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JPH0443328B2 - - Google Patents
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JPH0443328B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0443328B2
JPH0443328B2 JP60296813A JP29681385A JPH0443328B2 JP H0443328 B2 JPH0443328 B2 JP H0443328B2 JP 60296813 A JP60296813 A JP 60296813A JP 29681385 A JP29681385 A JP 29681385A JP H0443328 B2 JPH0443328 B2 JP H0443328B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor laser
collimator lens
holder
distance
intermediate member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP60296813A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62154326A (en
Inventor
Hideji Kubokawa
Kazufumi Hamakawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic System Solutions Japan Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Graphic Communication Systems Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Graphic Communication Systems Inc filed Critical Matsushita Graphic Communication Systems Inc
Priority to JP60296813A priority Critical patent/JPS62154326A/en
Publication of JPS62154326A publication Critical patent/JPS62154326A/en
Publication of JPH0443328B2 publication Critical patent/JPH0443328B2/ja
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  • Moving Of The Head For Recording And Reproducing By Optical Means (AREA)
  • Optical Head (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、記録媒体に対して、ある情報を書き
込んだり、読み出したりする際に使用する記録再
生用の光学ヘツドに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a recording/reproducing optical head used when writing or reading certain information to or from a recording medium.

従来の技術 回転するデイスク状記録媒体(以下、単にデイ
スクという)に対して情報を書き込んだり読み出
だしたりする記録再生装置の従来例の要部を第3
図に示している。同図において、記録再生装置は
デイスク1を回転させるためのデイスクモータ2
と、デイスク1に記録又は再生を行うための光学
ヘツド3から構成されており、この光学ヘツド3
は、光源である半導体レーザ4、平行光に変換す
るコリメータレンズ5、平行光をデイスク1上に
結像させるための対物レンズ6、デイスク1から
の反射光を受けるための受光素子7、デイスク1
からの反射光を受光素子7へ戻すためのビームス
プリツター8、受光素子7へ結像させるためのレ
ンズ9等を有する。この光学ヘツド3におけるコ
リメータレンズ5と半導体レーザ4間の詳細なる
構造を第2図に示している。
Prior Art The main part of a conventional recording and reproducing device that writes information to and reads information from a rotating disk-shaped recording medium (hereinafter simply referred to as a disk) is described in the third section.
As shown in the figure. In the same figure, the recording/reproducing device is a disk motor 2 for rotating a disk 1.
and an optical head 3 for recording or reproducing data on the disk 1.
The components include a semiconductor laser 4 which is a light source, a collimator lens 5 which converts the parallel light into parallel light, an objective lens 6 which forms an image of the parallel light onto the disk 1, a light receiving element 7 which receives reflected light from the disk 1, and a disk 1.
It has a beam splitter 8 for returning reflected light from the light to the light receiving element 7, a lens 9 for focusing the light on the light receiving element 7, and the like. A detailed structure between the collimator lens 5 and the semiconductor laser 4 in this optical head 3 is shown in FIG.

コリメータレンズ5はコリメータレンズホルダ
11に保持されており、また、半導体レーザ4は
半導体レーザホルダ13に保持されている。この
半導体レーザホルダ13はその取付面13Aをコ
リメータレンズ5に対向させて有する形状のもの
で、コリメータレンズホルダ11の端部にねじ1
2により取り付けられており、この取付面13A
に半導体レーザ4が直接取り付けられている。そ
して、第2図に示されている寸法A1,A2,A3
所定の寸法精度に管理することにより、半導体レ
ーザ4の発光点Bとコリメータレンズ5との間隔
を所定の値に管理している。
The collimator lens 5 is held by a collimator lens holder 11, and the semiconductor laser 4 is held by a semiconductor laser holder 13. This semiconductor laser holder 13 has a mounting surface 13A facing the collimator lens 5, and a screw 1 is attached to the end of the collimator lens holder 11.
2, and this mounting surface 13A
A semiconductor laser 4 is directly attached to. By controlling the dimensions A 1 , A 2 , and A 3 shown in FIG. 2 to a predetermined dimensional accuracy, the distance between the light emitting point B of the semiconductor laser 4 and the collimator lens 5 is controlled to a predetermined value. are doing.

発明が解決しようとする課題 しかし、かかる構成では、温度変化が生じた時
に半導体レーザ4の発光点とコリメータレンズ5
との間隔が変化するので、温度変化に対する補償
を考慮すると、コリメータレンズの焦点距離を長
くすることが必要となる。この時、装置の小型化
を図るため、コリメータレンズのNAを小さくす
れば、光量損が大きくなり、半導体レーザにより
大きなパワーが必要とされ、半導体レーザの寿命
低下を誘引する。また光量損を少なくするため、
NAを大きくとればレンズ外径が大きくなり、装
置が大型化してしまうという問題点があつた。
Problem to be Solved by the Invention However, in such a configuration, when a temperature change occurs, the light emitting point of the semiconductor laser 4 and the collimator lens 5
Since the distance from the collimator lens changes, it is necessary to increase the focal length of the collimator lens in consideration of compensation for temperature changes. At this time, if the NA of the collimator lens is made small in order to downsize the device, the loss of light quantity will increase, requiring greater power from the semiconductor laser, which will shorten the life of the semiconductor laser. In addition, to reduce light loss,
There was a problem in that if the NA was increased, the outer diameter of the lens would become larger, resulting in an increase in the size of the device.

本発明は、上述の問題点に鑑みて為されたもの
で、光量損が少なく、装置の小型化を図ることが
でき、かつ周囲温度の変化に対しても影響の少な
い光学ヘツドを提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide an optical head that has less light loss, can be made smaller in size, and is less affected by changes in ambient temperature. With the goal.

課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するため、半導体レー
ザと、この半導体レーザからのレーザ光を平行光
に変換するためのコリメータレンズと、このコリ
メータレンズを保持するコリメータレンズホルダ
と、このコリメータレンズホルダの一端に固定さ
れ、前記コリメータレンズに面する側に取付面を
有する半導体レーザホルダと、前記半導体レーザ
ホルダの取付面に取り付けられ、前記半導体レー
ザを取り付けた中間部材とを有し、前記中間部材
の熱膨脹係数を、前記半導体レーザホルダの熱膨
脹係数よりも大きく選定するようにしたものであ
る。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above object, the present invention includes a semiconductor laser, a collimator lens for converting laser light from the semiconductor laser into parallel light, and a collimator lens holder for holding the collimator lens. , a semiconductor laser holder fixed to one end of the collimator lens holder and having a mounting surface on the side facing the collimator lens, and an intermediate member attached to the mounting surface of the semiconductor laser holder and having the semiconductor laser attached thereto. However, the thermal expansion coefficient of the intermediate member is selected to be larger than that of the semiconductor laser holder.

作 用 本発明は上述の構成によつて、半導体レーザと
コリメータレンズ間の温度変化によつて生ずる距
離の変化の方向と中間部材の温度変化によつて生
ずる厚さの変化の方向とが反対の関係になる。つ
まり、中間部材の厚さの変化量が半導体レーザと
コリメータレンズ間の距離の変化量を少なくする
ように働く。この結果、周囲の温度変化が生じた
場合においても、従来に比較して半導体レーザと
コリメータレンズ間の距離の変化量を少なくさせ
ることができ、温度変化に対する光学ヘツドへの
影響を軽減させることができる。
Effects The present invention has the above configuration so that the direction of distance change caused by temperature change between the semiconductor laser and the collimator lens is opposite to the direction of thickness change caused by temperature change of the intermediate member. Become a relationship. In other words, the amount of change in the thickness of the intermediate member acts to reduce the amount of change in the distance between the semiconductor laser and the collimator lens. As a result, even when ambient temperature changes occur, the amount of change in the distance between the semiconductor laser and the collimator lens can be reduced compared to the conventional method, and the effect of temperature changes on the optical head can be reduced. can.

実施例 以下、図面の実施例を詳細に説明する。第1図
は本発明の一実施例の光学ヘツドの主要部を示す
断面図である。同図において、従来と同じ構成の
部分は従来例と同じ番号を付してある。コリメー
タレンズ5は従来と同様な構造のコリメータレン
ズホルダ11に保持されている。一方、半導体レ
ーザ4を保持する半導体レーザホルダ13はその
取付面13Aをコリメータレンズ5に対向させて
有する形状のもので、コリメータレンズホルダ1
1の端部にねじ12により取り付けられており、
この取付面13Aに中間部材14を介して半導体
レーザ4が取り付けられている。この中間部材1
4は半導体レーザホルダ13やコリメータレンズ
ホルダ11を形成する材料(例えばアルミ)に比
べて熱膨脹係数の大きい材料が用いられ、かつそ
の熱膨脹係数及び厚みA4は、コリメータレンズ
5と取付面13Aとの間の各ホルダ11,13が
熱膨脹して半導体レーザ4をコリメータレンズ5
から離す方向に移動させる際、自身も熱膨脹し
て、半導体レーザ4をコリメータレンズ5に近づ
く方向に移動させ、発光点Bがあまり移動しない
ように選定されている。中間部材14の材料とし
ては、アスタール樹脂等のプラスチツクが熱膨脹
係数が大きいので好ましい。
Embodiments Hereinafter, embodiments of the drawings will be described in detail. FIG. 1 is a sectional view showing the main parts of an optical head according to an embodiment of the present invention. In the figure, parts having the same configuration as the conventional example are given the same numbers as in the conventional example. The collimator lens 5 is held in a collimator lens holder 11 having a structure similar to the conventional one. On the other hand, the semiconductor laser holder 13 holding the semiconductor laser 4 has a mounting surface 13A facing the collimator lens 5.
It is attached to the end of 1 with a screw 12,
A semiconductor laser 4 is attached to this attachment surface 13A via an intermediate member 14. This intermediate member 1
4 is made of a material having a larger coefficient of thermal expansion than the material (for example, aluminum) forming the semiconductor laser holder 13 and the collimator lens holder 11, and the coefficient of thermal expansion and thickness A 4 of the material are the same as those of the collimator lens 5 and the mounting surface 13A. The holders 11 and 13 between them thermally expand to move the semiconductor laser 4 into the collimator lens 5.
The semiconductor laser 4 is selected so that when it is moved away from the collimator lens 5, it also thermally expands and moves the semiconductor laser 4 in a direction closer to the collimator lens 5, so that the light emitting point B does not move much. As the material for the intermediate member 14, plastics such as astal resin are preferred because they have a large coefficient of thermal expansion.

以上のように構成された光学ヘツドについて、
以下その作用を説明する。
Regarding the optical head configured as above,
The effect will be explained below.

第1図に示す各部寸法A1,A2,A3,A4はそれ
ぞれ所定の寸法精度に加工されており、このた
め、組み立てた際、半導体レーザ4の発光点Bと
コリメータレンズ5との距離は所定の寸法になつ
ている。但し、 A1:コリメータレンズ取付位置から、半導体レ
ーザホルダ取付位置までの距離。
The dimensions A 1 , A 2 , A 3 , A 4 shown in FIG. The distance is a predetermined dimension. However, A 1 : Distance from the collimator lens mounting position to the semiconductor laser holder mounting position.

A2:半導体レーザホルダ取付位置から、半導体
レーザ取付位置までの距離。
A 2 : Distance from the semiconductor laser holder mounting position to the semiconductor laser mounting position.

A3:半導体レーザ取付位置から、半導体レーザ
発光点Bまでの距離。
A 3 : Distance from the semiconductor laser mounting position to the semiconductor laser light emitting point B.

A4: 中間部材14の厚さ。A 4 : Thickness of intermediate member 14.

この状態で、使用中温度が上昇すると、コリメ
ータレンズ5と半導体レーザホルダ13の取付面
13A間の距離は半導体レーザホルダ13及びコ
リメータレンズホルダ11の熱膨脹により増加す
る。同時に、中間部材14及び半導体レーザ4の
外筒も熱膨脹するので、取付面13Aと発光点B
との距離が増加する。従つて、これらが相殺しあ
つて、半導体レーザの発光点Bとコリメータレン
ズ5との間隔がほぼ一定に保たれる。
In this state, when the temperature rises during use, the distance between the collimator lens 5 and the mounting surface 13A of the semiconductor laser holder 13 increases due to thermal expansion of the semiconductor laser holder 13 and the collimator lens holder 11. At the same time, the intermediate member 14 and the outer cylinder of the semiconductor laser 4 also expand thermally, so that the mounting surface 13A and the light emitting point B
The distance between the two increases. Therefore, these cancel each other out, and the distance between the light emitting point B of the semiconductor laser and the collimator lens 5 is kept almost constant.

このことを数値を用いて更に詳細に説明する。
今、中間部材14にアセタール樹脂(厚みA4
1.8mm)を使用した場合の、温度変化Δtによつて
生ずる半導体レーザ4の発光点Bとコリメータレ
ンズ5間の距離の変化ΔLを求める。第1図より、
ΔLは次の様に表される。
This will be explained in more detail using numerical values.
Now, the intermediate member 14 is made of acetal resin (thickness A 4 =
1.8 mm), the change ΔL in the distance between the light emitting point B of the semiconductor laser 4 and the collimator lens 5 caused by the temperature change Δt is determined. From Figure 1,
ΔL is expressed as follows.

ΔL=ΔA1+ΔA2−ΔA3−ΔA4 また、アルミ、銅、アセタール樹脂のそれぞれ
の線膨張係数は以下の通りである。
ΔL=ΔA 1 +ΔA 2 −ΔA 3 −ΔA 4 The linear expansion coefficients of aluminum, copper, and acetal resin are as follows.

アルミ:αAL=23.9×10-6 銅:αCU=17.1×10-6 アセタール樹脂:αD=84.5×10-6 従つて、 ΔA1=Δt・αAL・A1 ΔA2=Δt・αAL・A2 ΔA3=Δt・αCU・A3 ΔA4=Δt・αD・A4 ここで、A1=4mm、A2=3.8mm、A3=2.2mm、
A4=1.8mm、Δt=40℃とすると、 ΔL=−0.2μmとなる。
Aluminum: α AL = 23.9×10 -6 Copper: α CU = 17.1×10 -6 Acetal resin: α D = 84.5×10 -6 Therefore, ΔA 1 = Δt・α AL・A 1 ΔA 2 = Δt・α AL・A 2 ΔA 3 = Δt・α CU・A 3 ΔA 4 = Δt・α D・A 4Here , A 1 = 4 mm, A 2 = 3.8 mm, A 3 = 2.2 mm,
If A 4 = 1.8 mm and Δt = 40°C, ΔL = -0.2 μm.

さらに、本発明を実施した場合の効果を示すた
めに、従来の光学ヘツドにおける距離の変化量と
比較する。従来の光学ヘツドにおける半導体レー
ザ4の発光点Bとコリメータレンズ5間の距離の
変化ΔL′は、前述したように、 ΔL′=ΔA1+ΔA′2−ΔA3 一方、本発明を採用した場合の半導体レーザ4
の発光点Bとコリメータレンズ5間の距離の変化
ΔLは、 ΔL=ΔA1+ΔA2−ΔA3−ΔA4である。
Furthermore, in order to show the effect of implementing the present invention, a comparison will be made with the amount of change in distance in a conventional optical head. In the conventional optical head, the change ΔL' in the distance between the light emitting point B of the semiconductor laser 4 and the collimator lens 5 is, as described above, ΔL'=ΔA 1 +ΔA' 2 −ΔA 3 On the other hand, when the present invention is adopted, the change ΔL' is as follows. Semiconductor laser 4
The change ΔL in the distance between the light emitting point B and the collimator lens 5 is ΔL=ΔA 1 +ΔA 2 −ΔA 3 −ΔA 4 .

比較のためにΔL′からΔLを減算してみると、 ΔL′−ΔL=(ΔA1+ΔA′2−ΔA3) −(ΔA1+ΔA2−ΔA3−ΔA4)=ΔA′ 2 −ΔA2+ΔA4=Δt・αAL・A′2 −Δ t・αAL・A2+Δt・αD・A4 =Δt {αAL(A′2−A2)+αD・A4} ここで、A2−A′2=A4の関係から、これを上式
に代入すると、 ΔL′−ΔL=Δt・A4(αD−αAL) つまり、αD>αALならばΔL′−ΔLは正の値と
なり、従来の光学ヘツドに比較して温度変化に対
する影響が少なくなる。
For comparison, subtracting ΔL from ΔL′ gives ΔL′−ΔL=(ΔA 1 +ΔA′ 2 −ΔA 3 ) −(ΔA 1 +ΔA 2 −ΔA 3 −ΔA 4 )=ΔA′ 2 −ΔA 2 +ΔA 4 = Δt・αAL・A′ 2 −Δ t・αAL・A 2 +Δt・αD・A 4 = Δt {αAL(A′ 2 −A 2 )+αD・A 4 } Here, A 2 −A′2 = A 4 , and by substituting this into the above equation, ΔL' - ΔL = Δt・A 4 (αD - αAL) In other words, if αD > αAL, ΔL' - ΔL is a positive value, and the conventional optical head It is less affected by temperature changes compared to

発明の効果 以上の説明から明らかなように、本発明はコリ
メータレンズに向かい合う取付面を有する半導体
レーザホルダに熱膨脹係数の大きい中間部材を介
して、半導体レーザを保持させるという構成をと
ることによつて中間部材の厚さの変化量が半導体
レーザとコリメータレンズ間の距離の変化量を少
なくするように作用する。この結果、従来の光学
ヘツドに比較して半導体レーザとコリメータレン
ズ間の距離の変化量を少なくさせることができ、
焦点距離の大きなコリメータレンズを採用するこ
となく、温度変化に対する光学ヘツドの影響を軽
減させることができる。
Effects of the Invention As is clear from the above description, the present invention has a configuration in which a semiconductor laser is held in a semiconductor laser holder having a mounting surface facing the collimator lens via an intermediate member having a large coefficient of thermal expansion. The amount of change in the thickness of the intermediate member acts to reduce the amount of change in the distance between the semiconductor laser and the collimator lens. As a result, the amount of change in the distance between the semiconductor laser and the collimator lens can be reduced compared to conventional optical heads.
The influence of the optical head on temperature changes can be reduced without employing a collimator lens with a large focal length.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示す光学ヘツドの
要部の概略断面図、第2図は従来の光学ヘツドの
要部の概略断面図、第3図は同光学ヘツドが組み
込まれた装置の概略断面図である。 1……デイスク、2……デイスクモータ、3…
…光学ヘツド、4……半導体レーザ、5……コリ
メータレンズ、10……半導体レーザホルダ、1
1……コリメータレンズホルダ、13……半導体
レーザホルダ、13A……取付面、14……中間
部材、B……発光点。
FIG. 1 is a schematic sectional view of the main parts of an optical head showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view of the main parts of a conventional optical head, and FIG. 3 is a device incorporating the same optical head. FIG. 1... Disc, 2... Disc motor, 3...
...Optical head, 4... Semiconductor laser, 5... Collimator lens, 10... Semiconductor laser holder, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Collimator lens holder, 13... Semiconductor laser holder, 13A... Mounting surface, 14... Intermediate member, B... Light emitting point.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 半導体レーザと、この半導体レーザからのレ
ーザ光を平行光に変換するためのコリメータレン
ズと、このコリメータレンズを保持するコリメー
タレンズホルダと、このコリメータレンズホルダ
の一端に固定され、前記コリメータレンズに面す
る側に取付面を有する半導体レーザホルダと、前
記半導体レーザホルダの取付面に取付けられ、前
記半導体レーザを取付けた中間部材とを有し、前
記中間部材の熱膨脹係数を、前記半導体レーザホ
ルダの熱膨脹係数よりも大きく選定したことを特
徴とする光学ヘツド。
1 A semiconductor laser, a collimator lens for converting laser light from this semiconductor laser into parallel light, a collimator lens holder that holds this collimator lens, and a collimator lens holder that is fixed to one end of this collimator lens holder and has a surface facing the collimator lens. a semiconductor laser holder having a mounting surface on a side thereof; and an intermediate member that is attached to the mounting surface of the semiconductor laser holder and has the semiconductor laser attached thereto, and the thermal expansion coefficient of the intermediate member is determined by the thermal expansion coefficient of the semiconductor laser holder An optical head characterized in that the coefficient is selected to be larger than the coefficient.
JP60296813A 1985-12-27 1985-12-27 Optical head Granted JPS62154326A (en)

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