JPH0424427B2 - - Google Patents
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- JPH0424427B2 JPH0424427B2 JP60023780A JP2378085A JPH0424427B2 JP H0424427 B2 JPH0424427 B2 JP H0424427B2 JP 60023780 A JP60023780 A JP 60023780A JP 2378085 A JP2378085 A JP 2378085A JP H0424427 B2 JPH0424427 B2 JP H0424427B2
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- copper
- plastic film
- film
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 25
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 24
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 11
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 10
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 8
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微細な回路形成が可能な銅被着プラス
チツクフイルムの製造方法に関する。
チツクフイルムの製造方法に関する。
電子機器の軽量化、薄形化に対応して配線基板
にフレキシブルプリント基板を用いるようになつ
てきた。このフレキシブルプリント基板はプラス
チツクフイルムと銅箔とを接着剤を介して張り合
わせた銅被着プラスチツクフイルムを素材とし、
これにフオトエツチングを施して所望の配線パタ
ーンを現出せしめたものである。この銅被着プラ
スチツクフイルムをエツチングする場合は片面エ
ツチングとなるが、片面エツチングの場合、形成
可能な最小線幅は銅箔の厚さとほぼ等しくなる。
電子機器を一層小型化し、多機能化するには配線
密度を高める必要があり、そのためには配線の線
幅を一層細く形成しなければならないが、線幅を
細く形成するには上記のように片面エツチングに
よると最小線幅と厚さがほぼ等しいという関係か
ら銅箔の厚さを所望の線幅に相応するように薄く
しなければならない。ところがこの銅箔厚さを薄
くすることは、技術的に困難がある他、プラスチ
ツクフイルムとの密着性を確保するため接合面を
粗面化処理する必要もあつて、むやみに薄くする
ことができず、約20μmが限度とされている。プ
ラスチツクフイルムに銅を薄く被着する手段とし
て無電解メツキ、真空蒸着等が考えられるが、こ
れらの方法ではプラスチツクフイルムに対する銅
の密着性が乏しく、プリント基板用の銅被着プラ
スチツクフイルムとして不適当である。
にフレキシブルプリント基板を用いるようになつ
てきた。このフレキシブルプリント基板はプラス
チツクフイルムと銅箔とを接着剤を介して張り合
わせた銅被着プラスチツクフイルムを素材とし、
これにフオトエツチングを施して所望の配線パタ
ーンを現出せしめたものである。この銅被着プラ
スチツクフイルムをエツチングする場合は片面エ
ツチングとなるが、片面エツチングの場合、形成
可能な最小線幅は銅箔の厚さとほぼ等しくなる。
電子機器を一層小型化し、多機能化するには配線
密度を高める必要があり、そのためには配線の線
幅を一層細く形成しなければならないが、線幅を
細く形成するには上記のように片面エツチングに
よると最小線幅と厚さがほぼ等しいという関係か
ら銅箔の厚さを所望の線幅に相応するように薄く
しなければならない。ところがこの銅箔厚さを薄
くすることは、技術的に困難がある他、プラスチ
ツクフイルムとの密着性を確保するため接合面を
粗面化処理する必要もあつて、むやみに薄くする
ことができず、約20μmが限度とされている。プ
ラスチツクフイルムに銅を薄く被着する手段とし
て無電解メツキ、真空蒸着等が考えられるが、こ
れらの方法ではプラスチツクフイルムに対する銅
の密着性が乏しく、プリント基板用の銅被着プラ
スチツクフイルムとして不適当である。
本発明の目的は、微細な回路形成が可能で且つ
銅とプラスチツクフイルムとの密着性が良好な銅
被着プラスチツクフイルムの製造方法を提供する
ことにある。
銅とプラスチツクフイルムとの密着性が良好な銅
被着プラスチツクフイルムの製造方法を提供する
ことにある。
この目的を達成するため本発明者等は密着性の
良好な被膜を形成し得るイオンプレーテイング法
に着目し、種々検討の結果、特定条件下でアーク
放電型イオンプレーテイング法を適用すれば、プ
リント基板に使用可能な銅被着プラスチツクフイ
ルムが得られることを見出して本発明に到達し
た。
良好な被膜を形成し得るイオンプレーテイング法
に着目し、種々検討の結果、特定条件下でアーク
放電型イオンプレーテイング法を適用すれば、プ
リント基板に使用可能な銅被着プラスチツクフイ
ルムが得られることを見出して本発明に到達し
た。
即ち、本発明の方法は、10-4Torr以上の高真
空下で、プラスチツクフイルムの温度を50℃以下
に保ち、イオン化電極電流150mA以下、蒸着速
度0.5〜1.6μm／分で銅をアーク放電型イオンプレ
ーテイングにより上記プラスチツクフイルムに被
着せしめる点を特徴とするものである。
空下で、プラスチツクフイルムの温度を50℃以下
に保ち、イオン化電極電流150mA以下、蒸着速
度0.5〜1.6μm／分で銅をアーク放電型イオンプレ
ーテイングにより上記プラスチツクフイルムに被
着せしめる点を特徴とするものである。
通常のイオンプレーテイングは、10-3Torr台
のアルゴンなどの気体放電中に基板及び蒸発源を
置き、蒸発原子をグロー放電又はプラズマ中でイ
オン化して、−１〜−5KVの電位をかけた基板上
に堆積させる方法であり、密着性の優れた被膜が
得られ、つきまわりが良く、比較的高い堆積速度
が得られるなどの特徴を有し、従来のメツキ法に
替る技術として近時注目されている。ところが、
通常のイオンプレーテイング法によりプラスチツ
クフイルムに銅を被着せしめた場合、基板である
プラスチツクフイルムの温度が上昇してフイルム
が変形したり、被着した銅が柱状晶になり、銅被
膜が亀裂が入り易くなる。イオンプレーテイング
法において基板温度の上昇現象は知られており、
この原因はコーテイング物質のイオン、励起状態
の原子およびアルゴンイオンの衝撃によるもので
ある。従つてアルゴンを使用しなければこの温度
上昇の一因が除かれる訳で、アーク放電型イオン
プレーテイング法が選択された。アーク放電型イ
オンプレーテイング法は放電用のガスは用いず、
10-5〜10-7Torrの高真空下で電子ビームあるい
は抵抗加熱によりコーテイング物質を蒸発させ、
蒸発源に対して約100V正にバイアスされたイオ
ン化電極により蒸発源からの熱電子、二次電子を
加速し、蒸発原子との衝突によつてイオン化を促
進させアーク放電を誘起させるものである。この
方法によりプラスチツクフイルムの温度上昇がか
なり緩和されるが、未だ充分でない。このため、
プラスチツクフイルムの背面に水冷ジヤケツト板
を接触させて強制的に除熱を行なうようにすると
共に、イオン化電極による熱電子、二次電子の加
速をコントロールし、銅の蒸着速度をコントロー
ルする必要がある。
のアルゴンなどの気体放電中に基板及び蒸発源を
置き、蒸発原子をグロー放電又はプラズマ中でイ
オン化して、−１〜−5KVの電位をかけた基板上
に堆積させる方法であり、密着性の優れた被膜が
得られ、つきまわりが良く、比較的高い堆積速度
が得られるなどの特徴を有し、従来のメツキ法に
替る技術として近時注目されている。ところが、
通常のイオンプレーテイング法によりプラスチツ
クフイルムに銅を被着せしめた場合、基板である
プラスチツクフイルムの温度が上昇してフイルム
が変形したり、被着した銅が柱状晶になり、銅被
膜が亀裂が入り易くなる。イオンプレーテイング
法において基板温度の上昇現象は知られており、
この原因はコーテイング物質のイオン、励起状態
の原子およびアルゴンイオンの衝撃によるもので
ある。従つてアルゴンを使用しなければこの温度
上昇の一因が除かれる訳で、アーク放電型イオン
プレーテイング法が選択された。アーク放電型イ
オンプレーテイング法は放電用のガスは用いず、
10-5〜10-7Torrの高真空下で電子ビームあるい
は抵抗加熱によりコーテイング物質を蒸発させ、
蒸発源に対して約100V正にバイアスされたイオ
ン化電極により蒸発源からの熱電子、二次電子を
加速し、蒸発原子との衝突によつてイオン化を促
進させアーク放電を誘起させるものである。この
方法によりプラスチツクフイルムの温度上昇がか
なり緩和されるが、未だ充分でない。このため、
プラスチツクフイルムの背面に水冷ジヤケツト板
を接触させて強制的に除熱を行なうようにすると
共に、イオン化電極による熱電子、二次電子の加
速をコントロールし、銅の蒸着速度をコントロー
ルする必要がある。
種々の実験から銅の柱状晶化は温度が高い程促
進されることが確められている。従つてプラスチ
ツクフイルムの温度を低くすることは柱状晶化を
防ぐことにもなり、背面からの冷却は有効であ
る。しかしながら背面からの冷却のみでは蒸発源
に対向する表面の温度を下げる効果に限界があ
る。
進されることが確められている。従つてプラスチ
ツクフイルムの温度を低くすることは柱状晶化を
防ぐことにもなり、背面からの冷却は有効であ
る。しかしながら背面からの冷却のみでは蒸発源
に対向する表面の温度を下げる効果に限界があ
る。
イオン化電極電流は熱電子、二次電子を加速す
るので、この電流値が大きくなるとフイルム表面
温度が高くなる。又、銅の蒸着速度が大き過ぎる
と励起された原子の衝突が多くなつてやはりフイ
ルム表面温度が高くなる。但し、イオン化電極電
流をあまり小さくしたり、蒸着速度を小さくする
ため蒸発量を抑制し過ぎるとアーク放電が不安定
となる。このような事情から、イオン化電極電流
は100〜150mA、蒸着速度は0.5〜1.6μm／分とし
た。
るので、この電流値が大きくなるとフイルム表面
温度が高くなる。又、銅の蒸着速度が大き過ぎる
と励起された原子の衝突が多くなつてやはりフイ
ルム表面温度が高くなる。但し、イオン化電極電
流をあまり小さくしたり、蒸着速度を小さくする
ため蒸発量を抑制し過ぎるとアーク放電が不安定
となる。このような事情から、イオン化電極電流
は100〜150mA、蒸着速度は0.5〜1.6μm／分とし
た。
プラスチツクフイルムと蒸発源との距離もあま
り近いと輻射熱で表面温度が高くなるので、20〜
30cm離すのが良い。
り近いと輻射熱で表面温度が高くなるので、20〜
30cm離すのが良い。
このような条件を選定することにより、プラス
チツクフイルムの表面温度は50℃以下に保たれ、
蒸着した銅が柱状晶化することなく、折り曲げて
も亀裂が入らない良好な銅被膜を得ることができ
る。
チツクフイルムの表面温度は50℃以下に保たれ、
蒸着した銅が柱状晶化することなく、折り曲げて
も亀裂が入らない良好な銅被膜を得ることができ
る。
実験装置として、縦型円筒状の真空容器を有す
るアーク放電型イオンプレーテイング装置を用い
た。真空容器内には中央下部に銅製ルツボ、ルツ
ボ上方に棒状のイオン化電極が配置され、更にル
ツボ上方約25cmの位置にルツボに対向して基体が
配置できるようになつている。一方ルツボの下部
には蒸発源加熱用の225゜偏向電子銃が配置されて
いる。
るアーク放電型イオンプレーテイング装置を用い
た。真空容器内には中央下部に銅製ルツボ、ルツ
ボ上方に棒状のイオン化電極が配置され、更にル
ツボ上方約25cmの位置にルツボに対向して基体が
配置できるようになつている。一方ルツボの下部
には蒸発源加熱用の225゜偏向電子銃が配置されて
いる。
上記ルツボに純度99.999重量％のCuを装入し、
基体としてポリイミドフイルムを用い、該フイル
ムを水冷ジヤケツト板に張り付けて保持し、熱電
対を該フイルム表面に接触せしめ、真空容器内を
５×10-5Torrに排気した後、イオン化電極電流
150mA、Cu蒸着速度毎分約1μmとし、２分間蒸
着した。基体の温度は蒸着開始時20℃であつたも
のが、終了後45℃に上昇していた。Cu被膜を有
するポリイミドフイルムを取り出し、銅被膜表面
を電子顕微鏡で観察したが柱状晶は認められなか
つた。
基体としてポリイミドフイルムを用い、該フイル
ムを水冷ジヤケツト板に張り付けて保持し、熱電
対を該フイルム表面に接触せしめ、真空容器内を
５×10-5Torrに排気した後、イオン化電極電流
150mA、Cu蒸着速度毎分約1μmとし、２分間蒸
着した。基体の温度は蒸着開始時20℃であつたも
のが、終了後45℃に上昇していた。Cu被膜を有
するポリイミドフイルムを取り出し、銅被膜表面
を電子顕微鏡で観察したが柱状晶は認められなか
つた。
Claims (1)
- １ 10-4Torr以上の高真空下で、プラスチツク
フイルムの温度を50℃以下に保ち、イオン化電極
電流150mA以下、蒸着速度0.5〜1.6μm／分で銅
をアーク放電型イオンプレーテイングにより上記
プラスチツクフイルムに被着せしめることを特徴
とする銅被着プラスチツクフイルムの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023780A JPS61183460A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 銅被着プラスチツクフイルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60023780A JPS61183460A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 銅被着プラスチツクフイルムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183460A JPS61183460A (ja) | 1986-08-16 |
| JPH0424427B2 true JPH0424427B2 (ja) | 1992-04-27 |
Family
ID=12119838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60023780A Granted JPS61183460A (ja) | 1985-02-08 | 1985-02-08 | 銅被着プラスチツクフイルムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183460A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2545369B2 (ja) * | 1986-08-19 | 1996-10-16 | 株式会社 ト−ビ | シ−トプラズマ・イオンプレ−テイング方法とその装置 |
| GB9121789D0 (en) * | 1991-10-14 | 1991-11-27 | Minnesota Mining & Mfg | Positive-acting photothermographic materials |
-
1985
- 1985-02-08 JP JP60023780A patent/JPS61183460A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61183460A (ja) | 1986-08-16 |
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