価に
なる等の問題があつた。
あるが、調整に熟練を要し、また発振器内に組み
込むことができない。さらに、価格的にも高価に
なる等の問題があつた。
この発明は、上記の問題点を解決するためにな
されたもので、エタロンをレーザ発振器内に組み
込むだけでよく調整をほとんど必要としないレー
ザパルス幅短縮装置を提供することを目的として
いる。
されたもので、エタロンをレーザ発振器内に組み
込むだけでよく調整をほとんど必要としないレー
ザパルス幅短縮装置を提供することを目的として
いる。
まず、この発明の原理について説明する。
通常、光学物質は光強度に依存した非線形屈折
率を持つている。この非線形屈折率のために、短
い時間内に強度が大きく変化するレーザパルス
は、その強度微分に応じた周波数変化を受ける。
これによる周波数変移は、レーザパルスのピーク
時に零で、両側で大きい。
率を持つている。この非線形屈折率のために、短
い時間内に強度が大きく変化するレーザパルス
は、その強度微分に応じた周波数変化を受ける。
これによる周波数変移は、レーザパルスのピーク
時に零で、両側で大きい。
エタロンの透過率は周波数依存性を持つてお
り、周波数変移零の時最大透過率と考えてよい。
非線形屈折率により周波数変移の生じたパルスが
エタロンを通過すると、パルス幅の短縮化が生じ
る。周波数変移が大きいパルスの両側がエタロン
により削られ、パルスが鋭くなる。この効果は、
光強度が強い程顕著である。一回当たりの圧縮が
さほどでなくとも回数を重ねれば十分な圧縮が得
られる。
り、周波数変移零の時最大透過率と考えてよい。
非線形屈折率により周波数変移の生じたパルスが
エタロンを通過すると、パルス幅の短縮化が生じ
る。周波数変移が大きいパルスの両側がエタロン
により削られ、パルスが鋭くなる。この効果は、
光強度が強い程顕著である。一回当たりの圧縮が
さほどでなくとも回数を重ねれば十分な圧縮が得
られる。
次に、この発明の一実施例について説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示す概略構成図
である。この図において、1は第1の反射鏡、2
は1組以上の平行な平板または平行間隙を有する
エタロン、3はガラス等によりなるレーザ発振素
子としてのロツド、4はQスイツチ素子、、5は
強制モード同期変調素子である。6は第2の反射
鏡で第1の反射鏡より反射率を低して光を透過さ
せている。なお、エタロン2は光軸に対し直交で
なく少し傾けて配置される。
である。この図において、1は第1の反射鏡、2
は1組以上の平行な平板または平行間隙を有する
エタロン、3はガラス等によりなるレーザ発振素
子としてのロツド、4はQスイツチ素子、、5は
強制モード同期変調素子である。6は第2の反射
鏡で第1の反射鏡より反射率を低して光を透過さ
せている。なお、エタロン2は光軸に対し直交で
なく少し傾けて配置される。
上記第1、第2の反射鏡1,6によつて構成さ
れる共振器内のロツド3をフラツシユランプで励
起してレーザ発振させ、強制モード同期変調素子
5で強制モード同期を行い、安定な短パルスを発
振させる。そしてQスイツチ素子4でQスイツチ
を施し、微小なレーザパルスの巨大化を行う。パ
ルスが巨大化することにより、非線形光学効果が
顕著になり、レーザパルス内の周波数変移を大き
くすることができる。そのことによりエタロン2
によるパルス幅の短縮が有効に行われる。
れる共振器内のロツド3をフラツシユランプで励
起してレーザ発振させ、強制モード同期変調素子
5で強制モード同期を行い、安定な短パルスを発
振させる。そしてQスイツチ素子4でQスイツチ
を施し、微小なレーザパルスの巨大化を行う。パ
ルスが巨大化することにより、非線形光学効果が
顕著になり、レーザパルス内の周波数変移を大き
くすることができる。そのことによりエタロン2
によるパルス幅の短縮が有効に行われる。
第2図は、第1図の実施例から得られる巨大パ
ルス列の写真を模写したもので、上、下の包絡線
のみ示したものである。この図からわかるよう
に、はじめ微小であつたパルスがQスイツチ素子
4でQスイツチをかけることにより急激に巨大化
し、蓄積エネルギーを消費し、ピークに達し、ま
た次第に減少する。この過程の間にレーザパルス
のパルス幅は第3図に示すように変化する。
ルス列の写真を模写したもので、上、下の包絡線
のみ示したものである。この図からわかるよう
に、はじめ微小であつたパルスがQスイツチ素子
4でQスイツチをかけることにより急激に巨大化
し、蓄積エネルギーを消費し、ピークに達し、ま
た次第に減少する。この過程の間にレーザパルス
のパルス幅は第3図に示すように変化する。
第3図はパルス列の位置に対するパルス幅の変
化を示す図で、時刻0がパルス列のピークであ
る。パルス列のピーク以降、パルス幅が減少して
いる。最短パルス幅3ピコ秒が観測されている。
短縮比は15倍程度となつている。
化を示す図で、時刻0がパルス列のピークであ
る。パルス列のピーク以降、パルス幅が減少して
いる。最短パルス幅3ピコ秒が観測されている。
短縮比は15倍程度となつている。
なお、上記実施例ではQスイツチ素子4を用い
たが、これはエタロン2によるパルス幅短縮効果
を顕著にするためにはパルス強度が大きいことが
必要であり、それを単一のパルス発振器で実現す
るためである。したがつて最初から強大なレーザ
パルスが得られるならば、エタロン2のみ、ある
いはそれをはさんだ第1、第2の反射鏡1,6か
らなる共振器のみでパルス幅の短縮が可能であ
る。さらに、上記の実施例では1枚のエタロン2
を用いた場合を示したが、この他、ガラスを介在
させた複数の平板、または空気間隙を設けた複数
の平行間隙よりなるエタロンを用いてもよい。
たが、これはエタロン2によるパルス幅短縮効果
を顕著にするためにはパルス強度が大きいことが
必要であり、それを単一のパルス発振器で実現す
るためである。したがつて最初から強大なレーザ
パルスが得られるならば、エタロン2のみ、ある
いはそれをはさんだ第1、第2の反射鏡1,6か
らなる共振器のみでパルス幅の短縮が可能であ
る。さらに、上記の実施例では1枚のエタロン2
を用いた場合を示したが、この他、ガラスを介在
させた複数の平板、または空気間隙を設けた複数
の平行間隙よりなるエタロンを用いてもよい。
以上説明したように、この発明は単一あるいは
複数の平行平板、あるいは平行間隙よりなるエタ
ロンを具備させ、これに周波数変移を持つパルス
状のレーザ光を透過させることによつてパルス幅
の短縮を行うようにしたので、きわめて簡単な構
成によつて大きなパルス幅短縮比が得られる。ま
た、エタロンを共振器内に配置したものはさらに
能率の良いパルス幅短縮を行うことができる利点
がある。
複数の平行平板、あるいは平行間隙よりなるエタ
ロンを具備させ、これに周波数変移を持つパルス
状のレーザ光を透過させることによつてパルス幅
の短縮を行うようにしたので、きわめて簡単な構
成によつて大きなパルス幅短縮比が得られる。ま
た、エタロンを共振器内に配置したものはさらに
能率の良いパルス幅短縮を行うことができる利点
がある。
第1図はこの発明の一実施例を示す概略構成
図、第2図はこの発明の発振器から発生したパル
ス列の写真を模写した図、第3図はパルス幅の減
少の様子を示すグラフである。 図中、1,6は反射鏡、2はエタロン、3はロ
ツド、4はQスイツチ素子、5は強制モード同期
変調素子である。
図、第2図はこの発明の発振器から発生したパル
ス列の写真を模写した図、第3図はパルス幅の減
少の様子を示すグラフである。 図中、1,6は反射鏡、2はエタロン、3はロ
ツド、4はQスイツチ素子、5は強制モード同期
変調素子である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 周波数変移を持つパルス状のレーザ光を透過
させることによつてパルス幅を短縮させる単一あ
るいは複数の平行平板あるいは平行間隙よりなる
エタロンを具備したことを特徴とするレーザパル
ス幅短縮装置。 2 共振器内に、周波数変移を持つパルス状のレ
ーザ光を透過させることによつて、パルス幅を短
縮させる単一あるいは複数の平行平板あるいは平
行間隙よりなるエタロンを配置したことを特徴と
するレーザパルス幅短縮装置。 3 共振器は、Qスイツチを備えたものである特
許請求の範囲第2項記載のレーザパルス幅短縮装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178952A JPS6156479A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | レ−ザパルス幅短縮装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59178952A JPS6156479A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | レ−ザパルス幅短縮装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156479A JPS6156479A (ja) | 1986-03-22 |
| JPH038595B2 true JPH038595B2 (ja) | 1991-02-06 |
Family
ID=16057524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59178952A Granted JPS6156479A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | レ−ザパルス幅短縮装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156479A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002040627A (ja) | 2000-07-24 | 2002-02-06 | Nec Corp | レーザパターン修正方法並びに修正装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3609586A (en) * | 1969-06-18 | 1971-09-28 | Bell Telephone Labor Inc | Laser with pulsed transmission mode q-switching |
| US4156209A (en) * | 1977-05-16 | 1979-05-22 | Quanta-Ray, Inc. | Lens free of back focal points for use with high power light beams |
| US4174504A (en) * | 1978-01-25 | 1979-11-13 | United Technologies Corporation | Apparatus and method for cavity dumping a Q-switched laser |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP59178952A patent/JPS6156479A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6156479A (ja) | 1986-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |