JPH043867B2

JPH043867B2 -

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Publication number: JPH043867B2
Application number: JP60176172A
Authority: JP
Priority date: 1985-08-10
Filing date: 1985-08-10
Publication date: 1992-01-24
Also published as: JPS6236676A; DE3650626D1; EP0213836A3; EP0213836B1; EP0525918B1; DE3688411D1; US5009974A; DE3688411T2; DE3650626T2; US4939057A; EP0213836A2; EP0525918A1

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕本発明は光導電部材用の支持体（以下、表面処
理金属体と称する。）及びこの表面処理金属体を
用いた光導電部材に関する。〔従来の技術〕金属体表面には、用途に応じた表面形状を付与
するため、各種切削乃至研摩加工が施される。例えば電子写真感光体等の光導電部材の基体
（支持体）として、板状、円筒状、無端ベルト状
等の金属体が用いられ、該支持体上に光導電層等
の層を形成するため、鏡面化切削加工等により表
面を仕上げられる。例えば、旋盤、フライス盤等
を用いたダイヤモンドバイト切削により、所定範
囲内の平面度にされたり、場合によつては、干渉
縞防止のため所定形状乃至は任意形状の凹凸表面
に仕上げられる。ところが、切削によりこの様な表面を形成する
と、金属体の表面近傍に存在する硬質の合金成
分、酸化物等の微細な介在物や空孔（Blister）
にバイトが当り、切削の加工性が低下すると共
に、切削により介在物等に起因する表面欠陥が顕
現し易いといつた不都合を生ずる。例えば支持体
に用いる金属体として、アルミニウム合金を用い
た場合、アルミニウム組織中にSi−Al−Fe系、
Fe−Al系、TiB₂等の金属間化合物、Al、Mg、
Ti、Si、Feの酸化物などの介在物やH₂による空
孔（Blister）が存在すると共に、結晶方位の違
う近隣Al組織間で生起する粒界段差といつた表
面欠陥が存在する。この様な表面欠陥のある支持
体により例えば電子写真感光体を構成すると、成
膜の均一性が悪くなり、延いては、電気的、光学
的、光導電的特性の均一性が損われ、美麗な画像
が提供できなくなり、実用に耐えないものとな
る。また、切削によれば、切粉や切削油の費消、切
粉処分の煩雑性、被切削面に残存する切削油の処
理といつた別の問題点も生ずる。また、切削とは別に、サンドブラストやシヨツ
トブラスト等旧来の塑性変形を生起させる手段に
より金属体表面の平面度や表面粗さを調整するこ
とが行なわれているが、これらの手段によつては
金属体表面に付与される凹凸形状、精度等を正確
に制御することができない。更には、この様な方法によつて表面粗さを形成
した場合には表面上に不規則な凹凸（例えば比較
的大きな鋭い凹凸）が露出するため感光体とした
ときにクリーニング手段等による繰返し摩擦に対
して著しく耐久性を劣化させた。〔発明の目的及び概要〕本発明の第１の目的は、新規な方法により表面
仕上げ乃至は表面凹凸付与がなされた表面処理金
属体を提供することにある。本発明の第２の目的は、所望の使用特性を損な
う表面欠陥を生じ易い切削加工等を伴わずに、表
面処理がなされた表面処理金属体を提供すること
にある。本発明の第３の目的は、所望の程度の鏡面ある
いは非鏡面に仕上げられ、乃至は所望形状の凹凸
が形成された表面処理金属体を提供することにあ
る。本発明の第４の目的は、表面欠陥等を顕現せず
に所望の表面仕上げや表面凹凸付与がなされた表
面処理金属体を支持体として用いることにより、
成膜の均一性、電気的、光学的、光導電的特性、
耐久性の均一性に優れた光導電部材を提供するこ
とにある。本発明の第５の目的は、表面処理により光学的
な干渉縞を消去する効果及び散乱の効果が得られ
る金属体を支持体として用いることにより、干渉
縞等の不都合が解消される高耐久の電子写真用の
光導電部材を提供することにある。本発明の第６の目的は、画像欠陥が少なく、高
品質な画像を得ることができる電子写真用の光導
電部材を提供することにある。上記第１乃至第３の目的は、表面に、窪みの幅
ｒが0.02≦ｒ≦0.5mmで窪みの曲率半径Ｒと幅ｒ
とが0.035≦ｒ／Ｒとされた複数の球状痕跡窪み
による凹凸を有し、かつ前記球状痕跡窪み内に更
に0.5〜20μmの微小な凹凸が形成されている表面
処理金属体（光導電部材用の支持体）によつて達
成される。上記第４乃至第６の目的は、表面に、窪みの幅
ｒが0.02≦ｒ≦0.5mmで窪みの曲率半径Ｒと幅ｒ
とが0.035≦ｒ／Ｒとされた複数の球状痕跡窪み
による凹凸を有し、かつ前記球状痕跡窪み内に更
に0.5〜20μmの微小な凹凸が形成されている支持
体と、該支持体上に設けられた光導電層とを有す
る光導電部材によつて達成される。〔発明の具体的説明及び実施例〕第１図に示した様に本発明の表面処理金属体１
は、表面２に複数の球状痕跡窪み４による凹凸を
形成させていることを１つの特徴とする。即ち、例えば剛体球３を表面２より所定高さの
位置より自然落下乃至は強制落下させて表面２に
衝突させることにより、球状痕跡窪み４を形成す
る。従つて、ほぼ同一半径R′の複数の剛体球３
をほぼ同一高さｈより落下させることにより、表
面２にほぼ同一曲率半径Ｒ、同一幅ｒの複数の球
状痕跡窪み４を形成することができる。第２図及び第３図は、この様な場合に形成され
る痕跡窪みを例示したものである。第２図の例では、金属体１′の表面２′の異なる
部位に、ほぼ同一の半径の複数の球体３′，３′…
…をほぼ同一の高さより落下させてほぼ一の曲率
半径及び幅の複数の窪み４′，４′……を互いに重
複しない程度に疏に生じせしめて凹凸を形成して
いる。第３図の例では、金属体１″の表面２″の異なる
部位に、ほぼ同一の半径の複数の球体３″，３″…
…をほぼ同一の高さより落下させてほぼ同一の曲
率半径及び幅の複数の窪み４″，４″……を互いに
重複し合うように密に形成して、第１図の例に比
較して凹凸の高さ（表面粗さ）を小さくしてい
る。なお、この場合、互いに重複する窪み４″，
４″……の形成時期、即ち球体３″，３″……の金
属体１″の表面２″への衝突時期が、当然のことな
がら互いにずれる様に球体を自然下させる必要が
ある。一方、第４図の例では、互いに異なる半径の数
種の球体３，３をほぼ同一の高さ又は異なる
高さから落下させて金属体１の表面２にそれ
ぞれ異なる曲率半径及び幅の複数の窪み４，４
……を互いに重複し合うように密に生じせしめ
て、表面に高さの不規則な凹凸を形成している。この様にすれば、剛体球と金属体表面との硬度
を、剛体球の半径、落下高さ、落下球量等の条件
を適宜調節することにより、金属体表面に所望の
曲率半径、幅の複数の球状痕跡窪みを所定密度で
形成することができる。従つて、前記条件を選択することにより、金属
体表面を表面粗さ、即ち凹凸の高さやピツチ等を
自在に調節できるし、また、使用目的に応じて所
望される形状の凹凸を形成することもできる。更には、ポートホール管、あるいはマンドレル
押出し引抜きAl管表面の表面状態の悪さを、本
発明の方法を用いる事によつて修正し、所望の表
面状態に仕上げることが出来る。これは、表面の
規則な凹凸が剛体球の衝突により塑性変形される
ことによるものである。また、本発明の表面処理金属体１は、球状痕跡
窪み４内に更に微小な凹凸が形成されている。即
ち、第５図に拡大して示した様に、球状痕跡窪み
４内表面の一部分乃至全体に微小な凹凸乃至凹凸
群５が形成されている。この様な微小凹凸は、剛体球３として、例えば
第６図に示した様な、表面に凹凸６を有する剛体
球を使用することにより形成される。表面に凹凸を有する剛体球は、例えばエンボ
ス、波付け等の塑性加工処理を応用する方法、地
荒し法（梨地法）等の粗面化方法など、機械的処
理により凹凸を形成する方法、酸やアルカリによ
る食刻処理等化学的法により凹凸を形成する方法
などを用いて剛体球を処理することにより作製す
ることができる。また更に、この様に凹凸を形成
した剛体球表面に、電解研摩、化学研摩、仕上げ
研摩等、又は陽極酸化皮膜形成、化成皮膜形成、
めつき、ほうろう、塗装、蒸着膜形成、CVD法
による膜形成などの表面処理を施して、凹凸形
状、硬度などを適宜調整することができる。本発明の表面処理金属体の基材は、使用目的に
応じたいかなる種類の金属でもよいが、アルミニ
ウム及びアルミニウム合金、ステンレス、鋼鉄、
銅及び銅合金、マグネシウム合金などが実用的で
ある。また、金属体の形状は任意に選択すること
ができるが、例えば電子写真感光体の基体（支持
体）としては、板状、円筒状、柱状、無端ベルト
状等の形状が実用的である。本発明で使用する剛体球は、例えばステンレ
ス、アルミニウム、鋼鉄、ニツケル、真鍮等の金
属、セラミツク、プラスチツク等の各種剛体球を
使用することができ、とりわけ耐久性及び低コス
ト化の理由により、ステンレス及び鋼鉄の剛体球
が好ましい。球体の硬度は、金属体の硬度よりも
高くても低くてもよいが、球体を繰返し使用する
場合は、金属体の硬度よりも高くすることが好ま
しい。本発明の表面処理金属体は、アルミニウム合金
等を通常の押出加工により得られるポートホール
管あるいはマンドレル管を、更に引抜加工して得
られる引抜管に必要に応じて熱処理、調質等の処
理を加え、この円筒（シリンダー）を、例えば第
７図（模式横断面図）及び第６図（模式縦断面
図）に示した構成の装置を用いて作製することが
できる。第７図及び第８図において、１１は支持体作成
用の例えばアルミニウムシリンダーである。シリ
ンダー１１は、例えば引抜管のままでもよいし、
適度に表面精度を仕上げられていてもよい。シリンダー１１は、回転軸（受）１２に軸支さ
れ、モータ等の適宜の駆動手段１３で駆動され、
ほぼ軸芯のまわりで回転可能とされている。１４は軸受１２に軸支され、シリンダー１１と
同一の方向に回転される回転容器であり、多数
の、表面に凹凸を有する剛体球１５を収容してい
る。剛体球１５は、容器１４内壁から突出した複数
のリブ１６に担持され、且つ容器１４の回転によ
つて容器上部まで輸送され、シリンダー１１上に
向け落下する。回転速度及びシリンダー１１、剛体球１５を保
持する回転容器１４の径は、形成する痕跡窪みの
密度及び剛体球の供給量等を考慮して適宜に決定
され制御される。回転容器１４を回転させると適度の回転速度の
時に容器壁に付いて輸送される剛体球１５は落下
し、シリンダー１１に衝突し、その表面に痕跡窪
みを形成し凹凸を生じせしめる。なお、容器１４の壁に均一に孔を穿つておき、
回転時に容器１４外部のシヤワー管１７より洗浄
液を噴射する機構にし、シリンダー１１と剛体球
１５及び回転容器１４を洗浄する様に構成するこ
ともできる。この場合、剛体球同志、又は剛体球
と回転容器との接触により生ずる静電気によつて
付着するゴミ等を回転容器外へ洗い出すことにな
り、所望の支持体を作製できる。又、上記洗浄液として、乾燥むら、あるいは液
だれを防ぐため、不揮発性物質単独、又は、トリ
エタン、トリクレン等の通常洗浄液との混合液を
用いるのが好ましい。以下、本発明の光導電部材の構成例について説
明する。この様な光導電部材は、支持体上に例えば有機
光導電物質や無機光導電物質を含む感光層を設け
て構成される。支持体の形状は、所望によつて決定されるが、
例えば電子写真用として使用するのであれば、連
続高速複写にの場合には、無端ベルト状又は前述
した様に円筒状とするのが望ましい。支持体の厚
みは、所望通りの光導電部材が形成される様に適
宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要求
される場合には、支持体としての機能が十分発揮
される範囲内であれば可能な限り薄くされる。し
かしながら、この様な場合にも、支持体の製造上
及び取扱い上、更には機械的強度等の点から、通
常は400μm以上とされる。支持体表面は、本明により表面処理を施され、
鏡面とされ乃至は干渉縞防止等の目的で非鏡面と
され、あるいは所望形状の凹凸が付与される。例えば支持体表面を非鏡面化したり、表面に凹
凸を付与して粗面化すると、支持体表面の凹凸の
合せて感光層表面にも凹凸が生ずるが、露光の際
にこれら支持体表面及び感光層表面での反射光に
位相差が生じ、シエアリング干渉による干渉縞を
生じ、あるいは反転現像時に黒斑点あるいはスジ
を生じて画像欠陥を生ずる。この様な現象は特に
可干渉光であるレーザビーム露光を行なつた場合
に顕著に現れる。本発明においては、この様な干渉縞を、支持体
表面に形成される球状痕跡窪みの曲率半径Ｒと幅
ｒとを調節することにより防止することができ
る。即ち、本発明の表面処理金属体を支持体とした
場合、ｒ／Ｒを0.35以上とすると各々の痕跡窪み内にシエアリング干渉によるニユートンリングが
0.5本以上存在することになり、光導電部材全体
の干渉縞を各痕跡窪み内に効果的に分散して存在
させることができ、干渉防止がより一層効果的に
達成することが可能となる。また、ｒ／Ｒの上限は特に制限されないが、より望ましくは、 0.035≦ｒ／Ｒ≦0.5 の範囲で選択される。というのは、ｒ／Ｒが0.5を超えると、窪みの幅ｒが相対的に大きくなり、画像
ムラなどを派生し易い状況となる。また、痕跡窪みの曲率半径Ｒは、0.1mm≦Ｒ≦
2.0mm、更には0.2mm≦Ｒ≦0.4mmとされるのが望ま
しい。Ｒが、0.1mm未満であると、剛体球を小さ
く軽くして落下高さを確保しなければならず、痕
跡窪みの形成をコントロールしにくくなるため好
ましくない。また、ｒの選択幅も必然的に狭くな
る。また、Ｒが2.0mmを超えると、剛体球を大き
く重くして、落下高さを調節するため、例えばｒ
を比較的小さくしたい場合に落下高さを極端に低
くする必要があるなど、矢針痕跡窪みの形成をコ
ントロールしにくくなるため好ましくない。また、痕跡窪みの幅ｒは、0.02〜0.5mmとされ
るのが望ましい。ｒが0.02mm未満であると、矢
張、剛体球を小さく軽くして落下高さを確保しな
ければならず、痕跡窪みの形成をコントロールし
にくくなるため好ましくない。またｒは光照射スポツト径以下が望ましく、特
に、レーザービームを使用する場合には、解像力
以下とするのが望ましい。この点で、ｒが0.5mm
を超えると画像ムラなどを派生し易くなると共
に、解像力を超え易い状況となるため好ましくな
い。更に、各痕跡窪み内に微小凹凸を生ずる様、前
述した様に表面に凹凸を形成した剛体球を用いて
処理すると、上記の干渉防止効果に、微小凹凸に
よる散乱効果が加わり、干渉防止を一層確実なも
のとすることができる。従来の技術の場合には、光導電部材に用いる金
属支持体はその表面をランダムに粗すことで、乱
反射させ、干渉縞の生じない様、工夫されてい
た。しかし、この様な場合、画像転写後のクリーニ
ングにおいて、例えばブレードを用いた場合に
は、ブレード面は光導電部材の凹凸の凸部に主に
当たる為、クリーニング性が悪く、又、凸部での
光導電部材及びブレード表面の摩耗が大きく、結
果として、両者の耐久性は良くなかつた。これに対し、本発明の表面処理金属体を支持体
とした場合には、元来、ある程度平滑にされた表
面上に表面処理を施すことができ、散乱表面は窪
み（凹部）内に存在する為、クリーニング時にお
いて、ブレードは凸部で接触するのではなく、全
体に均一一様な平面で接触する事となる。従つて、ブレードや光導電部材表面に大きな負
荷がかからず、両者の耐久性は向上する。痕跡窪み内に付与される微小凹凸の高さ、即ち
表面粗さR_naxは、望ましくは0.5〜20μmの範囲で
あることが好ましい。0.5μm未満であると散乱の
効果が十分に得られず、20μmを超えると痕跡窪
みによる凹凸と比較して微小凹凸が大きくなり過
ぎ、痕跡窪みが球状をなさなくなり、高画質を得
るためには干渉縞を防止する効果が十分に得られ
なくなる。また、光導電層の不均一性を増長する
こととなり、画像欠陥を生じ易くなるため好まし
くない。本発明の光導電部材において、支持体上に、例
えば有機光導電体から成る感光層を設ける場合、
この感光層を電荷発生層と電荷輸送層とに機能分
離させることができる。また、これら感光層と支
持体との間には、例えば感光層から支持体へのキ
ヤリア注入を阻止するためや感光層と支持体との
接着性を改良するために、例えば有機樹脂から成
る中間層を設けることができる。電荷発生層は、
例えば、従来公知のアゾ顔料、キノン顔料、キノ
シアニン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビ
スベンゾイミダゾール顔料、キナクドリン顔料、
特開昭57−165263号に記載されたアズレン化合
物、無金属フタロシアニン顔料（metalfree
phthalocyanine）、金属イオンを含むフタロシア
ニン顔料等の１種もしくは２種以上を電荷発生物
質とし、ポリエステル、ポリスチレン、ポリビニ
ールブチラール、ポリビニールピロリドン、メチ
ルセルロース、ポリアクリル酸エステル類、セル
ロースエステルなどの結着剤樹脂中に有機溶剤を
用いてに分散し、塗布して形成される。組成は、
例えば電荷発生物質100重量部に対して、結着剤
樹脂20〜300重量部とされる。電荷発生量の層厚
は、0.01〜1.0μmの範囲が望ましい。また、電荷輸送層は、例えば主鎖又は側鎖にア
ントラセン、ピレン、フエナントレン、コロネン
などの多環芳香族化合物、又はインドール、オキ
サゾール、イソオキサゾール、チアゾール、イミ
ダゾール、ピラゾール、オキサジアゾール、ピラ
ゾリン、チアジアゾール、トリアゾールなどの含
窒素環式化合物を有する化合物、ヒドラゾン化合
物等の正孔輸送物質をポリカーボネート、ポリメ
タクリル酸エステル類、ポリアリレート、ポリス
チレン、ポリエステル、ポリサルホン、スチレン
−アクリロニトリルコポリマー、スチレン−メタ
クリル酸メチルコポリマーなどの結着剤樹脂中に
有機溶剤を用いて分散し、塗布して形成される。
電荷輸送層の厚みは、５〜20μmとされる。又、前記電荷発生層と電荷輸送層とを積層させ
る場合、層順は任意であり、例えば支持体側か
ら、電荷発生層、電荷輸送層の順で積層させるこ
とができるし、あるいは、これとは逆の層順とす
ることもできる。又、前述の感光層としては、以上に限らず、例
えば、IBM Journal of the Research and
Development，1971年１月，pp75〜89に開示さ
れたポリビニールカルバゾールとトリニトロフル
オレノンからなる電荷移動錯体、米国特許第
4395183号、同第4327169号公報などに記載された
ピリリウム系化合物を用いた感光層、あるいはよ
く知られている酸化亜鉛、硫化カドミウムなどの
無機光導電物質を樹脂中に分散含有させた感光層
や、セレン、セレン−テルルなどの蒸着フイル
ム、あるいはケイ素原子を含む非晶質材料から成
る膜体等を使用することも可能である。このうち、感光層としてケイ光原子を含む非晶
質材料から成る膜体を用いた光導電部材は、前述
した様な本発明に係る支持体上に、例えば電荷注
入阻止層、感光層（光導電層）、及び表面保護層
を順次積層した構成を有する。電荷注入阻止層は、例えば水素原子(H)及び／又
はハロゲン原子（Ｘ）を含有するアモルフアスシ
リコン［ａ−Si（Ｈ，Ｘ）］で構成されると共に、
伝導性を支配する物質として、通常半導体の不純
物として用いられる周期律表第族乃至は第族
に属する元素の原子が含有される。電荷注入阻止
層の層厚は、好ましくは0.01〜10μm、より好適
には0.05〜8μm、最適には0.07〜5μmとされるの
が望ましい。電荷注入阻止層の代りに、例えばAl₂O₃、
SiO₂、Si₃N₄、ポリカーボネート等の電気絶縁材
料から成る障壁層を設けてもよいし、あるいは電
荷注入阻止層と障壁層とを併用することもでき
る。感光層は、例えば水素原子とハロゲン原子を含
有するａ−Siで構成され、所望により電荷注入阻
止層に用いるのとは別種の伝導性を支配する物質
が含有される。感光層の層厚は、好ましくは１〜
100μm、より好適には１〜80μm、最適には２〜
50μmとされるのが望ましい。表面保護層は例えばSiC_x（０＜ｘ＜１）、SiN_x
（０＜ｘ＜１）等で構成され、層厚は好ましくは
0.01〜10μm、より好適には0.02〜5μm、最適には
0.04〜5μmとされるのが望ましい。本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る光導電層等を形成するには、例えばグロー放電
法、スパツタリング法、あるいはイオンプレーテ
イング法等の従来公知の種々の放電現象を用する
真空堆積法が適用される。次に、グロー放電分解法による光導電部材の製
造法の１例について説明する。第９図にグロー放電分解法による光導電部材の
製造装置を示す。堆積槽２１は、ベースプレート
２２と槽壁２３とトツププレート２４とから構成
され、この堆積層２１内には、カソード電極２５
が設けられており、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）堆積膜が形
成される例えばアルミニウム合金製の本発明に係
る支持体２６はカソード電極２５の中央部に設置
され、アノード電極としての役割も兼ねている。この製造装置を使用してａ−Si（Ｈ，Ｘ）堆積
膜を支持体上に形成するには、まず、原料ガス流
入バルブ２７及びリークバルブ２８を閉じ、排気
バルブ２９を開け、堆積槽２１内を排気する。真
空計３０の読みが５×10^-6torrになつた時点で原
料ガス流入バルブ２７を開いて、マスフローコン
トロラー３１内で所定の混合比に調整された、例
えばSiH₄ガス、Si₂H₆ガス、SiF₄ガス等を用いた
原料混合ガスを堆積槽２１内の圧力が所望の値に
なる様に真空計３０の読みを見ながら排気バルブ
２９の開口度を調整する。そしてドラム状支持体
２６の表面温度が加熱ヒータ３２により所定の温
度に設定されていることを確認した後、高周波電
源３３を所望の電力に設定して堆積槽２１内にグ
ロー放電を生起させる。また、層形成を行なつている間は、層形成の均
一化を図るためにドラム状支持体２６をモータ３
４により一定速度で回転させる。このようにして
ドラム状支持体２６上にａ−Si堆積膜を形成する
ことができる。以下、本発明を実施例に基きより詳細に説明す
る。試験例１径0.6mmのSUSステンレス製剛体球に化学的処
理を施して表面を食刻して凹凸を形成せしめた。
使用する処理剤としては、塩酸、フツ酸、硫酸、
クロム酸等の酸、苛性ソーダ等のアルカリを挙げ
ることができる。本試験例においては、濃塩酸１
に対して純水１〜４の容量比で混合した塩酸溶液
を用い、剛体球の浸漬時間、酸濃度等を変化さ
せ、凹凸の形状を適宜調整した。かくして処理された剛体球（表面凹凸の表面粗
さR_nax＝5μm）を用い、第７図及び第８図に示し
た装置を用い、アルミニウム合金製シリンダー
（径60mm、長さ298mm）の表面を処理し、凹凸を形
成させた。真球の半径R′、落下高さｈと痕跡窪みの曲率
半径Ｒ、幅ｒとの関係を調べたところ、痕跡窪み
の曲率半径Ｒと幅ｒとは、真球の半径R′と落下
高さｈ等の条件により決められることが確認され
た。また、痕跡窪みのピツチ（痕跡窪みの密度、
また凹凸のピツチ）は、シリンダーの回転速度、
回転数乃至は剛体真球の落下量等を制御して所望
のピツチに調整することができることが確認され
た。また痕跡窪み内には、剛体球の表面凹凸あるい
は表面粗さに応じた微小凹凸が形成されることが
確認された。実施例１〜６、比較例１第１表に示したｒ／Ｒに制御した以外は、試験例１と同様にアルミニウム合金製シリンダーの表面
を処理し、これを電子写真用光導電部材の支持体
として利用した。その際、各表面処理シリンダーについて、表面
処理後に生じている表面欠陥（エグレ状の傷、ひ
び割れ、スジ状キズ等）を目視及び金属顕微鏡に
より検査した。結果を表に示した。次に、これらの表面処理を施したアルミニウム
合金製シリンダーのそれぞれの上に、第９図に示
した光導電部材の製造装置を用い、先に詳述した
グロー放電分解法に従い、下記の条件により光導
電部材を作製した。

【表】こうして得られた各光導電部材を、キヤノン(株)
製レーザービームプリンターLBP−Ｘを改造し
た実験機に設置して画出しを行ない、干渉縞、黒
ポチ、画像欠陥等の総合評価を行なつた。結果を
第１表に示した。なお、比較として、従来のダイヤモンドバイト
により表面処理されたアルミニウム合金製シリン
ダーを用いて光導電部材を作製し、同様に総合評
価した。

【表】なお、実施例１〜６の光導電部材の支持体にお
けるＲは何れも0.1〜2.0mm、ｒは何れも0.02〜0.5
mmの範囲とした。実施例７〜10、比較例２第２表に示した表面凹凸の表面粗さ（R_nax）
の剛体球を用いた以外は実施例５と同様にして光
導電部材を作製した。かくして得られた光導電部
材を用いて第１表と同様の評価を行なつた。結果
を第２表に示した。

【表】

〔発明の効果〕

本明の表面処理金属体によれば、所望の使用特
性を損う表面欠陥を生じやすい切削加工を伴わず
に表面処理がなされ、例えば、この金属体を光導
電部材の支持体として用いると、成膜の均一性、
電気的、光学的乃至は光導電的特性の均一性に優
れた光導電部材が得られ、特に、電子写真感光用
として用いた場合、画像欠陥が少なく、高品質の
画像、特にレーザー光等の可干渉光を用いた場合
には、干渉縞のない画像を得ることができる。また、表面に凹凸を形成した剛体球を用いて痕
跡窪み内に微小凹凸を形成するため、更に精密な
凹凸の形成が可能となると共に、散乱の効果も加
わり、一層干渉縞のない優れた画像を形成するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至は第４図は、本発明により形成され
る金属体表面の凹凸の形状を説明するための模式
図である。第５図は、第１図中球状痕跡窪みの拡
大断面図、第６図は、本発明の表面処理用剛体球
の断面図、第７図及び第８図は、それぞれ本発明
の表面処理金属体を製造するための装置の一構成
例を説明するための模式横断面図及び模式縦断
面、第９図はグロー放電分解法による光導電部材
の製造装置を示した模式図である。１，１′，１″，１……表面処理金属体、２，
２′，２″，２……表面、３，，３′，３″，３
……剛体球、４，４′，４″，４……球状痕跡窪
み、５……痕跡窪み内の微小凹凸、６……剛体球
の表凹凸。

Claims

【特許請求の範囲】１表面に、窪みの幅ｒが0.02≦ｒ≦0.5mmで窪
みの曲率半径Ｒと幅ｒとが0.035≦ｒ／Ｒとされ
た複数の球状痕跡窪みによる凹凸を有し、かつ前
記球状痕跡窪み内に更に0.5〜20μmの微小な凹凸
が形成されていることを特徴とする光導電部材用
の支持体。２前記球状痕跡窪みによる凹凸がほぼ同一の曲
率半径及び幅の窪みにより形成されている特許請
求の範囲第１項に記載の光導電部材用の支持体。３表面に、窪みの幅ｒが0.02≦ｒ≦0.5mmで窪
みの曲率半径Ｒと幅ｒとが0.035≦ｒ／Ｒとされ
た複数の球状痕跡窪みによる凹凸を有し、かつ前
記球状痕跡窪み内に更に0.5〜20μmの微小な凹凸
が形成されている支持体と、該支持体上に設けら
れた光導電層とを有することを特徴とする光導電
部材。４前記球状痕跡窪みによる凹凸がほぼ同一の曲
率半径及び幅の窪みにより形成されている特許請
求の範囲第３項に記載の光導電部材。５前記球状痕跡窪みの曲率半径Ｒが0.1mm≦Ｒ
≦2.0mmである特許請求の範囲第３項又は第４項
に記載の光導電部材。