JPH0422438B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0422438B2 JPH0422438B2 JP63029025A JP2902588A JPH0422438B2 JP H0422438 B2 JPH0422438 B2 JP H0422438B2 JP 63029025 A JP63029025 A JP 63029025A JP 2902588 A JP2902588 A JP 2902588A JP H0422438 B2 JPH0422438 B2 JP H0422438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous
- crystalline
- layer
- writing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 12
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005939 Ge—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012430 stability testing Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005280 amorphization Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24314—Metals or metalloids group 15 elements (e.g. Sb, Bi)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/165—Thermal imaging composition
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は記録要素及び記録方法に関する。
〔従来の技術〕
カルコゲニド薄フイルム及び非晶質−結晶質相
遷移を利用する薄フイルム光学記録層は、1970年
初頭から多くの研究の主題となつてきた。非晶質
−結晶質遷移は原則として可逆プロセスであるの
で、初期の関心は「消去可能」、従つて再使用可
能な光学記録層に集中していた。それらの層は一
般に真空法で調製される。その層は調製された時
点で非晶質である。低い電力で比較的長期のレー
ザパルスを使用して、層上の局地点を結晶化させ
るのに充分な時間に亘つて融点より低い温度でそ
の局地点を加熱する。これらの結晶質地点を、続
いて、より高い電力でより短期のレーザにより結
晶化地点の融点より高い温度に加熱してそれらの
地点の構造をランダム化することができる。その
層は設計は、レーザパルスの終了時において加熱
化地点の冷却速度が、ランダム化構造を凍結させ
て非晶質状態を達成するのに充分な速さであるよ
うにする。 従つて、レーザの電力及び期間を調整すること
により、層上の選択された領域の状態を非晶質状
態と結晶質状態との間で切り替え、情報の貯蔵用
に使用することのできる非晶質及び結晶質の地点
を形成することができる。相遷移は可逆的である
ので、前記のパターンを消去して別個の記録パタ
ーンと置き換えることができる。理論的には、こ
の消去−書込サイクルは任意の回数に亘つて実施
することができる。 困難な主要点は、研究されたほとんどの層の結
晶化速度が一般に遅すぎることである。実用的な
用途に対しては、マイクロ秒（μs）より短いレー
ザパルスによつて結晶化することのできる層をも
つことが望ましい。現在のところ、そのような能
力を示す材料はほとんどない。速い結晶速度をも
つ或る種の材料（例えば、Te−Sn合金）におい
ては、非晶質状態の不安定性のために、データ保
留時間がしばしば不充分である。 ほとんどの材料では結晶化が遅いので、結晶化
工程は消去可能光学記録層での消去工程として使
用するのが一般的である。レーザ運動の方向に延
びたレーザスポツトを使用して効果的な長期レー
ジ露光を与える。このような長いレーザスポツト
は高密度の記録には使用することができない。一
方、非晶質化工程は、短期レーザパルスで達成す
ることができ、従つて高速で実施することができ
るので、記録工程として使用されている。 前記の書込−消去−書込サイクルが実用上有益
である光学記録層用の材料として知られているも
のは極めて少ない。消去可能相変化型の光学記録
層は、まだ商業化されていない。 いわゆる「１回書込」薄フイルム光学記録層に
対しても多くの関心が寄せられていた。１回書込
とは、その層が１回だけ記録できることを意味す
る。その層は、消去できず、後の記録用に再使用
することができない。 薄フイルム光学記録層は、調製された時点で一
般に非晶質であるので、１回書込層においては結
晶化工程を記録工程として使用するのが望まし
い。しかしながら、遅い結晶化の問題は高速デー
タ速度の達成を妨害する。高速データ速度は、コ
ンピユータとの使用に対して設計されている１回
書込層にとつて重要である。 欧州特許出願第0184452号明細書には、アンチ
モンとゲルマニウムとの消去可能光学記録層が広
範に記載されている。各元素の相対割合が層中に
おいてどうなつているかについての記載はない。
アンチモン及びゲルマニウム層の実施例も記載さ
れていない。情報の記録及び消去は、２つの別個
の結晶状態間での層の切り替えによつて行うもの
とされている。この層は一般に非晶質状態で調製
され、情報の記録が可能とされる前に、まず、２
種の結晶状態の一方に変換される。一括加熱
（bulk heat）処理又は延長レーザ露光のいずれ
かによつて行われる結晶化工程は、非晶質状態よ
りも反射率が低いとされている。アンテモンとゲ
ルマニウムとの合金の例は記載されておらず、ア
ンチモンとゲルマニウム以外の合金の例が記載さ
れている。それらの合金の層は結晶化速度が極め
て低い。前記の特許出願明細書の教示によれば、
それが開示する光学記録層は、一般に非晶質状態
が不安定であるので、非晶質−結晶質遷移機構に
使用するのは不適当とされている。 実験が明らかに示すところによれば、結晶質−
結晶質記録及び高速の非晶質−結晶質記録は相互
に排他的である。一方の記録モードに適した物性
を示す組成物は、他方の記録モードには適してい
ない。 別の問題としては、非晶質−結晶質遷移機構を
受けるカルコゲン含有材料の多くは、通常、腐食
される傾向がある。 〔発明が解決しようとする課題〕 (a)1.0μs未満の結晶化速度、(b)良好な腐食抵抗
性、(C)安定な非晶質状態、及び(d)高速高密度記録
能力を組み合せてもつ１回書込光学記録層は従来
技術によつては提供されていない。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、第５図に示したアンチモンとゲルマ
ニウムとスズとの３元組成図中の多角形内の組成
をもつ合金製の、１回書込−非晶質薄フイルム光
学記録層を含む記録要素であつて、前記の多角形
の頂角及び相当する原子百分率座標が
遷移を利用する薄フイルム光学記録層は、1970年
初頭から多くの研究の主題となつてきた。非晶質
−結晶質遷移は原則として可逆プロセスであるの
で、初期の関心は「消去可能」、従つて再使用可
能な光学記録層に集中していた。それらの層は一
般に真空法で調製される。その層は調製された時
点で非晶質である。低い電力で比較的長期のレー
ザパルスを使用して、層上の局地点を結晶化させ
るのに充分な時間に亘つて融点より低い温度でそ
の局地点を加熱する。これらの結晶質地点を、続
いて、より高い電力でより短期のレーザにより結
晶化地点の融点より高い温度に加熱してそれらの
地点の構造をランダム化することができる。その
層は設計は、レーザパルスの終了時において加熱
化地点の冷却速度が、ランダム化構造を凍結させ
て非晶質状態を達成するのに充分な速さであるよ
うにする。 従つて、レーザの電力及び期間を調整すること
により、層上の選択された領域の状態を非晶質状
態と結晶質状態との間で切り替え、情報の貯蔵用
に使用することのできる非晶質及び結晶質の地点
を形成することができる。相遷移は可逆的である
ので、前記のパターンを消去して別個の記録パタ
ーンと置き換えることができる。理論的には、こ
の消去−書込サイクルは任意の回数に亘つて実施
することができる。 困難な主要点は、研究されたほとんどの層の結
晶化速度が一般に遅すぎることである。実用的な
用途に対しては、マイクロ秒（μs）より短いレー
ザパルスによつて結晶化することのできる層をも
つことが望ましい。現在のところ、そのような能
力を示す材料はほとんどない。速い結晶速度をも
つ或る種の材料（例えば、Te−Sn合金）におい
ては、非晶質状態の不安定性のために、データ保
留時間がしばしば不充分である。 ほとんどの材料では結晶化が遅いので、結晶化
工程は消去可能光学記録層での消去工程として使
用するのが一般的である。レーザ運動の方向に延
びたレーザスポツトを使用して効果的な長期レー
ジ露光を与える。このような長いレーザスポツト
は高密度の記録には使用することができない。一
方、非晶質化工程は、短期レーザパルスで達成す
ることができ、従つて高速で実施することができ
るので、記録工程として使用されている。 前記の書込−消去−書込サイクルが実用上有益
である光学記録層用の材料として知られているも
のは極めて少ない。消去可能相変化型の光学記録
層は、まだ商業化されていない。 いわゆる「１回書込」薄フイルム光学記録層に
対しても多くの関心が寄せられていた。１回書込
とは、その層が１回だけ記録できることを意味す
る。その層は、消去できず、後の記録用に再使用
することができない。 薄フイルム光学記録層は、調製された時点で一
般に非晶質であるので、１回書込層においては結
晶化工程を記録工程として使用するのが望まし
い。しかしながら、遅い結晶化の問題は高速デー
タ速度の達成を妨害する。高速データ速度は、コ
ンピユータとの使用に対して設計されている１回
書込層にとつて重要である。 欧州特許出願第0184452号明細書には、アンチ
モンとゲルマニウムとの消去可能光学記録層が広
範に記載されている。各元素の相対割合が層中に
おいてどうなつているかについての記載はない。
アンチモン及びゲルマニウム層の実施例も記載さ
れていない。情報の記録及び消去は、２つの別個
の結晶状態間での層の切り替えによつて行うもの
とされている。この層は一般に非晶質状態で調製
され、情報の記録が可能とされる前に、まず、２
種の結晶状態の一方に変換される。一括加熱
（bulk heat）処理又は延長レーザ露光のいずれ
かによつて行われる結晶化工程は、非晶質状態よ
りも反射率が低いとされている。アンテモンとゲ
ルマニウムとの合金の例は記載されておらず、ア
ンチモンとゲルマニウム以外の合金の例が記載さ
れている。それらの合金の層は結晶化速度が極め
て低い。前記の特許出願明細書の教示によれば、
それが開示する光学記録層は、一般に非晶質状態
が不安定であるので、非晶質−結晶質遷移機構に
使用するのは不適当とされている。 実験が明らかに示すところによれば、結晶質−
結晶質記録及び高速の非晶質−結晶質記録は相互
に排他的である。一方の記録モードに適した物性
を示す組成物は、他方の記録モードには適してい
ない。 別の問題としては、非晶質−結晶質遷移機構を
受けるカルコゲン含有材料の多くは、通常、腐食
される傾向がある。 〔発明が解決しようとする課題〕 (a)1.0μs未満の結晶化速度、(b)良好な腐食抵抗
性、(C)安定な非晶質状態、及び(d)高速高密度記録
能力を組み合せてもつ１回書込光学記録層は従来
技術によつては提供されていない。 〔課題を解決するための手段〕 本発明は、第５図に示したアンチモンとゲルマ
ニウムとスズとの３元組成図中の多角形内の組成
をもつ合金製の、１回書込−非晶質薄フイルム光
学記録層を含む記録要素であつて、前記の多角形
の頂角及び相当する原子百分率座標が
以下、本発明を実施例によつて更に具体的に説
明する。以下の実施例において、各薄フイルム光
学記録層は SbxGeySnz （ここで、ｘ，ｙ及びｚは原子百分率である） で示す。 例 １ 本発明の非晶質薄フイルム光学記録層をスパツ
タリング法によつて調製した。Sb粉末及びGe粉
末を均質混合してなるターゲツトを、１時間
8mTorrアルゴン（Ar）雰囲気中で前スパツタリ
ングした。この前スパツタリング工程は、定常状
態蒸着条件を達成するように設計した。 次に、前スパツタリング処理した混合体を７分
間ガラス支持体上にスパツタリングすることによ
つて厚さ約140nmの薄フイルムを調製した。調製
されたフイルム中の各成分の原子比率の測定は、
誘導カツプル化プラズマ原子放出スペクトロメト
リー（ICP）およびＸ線けい光（XRF）によつて
行つた。記録層はSb91.5％及びGe8.5％から成る
ものであつた。非晶質から結晶質への遷移温度は
164℃であつた。このように遷移温度が高いこと
は本発明のフイルムの非晶質状態が非常に安定で
あることを示している。これは重要な保存性であ
る。非晶質から結晶質への遷移温度が非常に低い
と、結晶質マークとしてコードされた書込データ
及び非マーク化非晶質領域の間の反射率の差違が
失われてしまう点で、光学記録層にとつては有害
である。 前記フイルムの別個の試料について、前記のス
タテイツクピツトテスターを用いて書込を行つ
た。書込はフイルム上への結晶化マークの形で行
つた。結晶化書込スポツトを担持したフイルム
を、加速安定度試験用の相対湿度30％及び70℃の
チヤンバ内に置いた。44日後にフイルムの検査を
行つた。非書込フイルム上又は書込スポツトにお
いていかなる相変化又は腐食も観察されなかつ
た。このフイルムは、腐食に対する保護層として
のオーバーコートをもつていないものであつた。
この試験は、書込スポツトを担持した本発明のフ
イルムが環境的にも安定であることを示してい
る。 同じ組成の別のフイルム試料について、スタテ
イツクピツトテスターでの性能試験を行つた。フ
イルムを、真空被覆した140nm厚のSiO2フイル
ムでオーバーコートして書込工程の際の変形を減
少させた。書込には、830nm波長のパルス化半導
体レーザービームを使用した。各種の電力及びパ
ルス幅における書込感度及びコントラストを第３
図に示す。第３図は、非晶質状態の反射率と結晶
質状態の反射率との間のコントラスト百分率が明
確に測定可能であること、そして現在の技術のレ
ーザ読出系によつて読出可能であることを示して
いる。これらのデータは、実用的なレーザ電力及
び書出速度を使用して書込ができることも示して
いる。 例 ２ 例１に記載の方法に従つて、或る組成範囲の多
数の非晶質Sb−Ge薄フイルムを調製した。若干
の代表的な組成及びそれらの相当する書込感度
（必要最小限のレーザパルス及び電力）を以下に
示す。 Sb94Ge6，50ns，6mW；Sb89Ge11，100ns，
6mW；Sb86Ge14，200ns，8mW；Sb84Ge16，
400ns，8mW；Sb79Ge21，1μs，10mW。 例１及び例２の薄フイルムは、感受性のある１
回書込光学記録層である。このフイルムは、欧州
特許出願第0184452号明細書に教示されているよ
うな２種の別個の結晶質状態間をサイクルするこ
とはできない。 例 ３ 本発明の非晶質薄フイルム光学記録層を例１の
スパツタリング法によつて調製した。 前スパツタリング処理した混合体を４分間ガラ
ス支持体上にスパツタリングすることによつて厚
さ約100nmの薄フイルムを調製した。調製された
フイルム中の各成分の原子比率の測定は、ICPに
よつて行つた。フイルムの組成は原子対原子基準
でSb64％、Sn30％及びGe6％から成るものであ
つた。 非晶質から結晶質への遷移温度は第４図に示す
とおり152℃であつた。加熱速度は25mk／secで
あつた。 このように遷移温度が高いことは本発明のフイ
ルムの非晶質状態が非常に安定であることを示し
ている。 前記薄フイルムの別個の試料について、前記の
スタテイツクピツトテスターを用いて書込を行つ
た。書込はフイルム上への結晶化マークの形で行
つた。結晶化書込スポツトを担持したフイルム
を、加速安定度試験用の相対湿度30％及び70℃の
チヤンバ内に置いた。24日後にフイルムの検査を
行つた。非書込フイルム上又は書込スポツトにお
いていかなる相変化又は腐食も観察されなかつ
た。この試験は、書込スポツトを担持した本発明
のフイルムが環境的にも安定であることを示して
いる。 同じ組成の別のフイルム試料について、スタテ
イツクピツトテスターでの性能試験を行つた。書
込には、830nm波長のパルス化半導体レーザビー
ムを使用した。得られたデータは、実用的なレー
ザ電力及び書出速度を使用して書込ができること
も示している。書込コントラストは、パルス幅
100ナノ秒及びレーザ電力10mWにおいて約20％
であつた。フイルム感度は、電力4mWにおいて
40ナノ秒で書込を行うことができるものであつ
た。 例 ４ 例１に記載の方法に従つて、或る組成範囲の多
数の非晶質Sb−Ge−Sn薄フイルムを調製した。
若干の代表的な組成を以下に示す。 Sb81Ge5Sn14，Sb78Ge8Sn14，Sb72Ge4Sn24，
Sb69Ge7Sn24，Sb66Ge4Sn30及びSb65Ge9Sn26。こ
れらのフイルムは電力6mW及びレーザパルス長
50ナノ秒で書込を行うことができる。書込情報は
結晶質スポツトの形であつた。 例 ５ 均質なSb−Ge−Sn合金スパツタリングターゲ
ツトを熱プレス法によつて調製した。
Sb74Ge4Sn22の組成をもつ非晶質薄フイルムをス
パツタリングによつて調製した。このフイルムは
電力4mW及びレーザパルス長50ナノ秒で結晶化
することができる。 特に有用な記録要素は、第５図において、以下
の頂角及び相当する座標をもつ多角形内の合金組
成をもつものである。
明する。以下の実施例において、各薄フイルム光
学記録層は SbxGeySnz （ここで、ｘ，ｙ及びｚは原子百分率である） で示す。 例 １ 本発明の非晶質薄フイルム光学記録層をスパツ
タリング法によつて調製した。Sb粉末及びGe粉
末を均質混合してなるターゲツトを、１時間
8mTorrアルゴン（Ar）雰囲気中で前スパツタリ
ングした。この前スパツタリング工程は、定常状
態蒸着条件を達成するように設計した。 次に、前スパツタリング処理した混合体を７分
間ガラス支持体上にスパツタリングすることによ
つて厚さ約140nmの薄フイルムを調製した。調製
されたフイルム中の各成分の原子比率の測定は、
誘導カツプル化プラズマ原子放出スペクトロメト
リー（ICP）およびＸ線けい光（XRF）によつて
行つた。記録層はSb91.5％及びGe8.5％から成る
ものであつた。非晶質から結晶質への遷移温度は
164℃であつた。このように遷移温度が高いこと
は本発明のフイルムの非晶質状態が非常に安定で
あることを示している。これは重要な保存性であ
る。非晶質から結晶質への遷移温度が非常に低い
と、結晶質マークとしてコードされた書込データ
及び非マーク化非晶質領域の間の反射率の差違が
失われてしまう点で、光学記録層にとつては有害
である。 前記フイルムの別個の試料について、前記のス
タテイツクピツトテスターを用いて書込を行つ
た。書込はフイルム上への結晶化マークの形で行
つた。結晶化書込スポツトを担持したフイルム
を、加速安定度試験用の相対湿度30％及び70℃の
チヤンバ内に置いた。44日後にフイルムの検査を
行つた。非書込フイルム上又は書込スポツトにお
いていかなる相変化又は腐食も観察されなかつ
た。このフイルムは、腐食に対する保護層として
のオーバーコートをもつていないものであつた。
この試験は、書込スポツトを担持した本発明のフ
イルムが環境的にも安定であることを示してい
る。 同じ組成の別のフイルム試料について、スタテ
イツクピツトテスターでの性能試験を行つた。フ
イルムを、真空被覆した140nm厚のSiO2フイル
ムでオーバーコートして書込工程の際の変形を減
少させた。書込には、830nm波長のパルス化半導
体レーザービームを使用した。各種の電力及びパ
ルス幅における書込感度及びコントラストを第３
図に示す。第３図は、非晶質状態の反射率と結晶
質状態の反射率との間のコントラスト百分率が明
確に測定可能であること、そして現在の技術のレ
ーザ読出系によつて読出可能であることを示して
いる。これらのデータは、実用的なレーザ電力及
び書出速度を使用して書込ができることも示して
いる。 例 ２ 例１に記載の方法に従つて、或る組成範囲の多
数の非晶質Sb−Ge薄フイルムを調製した。若干
の代表的な組成及びそれらの相当する書込感度
（必要最小限のレーザパルス及び電力）を以下に
示す。 Sb94Ge6，50ns，6mW；Sb89Ge11，100ns，
6mW；Sb86Ge14，200ns，8mW；Sb84Ge16，
400ns，8mW；Sb79Ge21，1μs，10mW。 例１及び例２の薄フイルムは、感受性のある１
回書込光学記録層である。このフイルムは、欧州
特許出願第0184452号明細書に教示されているよ
うな２種の別個の結晶質状態間をサイクルするこ
とはできない。 例 ３ 本発明の非晶質薄フイルム光学記録層を例１の
スパツタリング法によつて調製した。 前スパツタリング処理した混合体を４分間ガラ
ス支持体上にスパツタリングすることによつて厚
さ約100nmの薄フイルムを調製した。調製された
フイルム中の各成分の原子比率の測定は、ICPに
よつて行つた。フイルムの組成は原子対原子基準
でSb64％、Sn30％及びGe6％から成るものであ
つた。 非晶質から結晶質への遷移温度は第４図に示す
とおり152℃であつた。加熱速度は25mk／secで
あつた。 このように遷移温度が高いことは本発明のフイ
ルムの非晶質状態が非常に安定であることを示し
ている。 前記薄フイルムの別個の試料について、前記の
スタテイツクピツトテスターを用いて書込を行つ
た。書込はフイルム上への結晶化マークの形で行
つた。結晶化書込スポツトを担持したフイルム
を、加速安定度試験用の相対湿度30％及び70℃の
チヤンバ内に置いた。24日後にフイルムの検査を
行つた。非書込フイルム上又は書込スポツトにお
いていかなる相変化又は腐食も観察されなかつ
た。この試験は、書込スポツトを担持した本発明
のフイルムが環境的にも安定であることを示して
いる。 同じ組成の別のフイルム試料について、スタテ
イツクピツトテスターでの性能試験を行つた。書
込には、830nm波長のパルス化半導体レーザビー
ムを使用した。得られたデータは、実用的なレー
ザ電力及び書出速度を使用して書込ができること
も示している。書込コントラストは、パルス幅
100ナノ秒及びレーザ電力10mWにおいて約20％
であつた。フイルム感度は、電力4mWにおいて
40ナノ秒で書込を行うことができるものであつ
た。 例 ４ 例１に記載の方法に従つて、或る組成範囲の多
数の非晶質Sb−Ge−Sn薄フイルムを調製した。
若干の代表的な組成を以下に示す。 Sb81Ge5Sn14，Sb78Ge8Sn14，Sb72Ge4Sn24，
Sb69Ge7Sn24，Sb66Ge4Sn30及びSb65Ge9Sn26。こ
れらのフイルムは電力6mW及びレーザパルス長
50ナノ秒で書込を行うことができる。書込情報は
結晶質スポツトの形であつた。 例 ５ 均質なSb−Ge−Sn合金スパツタリングターゲ
ツトを熱プレス法によつて調製した。
Sb74Ge4Sn22の組成をもつ非晶質薄フイルムをス
パツタリングによつて調製した。このフイルムは
電力4mW及びレーザパルス長50ナノ秒で結晶化
することができる。 特に有用な記録要素は、第５図において、以下
の頂角及び相当する座標をもつ多角形内の合金組
成をもつものである。
【表】
特に有用な記録要素は、第５図において、以下
の頂角及び相当する座標をもつ多角形内の合金組
成をもつものである。
の頂角及び相当する座標をもつ多角形内の合金組
成をもつものである。
本発明の要素は、カルコゲンに豊む薄フイルム
に観察される環境腐食を受けない。実用的なレー
ザ電力を使用した際の、光学記録層の結晶化速度
は１マイクロ秒未満である。非晶質状態は非常に
安定である。従つて、薄フイルムへの記録は、非
晶質から結晶質への遷移機構を使用して行う。こ
の層は、高密度で高速の記録を行うことができ
る。更に、この層は、欧州特許出願第0184452号
明細書に示唆されているような２種の結晶状態間
を切り換えることができず、結晶質状態は非晶質
状態と比べて均一で、より反射性である。
に観察される環境腐食を受けない。実用的なレー
ザ電力を使用した際の、光学記録層の結晶化速度
は１マイクロ秒未満である。非晶質状態は非常に
安定である。従つて、薄フイルムへの記録は、非
晶質から結晶質への遷移機構を使用して行う。こ
の層は、高密度で高速の記録を行うことができ
る。更に、この層は、欧州特許出願第0184452号
明細書に示唆されているような２種の結晶状態間
を切り換えることができず、結晶質状態は非晶質
状態と比べて均一で、より反射性である。
第１図は本発明に係る記録要素を使用する記録
−再生装置の模式図、第２図は本発明の光学記録
要素の模式的断面図、、第３図及び第４図は例１
及び例３の実験結果を示すグラフ、そして第５図
は本発明の有用な合金混合物が見出される範囲の
多角形を示す３元組成図である。 １６…記録要素、１４，１８，２６，３４，３
６，３８…レンズ、２０，２１，２３，２４…鏡
要素、４２…薄フイルム、４５…基板。
−再生装置の模式図、第２図は本発明の光学記録
要素の模式的断面図、、第３図及び第４図は例１
及び例３の実験結果を示すグラフ、そして第５図
は本発明の有用な合金混合物が見出される範囲の
多角形を示す３元組成図である。 １６…記録要素、１４，１８，２６，３４，３
６，３８…レンズ、２０，２１，２３，２４…鏡
要素、４２…薄フイルム、４５…基板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アンチモンとゲルマニウムとスズとの３元組
成図中の多角形内の組成をもつ合金製の、１回書
込−非晶質薄フイルム光学記録層を含む記録要素
であつて、 (a) 前記の組成図が であり、そして (b) 前記の多角形の頂角及び相当する原子百分率
座標が 【表】 である、 前記の記録要素。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/014,337 US4795695A (en) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| US14337 | 1987-02-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63201927A JPS63201927A (ja) | 1988-08-22 |
| JPH0422438B2 true JPH0422438B2 (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=21764871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63029025A Granted JPS63201927A (ja) | 1987-02-13 | 1988-02-12 | １回書込非晶質薄フィルム光学記録層を含む記録要素 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4795695A (ja) |
| EP (1) | EP0278790B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63201927A (ja) |
| KR (1) | KR910002062B1 (ja) |
| CA (1) | CA1263534A (ja) |
| DE (1) | DE3877975T2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960680A (en) * | 1987-02-13 | 1990-10-02 | Eastman Kodak Company | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers |
| US4904577A (en) * | 1988-11-21 | 1990-02-27 | Tyan Yuan Sheng | Optical recording element and alloy for use therein |
| DE69023786T2 (de) * | 1989-03-17 | 1996-06-13 | Fuji Xerox Co Ltd | Optischer Aufzeichnungsträger. |
| US5271978A (en) * | 1992-01-31 | 1993-12-21 | Eastman Kodak Company | Optical recording media |
| US5312664A (en) * | 1992-05-21 | 1994-05-17 | Eastman Kodak Company | Optical recording media |
| US5234803A (en) * | 1992-05-21 | 1993-08-10 | Eastman Kodak Company | Optical recording media |
| US5714748A (en) * | 1992-10-02 | 1998-02-03 | Goldstar Co., Ltd. | Magnetic cards employing optical recording material |
| US6497988B2 (en) | 2001-02-22 | 2002-12-24 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once applications |
| US6544617B1 (en) | 2001-08-09 | 2003-04-08 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once applications |
| US6605330B2 (en) | 2001-11-13 | 2003-08-12 | Eastman Kodak Company | Phase-change recording element for write once applications |
| CN1287362C (zh) * | 2002-02-13 | 2006-11-29 | 三菱化学媒体株式会社 | 可改写光记录媒体和光记录方法 |
| DE60309232T2 (de) * | 2002-03-05 | 2007-09-06 | Mitsubishi Kagaku Media Co. Ltd. | Phasenwechselaufzeichnungsmaterial für ein Informationsaufzeichnungsmedium und ein Informationsaufzeichnungsmedium dieses verwendend |
| WO2004085168A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | 相変化記録材料及び情報記録用媒体 |
| CN1756668B (zh) * | 2003-04-30 | 2010-05-05 | 三菱化学媒体股份有限公司 | 相变记录材料和信息记录介质 |
| KR20060109453A (ko) * | 2003-11-03 | 2006-10-20 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 재기록가능한 광학 데이터 기억 매체 및 그 기억 매체의사용 |
| JP3885051B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2007-02-21 | 株式会社リコー | 相変化型光記録媒体 |
| US7691463B2 (en) * | 2004-11-24 | 2010-04-06 | Industrial Technology Research Institute | Optical recording materials and recording mediums using the same |
| WO2016154617A1 (en) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | David Mitlin | Anodes for batteries based on tin-germanium-antimony alloys |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL7809159A (nl) * | 1977-09-29 | 1979-04-02 | Philips Nv | Informatieregistratie element met kleurstof bevattende hulplaag. |
| US4357616A (en) * | 1979-03-26 | 1982-11-02 | Hitachi, Ltd. | Recording medium |
| JPS57205192A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Optical information recording medium |
| CN1008845B (zh) * | 1984-12-05 | 1990-07-18 | 富士通株式会社 | 光学信息记录介质及信息的记录与擦抹的方法 |
| JPS61139953A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 情報記録媒体 |
-
1987
- 1987-02-13 US US07/014,337 patent/US4795695A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-06-04 CA CA000538811A patent/CA1263534A/en not_active Expired
-
1988
- 1988-01-21 KR KR1019880000439A patent/KR910002062B1/ko not_active Expired
- 1988-02-12 JP JP63029025A patent/JPS63201927A/ja active Granted
- 1988-02-15 EP EP88301241A patent/EP0278790B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-15 DE DE8888301241T patent/DE3877975T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0278790B1 (en) | 1993-02-03 |
| DE3877975D1 (de) | 1993-03-18 |
| JPS63201927A (ja) | 1988-08-22 |
| EP0278790A2 (en) | 1988-08-17 |
| KR880010390A (ko) | 1988-10-08 |
| US4795695A (en) | 1989-01-03 |
| EP0278790A3 (en) | 1990-07-11 |
| DE3877975T2 (de) | 1993-08-26 |
| KR910002062B1 (ko) | 1991-04-01 |
| CA1263534A (en) | 1989-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4960680A (en) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers | |
| US4798785A (en) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers | |
| JPH0422438B2 (ja) | ||
| JP2713989B2 (ja) | １回書込非晶質薄フィルム光学記録層を含む記録要素、及び記録方法 | |
| US4812386A (en) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers | |
| JP2937351B2 (ja) | 第三元素を含有するアンチモン‐錫合金からなる光学記録材料 | |
| JPH0422437B2 (ja) | ||
| US4812385A (en) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers | |
| US4865955A (en) | Recording elements comprising write-once thin film alloy layers | |
| JPH0673991B2 (ja) | 光学情報記録素子 | |
| JPH0194545A (ja) | 光学式情報記録媒体 | |
| JPH0526668B2 (ja) | ||
| JPH0530193B2 (ja) | ||
| JP2685754B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH04232780A (ja) | 相変化光学式記録用媒体 | |
| JPH053983B2 (ja) | ||
| JPS63263643A (ja) | 書き換え可能な相変化型光メモリ記録膜材料 | |
| JPH04234691A (ja) | テルル合金を基材とする消去可能な光学記録材料およびその記録方法 | |
| JP2538797B2 (ja) | 書換え型光情報記録媒体 | |
| JPH0530192B2 (ja) | ||
| JP2538798B2 (ja) | 書換え型光情報記録媒体 | |
| JPS62259890A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JPS62161587A (ja) | 光学情報記録部材 | |
| JPH0530194B2 (ja) | ||
| JPH01162247A (ja) | 書換型相転移光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |