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JPH04212077A - Semiconductor measuring device - Google Patents
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JPH04212077A - Semiconductor measuring device - Google Patents

Semiconductor measuring device

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Publication number
JPH04212077A
JPH04212077A JP3047176A JP4717691A JPH04212077A JP H04212077 A JPH04212077 A JP H04212077A JP 3047176 A JP3047176 A JP 3047176A JP 4717691 A JP4717691 A JP 4717691A JP H04212077 A JPH04212077 A JP H04212077A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory
input
output
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3047176A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuko Sudo
優子 須藤
Teruaki Ogata
尾方 照明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPH04212077A publication Critical patent/JPH04212077A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To enable a data for outputting a test pattern and an object file of an expected value from a loaded memory to be read and converted to a source file in a specified format and then to be transplanted to another device easily. CONSTITUTION:An address generator 2, an I/O pattern memory 3, an I/O switching control 4, a mask memory 5, and a data reading device 14 are connected by switches 15-18. Then, as in an actual logic function test, a timing generator 1 and a generator 2 are operated and data is output in sequence from the memories 3-5. The device 14 reads these data through the switches 16-18 and stores data by updating and address in sequence every time an address signal from the generator 2 is changed. Also, the device 14 converts it into a standard source file which can be used easily for another semiconductor measuring device based on the read data. It is stored in an external memory device such as a disk and transplant to another device can be made easily.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】この発明は、半導体集積回路の論
理機能テストを行う半導体測定装置に関するものである
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor measuring device for testing the logic functions of semiconductor integrated circuits.

【0002】0002

【従来の技術】図6は従来のこの種の半導体測定装置に
おける論理機能テスト部の1端子分の構成を示すブロッ
ク図である。同図に示すように、論理機能テストの基本
タイミングを発生するタイミング発生器1の出力が、ア
ドレス信号を発生するアドレス発生器2に入力されてい
る。また、アドレス発生器2の出力が、入出力パターン
メモリ3,I/O切替制御メモリ4,マスクメモリ5,
PASS/FAIL出力部6に入力されている。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a block diagram showing the configuration of one terminal of a logic function test section in a conventional semiconductor measuring device of this type. As shown in the figure, the output of a timing generator 1 that generates basic timing for a logic function test is input to an address generator 2 that generates an address signal. Further, the output of the address generator 2 is input to the input/output pattern memory 3, the I/O switching control memory 4, the mask memory 5,
It is input to the PASS/FAIL output section 6.

【0003】入出力パターンメモリ3は、被テスト半導
体集積回路(図示せず)に入力すべき入力パターン(テ
ストパターン)と、その入力パターンを与えたときに被
テスト半導体集積回路から出力されるはずの出力パター
ン(期待値)とを記憶する。I/O切替制御メモリ4は
、入力パターンの被テスト半導体集積回路への入力と、
被テスト半導体集積回路からのテスト結果データの出力
との切り替えを行う。マスクメモリ5は、被テスト半導
体集積回路からのテスト結果データと期待値とをコンパ
レータ10で比較した測定結果のうち特定部分をマスク
するためのマスクパターンを記憶する。測定結果は全パ
ターンについて測定結果記録部12に記録される。 PASS/FAIL出力部6は、測定結果記録部12の
内容からパスあるいはフェイルの情報を、フェイルピン
及びフェイルしたパターンアドレスの情報とともに外部
に出力する。
The input/output pattern memory 3 stores an input pattern (test pattern) to be input to a semiconductor integrated circuit under test (not shown) and a pattern that should be output from the semiconductor integrated circuit under test when the input pattern is applied. The output pattern (expected value) is memorized. The I/O switching control memory 4 inputs an input pattern to the semiconductor integrated circuit under test;
Switching is performed between outputting test result data from the semiconductor integrated circuit under test. The mask memory 5 stores a mask pattern for masking a specific portion of the measurement result obtained by comparing the test result data from the semiconductor integrated circuit under test with an expected value by the comparator 10. The measurement results are recorded in the measurement result recording section 12 for all patterns. The PASS/FAIL output section 6 outputs pass or fail information from the contents of the measurement result recording section 12 to the outside together with information on the fail pin and the failed pattern address.

【0004】また、タイミング発生器1の出力は位相発
生器7の制御入力にも与えられており、この位相発生器
7はタイミング発生器1の発生する基本タイミングに基
づき論理機能テストの基本フェーズを生成する。入出力
パターンメモリ3からの入出力パターンは位相発生器7
を介してフォーマッタ8に与えられ、フォーマッタ8は
データ形式を例えばRZ(リターン・ツー・ゼロ)やN
RZ(ノン・リターン・ツー・ゼロ)に変換することに
より被テスト半導体集積回路と整合させる。フォーマッ
タ8の出力はドライバ9の入力とコンパレータ10の一
方の入力に与えれている。さらに、ドライバ9の出力が
テスト端子11に与えられており、テスト端子11が図
示しない被テスト半導体集積回路に接続されている。
Furthermore, the output of the timing generator 1 is also given to the control input of a phase generator 7, and this phase generator 7 executes the basic phase of the logic function test based on the basic timing generated by the timing generator 1. generate. The input/output pattern from the input/output pattern memory 3 is sent to the phase generator 7.
The formatter 8 inputs the data format into, for example, RZ (Return to Zero) or N
It is matched with the semiconductor integrated circuit under test by converting it to RZ (non-return-to-zero). The output of the formatter 8 is given to an input of a driver 9 and one input of a comparator 10. Further, the output of the driver 9 is applied to a test terminal 11, and the test terminal 11 is connected to a semiconductor integrated circuit under test (not shown).

【0005】また、テスト端子11はコンパレータ10
の他方の入力端子に接続されており、コンパレータ10
の出力が測定結果記録部12に入力にされている。さら
に、I/O切替制御メモリ4の出力がドライバ9及びコ
ンパレータ10の活性,非活性を制御するため、それら
の制御端子に与えられている。
[0005] Also, the test terminal 11 is connected to a comparator 10.
is connected to the other input terminal of the comparator 10.
The output is input to the measurement result recording section 12. Further, the output of the I/O switching control memory 4 is applied to the control terminals of the driver 9 and comparator 10 in order to control their activation and deactivation.

【0006】また、基準電圧源13がドライバ9及びコ
ンパレータ10の出入力レベルを被テスト半導体集積回
路と整合させるために、ドライバ9及びコンパレータ1
0の基準電圧端子に接続されている。
In addition, the reference voltage source 13 is used to match the input and output levels of the driver 9 and comparator 10 with those of the semiconductor integrated circuit under test.
0 reference voltage terminal.

【0007】次に動作について説明する。アドレス発生
器2は、タイミング発生器1から出力される基本タイミ
ングに基づいて順次アドレス信号を発生する。このアド
レス信号は、入出力パターンメモリ3,I/O切替制御
メモリ4,マスクメモリ5及びPASS/FAIL出力
部6に入力される。アドレス信号に応答して、入出力パ
ターンメモリ3,I/O切替制御メモリ4,マスクメモ
リ5からはそれぞれ入出力パターン,I/O切替制御デ
ータ,マスクパターンが順次読み出される。
Next, the operation will be explained. The address generator 2 sequentially generates address signals based on the basic timing output from the timing generator 1. This address signal is input to the input/output pattern memory 3, I/O switching control memory 4, mask memory 5, and PASS/FAIL output section 6. In response to the address signal, input/output patterns, I/O switching control data, and mask patterns are sequentially read out from the input/output pattern memory 3, I/O switching control memory 4, and mask memory 5, respectively.

【0008】入出力パターンメモリ3から読み出された
入出力パターンは、位相発生器7及びフォーマッタ8を
介してドライバ9の入力及びコンパレータ10の一方の
入力に与えられる。同時にI/O切替制御メモリ4から
出力されるI/O切替制御データがドライバ9及びコン
パレータ10の制御端子に与えられる。
The input/output pattern read from the input/output pattern memory 3 is applied to an input of a driver 9 and one input of a comparator 10 via a phase generator 7 and a formatter 8. At the same time, I/O switching control data output from the I/O switching control memory 4 is applied to the control terminals of the driver 9 and the comparator 10.

【0009】ドライバ9がその制御端子に与えられるI
/O切替制御データによって活性化されるモードにおい
ては、テストパターンデータがドライバ9及びテスト端
子11を介して被テスト半導体集積回路に与えられる。 このとき、コンパレータ10はその制御端子に与えられ
るI/O切替制御データによって不活性状態になる。
The driver 9 has I applied to its control terminal.
In the mode activated by the /O switching control data, test pattern data is applied to the semiconductor integrated circuit under test via the driver 9 and the test terminal 11. At this time, the comparator 10 becomes inactive by the I/O switching control data applied to its control terminal.

【0010】逆に、コンパレータ10がその制御端子に
与えられるI/O切替制御データによって活性化される
モードにおいては、コンパレレータ10はその一方の入
力端子に与えられている期待値データとテスト端子11
を介して他方の入力端子に与えられている被テスト半導
体集積回路からのテスト結果データとを比較し、その測
定結果を測定結果記録部12に出力する。このとき、ド
ライバ9はその制御端子に与えられているI/O切替制
御データによって不活性状態になる。
Conversely, in a mode in which the comparator 10 is activated by the I/O switching control data applied to its control terminal, the comparator 10 is activated by the expected value data applied to one of its input terminals and the test terminal 11.
It compares the test result data from the semiconductor integrated circuit under test that is applied to the other input terminal via the input terminal, and outputs the measurement result to the measurement result recording section 12. At this time, the driver 9 becomes inactive due to the I/O switching control data applied to its control terminal.

【0011】測定結果記録部12は測定結果がマスクメ
モリ5から入力されるマスクデータによってマスクされ
ていない場合は、測定結果をそのまま、マスクメモリ5
から入力されるマスクデータによってマスクされている
場合は測定結果の内容に関わらず、測定結果をOKとし
て、これを全パターンについて記録する。
If the measurement result is not masked by the mask data input from the mask memory 5, the measurement result recording section 12 stores the measurement result as it is in the mask memory 5.
If the pattern is masked by the mask data input from the pattern, the measurement result is regarded as OK and recorded for all patterns, regardless of the content of the measurement result.

【0012】PASS/FAIL出力部6は、測定結果
記録部の内容に応じパスあるいはフェイルの情報を、フ
ェイルピン及びフェイルしたパターンアドレスの情報と
ともに外部に出力する。
The PASS/FAIL output section 6 outputs pass or fail information to the outside, along with information on the fail pin and the failed pattern address, depending on the contents of the measurement result recording section.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体測定装置
は以上のように構成されているので次のような問題点が
あった。すなわち、入出力パターンメモリ3,I/O切
替制御メモリ4及びマスクメモリ5などのメモリの内容
はこの半導体測定装置に固有のソース言語で記述される
。一般に、実際の測定に先立ち、ソース言語から生成さ
れたオブジェクトファイルに対してデバッグを行うこと
により最終的に正確なメモリの内容を確定している。 この場合、半導体測定装置にオブジェクトファイルをソ
ースファイルに変換する機能、すなわち逆コンパイラ機
能があったとしても、それを用いて逆コンパイルするこ
とにより、この半導体測定装置に固有のソース言語とし
てメモリの内容を取り出すことはできても、それを異な
るソース言語を有する他の半導体測定装置に直接に移殖
することは困難であった。
SUMMARY OF THE INVENTION Since the conventional semiconductor measuring device is constructed as described above, it has the following problems. That is, the contents of memories such as the input/output pattern memory 3, the I/O switching control memory 4, and the mask memory 5 are written in a source language specific to this semiconductor measuring device. Generally, before actual measurement, the exact contents of memory are finally determined by debugging an object file generated from a source language. In this case, even if the semiconductor measurement equipment has a function to convert an object file into a source file, that is, a decompiler function, by decompiling it using the decompiler function, the contents of the memory can be converted into a source language specific to this semiconductor measurement equipment. However, it is difficult to directly port it to other semiconductor measurement devices with different source languages.

【0014】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、入出力パターンメモリ等のメモ
リの内容を他の半導体測定装置に容易に移殖可能な半導
体測定装置を得ることを目的としている。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to obtain a semiconductor measuring device in which the contents of a memory such as an input/output pattern memory can be easily transferred to another semiconductor measuring device. It is an object.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体測
定装置は、半導体集積回路にテストパターンを入力し、
テストパターンに応じてこの半導体集積回路から出力さ
れるデータを期待値と比較して半導体集積回路の論理機
能を検査する半導体測定装置において、テストパターン
および期待値のオブジェクトファイルがロードされたメ
モリと、このメモリから出力されるテストパターンおよ
び期待値のデータを読み取り、所定形式のソースファイ
ルに変換するデータ読み取り装置とを備えて構成されて
いる。
[Means for Solving the Problems] A semiconductor measuring device according to the present invention inputs a test pattern to a semiconductor integrated circuit,
In a semiconductor measurement device that tests the logical function of a semiconductor integrated circuit by comparing data output from the semiconductor integrated circuit according to a test pattern with an expected value, a memory loaded with an object file of the test pattern and the expected value; It is configured to include a data reading device that reads test pattern and expected value data output from this memory and converts it into a source file in a predetermined format.

【0016】[0016]

【作用】この発明においては、テストパターンおよび期
待値のオブジェクト・ファイルがロードされたメモリか
ら出力されるデータを、データ読み取り装置によって読
み取り、所定形式のソースファイルに変換しているので
、所定形式としてできるだけ他の半導体測定装置に適用
可能或いは適用容易なものを用いれば、このソースファ
イルを他の半導体測定装置に移殖することが容易になる
[Operation] In this invention, the data output from the memory into which the test pattern and expected value object files have been loaded is read by the data reading device and converted into a source file in a predetermined format. By using files that are applicable or easy to apply to other semiconductor measurement devices as much as possible, it becomes easy to port this source file to other semiconductor measurement devices.

【0017】[0017]

【実施例】図1はこの発明の一実施例である半導体測定
装置におけるテスト部の1端子分の構成を示すブロック
図である。同図に示すように、論理機能テストの際に出
力されるべきデータを論理機能テストの実行時と同じ順
序で読み取るためのデータ読み取り装置14が、データ
読み取り装置14への切り替えを行うスイッチ15ない
し18を介してそれぞれ、アドレス発生器2,入出力パ
ターンメモリ3,I/O切替制御メモリ4及びマスクメ
モリ5と接続されている。その他の構成は図6と同様で
あるので説明は省略する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of one terminal of a test section in a semiconductor measuring device according to an embodiment of the present invention. As shown in the figure, a data reading device 14 for reading data to be output during a logic function test in the same order as when executing the logic function test is connected to a switch 15 for switching to the data reading device 14. The address generator 2, the input/output pattern memory 3, the I/O switching control memory 4, and the mask memory 5 are connected via 18, respectively. The rest of the configuration is the same as that in FIG. 6, so the explanation will be omitted.

【0018】次に動作について説明する。通常のテスト
の際は、スイッチ15ないし18によって、アドレス発
生器2,入出力パターンメモリ3,I/O切替制御メモ
リ4,マスクメモリ5とデータ読み取り装置14との間
は絶縁されている。この場合の動作は図6について前述
したとおりであるので、説明は省略する。
Next, the operation will be explained. During normal testing, the address generator 2, input/output pattern memory 3, I/O switching control memory 4, mask memory 5, and data reading device 14 are insulated by switches 15 to 18. The operation in this case is the same as described above with reference to FIG. 6, so the explanation will be omitted.

【0019】次に、スイッチ15ないし18によってア
ドレス発生器2,入出力パターンメモリ3,I/O切替
制御メモリ4,マスクメモリ5とデータ読み取り装置1
4との間が接続されている場合について説明する。なお
スイッチ15ないし18のオンは、通常のテスタコント
ロールの要領(すなわちプログラミング)で行うように
してもよい。
Next, the switches 15 to 18 are used to control the address generator 2, input/output pattern memory 3, I/O switching control memory 4, mask memory 5, and data reading device 1.
A case will be explained in which 4 is connected. Note that the switches 15 to 18 may be turned on in the same way as normal tester control (ie, programming).

【0020】このモードでは、実際の論理機能テストは
行わないが、実際の論理機能テストの実施中と同じよう
にタイミング発生器1,アドレス発生器2を動作させ、
入出力パターンメモリ3,I/O切替制御メモリ4及び
マスクメモリ5からデータを順次出力させる。データ読
み取り装置14は、これらのデータをそれぞれスイッチ
16ないし18を介して読み取り、アドレス発生器2か
らのアドレス信号が変化する度にアドレスを順次更新し
てこれらのデータを記憶する。
In this mode, an actual logic function test is not performed, but the timing generator 1 and address generator 2 are operated in the same way as during the actual logic function test.
Data is sequentially output from the input/output pattern memory 3, the I/O switching control memory 4, and the mask memory 5. The data reading device 14 reads these data via the switches 16 to 18, respectively, updates the address sequentially every time the address signal from the address generator 2 changes, and stores the data.

【0021】データ読み取り装置14で入出力パターン
メモリ3,I/O切替制御メモリ4及びマスクメモリ5
の内容を読み取るタイミングは、実際にテストに用いる
タイミングであってもよいが、このタイミングは極めて
高周波(例えば50MHz)の場合もあるので、実際に
テストに用いるタイミングとは異なり、タイミング発生
器1が生成する基本タイミング信号を遅くして、半導体
測定装置の動作を低速にすることによってデータ読み取
り装置14によるデータの読み取りを低速で行うように
してもよい。このようにすることにより、スイッチ15
ないし18として高周波用のものを特別に準備せず、一
般的なスイッチで十分対応可能となり、発明の適用が極
めて容易になる。
The data reading device 14 has an input/output pattern memory 3, an I/O switching control memory 4, and a mask memory 5.
The timing to read the contents of may be the timing actually used for the test, but since this timing may be at an extremely high frequency (for example, 50 MHz), the timing generator 1 is different from the timing actually used for the test. The data reading device 14 may read data at a low speed by slowing down the basic timing signal to be generated and slowing down the operation of the semiconductor measuring device. By doing this, the switch 15
There is no need to prepare a special one for high frequencies as 1 to 18, and a general switch can be used, making it extremely easy to apply the invention.

【0022】図2ないし図5はこの実施例における一連
のデータ列を示すデータ・イメージ図である。まず、図
2のソースファイル・イメージは、実際のテストを行う
ために予め作成されたパターン制御データ,入出力パタ
ーンメモリ3,I/O切替制御メモリ4及びマスクメモ
リ5のソースファイルを示している。ここで、パターン
制御データはアドレス発生器2内にあって、タイミング
発生器1からの基本タイミングによってどのような順序
でアドレスを発生するかということを決めるためのデー
タである。
FIGS. 2 to 5 are data image diagrams showing a series of data strings in this embodiment. First, the source file image in FIG. 2 shows source files for pattern control data, input/output pattern memory 3, I/O switching control memory 4, and mask memory 5 that are created in advance for actual testing. . Here, the pattern control data is stored in the address generator 2 and is data for determining in what order addresses are to be generated based on the basic timing from the timing generator 1.

【0023】図2の例において、パターン制御データは
、アドレス1を実行した後、アドレス2からアドレス5
を2回繰り返してからアドレス6以降を実行するように
プログラムされているので、アドレス発生器2はアドレ
ス1を発生した後、アドレス2からアドレス5を2回繰
り返してからアドレス6以降を発生する。
In the example of FIG. 2, the pattern control data is executed from address 2 to address 5 after executing address 1.
Since the address generator 2 is programmed to repeat twice twice and then execute address 6 and subsequent addresses, after generating address 1, address generator 2 repeats addresses 2 to 5 twice and then generates addresses 6 and subsequent addresses.

【0024】図2に示したソースファイルは、通常半導
体測定装置内にあるコンパイラを用いて、図3のオブジ
ェクトファイル・イメージに示すオブジェクトファイル
に変換された後、入出力パターンメモリ3,I/O切替
制御メモリ4及びマスクメモリ5にロードされる。そし
てデバッグが行われ、最終的なメモリ内容が確定する。 ここまでの手順は通常のテストにおいて行われるもので
ある。
The source file shown in FIG. 2 is converted into an object file shown in the object file image in FIG. 3 using a compiler normally installed in the semiconductor measuring device, and then stored in the input/output pattern memory 3, I/O Loaded into the switching control memory 4 and mask memory 5. Debugging is then performed to determine the final memory contents. The steps up to this point are those performed in normal testing.

【0025】この実施例では前述したように上記最終的
なメモリ内容を入出力パターンメモリ3,I/O切替制
御メモリ4及びマスクメモリ5から順次出力させて、デ
ータ読み取り装置14はそれを並行して読み取る。図4
はデータ読み取り装置14によって読み取られたデータ
・イメージである。データ読み取り装置14に読み取ら
れたデータ・イメージは図3のオブジェクトファイル・
イメージに示されるアドレス1からアドレス5までは同
一であるが、アドレス6からは再びアドレス2からアド
レス5が繰り返され、次にアドレス7が現われるいわゆ
るベタ書きの記述となっている。
In this embodiment, as described above, the final memory contents are sequentially output from the input/output pattern memory 3, the I/O switching control memory 4, and the mask memory 5, and the data reading device 14 outputs them in parallel. and read it. Figure 4
is the data image read by data reading device 14. The data image read by the data reading device 14 is the object file shown in FIG.
Addresses 1 to 5 shown in the image are the same, but starting from address 6, addresses 2 to 5 are repeated again, and then address 7 appears, resulting in a so-called solid writing description.

【0026】データ読み取り装置14はまた、読み取っ
た入出力パターンメモリ3,I/O切替制御メモリ4及
びマスクメモリ5のデータをもとに、これを例えば図5
に示す、他の半導体測定装置にも使用が容易であるよう
な、標準的なソースファイルに変換して、これをディス
クなどの外部記憶装置(図示せず)に記憶させる。
The data reading device 14 also reads the data in the input/output pattern memory 3, I/O switching control memory 4, and mask memory 5 based on the data read in, for example, as shown in FIG.
The source file is converted into a standard source file that can be easily used in other semiconductor measurement devices as shown in FIG. 2, and is stored in an external storage device (not shown) such as a disk.

【0027】この標準的なソースファイルとしては、で
きるだけ他の半導体測定装置に適用容易な形式のものを
選択する。例えば、図5に図示の例では、アドレス発生
器2においては、図2で示したパターン制御データによ
るループ或いは図示はしないが、飛び越しなどの制御が
なく、アドレス発生器2は低いアドレスから高いアドレ
スに向かって順番にしかアドレスを発生せず、また、マ
スクメモリ5においては、図2で示したマスクしないビ
ット位置は同じ“0”で表現しているがマスクするビッ
ト位置を“M”ではなく“1”で表現している。
As this standard source file, one is selected that has a format that is as easy to apply to other semiconductor measuring devices as possible. For example, in the example shown in FIG. 5, the address generator 2 does not have a loop based on the pattern control data shown in FIG. In addition, in the mask memory 5, the unmasked bit positions shown in FIG. 2 are expressed as "0", but the masked bit positions are expressed as "M" instead of "M" It is expressed as “1”.

【0028】なお、入出力パターンメモリ3,I/O切
替制御メモリ4においては、その表現方法は図2に示し
たものと同一である。すなわち、入出力パターンメモリ
3では、I/O切替制御データによって入力と指定され
たもの(テストデータ)は“0”,“1”で表現し、I
/O切替制御データによって出力と指定されたもの(期
待値)は“L”,“H”で表現しており、I/O切替制
御メモリ4では、入力を“I”,出力を“O”で表現し
ている。
Note that the method of representation in the input/output pattern memory 3 and the I/O switching control memory 4 is the same as that shown in FIG. That is, in the input/output pattern memory 3, what is designated as input by the I/O switching control data (test data) is expressed as "0" and "1", and the I/O
The output (expected value) specified by the /O switching control data is expressed as "L" and "H", and in the I/O switching control memory 4, the input is "I" and the output is "O". It is expressed as.

【0029】他の一般的な半導体測定装置では、この外
部のディスクなどに記憶された標準的なソースファイル
に基づいてその半導体測定装置向けのソースファイルを
作成することにより、あるいは可能ならばその標準的な
ソースファイルを直接に適用することにより、同じテス
トを実行することができる。上記標準的なソースファイ
ルから特定の半導体測定装置向けのソースファイルを作
成することは比較的簡単で済む。
In other general semiconductor measurement equipment, by creating a source file for the semiconductor measurement equipment based on a standard source file stored on an external disk or the like, or by using the standard source file if possible. The same test can be performed by applying the source file directly. It is relatively easy to create a source file for a specific semiconductor measuring device from the standard source file.

【0030】以上説明したように、半導体測定装置に固
有のソース言語をコンパイルして生成されるオブジェク
トファイルを、論理機能テストの実行時に出力されるの
と同じ順にデータ読み取り装置14で読み取るとともに
、このデータを他の半導体測定装置にも適用容易な標準
的なソースファイルに変換するようにしているので、他
の半導体測定装置にこのソースファイルを移殖するのが
容易になる。
As explained above, the object files generated by compiling the source language specific to the semiconductor measuring device are read by the data reading device 14 in the same order as they are output when executing the logic function test, and Since the data is converted into a standard source file that is easily applicable to other semiconductor measurement devices, it is easy to port this source file to other semiconductor measurement devices.

【0031】なお、オブジェクトファイルをソースファ
イルに変換する機能を備えていない半導体測定装置にこ
のデータ読み取り装置14を設ければ、この変換機能を
付加できるという別の利点もある。
[0031] If this data reading device 14 is provided in a semiconductor measuring device that does not have the function of converting an object file into a source file, another advantage is that this conversion function can be added.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体集積回路にテストパターンを入力し、このテストパタ
ーンに応じて半導体集積回路から出力されるデータを期
待値と比較して半導体集積回路の論理機能を検査する半
導体測定装置において、テストパターンおよび期待値の
オブジェクトファイルがロードされたメモリと、メモリ
から出力されるテストパターンおよび期待値のデータを
読み取り、所定形式のソースファイルに変換する読み取
り装置とを設けたので、所定形式として他の半導体測定
装置に適用可能或いは適用容易なものを用いることによ
り、このソースファイルを他の半導体測定装置に移殖す
ることが容易になるという効果がある。
As described above, according to the present invention, a test pattern is input to a semiconductor integrated circuit, and data output from the semiconductor integrated circuit according to the test pattern is compared with an expected value to determine whether the semiconductor integrated circuit In semiconductor measurement equipment that tests the logic functions of a semiconductor device, a memory loaded with test pattern and expected value object files and a reading device that reads the test pattern and expected value data output from the memory and converts it into a source file in a predetermined format. By using a predetermined format that is applicable or easy to apply to other semiconductor measurement devices, it is possible to easily port this source file to other semiconductor measurement devices. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】この発明の一実施例を示す半導体測定装置のブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor measuring device showing an embodiment of the present invention.

【図2】この発明による半導体測定装置に用いられるデ
ータの一例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of data used in the semiconductor measuring device according to the present invention.

【図3】この発明による半導体測定装置に用いられるデ
ータの一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of data used in the semiconductor measuring device according to the present invention.

【図4】この発明による半導体測定装置に用いられるデ
ータの一例を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an example of data used in the semiconductor measuring device according to the present invention.

【図5】この発明による半導体測定装置に用いられるデ
ータの一例を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing an example of data used in the semiconductor measuring device according to the present invention.

【図6】従来の半導体測定装置を示すブロック図である
FIG. 6 is a block diagram showing a conventional semiconductor measuring device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1  タイミング発生器 2  アドレス発生器 3  入出力パターンメモリ 4  I/O切替制御メモリ 5  マスクメモリ 11  テスト端子 14  データ読み取り装置 15〜18  スイッチ 1 Timing generator 2 Address generator 3 Input/output pattern memory 4 I/O switching control memory 5 Mask memory 11 Test terminal 14 Data reading device 15-18 Switch

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  半導体集積回路にテストパターンを入
力し、前記テストパターンに応じて前記半導体集積回路
から出力されるデータを期待値と比較して前記半導体集
積回路の論理機能を検査する半導体測定装置であって、
前記テストパターンおよび前記期待値のオブジェクトフ
ァイルがロードされたメモリと、前記メモリから出力さ
れる前記テストパターンおよび前記期待値のデータを読
み取り、所定形式のソースファイルに変換するデータ読
み取り装置とを備える半導体測定装置。
1. A semiconductor measuring device that inputs a test pattern to a semiconductor integrated circuit and compares data output from the semiconductor integrated circuit with an expected value according to the test pattern to test the logical function of the semiconductor integrated circuit. And,
A semiconductor comprising a memory loaded with an object file of the test pattern and the expected value, and a data reading device that reads data of the test pattern and the expected value output from the memory and converts it into a source file in a predetermined format. measuring device.
JP3047176A 1990-08-28 1991-03-13 Semiconductor measuring device Pending JPH04212077A (en)

Applications Claiming Priority (2)

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JP22738190 1990-08-28
JP2-227381 1990-08-28

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04212077A true JPH04212077A (en) 1992-08-03

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ID=16859922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3047176A Pending JPH04212077A (en) 1990-08-28 1991-03-13 Semiconductor measuring device

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JP (1) JPH04212077A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001289920A (en) * 2000-02-03 2001-10-19 Advantest Corp Driver control signal generating circuit and ic testing device

Cited By (1)

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