JPH042004B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH042004B2 JPH042004B2 JP9512085A JP9512085A JPH042004B2 JP H042004 B2 JPH042004 B2 JP H042004B2 JP 9512085 A JP9512085 A JP 9512085A JP 9512085 A JP9512085 A JP 9512085A JP H042004 B2 JPH042004 B2 JP H042004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass plate
- glass
- film
- resist ink
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 57
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
＜産業上の利用分野＞
この発明は、ガラスを基材として使用する表面
波デバイスの製造方法に関するものである。 ＜従来の技術＞ 一般にガラスを基材として使用する表面波デバ
イスは第３図ａに示すように無アルカリガラス等
のガラス基板１の主表面に櫛歯状の入力側インタ
デイジタル電極２と出力側インタデイジタル電極
３を中心間距離Ｄをおいて形成すると共に、その
上にZnOの圧電膜４を形成し、入力側インタデイ
ジタル電極２に印加された電気信号により、この
入力側インタデイジタル電極２上の圧電膜４で発
生され、この圧電膜４およびガラス基板１を媒質
として伝播する表面波V0を出力側インタデイジ
タル電極３によつて再び電気信号に変換して取り
出す構造になつている。 従来より、上記のような構造を有する表面波デ
バイスを製造するには、第４図に示すように50mm
×50mm程度の大きさを有する一枚のガラス板５の
主表面に点線で示す区画６に第３図ａの入力側イ
ンタデイジタル電極２および出力側インタデイジ
タル電極３を形成する。 この後、これら入力側インタデイジタル電極２
および出力側インタデイジタル電極３が形成され
たガラス板５の主表面全体もしくは部分的に、ス
パツタリングの手法により、ZnOからなる圧電材
料膜（図示せず）を形成する。 このガラス板５をそのいま一つの主表面側から
第４図において一点鎖線ｌで示すように、ダイヤ
モンド刃もしくは超硬ロール刃（いずれも図示せ
ず）を使用して切断し、第３図ａに示す表面波デ
バイスに分離している。 ところで上記のような表面波デバイスの製造方
法では、スパツタリングにより圧電材料膜を形成
する際、スパツタリング中にガラス板５に熱ひず
みが加わり、この熱ひずみのため、ガラス板５の
ダイヤモンド刃や超硬ロール刃等による切断（ス
クライブ）時にこのガラス板５のクラツク等が生
じ、表面波デバイスの製造時の良品率が低くなる
という問題がある。 上記のような問題を解決し、切断時におけるガ
ラス板のクラツク等の発生を抑え、良品率を高め
るため第３図ｂに示すように、ガラス板５の裏面
にニツケル等の金属膜７を設け、この金属膜７の
上からCO2レーザを照射してガラス板５に切断溝
を形成し、切断溝を利用してガラス板の上に設け
られた表面波デバイスを分離する製造方法が提案
されている。 この製造方法は、レーザがガラス板に照射され
た際、このガラス板に加えられる熱衝撃が金属膜
により拡散されガラス板にクラツク等が発生する
のを少なくするものである。 ところで、上記表面波デバイスのガラス板に
は、硼珪酸ガラスが使用されている。 この硼珪酸ガラスには、BLCガラスとパイレ
ツクス（コーニング社の商標）とよばれるガラス
の二種類があり、前者のBLCガラスの場合、金
属膜を設けてレーザカツトを行なえば、クラツク
の発生がない切断が得られる。 これに対し、パイレツクガラスでは、同様に金
属膜を設けてレーザカツトを行なうとクラツクが
発生し、カツト不良率が50％にも達するという問
題がある。 その理由としては、表１に示すように、BLC
ガラスとパイレツクスガラスの組成物である
SiO2の量の違いが影響している。
波デバイスの製造方法に関するものである。 ＜従来の技術＞ 一般にガラスを基材として使用する表面波デバ
イスは第３図ａに示すように無アルカリガラス等
のガラス基板１の主表面に櫛歯状の入力側インタ
デイジタル電極２と出力側インタデイジタル電極
３を中心間距離Ｄをおいて形成すると共に、その
上にZnOの圧電膜４を形成し、入力側インタデイ
ジタル電極２に印加された電気信号により、この
入力側インタデイジタル電極２上の圧電膜４で発
生され、この圧電膜４およびガラス基板１を媒質
として伝播する表面波V0を出力側インタデイジ
タル電極３によつて再び電気信号に変換して取り
出す構造になつている。 従来より、上記のような構造を有する表面波デ
バイスを製造するには、第４図に示すように50mm
×50mm程度の大きさを有する一枚のガラス板５の
主表面に点線で示す区画６に第３図ａの入力側イ
ンタデイジタル電極２および出力側インタデイジ
タル電極３を形成する。 この後、これら入力側インタデイジタル電極２
および出力側インタデイジタル電極３が形成され
たガラス板５の主表面全体もしくは部分的に、ス
パツタリングの手法により、ZnOからなる圧電材
料膜（図示せず）を形成する。 このガラス板５をそのいま一つの主表面側から
第４図において一点鎖線ｌで示すように、ダイヤ
モンド刃もしくは超硬ロール刃（いずれも図示せ
ず）を使用して切断し、第３図ａに示す表面波デ
バイスに分離している。 ところで上記のような表面波デバイスの製造方
法では、スパツタリングにより圧電材料膜を形成
する際、スパツタリング中にガラス板５に熱ひず
みが加わり、この熱ひずみのため、ガラス板５の
ダイヤモンド刃や超硬ロール刃等による切断（ス
クライブ）時にこのガラス板５のクラツク等が生
じ、表面波デバイスの製造時の良品率が低くなる
という問題がある。 上記のような問題を解決し、切断時におけるガ
ラス板のクラツク等の発生を抑え、良品率を高め
るため第３図ｂに示すように、ガラス板５の裏面
にニツケル等の金属膜７を設け、この金属膜７の
上からCO2レーザを照射してガラス板５に切断溝
を形成し、切断溝を利用してガラス板の上に設け
られた表面波デバイスを分離する製造方法が提案
されている。 この製造方法は、レーザがガラス板に照射され
た際、このガラス板に加えられる熱衝撃が金属膜
により拡散されガラス板にクラツク等が発生する
のを少なくするものである。 ところで、上記表面波デバイスのガラス板に
は、硼珪酸ガラスが使用されている。 この硼珪酸ガラスには、BLCガラスとパイレ
ツクス（コーニング社の商標）とよばれるガラス
の二種類があり、前者のBLCガラスの場合、金
属膜を設けてレーザカツトを行なえば、クラツク
の発生がない切断が得られる。 これに対し、パイレツクガラスでは、同様に金
属膜を設けてレーザカツトを行なうとクラツクが
発生し、カツト不良率が50％にも達するという問
題がある。 その理由としては、表１に示すように、BLC
ガラスとパイレツクスガラスの組成物である
SiO2の量の違いが影響している。
【表】
すなわち、ガラス中のSiO2が増えることでCO2
レーザ光線の吸収率がアツプし、このためガラス
に不規則なひずみが増え、これが原因で割れ不良
が発生することになる。 この発明は、パイレツクスガラスの切断時に生
じた上記のような問題を解決するためになされた
ものであり、パイレツクスガラスの切断時におけ
る割れ不良の発生を大幅に減少させることができ
る表面波デバイスの製造方法を提供することを目
的とする。 ＜問題点を解決するための手段＞ 上記のような問題点を解決するため、この発明
は、一方の主表面に複数対の入力側インタデイジ
タル電極と出力側インタデイジタル電極および圧
電材料膜が形成された一枚のガラス板を、入力側
インタデイジタル電極および出力側インタデイジ
タル電極の対を含んで切断することにより表面波
デバイスを製造する製造方法であつて、上記ガラ
ス板の他方の主表面に金属膜とこの金属膜上にレ
ジストインク膜の二層を形成し、このレジストイ
ンク膜の上からレーザを照射して切断溝を形成
し、上記ガラス板を切断するものである。 ＜作用＞ 表面に入力および出力電極が形成されたガラス
板の裏面に金属膜とその上にレジストインク膜の
二層を設け、このレジストインク膜を通してガラ
ス板にレーザを照射することにより、ガラス板を
切断する。 レーザがガラス板に照射された際CO2レーザ光
の一部がレジストインクに吸収され、この結果ガ
ラス板への不規則なひずみを減らし、ガラス板に
クラツク等が発生するのが少なくなる。 ＜実施例＞ 以下、この発明の実施例を添付図面にもとづい
て説明する。 先づ、第１図ａに示すように、一片が50mmで厚
さが0.7mmの硼珪酸ガラス、特にパイレツクスガ
ラスからなるガラス板１１を用意する。 このガラス板１１には第１図ｂに示すように、
その一つの主表面１１ａに第３図と全く同様に複
数対の入力側インタデイジタル電極１２および出
力側インタデイジタル電極１３を形成する。 これら入力側インタデイジタル電極１２および
出力側インタデイジタル電極１３は、たとえばア
ルミニウム（Al）の蒸着およびフオトエツチン
グの手法により形成することができる。 その後、上記ガラス板１１の主表面１１ａの上
に第１図ｃに示すように、スパツタリングにより
ZnO等の圧電材料膜１４を形成する。 次に上記ガラス板１１のいま一つの主表面１１
ｂ上には、第１図ｄに示すように、ニツケル
（Ni）等の金属膜１５と、この金属膜１５の上に
レジストインク膜１６の二層を形成する。 この金属膜１５は、印刷もしくは蒸着等の手法
で形成することができ、その厚さは印刷で形成し
た場合3μｍ程度であり、蒸着で形成した場合は
0.6μｍ程度である。 また、レジストインク膜１６は、印刷等の手段
により数μｍから数10μｍの厚さに形成される。 なお、この金属膜１５とレジストインク膜１６
は、入力側インタデイジタル電極１２、出力側イ
ンタデイジタル電極１３の形成前に形成してもよ
く、さらに、これら入力側インタデイジタル電極
１２、出力側インタデイジタル電極１３の形成工
程と、圧電材料膜１４の形成工程との間で形成し
てもよい。 このように、主表面１１ｂ上に金属膜１５とレ
ジストインク膜１６を形成したガラス板１１には
このレジストインク膜１６上から第１図ｄに矢印
Ａで示すように、例えばCO2レーザを照射し、深
さｄが例えば0.18mmの切断溝１７を形成する。 この切断溝１７にて上記ガラス板１１を割つて
表面波デバイスを分離する。 このようにして分離された表面波デバイスは第
２図ａおよび第２図ｂに示すように、入力側イン
タデイジタル電極１２の引出電極１２ａ，１２ｂ
には引出電極２１ａ，２１ｂが出力側インタデイ
ジタル電極１３の引出電極１３ａ，１３ｂには端
子電極２２ａ，２２ｂが、また金属膜１５にはア
ース端子２３が夫々半田付された後、外装樹脂２
４で被覆される。 なお、金属膜１５上に施したレジストインク膜
１６はCO2レーザによる切断溝１７の形成後、シ
ンナーで洗浄すれば簡単におとすことができるた
め、金属膜１５に対するアース端子２３の半田付
前にレジストインク膜１６を上記の手段で除去す
れば、アース端子２３の半田付は問題なく行なえ
る。 上記のように、予め形成した金属膜１５とその
上のレジストインク膜１６を通してガラス板１１
にCO2レーザを照射すれば既に述べたようにガラ
ス板１１に照射されたCO2レーザ光の一部がレジ
ストインク膜１６に吸収され、しかも金属膜１５
がレーザ光の照射時における熱衝撃を拡散させ、
この結果ガラス板１１への不規則なひずみを減ら
し、スクライブ時にこのガラス板１１にクラツク
が発生することは少なくなり、特にレジストイン
ク膜１６によるレーザ光の一部を吸収することに
より、パイレツクスガラスのレーザ光の吸収率を
おさえ、パイレツクスガラス板を用いた表面波デ
バイスの場合でもクラツクスの発生を少なくする
ことができる。 また、金属膜１５はアース端子２３を取り付
け、シールド用の電極として利用することがで
き、この金属膜１５はニツケル以外の金属材料を
使用することができる。 ＜発明の効果＞ 以上のように、この発明によるとガラス板上に
金属膜とレジストインク膜の二層を設け、このレ
ジストインク膜上からレーザを照射してガラス板
を切断するようにしたので、レーザ光の一部をレ
ジストインク膜で吸収することによりガラス板の
レーザ光吸収率をおさえることができ、従つてレ
ーザの照射による切断においてSiO2成分の多い
ガラスでも不規則ひずみを減らし、表面波デバイ
スのカツト不良率を50％から0.3％以下に減少さ
せることができた。
レーザ光線の吸収率がアツプし、このためガラス
に不規則なひずみが増え、これが原因で割れ不良
が発生することになる。 この発明は、パイレツクスガラスの切断時に生
じた上記のような問題を解決するためになされた
ものであり、パイレツクスガラスの切断時におけ
る割れ不良の発生を大幅に減少させることができ
る表面波デバイスの製造方法を提供することを目
的とする。 ＜問題点を解決するための手段＞ 上記のような問題点を解決するため、この発明
は、一方の主表面に複数対の入力側インタデイジ
タル電極と出力側インタデイジタル電極および圧
電材料膜が形成された一枚のガラス板を、入力側
インタデイジタル電極および出力側インタデイジ
タル電極の対を含んで切断することにより表面波
デバイスを製造する製造方法であつて、上記ガラ
ス板の他方の主表面に金属膜とこの金属膜上にレ
ジストインク膜の二層を形成し、このレジストイ
ンク膜の上からレーザを照射して切断溝を形成
し、上記ガラス板を切断するものである。 ＜作用＞ 表面に入力および出力電極が形成されたガラス
板の裏面に金属膜とその上にレジストインク膜の
二層を設け、このレジストインク膜を通してガラ
ス板にレーザを照射することにより、ガラス板を
切断する。 レーザがガラス板に照射された際CO2レーザ光
の一部がレジストインクに吸収され、この結果ガ
ラス板への不規則なひずみを減らし、ガラス板に
クラツク等が発生するのが少なくなる。 ＜実施例＞ 以下、この発明の実施例を添付図面にもとづい
て説明する。 先づ、第１図ａに示すように、一片が50mmで厚
さが0.7mmの硼珪酸ガラス、特にパイレツクスガ
ラスからなるガラス板１１を用意する。 このガラス板１１には第１図ｂに示すように、
その一つの主表面１１ａに第３図と全く同様に複
数対の入力側インタデイジタル電極１２および出
力側インタデイジタル電極１３を形成する。 これら入力側インタデイジタル電極１２および
出力側インタデイジタル電極１３は、たとえばア
ルミニウム（Al）の蒸着およびフオトエツチン
グの手法により形成することができる。 その後、上記ガラス板１１の主表面１１ａの上
に第１図ｃに示すように、スパツタリングにより
ZnO等の圧電材料膜１４を形成する。 次に上記ガラス板１１のいま一つの主表面１１
ｂ上には、第１図ｄに示すように、ニツケル
（Ni）等の金属膜１５と、この金属膜１５の上に
レジストインク膜１６の二層を形成する。 この金属膜１５は、印刷もしくは蒸着等の手法
で形成することができ、その厚さは印刷で形成し
た場合3μｍ程度であり、蒸着で形成した場合は
0.6μｍ程度である。 また、レジストインク膜１６は、印刷等の手段
により数μｍから数10μｍの厚さに形成される。 なお、この金属膜１５とレジストインク膜１６
は、入力側インタデイジタル電極１２、出力側イ
ンタデイジタル電極１３の形成前に形成してもよ
く、さらに、これら入力側インタデイジタル電極
１２、出力側インタデイジタル電極１３の形成工
程と、圧電材料膜１４の形成工程との間で形成し
てもよい。 このように、主表面１１ｂ上に金属膜１５とレ
ジストインク膜１６を形成したガラス板１１には
このレジストインク膜１６上から第１図ｄに矢印
Ａで示すように、例えばCO2レーザを照射し、深
さｄが例えば0.18mmの切断溝１７を形成する。 この切断溝１７にて上記ガラス板１１を割つて
表面波デバイスを分離する。 このようにして分離された表面波デバイスは第
２図ａおよび第２図ｂに示すように、入力側イン
タデイジタル電極１２の引出電極１２ａ，１２ｂ
には引出電極２１ａ，２１ｂが出力側インタデイ
ジタル電極１３の引出電極１３ａ，１３ｂには端
子電極２２ａ，２２ｂが、また金属膜１５にはア
ース端子２３が夫々半田付された後、外装樹脂２
４で被覆される。 なお、金属膜１５上に施したレジストインク膜
１６はCO2レーザによる切断溝１７の形成後、シ
ンナーで洗浄すれば簡単におとすことができるた
め、金属膜１５に対するアース端子２３の半田付
前にレジストインク膜１６を上記の手段で除去す
れば、アース端子２３の半田付は問題なく行なえ
る。 上記のように、予め形成した金属膜１５とその
上のレジストインク膜１６を通してガラス板１１
にCO2レーザを照射すれば既に述べたようにガラ
ス板１１に照射されたCO2レーザ光の一部がレジ
ストインク膜１６に吸収され、しかも金属膜１５
がレーザ光の照射時における熱衝撃を拡散させ、
この結果ガラス板１１への不規則なひずみを減ら
し、スクライブ時にこのガラス板１１にクラツク
が発生することは少なくなり、特にレジストイン
ク膜１６によるレーザ光の一部を吸収することに
より、パイレツクスガラスのレーザ光の吸収率を
おさえ、パイレツクスガラス板を用いた表面波デ
バイスの場合でもクラツクスの発生を少なくする
ことができる。 また、金属膜１５はアース端子２３を取り付
け、シールド用の電極として利用することがで
き、この金属膜１５はニツケル以外の金属材料を
使用することができる。 ＜発明の効果＞ 以上のように、この発明によるとガラス板上に
金属膜とレジストインク膜の二層を設け、このレ
ジストインク膜上からレーザを照射してガラス板
を切断するようにしたので、レーザ光の一部をレ
ジストインク膜で吸収することによりガラス板の
レーザ光吸収率をおさえることができ、従つてレ
ーザの照射による切断においてSiO2成分の多い
ガラスでも不規則ひずみを減らし、表面波デバイ
スのカツト不良率を50％から0.3％以下に減少さ
せることができた。
第１図ａないしｄの夫々はこの発明に係る表面
波デバイスの製造方法の説明図、第２図ａはこの
発明の方法により製造された表面波デバイスの平
面図、第２図ｂは第２図ａの表面波デバイスの
−線に沿う断面図、第３図ａは従来の製造方法
により製造された表面波デバイスの平面図、第３
図ｂは第３図ａの表面波デバイスの−線に沿
う断面図、第４図は従来の表面波デバイスの製造
方法の説明図である。 １１……ガラス板、１１ａ，１１ｂ……主表
面、１２……入力側インタデイジタル電極、１３
……出力側インタデイジタル電極、１４……圧電
材料膜、１５……金属膜、１６……レジストイン
ク膜、１７……切断溝。
波デバイスの製造方法の説明図、第２図ａはこの
発明の方法により製造された表面波デバイスの平
面図、第２図ｂは第２図ａの表面波デバイスの
−線に沿う断面図、第３図ａは従来の製造方法
により製造された表面波デバイスの平面図、第３
図ｂは第３図ａの表面波デバイスの−線に沿
う断面図、第４図は従来の表面波デバイスの製造
方法の説明図である。 １１……ガラス板、１１ａ，１１ｂ……主表
面、１２……入力側インタデイジタル電極、１３
……出力側インタデイジタル電極、１４……圧電
材料膜、１５……金属膜、１６……レジストイン
ク膜、１７……切断溝。
Claims (1)
- １ 一方の主表面に複数対の入力インタデイジタ
ル電極と出力側インタデイジタル電極および圧電
材料膜が形成された一枚のガラス板を入力側イン
タデイジタル電極および出力側インタデイジタル
電極の対を含んで切断することにより表面波デバ
イスを製造する表面波デバイスの製造方法であつ
て、上記ガラス板の他方の主表面に金属膜とこの
金属膜上にレジストインク膜の二層を形成し、こ
のレジストインク膜の上からレーザを照射して切
断溝を形成し、上記ガラス板を切断することを特
徴とする表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9512085A JPS61253908A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9512085A JPS61253908A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 表面波デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253908A JPS61253908A (ja) | 1986-11-11 |
| JPH042004B2 true JPH042004B2 (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14128971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9512085A Granted JPS61253908A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8976441B2 (en) | 1996-02-07 | 2015-03-10 | Production Resource Group, Llc | Programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135441A (ja) * | 1994-06-02 | 1995-05-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9512085A patent/JPS61253908A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8976441B2 (en) | 1996-02-07 | 2015-03-10 | Production Resource Group, Llc | Programmable light beam shape altering device using programmable micromirrors |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61253908A (ja) | 1986-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200848190A (en) | Laser processing method and cutting method, method of dividing a structured body with multiple substrates | |
| KR101529748B1 (ko) | 산화물층을 갖는 기체와 그의 제조 방법 | |
| DE112018000207B4 (de) | Akustikwellenvorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung | |
| JPH042004B2 (ja) | ||
| JPS5836939A (ja) | ガラスウエハの切断方法 | |
| DE112019001648B4 (de) | Verbindung und elastische welle-element | |
| JPS6336988A (ja) | 半導体ウエハの分割方法 | |
| JPH0252448B2 (ja) | ||
| JPH0574175B2 (ja) | ||
| JP7382707B2 (ja) | 弾性波デバイスの製造方法 | |
| JPS60140780A (ja) | 半導体表面処理用治具 | |
| JPS634941B2 (ja) | ||
| JPS5996778A (ja) | 光電変換装置作製方法 | |
| EP0200304B1 (en) | Saw devices including resistive films | |
| JPH01120070A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH03232731A (ja) | 化学切削性感光性ガラス製品の分割法 | |
| JPS58127917A (ja) | 液晶セルの製造方法 | |
| JPH02295132A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH02202069A (ja) | 非晶質太陽電池の製造方法 | |
| JPH053150B2 (ja) | ||
| JPS6167984A (ja) | 電子装置モジユ−ルの製造方法 | |
| JPH07183076A (ja) | 放電型サージアブソーバ | |
| JPS6261376A (ja) | 太陽電池装置 | |
| JPS6114727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6046047A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |