JPH0446408B2 - - Google Patents
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- JPH0446408B2 JPH0446408B2 JP8667885A JP8667885A JPH0446408B2 JP H0446408 B2 JPH0446408 B2 JP H0446408B2 JP 8667885 A JP8667885 A JP 8667885A JP 8667885 A JP8667885 A JP 8667885A JP H0446408 B2 JPH0446408 B2 JP H0446408B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は液晶装置、特に閾値の温度依存性の大
きい表示素子を駆動制御する液晶装置に関する。
〔従来例〕
従来Nematic液晶を用いた、Twisted
Nematic型もしくは、DSM型のものさらには、
Cholesteric−Nematic相転移型のGest−Host液
晶表示素子の動作温度領域は、技術の進歩に伴
い、飛躍的に広がり、温度補償の問題をかなり少
なくすることに成功している。
しかしながら、強誘電液晶素子の場合は第2図
に示す様に閾値の温度依存性が大きい。
このような特性を有する強誘電液晶素子を駆動
する場合において従来は、セル自体の温度コント
ロールをする他はなく、装置的にも大きくなり、
消費電力等も無視できない状況であつた。
〔目的〕
本発明の目的は上述従来例の欠点を除去し、温
度コントローラ等の設備を用いることなく、温度
依存性のある表示素子の表示を行うための駆動制
御を行う液晶装置を提供することにある。
[発明の概要]
本発明は、
a 間隔をおいて配置した一対の電極及び該一対
の電極間に配置した、印加電圧の極性に応じて
一方の配向状態と他方の配向状態の何れか一方
の配向状態を生じる強誘電性液晶を有する液晶
パネル、
b 前記一対の電極間に一方極性電圧又は他方極
性電圧を印加する駆動手段、
c 前記液晶パネルの温度を検知し、温度データ
を出力する温度検知手段、
d 前記温度データをデジタルデータに変換する
アナログ・デジタル変換器、該デジタルデータ
に変換された温度データを格納するメモリー、
該メモリー内に格納され、温度に応じた前記一
方極性電圧又は他方極性電圧のパルス幅を定め
るパルス幅テーブルとを有し、該パルス幅テー
ブルと前記デジタルデータに変換された温度デ
ータとを比較することによつて、液晶パネルの
温度に応じたパルス幅データを出力するパルス
幅選定手段、並びに
e 前記パルス幅選定手段から出力されるパルス
幅データに応じて変更されたパルス幅をもつ前
記一方極性電圧又は他方極性電圧の前記一対の
電極間への印加を、該印加の開始を命令する書
込み命令信号により開始させる制御手段を有す
る液晶装置に特徴がある。
〔実施例〕
本実施例の表示駆動装置で閾値が温度依存性の
大きい表示素子として用いている強誘電性液晶と
しては、加えられる電界に応じて第一の光学的安
定状態と第二の光学的安定状態とのいずれかを取
る、すなわち電界に対する双安定状態を有する物
質、特にこのような性質を有する液晶が用いられ
る。
本実施例で用いている双安定性を有する強誘電
性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クテイツク液晶が最も好ましく、そのうちカイラ
ルスメクテイツクC相(SmC*)又H相(SmH
*)の液晶が適している。この強誘電性液晶につ
いては、“LE LOURNAL DE PHYSIOUE
LETTERS”36(L−69)1975.「Ferroelectric
LiquidCrystals」;“Applied physics Letters”
36(11)1980、「Submicro SecondBistable
ElectroopticSwitching in Liquid Crystals」;
“固体物理”16(141)1981「液晶」等に記載され
ており、本実施例ではこれらに開示された強誘電
性液晶を用いることができる。
より具体的には、本実施例に用いられる強誘電
性液晶化合物の例としては、デシロキシベンジリ
デン−P′−アミノ−2−メチルブチルシンナメー
ト(DOBAMBC)、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−P′−アミノ−2−クロロプロピルシンナメー
ト(HOBACPC)および4−O−(2−メチル)
−ブチルレゾルシリデン−4′−オクチルアニリン
(MBRA8)等が挙げられる。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合に
おいては、液晶化合物が温度によつて異る液晶を
取る。これは例えばDOBAMBCの場合は相転移
は、約117℃で等方相からスメクチツクA相へ相
転移して約93℃でカイラルスメクチツクC相へ相
転移する。このカイラルスメクチツクC相におい
て、強誘電性を呈するが、約61℃において、さら
に下方の相へ転移してしまう。
カイラルスメクチツクC相の下位の相は、カイ
ラルスメクチツクI相であるとか、カイラルスメ
クチツクF相、もしくは、カイラルスメクチツク
H相とする文献があるが、いずれにしてもその相
においても、強誘電性を示すことが確認されてい
る。
スメクチツクA相から、カイラルスメクチツク
C相への転移温度がキユーリー点となる。このキ
ユーリー点以下では、DOBAMBCは、分子双極
子の向きがそろい、自発分極を持つのであるが、
その物性値は温度によつてかなり差があることが
知られている。たとえば、液晶分子と、層の法線
との角度をチルト角θと定義すると(層は、スメ
クチツク相における定義と同じ)θは、キユーリ
ー点より温度が下がるにしたがつて、増大する傾
向にある。自発分極値Psも温度による依存性が
ある。(温度が下がるにしたがつて増大する)こ
とが確認されている。
弾性定数や、粘性係数も、温度の関数であるこ
とが知られているし、応答速度(外部電界に対す
る分子双極子の反応)や、らせんピツチを解くに
必要な臨界電界も異つてくる。
これらは、相が異ると、大巾に異ることが知ら
れているが、同じ相の中(たとえば、カイラルス
メクチツクC相内で91℃から約61℃までの約30℃
の温度範囲において)でも物性定数が異なり、そ
れゆえに電気的応答にも差異が生じる。
これらは、DOBAMBCに限らず、いわゆる強
誘電液晶に共通な問題である。
又、これらの現象は、双安定性が生じるような
薄いギヤツプ(たとえば1μm〜2μm)においても
同じで、安定な2つの状態間を、スイツチングす
るしきい値の変化となつて表われる。スイツチン
グのしきい値は、単に直流的な波高値で与えられ
るものでなく、パルス巾と波高値に依つて与えら
れることを我々は発見した。
そこでこのような場合には、温度変化を表示駆
動信号のパルス巾を変化させることによつて補償
しようというのが、本発明の主旨である。
強誘電性液晶のセル内での配列に関する説明を
次に述べる。
本実施例においては、セル基板は、ポリイミド
樹脂をコーテイングしラビング処理を行つたもの
を使用している。
第7図は、強誘電性液晶セルの例を模式的に描
いたものである。1と1′は、In2O3、SnO2や
ITO(Indium−Tin Oxide)等の透明電極がコー
トされた基板(ガラス板)であり、その間に液晶
分子層2がガラス面に垂直になるよう配向した
SmC*相の液晶が封入されている。太線で示し
た線3が液晶分子を表わしており、この液晶分子
3は、その分子に直交した方向に双極子モーメン
ト(P⊥)4を有している。基板1と1′上の電
極間に一定の閾値以外の電圧を印加すると、液晶
分子3のらせん構造がほどけ、双極子モーメント
(P⊥)4はすべて電界方向に向くよう、液晶分
子3の配向方向を変えることができる。液晶分子
3は細長い形状を有しており、その長軸方向と短
軸方向で屈折率異方性を示し、従つて例えばガラ
ス面の上下に互いにクロスニコルの位置関係に配
置した偏光子を置けば、電圧印加極性によつて光
学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、
容易に理解される。さらに液晶セルの厚さを充分
に薄くした場合(例えば1μ)には、第8図に示
すように電界を印加していない状態でも液晶分子
のらせん構造は、ほどけ(非らせん構造)、その
双極子モーメントP又はP′は上向き(4a)又は
下向(4b)のどちらかの状態をとる。このよう
にセルに第8図に示す如く一定の閾値以上の極性
の異なる電界E又はE′を所定時間付与すると、双
極子モーメントは電界E又はE′の電界ベクトルに
対応して上向き4a又は、下向き4bと向き変
え、それに応じて液晶分子は第一の配向状態5か
あるいは第二の配向状態5′の何れか一方に配向
する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として
用いることの利点は2つある。第1に、応答速度
が極めて速いこと、第2に液晶分子の配向が双安
定状態を有することである。第2の点を例えば第
8図によつて説明すると、電界Eを印加すると液
晶分子は第一の配向状態5に配向するが、この状
態は電界を切つても安定である。又、逆向きの電
界E′を印加すると、液晶分子は第二の配向状態
5′に配向して、その分子の向きを変えるが、や
はり電界を切つてもこの状態に留つている。又、
与える電界Eが一定の閾値を越えない限り、それ
ぞれの配向状態にやはり維持されている。このよ
うな応答速度の速さと、双安定性が有効に実現さ
れるには、セルとしては出来るだけ薄い方が好ま
しく、一般的には、0.5μ〜20μ、特に1μ〜5μが適
してしる。この種の強誘電性液晶を用いたマトリ
クス電極構造を有する液晶−電気光学装置は、例
えばクラークとラガバルにより、米国特許第
4367924号明細書で提案されている。
以下、本実施例における強誘電液晶の駆動制御
について図面を参照して詳細に説明する。
まず第1図は本実施例の強誘電液晶の駆動装置
の全体構成を示すブロツク図である。
第1図において10は制御用A/Dコンバータ
内蔵のワンチツプマイクロコンピユータ(以下
CPUと呼ぶ)であり、該CPU10は、A/Dコ
ンバータ、RAM,ROM等のコンピユータの周
辺機器より構成されている。
11は文字情報入力用のキーボード或いは、文
字情報が所定モードで送出される外部機器等の文
字情報入力部である。
12は、液晶デイスプレイに表示されるキヤラ
クタ情報を記憶する為の外部RAMで、デイスプ
レイキヤラクタメモリである。
13は強誘電液晶を駆動するドライバー部であ
る。
14は強誘電液晶デイスプレイ部である。
又図示しないがCPU用電源と強誘電液晶駆動
用電源は別電源であり、同じく図示しないメイン
SWのONにより、CPU用電源、強誘電液晶駆動
用電源の順で各々へ供給されるものである。
第3図はドライバ部13の構成を示すブロツク
図である。
13−1は強誘電液晶デイスプレイ14のドラ
イバー13−3,13−4のアドレスを決定する
アドレスドライバである。
13−2はイメージのドツトデータであるコラ
ムデータをドライバー13−3に出力するコラム
データ回路である。該コラムデータは、CPU1
0よりコラムデータ回路13−2に出力される。
次に第4図a,b,cはCPU10内部メモリ
であるROM,RAMのメモリマツプを示した図
である。第4図dは、デイスプレイキヤラクタメ
モリ12のメモリマツプを示した図である。
第5図a,b、第6図は本実施例における
CPU10の制御動作を示すフローチヤート図で
あり、以下第5図a,b、第6図を参照して説明
する。
まず第5図aのstep501において、不図示の電
源がオンされるにともないI/Oポート、内部
RAM、デイスプレイキヤラクタメモリ12の初
期化を行い、第4図b,c,dに示すメモリ領域
がクリアされ初期化される。
次にstep502においてCPU内蔵の8チヤンネル
(入力)8bitのA/Dコンバータの起動をかける。
ところで本実施例のCPU10はA/D変換後
自動的に結果を保持するレジスターは4個であ
り、自動的にA/D変換を行ない保持されるチヤ
ンネル数は4チヤンネルであるため例えばAn0
〜An3,An4〜An7の2回に分けてソフト的
に処理をしなければならない。そこで、step502
においてまずAn0〜An3のA/D変換を起動す
るものである。又このA/D変換は4チヤンネル
の変換毎に割込が発生するためstep503において
A/D割込をEnableするものである。
次に図面上の説明としては少し話は飛ぶが動作
としては連続性があるため第6図のA/D割込処
理ルーチンの説明に入る。200μs毎にA/D割込
が入つて第6図に示すフローチヤートに処理が移
行する。そして第6図step601においてA/D変
換されたチヤンネルがAn0〜An3なのかAn4
〜An7なのかの判定を行なう。初回であれば第
5図a step502において指定されたAn0〜An
3チヤンネルであるため、判定はyesとなり第6
図step602へ進む。step602において保持されてい
るAn0〜An3のA/D変換結果を第4図cに示
す内部RAMのメモリ領域ADR0〜ADR3へ移
し変える。次にstep603においてAn4〜An7の
A/D変換を起動させ、step604においてA/D
割込をEnableにし、step605においてリターン命
令を実行し、割込がかかる以前のプログラムカウ
ンターの値をインクリメントする。つまり第5図
側のルーチンとしては連続的に処理が続けられる
ものである。又第6図step601における判定がNo
であつた場合、つまり偶数回目の割込になるAn
4〜An7がセレクトされていた時である。この
時はstep606へ進み、保持されているAn4〜An
7のA/D変換結果を第4図cに示す内部RAM
のメモリ領域ADR4〜ADR7へ移し変える。こ
れらの処理により第4図cに示す内部RAMのメ
モリ領域ADR0〜ADR7に強誘電液晶パネルの
各ポイントの温度情報が全て保持されたことにな
り、それ以降の温度情報を用いた処理が可能とな
る。従つてstep607においてはこの事を知らせる
ため第4図bに示す内部RAM、アドレス0のビ
ツト0の初期An0〜An7のA/D変換終了フラ
グ(ADEF)を1にする。
次にstep608においてAn0〜An3のA/D変
換を起動させ、step604、step605の各処理を行な
う、これらの事はCPU用の電源が入つている限
り、繰り返し行なわれる為、第4図cの内部
RAMのメモリ領域ADR0〜ADR7には常に新
しい温度情報が保持されているものである。
次に再び第5図aの説明に戻る。まず第5図a
step504においては上記において説明した第4
図bの内部RAMのアドレス0、ビツト0に割付
けられたADEFのチエツクを行ない、該フラクが
セツトされるまで繰り返しチエツクを行なう。そ
して該フラグのセツトにより次のstepへ進む。
step505において第4図b内部RAMのアドレス
0、ビツト2に割付けられた画面のクリアフラグ
(CLF)をセツトし、step506において、第4図b
の内部RAMのアドレス0、ビツト1に割付けら
れた書込フラグ(WRF)のセツトを行なう。こ
の2つのフラグセツトにより後述する処理により
強誘電液晶表示素子の初期化が行なわれるもので
ある。
次にstep507〜step512の間で要求に応じて第4
図dに示す外部RAMのデイスプレイ、キヤラク
タメモリ12の内容を書き変える。つまり第5図
a step507において、第1図に示すキーボード
或は外部機器からの要求を受け所定タイプで文字
情報を入力開始したり、step505,step506の画面
の初期化要求を受けるまで待機しているものであ
る。従つて第4図b内部RAM、アドレス0、ビ
ツト1の書込フラグのセツト状態も含む要求があ
れば次stepへ進む。step508において前述した第
4図b内部RAM、アドレス0、ビツト2の画面
クリアフラグ(CLF)のチエツクを行ない、当
該CFLがセツトされていればstep509において文
字情報をクリアするための値0を格納し、上記
CFLがセツトされていなければ、所定タイプで
入力された文字情報を保持しつつstep510へ進む。
step510においてキヤラクタデータのアドレス
データである第4図cの強誘電液晶マトリクスの
カラム・アドレス・データ(ACD)と強誘電液
晶マトリクスのロウ・アドレス・データ(ARD)
を加え、step511において、キヤラクタ・データ
をACD+ARD番地のデイスプレイ・キヤラク
タ・メモリ12に記憶する。なおアドレスデータ
は16進法で表わされている。
次にstep512においてACC+ARDを加えた番地
がデイスプレイ・キヤラクタメモリ12のエンドア
ドレス9C3(9C3=2500であり50文字X50文字に相
当する)かどうかをチエツクしエンドアドレスで
あればstep517に進み、エンドアドレスでなけれ
ばstep513に進む。
step513においてACDに1を加え、step514に
おいてキヤラクタデータの入力が50文字分完了し
たかどうかをACDが32であるかどうかをチエツ
クすることによつて行ない、ACDが32であれば
step515に進み、ACDが32でなければstep507に
戻つてキヤらクタ・データの入力を行う。
step515においてACDを0クリアし、step516
においてARDに32を加えてstep507に戻る。
強誘電液晶デスプレイ14の1画面分のキヤラ
クタ・データの入力が済んでstep512からstep517
に進むとstep517においてACDをstep518でARD
を0クリアする。この事はこれ以降のstepにおい
て書込を行なう際に第4図d外部RAMのデイス
プレイ・キヤラクタ・メモリ12の参照用アドレ
スとして用いるため先頭アドレスに値を戻すため
である。
次にstep519において、平均温度を求めるため、
強誘電液晶デイスプレイ14の周辺温度データで
ある第4図cの内部RAMのADR0〜ARD7を用
いて演算処理し、その結果となる平均温度データ
を第4図cの内部RAMのメモリ領域PDへ格納
する。又step520において上記step519により求め
られた平均温度データより、第4図aに示す内部
RAMのアドレス800〜BFFに割り付けられたΔT
用タイマーコードを参照しΔT用の時間データを
抽出し、第4図cの内部RAMのメモリ領域ΔT
へ格納する。この温度→ΔT変換は第2図に示す
強誘電液晶の各温度における駆動周波数・駆動電
圧を示す特性図を参照したものであり、第2図に
示す代表的な変換例を下記のTuble−1に示す。
この例は駆動電圧70V一定時の変換例で
【表】
ある。又温度検出の分解能としては0℃〜100℃
までを8ビツトのA/D変換をかけるため約0.4
℃となり、駆動信号のパルス巾ΔTの分解能は
1μsecとなつており、範囲としては1μsec〜
65.5msecまでをカバーできるものである。次に
step521ではアドレスデータであるACD+ARDに
よつて示される4図d外部RAMのデイスプレ
イ・キヤラクタ・メモリ12の番地から文字情報
を第14図aの内部ROM、アドレスCOOO〜
FFFに割付けられたキヤラクタ・コードを参照
しながら所定コードへ変換する。
次にstep522において上記所定コードを、CPU
10に内蔵のキララクタジエネレータによつてド
ツトデータであるコラムデータに変換し、
step523において、ACD+ARDのアドレスデータ
と上記コラムデータを第3図のアドレスコーダ1
3−1とコラム・データ回路13−2に出力す
る。
ここでアドレスデコーダ13−1に出力された
ACD+ARDのアドレスデータは、アドレスデコ
ーダ13−1によつてコラムデータに対応したア
ドレスデータに変換される。つまり1文字分のド
ツトは32×32ドツトで構成されており、上記
ACD+ARDのアドレスデータは、デイスプレイ
キヤラクタメモリ12のアドレスに対応した強誘
電液晶デイスプレイ14のドツトのアドレスデー
タであるドツトロウアドレスデータ(ARD′)と
ドツトコラムアドレスデータ(ARD′)に変換さ
れ、ACD′がドライバ13−3、ARD′がドライ
バ13−4に出力される。尚、デイスプレイ14
は縦横両方向に8ドツト/mmで構成されてい
る。
次にstep524において書き込み命令パルスが
CPU10よりアドレスデコーダ13−1にの出
力される。該書き込み命令パルスは上記step520
でΔTに格納した時間データに基づいてΔT時間
のパルス巾にCPU10によつて設定される。
アドレスデコータ13−1は書き込み命令パル
スに従つてΔT時間のパルス巾を持つた書き込み
信号をドライバー13−3,13−4に出力し、
キヤラクタデータの書き込みを行う。
次に第5図bのstep525に於て1文字のコラム
データの書き込みが行われたかどうかを判断し、
1文字の書き込みが終了していなければstep524
に戻つて書き込み命令パルスをアドレスデコーダ
13−1に出力し、以後1文字の書き込みが終了
するまで行い1文字の書き込みが終了すると
step526に進む。
上記step525で行う1文字の書き込み終了かど
うかの判断は、1文字分のコラムデータを書き込
む終了したときにアドレスデコーダからcpu10
に出力される書き込み終了信号をチエツクするこ
とによつて行われる。
次にstep526〜step530において、前記の
step512〜step516と同様にアドレスデータである
ACD,ARDをインクリメントする。
こうして1画面の全文字が強誘電液晶デイスプ
レイ14に書き込まれまでstep519〜step530が繰
り返され全文字の書き込みが終了するとstep526
からstep531に進む。
step531において、CLFをリセツトし、step532
においてWRFをリセツト、step533,step534で
ACD,ARDをそれぞれ0クリアしstep507に戻つ
て次の要求があるまで待機状態となる。
以上のように本実施例は強誘電液晶デイスプレ
イ14の画面温度を検出しその温度に応じて書き
込み信号のパルス巾を変え駆動制御を行うので温
度コントロールのためのヒータ等の外部装置を用
いる必要がなく装置を簡素化できコストの低減化
を達成できる。
又、上述の本実施例の応用として強誘電液晶デ
イスプレイを複数のブロツクに分け、そのブロツ
クごとの平均温度を検出し、その平均温度に応じ
てパルス巾を変え駆動制御を行うことも考えられ
る。そこで以下に他の実施例としてブロツクごと
の平均温度による強誘電液晶の駆動制御について
説明する。
全体構成としては第1図と第3図の本実施例の
場合と同じである。本実施例の場合と異なる点
は、第4図cのPDAn0〜An7の平均温度デー
タが第9図aのBPD1(An0,An6,An7の
平均温度データ)、BPD2(An4,An5,An6
の平均温度データ)、BPD3(An0,An1,An
2の平均温度データ)、BPD4(An2,An3,
An4の平均温度データ)となり、第4図dのデ
イスプレイ・キヤラクタメモリが第9図bに示す
BPD1,BPD2,BPD3,BPD4の4つのブロ
ツクに分けられる。
第10図a,bは、強誘電液晶デイスプレイ
を、複数のブロツクに分け、そのブロツク毎の平
均温度に応じてパルス巾を変え強電液晶デイスプ
レイを駆動制御する場合のCPU10の制御動作
を示すフローチヤート図である。
step′510〜step′518までは第5図aのstep501〜
step518までと同じであるので説明は省略する。
又第6図A/D変換割込みルーチンも、この他の
実施例の場合も200μs単位で割り込み発生する。
step′519において第9図a内部RAMのADR
0,ADR6,ADR7の温度データの平均値を
BPD1へ格納しstep′520において第9図aの内部
RAMのADR4,ARD5,ADR6の温度データ
の平均値をBPD2へ格納しstep′521において第9
図aの内部RAMのADR0,ADR1,ADR2の
温度データの平均値をBPD3へ格納し、step′522
において第9図aの内部RAMのADR2,ADR
3,ADR4の温度データの平均値をBPD4へ格
納する。
次にstep′523においてARDとACDのアドレス
データよりキヤラクタデータが上記BPD1〜
BPD4のどのブロツクに存しているかを選択し、
step′524においてキヤラクタデータが存している
ブロツクの平均温度データを本実施例の場合と同
様に時間データに変換してΔTに格納する。以下
のstep′525〜step′538までは第5図a,bの
step521〜step534までと同様に行い、そのブロツ
クの平均値温度データに応じて書き込み信号のパ
ルス巾が変えられ、強誘電液晶デイスプレイの駆
動制御が行われる。
この様に表示面の所定領域毎に平均値化された
温度データに従つて書き込み信号のパルス巾を変
えて強誘電液晶デイスプレイの駆動制御するので
より精度の高い表示駆動装置を提供できる。
尚、本実施例においては強誘電液晶を用いた表
示素子を例に説明したが、スイツチングのしきち
値が温度依存性を有し、しかも書き込み駆動信号
のパルス幅がスイツチングに寄与する表示素子に
は全て適用可能である。
〔効 果〕
以上説明した様に本発明によつて閾値の温度依
存性の大きい表示素子を駆動する際にヒーター等
による温度コントロールをする必要がなくなり、
又、駆動信号の電圧を変える必要もなくなること
によつて装置が簡素化できコストの低減化を達成
できる。 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a liquid crystal device, and particularly to a liquid crystal device for driving and controlling a display element whose threshold value is highly dependent on temperature. [Conventional example] Twisted using conventional Nematic liquid crystal
Nematic type or DSM type, as well as
The operating temperature range of the Cholesteric-Nematic phase transition type Gest-Host liquid crystal display element has expanded dramatically with the advancement of technology, and the problem of temperature compensation has been successfully reduced considerably. However, in the case of a ferroelectric liquid crystal element, the temperature dependence of the threshold value is large, as shown in FIG. Conventionally, when driving a ferroelectric liquid crystal element with such characteristics, the only option was to control the temperature of the cell itself, which resulted in a large device.
The situation was such that power consumption, etc., could not be ignored. [Objective] The object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the above-mentioned conventional examples and to provide a liquid crystal device that performs drive control for displaying a temperature-dependent display element without using equipment such as a temperature controller. It is in. [Summary of the Invention] The present invention provides: a. A pair of electrodes disposed at a distance, and a pair of electrodes disposed between the pair of electrodes, which are arranged in either one orientation state or the other orientation state depending on the polarity of the applied voltage. a liquid crystal panel having a ferroelectric liquid crystal that produces an oriented state; b a driving means for applying one polarity voltage or the other polarity voltage between the pair of electrodes; c temperature detection for detecting the temperature of the liquid crystal panel and outputting temperature data. means, d an analog-to-digital converter for converting the temperature data into digital data; a memory for storing the temperature data converted to digital data;
The pulse width table is stored in the memory and determines the pulse width of the one polarity voltage or the other polarity voltage depending on the temperature, and the pulse width table is compared with the temperature data converted to the digital data. a pulse width selection means for outputting pulse width data according to the temperature of the liquid crystal panel; A feature of the liquid crystal device is that the liquid crystal device includes a control means for starting application of a voltage or a voltage of the other polarity between the pair of electrodes in response to a write command signal instructing the start of the application. [Example] In the display driving device of this example, the ferroelectric liquid crystal used as a display element whose threshold value is highly temperature dependent has a first optical stable state and a second optical stable state depending on the applied electric field. A substance that is in either a physically stable state, that is, a bistable state with respect to an electric field, and in particular a liquid crystal having such properties, is used. As the ferroelectric liquid crystal having bistability used in this example, chiral smectic liquid crystal having ferroelectricity is most preferable, and among these, chiral smectic liquid crystal having C phase (SmC*) or H phase (SmH
*) LCDs are suitable. Regarding this ferroelectric liquid crystal, please refer to “LE LOURNAL DE PHYSIOUE”.
LETTERS” 36 (L-69) 1975. “Ferroelectric
“Liquid Crystals”; “Applied physics Letters”
36 (11) 1980, “Submicro Second Bistable
Electrooptic Switching in Liquid Crystals”;
It is described in "Solid State Physics" 16 (141) 1981 "Liquid Crystal", etc., and the ferroelectric liquid crystal disclosed in these can be used in this embodiment. More specifically, examples of the ferroelectric liquid crystal compounds used in this example include decyloxybenzylidene-P'-amino-2-methylbutylcinnamate (DOBAMBC), hexyloxybenzylidene-P'-amino- 2-chloropropyl cinnamate (HOBACPC) and 4-O-(2-methyl)
-butylresolcylidene-4'-octylaniline (MBRA8) and the like. When constructing an element using these materials, the liquid crystal compound changes depending on the temperature. For example, in the case of DOBAMBC, the phase transition is from an isotropic phase to a smectic A phase at about 117°C and to a chiral smectic C phase at about 93°C. This chiral smectic C phase exhibits ferroelectricity, but at about 61° C. it transitions to a lower phase. There are documents that say that the phase below the chiral smectic C phase is the chiral smectic I phase, the chiral smectic F phase, or the chiral smectic H phase, but in any case, the phase is It has also been confirmed that ferroelectricity is exhibited in . The transition temperature from the smectic A phase to the chiral smectic C phase is the Curie point. Below this Curie point, DOBAMBC has its molecular dipoles aligned and has spontaneous polarization.
It is known that its physical properties vary considerably depending on temperature. For example, if we define the tilt angle θ as the angle between the liquid crystal molecules and the normal to the layer (the layer is the same as the definition for the smectic phase), θ tends to increase as the temperature decreases below the Curie point. . The spontaneous polarization value Ps also has a dependence on temperature. It has been confirmed that (increases as the temperature decreases). It is known that the elastic constant and viscosity coefficient are also a function of temperature, and the response speed (response of the molecular dipole to an external electric field) and the critical electric field required to unwind the helical pitch also differ. These are known to vary widely in different phases, but within the same phase (for example, within the chiral smectic C phase, the
Even in the temperature range of These problems are not limited to DOBAMBC but are common to so-called ferroelectric liquid crystals. Moreover, these phenomena are the same even in a thin gap where bistability occurs (for example, 1 μm to 2 μm), and appear as a change in the threshold value for switching between two stable states. We have discovered that the switching threshold is not simply given by the DC peak value, but is given by the pulse width and the peak value. Therefore, in such a case, the gist of the present invention is to compensate for the temperature change by changing the pulse width of the display drive signal. The arrangement of ferroelectric liquid crystals within a cell will be explained below. In this embodiment, a cell substrate coated with polyimide resin and subjected to a rubbing treatment is used. FIG. 7 schematically depicts an example of a ferroelectric liquid crystal cell. 1 and 1′ are In 2 O 3 , SnO 2 and
A substrate (glass plate) coated with a transparent electrode such as ITO (Indium-Tin Oxide), between which a liquid crystal molecular layer 2 is oriented perpendicular to the glass surface.
SmC* phase liquid crystal is sealed. A thick line 3 represents a liquid crystal molecule, and this liquid crystal molecule 3 has a dipole moment (P⊥) 4 in a direction perpendicular to the molecule. When a voltage other than a certain threshold value is applied between the electrodes on the substrates 1 and 1', the helical structure of the liquid crystal molecules 3 is unraveled, and the liquid crystal molecules 3 are aligned so that all dipole moments (P⊥) 4 are directed in the direction of the electric field. Can change direction. The liquid crystal molecules 3 have an elongated shape and exhibit refractive index anisotropy in the long axis direction and the short axis direction. Therefore, for example, if polarizers are placed above and below the glass surface in a crossed nicol positional relationship with each other, polarizers can be placed above and below the glass surface. For example, a liquid crystal optical modulation element whose optical properties change depending on the polarity of applied voltage is
easily understood. Furthermore, when the thickness of the liquid crystal cell is made sufficiently thin (for example, 1μ), the helical structure of the liquid crystal molecules unwinds (non-helical structure) even when no electric field is applied, as shown in Figure 8, and its bipolar structure The child moment P or P' is either upward (4a) or downward (4b). As shown in FIG. 8, when an electric field E or E' of different polarity above a certain threshold value is applied to the cell for a predetermined period of time, the dipole moment will be directed upward 4a or 4a corresponding to the electric field vector of the electric field E or E'. The orientation is changed from the downward direction 4b, and accordingly the liquid crystal molecules are aligned in either the first alignment state 5 or the second alignment state 5'. There are two advantages to using such a ferroelectric liquid crystal as an optical modulation element. Firstly, the response speed is extremely fast, and secondly, the alignment of liquid crystal molecules has a bistable state. The second point will be explained with reference to FIG. 8, for example. When the electric field E is applied, the liquid crystal molecules are aligned in the first alignment state 5, and this state remains stable even when the electric field is turned off. Further, when an electric field E' in the opposite direction is applied, the liquid crystal molecules are aligned to the second alignment state 5' and the orientation of the molecules is changed, but they remain in this state even after the electric field is turned off. or,
As long as the applied electric field E does not exceed a certain threshold value, each orientation state is maintained. In order to effectively realize such fast response speed and bistability, it is preferable for the cell to be as thin as possible, and in general, 0.5μ to 20μ, especially 1μ to 5μ is suitable. . A liquid crystal-electro-optical device having a matrix electrode structure using this type of ferroelectric liquid crystal is disclosed in US Pat.
It is proposed in the specification of No. 4367924. Hereinafter, drive control of the ferroelectric liquid crystal in this embodiment will be explained in detail with reference to the drawings. First, FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of a ferroelectric liquid crystal driving device according to this embodiment. In Figure 1, 10 is a one-chip microcomputer with a built-in A/D converter for control (hereinafter referred to as
The CPU 10 is composed of computer peripherals such as an A/D converter, RAM, and ROM. Reference numeral 11 denotes a keyboard for inputting character information or a character information input section of an external device to which character information is sent in a predetermined mode. 12 is an external RAM for storing character information displayed on the liquid crystal display, which is a display character memory. 13 is a driver section that drives the ferroelectric liquid crystal. 14 is a ferroelectric liquid crystal display section. Also, although not shown, the power supply for the CPU and the power supply for driving the ferroelectric liquid crystal are separate power supplies, and the main power supply is also not shown.
When the SW is turned on, power is supplied to the CPU and then to the ferroelectric liquid crystal drive in that order. FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the driver section 13. Reference numeral 13-1 is an address driver that determines the addresses of drivers 13-3 and 13-4 of the ferroelectric liquid crystal display 14. A column data circuit 13-2 outputs column data, which is image dot data, to the driver 13-3. The column data is CPU1
0 is output to the column data circuit 13-2. Next, FIGS. 4a, b, and c are diagrams showing memory maps of ROM and RAM, which are internal memories of the CPU 10. FIG. 4d shows a memory map of the display character memory 12. Figures 5a, b, and 6 are in this example.
This is a flowchart diagram showing the control operation of the CPU 10, which will be described below with reference to FIGS. 5a and 5b and FIG. 6. First, in step 501 of FIG. 5a, as the power (not shown) is turned on, the I/O port and internal
The RAM and display character memory 12 are initialized, and the memory areas shown in FIG. 4b, c, and d are cleared and initialized. Next, in step 502, the 8-channel (input) 8-bit A/D converter built into the CPU is activated. By the way, in the CPU 10 of this embodiment, there are four registers that automatically hold the results after A/D conversion, and the number of channels that are automatically held after A/D conversion is four, so for example, An0
~An3 and An4~An7 must be processed in software. Therefore, step502
First, A/D conversion of An0 to An3 is activated. Furthermore, since an interrupt occurs in this A/D conversion every four channels of conversion, the A/D interrupt is enabled in step 503. Next, although the explanation on the drawings is a little off topic, since the operation is continuous, we will now explain the A/D interrupt processing routine in FIG. 6. An A/D interrupt occurs every 200 μs, and the process shifts to the flowchart shown in FIG. Then, in step 601 of Fig. 6, the A/D converted channels are An0 to An3 or An4.
~Determine whether it is An7. If it is the first time, An0 to An specified in step 502 in Figure 5a.
Since there are 3 channels, the decision is yes and the 6th
Proceed to figure step 602. The A/D conversion results of An0 to An3 held in step 602 are transferred to memory areas ADR0 to ADR3 of the internal RAM shown in FIG. 4c. Next, in step 603, A/D conversion of An4 to An7 is started, and in step 604, A/D conversion is started.
Enable interrupts, execute a return instruction in step 605, and increment the value of the program counter before the interrupt occurs. In other words, the routine shown in FIG. 5 continues processing continuously. Also, the judgment in step 601 of Figure 6 is No.
, that is, an even-numbered interrupt occurs.
4 to An7 were selected. At this time, proceed to step 606, and the held An4 to An
Figure 4c shows the A/D conversion results of 7 in the internal RAM.
to the memory areas ADR4 to ADR7. Through these processes, all the temperature information of each point of the ferroelectric liquid crystal panel is retained in the memory areas ADR0 to ADR7 of the internal RAM shown in Figure 4c, and subsequent processing using the temperature information is possible. Become. Therefore, in step 607, in order to notify this, the A/D conversion completion flag (ADEF) of initial An0 to An7 of bit 0 of address 0 in the internal RAM shown in FIG. 4B is set to 1. Next, in step 608, A/D conversion of An0 to An3 is started, and each process of step 604 and step 605 is performed. Since these steps are repeated as long as the power for the CPU is turned on, the inside of Fig. 4c is
New temperature information is always held in memory areas ADR0 to ADR7 of the RAM. Next, we return to the explanation of FIG. 5a. First, Figure 5a
In step504, the fourth
The ADEF assigned to address 0, bit 0 of the internal RAM in FIG. b is checked, and the check is repeated until the flag is set. Then, by setting the flag, the process proceeds to the next step.
In step 505, the screen clear flag (CLF) assigned to address 0, bit 2 of the internal RAM in Fig. 4b is set, and in step 506, the clear flag (CLF) in Fig. 4b is set.
Sets the write flag (WRF) assigned to address 0, bit 1 of the internal RAM. By setting these two flags, the ferroelectric liquid crystal display element is initialized by a process described later. Next, between step 507 and step 512, the fourth
The contents of the external RAM display and character memory 12 shown in FIG. d are rewritten. In other words, in step 507 of Fig. 5a, the system waits until it receives a request from the keyboard or external device shown in Fig. 1 and starts inputting character information in a predetermined type, or receives a request to initialize the screen in steps 505 and 506. It is something. Therefore, if there is a request including the set state of the write flag of the internal RAM of FIG. 4b, address 0, bit 1, the process advances to the next step. In step 508, the screen clear flag (CLF) at address 0, bit 2 in the internal RAM shown in Figure 4b is checked, and if the CFL is set, the value 0 is stored in step 509 to clear the character information. ,the above
If CFL is not set, the process advances to step 510 while retaining the character information input in the predetermined type. In step 510, the column address data (ACD) of the ferroelectric liquid crystal matrix shown in FIG. 4c, which is the address data of the character data, and the row address data (ARD) of the ferroelectric liquid crystal matrix
is added, and in step 511, the character data is stored in the display character memory 12 at address ACD+ARD. Note that address data is expressed in hexadecimal notation. Next, in step 512, it is checked whether the address obtained by adding ACC + ARD is the end address 9C3 (9C3 = 2500, which corresponds to 50 characters x 50 characters) of the display character memory 12. If it is the end address, proceed to step 517, and the end address Otherwise, proceed to step 513. In step 513, add 1 to ACD, and in step 514, check whether input of character data has been completed for 50 characters by checking whether ACD is 32. If ACD is 32,
Proceed to step 515, and if ACD is not 32, return to step 507 to input character data. Clear ACD to 0 in step 515, step 516
Add 32 to ARD and return to step 507. After entering the character data for one screen of the ferroelectric liquid crystal display 14, proceed from step 512 to step 517.
Proceed to step 517 to ACD and step 518 to ARD
Clear to 0. This is to return the value to the top address for use as a reference address in the display character memory 12 of the external RAM (FIG. 4d) when writing in subsequent steps. Next, in step 519, to find the average temperature,
The peripheral temperature data of the ferroelectric liquid crystal display 14 is processed using ADR0 to ARD7 of the internal RAM shown in Fig. 4c, and the resulting average temperature data is stored in the memory area PD of the internal RAM shown in Fig. 4c. do. Also, in step 520, based on the average temperature data obtained in step 519 above, the internal temperature shown in Figure 4 a is
ΔT assigned to RAM address 800 to BFF
The time data for ΔT is extracted by referring to the timer code for
Store in. This temperature → ΔT conversion is performed with reference to the characteristic diagram showing the driving frequency and driving voltage at each temperature of the ferroelectric liquid crystal shown in Figure 2.A typical conversion example shown in Figure 2 is shown in Tube-1 below. Shown below.
This example is a conversion example when the drive voltage is constant at 70V. Also, the resolution of temperature detection is 0°C to 100°C.
Approximately 0.4
℃, and the resolution of the drive signal pulse width ΔT is
It is 1μsec, and the range is 1μsec ~
It can cover up to 65.5msec. next
In step 521, the character information is transferred from the address of the display character memory 12 of the external RAM shown in FIG.
Convert to the specified code while referring to the character code assigned to FFF. Next, in step 522, the above specified code is
10 is converted into column data, which is dot data, by the built-in glitter generator.
In step 523, the address data of ACD + ARD and the above column data are transferred to the address coder 1 in Figure 3.
3-1 and the column data circuit 13-2. Here, it is output to address decoder 13-1.
The address data of ACD+ARD is converted by the address decoder 13-1 into address data corresponding to column data. In other words, one character's worth of dots is composed of 32 x 32 dots, and the above
The address data of ACD + ARD is converted into dot row address data (ARD') and dot column address data (ARD'), which are address data of dots on the ferroelectric liquid crystal display 14 corresponding to the address of the display character memory 12, and ' is output to the driver 13-3, and ARD' is output to the driver 13-4. In addition, display 14
is composed of 8 dots/mm in both the vertical and horizontal directions. Next, in step 524, the write command pulse is
The CPU 10 outputs the address to the address decoder 13-1. The write command pulse is in step 520 above.
The pulse width of the ΔT time is set by the CPU 10 based on the time data stored in the ΔT. The address decoder 13-1 outputs a write signal having a pulse width of ΔT time to the drivers 13-3 and 13-4 in accordance with the write command pulse,
Write character data. Next, in step 525 of FIG. 5b, it is determined whether one character of column data has been written,
If one character has not been written yet, step 524
Returns to and outputs a write command pulse to the address decoder 13-1, and continues until writing of one character is completed.
Proceed to step 526. The judgment as to whether writing of one character is completed in step 525 above is made by the address decoder when the writing of column data for one character is completed.
This is done by checking the write end signal output to the write end signal. Next, in steps 526 to 530, the above
Like step512 to step516, it is address data.
Increment ACD and ARD. In this way, steps 519 to 530 are repeated until all the characters on one screen are written to the ferroelectric liquid crystal display 14, and when all the characters have been written, step 526
Proceed to step 531. In step 531, reset CLF, and in step 532
Reset WRF in step 533 and step 534.
The ACD and ARD are each cleared to 0, and the process returns to step 507 to wait until the next request is received. As described above, this embodiment detects the screen temperature of the ferroelectric liquid crystal display 14 and performs drive control by changing the pulse width of the write signal according to the temperature, so it is not necessary to use an external device such as a heater for temperature control. It is possible to simplify the equipment and reduce costs. Further, as an application of the present embodiment described above, it is also possible to divide the ferroelectric liquid crystal display into a plurality of blocks, detect the average temperature of each block, and perform drive control by changing the pulse width according to the average temperature. Therefore, as another embodiment, drive control of a ferroelectric liquid crystal based on the average temperature of each block will be described below. The overall configuration is the same as that of the present embodiment shown in FIGS. 1 and 3. The difference from this example is that the average temperature data of PDAn0 to An7 in FIG.
average temperature data), BPD3 (An0, An1, An
2 average temperature data), BPD4 (An2, An3,
An4 average temperature data), and the display character memory in Figure 4 d is shown in Figure 9 b.
It is divided into four blocks: BPD1, BPD2, BPD3, and BPD4. 10a and 10b are flowcharts showing the control operation of the CPU 10 when the ferroelectric liquid crystal display is divided into a plurality of blocks and the pulse width is changed according to the average temperature of each block to drive and control the ferroelectric liquid crystal display. It is a diagram. Step'510~step'518 is from step501~a in Figure 5a.
Since it is the same as up to step 518, the explanation will be omitted.
Also in the A/D conversion interrupt routine shown in FIG. 6 and in other embodiments, interrupts occur in units of 200 μs. In step'519, ADR of the internal RAM in Fig. 9a
Average value of temperature data of 0, ADR6, ADR7
Store it in BPD1 and in step'520, the inside of Figure 9 a
The average value of temperature data of ADR4, ARD5, and ADR6 of RAM is stored in BPD2, and the 9th temperature data is stored in step'521.
Store the average value of temperature data of ADR0, ADR1, and ADR2 of internal RAM in figure a to BPD3, and step'522
ADR2, ADR of the internal RAM in Figure 9a
3. Store the average value of temperature data of ADR4 to BPD4. Next, in step'523, the character data is set from the address data of ARD and ACD to the above BPD1~
Select which block of BPD4 it resides in,
In step '524, the average temperature data of the block in which character data exists is converted into time data and stored in ΔT, as in the case of this embodiment. The steps from step'525 to step'538 below are shown in Figure 5 a and b.
The same steps as steps 521 to 534 are performed, and the pulse width of the write signal is changed according to the average temperature data of the block, and the drive control of the ferroelectric liquid crystal display is performed. In this way, since the drive of the ferroelectric liquid crystal display is controlled by changing the pulse width of the write signal in accordance with the temperature data averaged for each predetermined region of the display surface, a display drive device with higher precision can be provided. In this example, a display element using a ferroelectric liquid crystal was explained as an example, but the switching threshold value is temperature dependent, and the pulse width of the write drive signal contributes to switching. are all applicable. [Effect] As explained above, the present invention eliminates the need for temperature control using a heater or the like when driving a display element whose threshold value is highly dependent on temperature.
Furthermore, since there is no need to change the voltage of the drive signal, the device can be simplified and costs can be reduced.
第1図は本実施例の全体構成を示すブロツク図
である。第2図は強誘電液晶の図示する各温度に
おける駆動周波数・駆動電圧を示す特性図であ
る。第3図は強誘電液晶のトライバー部13の詳
細なブロツク図である。第4図a,b,cは
CPU10の内部ROM,RAMのメモリマツプを
示す図である。第4図dはデイスプレイキヤラク
タメモリ12を示した図である。第5図a,bは
本実施例のCPU10の制御を示すフローチヤー
ト図である。第6図はA/D変換割込処理ルーチ
ンを示した図である。第7図、第8図は強誘電液
晶の概念図である。第9図aは他の実施例の
CPU10の内部RAMのメモリ内容を示す図であ
る。第9図bは他の実施例のデイスプレイキヤラ
クタメモリを示した図である。第10図a,bは
他の実施例のCPU10の制御を示すフローチヤ
ート図である。
10はCPU、11は文字情報入力部、12は
デイスプレイキヤラクタメモリ、13はドライバ
ー部、14は強誘電性液晶デイスプレイ、AN0
〜AN7はA/D変換チヤンネル、Th1〜Th8
は温度センサである。
FIG. 1 is a block diagram showing the overall configuration of this embodiment. FIG. 2 is a characteristic diagram showing the driving frequency and driving voltage of the ferroelectric liquid crystal at each temperature shown. FIG. 3 is a detailed block diagram of the tribar section 13 of the ferroelectric liquid crystal. Figure 4 a, b, c are
3 is a diagram showing a memory map of internal ROM and RAM of the CPU 10. FIG. FIG. 4d is a diagram showing the display character memory 12. FIGS. 5a and 5b are flowcharts showing the control of the CPU 10 of this embodiment. FIG. 6 is a diagram showing an A/D conversion interrupt processing routine. 7 and 8 are conceptual diagrams of a ferroelectric liquid crystal. Figure 9a shows another embodiment.
3 is a diagram showing the memory contents of internal RAM of the CPU 10. FIG. FIG. 9b is a diagram showing a display character memory according to another embodiment. FIGS. 10a and 10b are flowcharts showing the control of the CPU 10 in another embodiment. 10 is a CPU, 11 is a character information input section, 12 is a display character memory, 13 is a driver section, 14 is a ferroelectric liquid crystal display, AN0
~AN7 is A/D conversion channel, Th1~Th8
is a temperature sensor.
Claims (1)
一対の電極間に配置した、印加電圧の極性に応
じて一方の配向状態と他方の配向状態の何れか
一方の配向状態を生じる強誘電性液晶を有する
液晶パネル、 b 前記一対の電極間に一方極性電圧又は他方極
性電圧を印加する駆動手段、 c 前記液晶パネルの温度を検知し、温度データ
を出力する温度検知手段、 d 前記温度データをデジタルデータに変換する
アナログ・デジタル変換器、該デジタルデータ
に変換された温度データを格納するメモリー、
該メモリー内に格納され、温度に応じた前記一
方極性電圧又は他方極性電圧のパルス幅を定め
るパルス幅テーブルとを有し、該パルス幅テー
ブルと前記デジタルデータに変換された温度デ
ータとを比較することによつて、液晶パネルの
温度に応じたパルス幅データを出力するパルス
幅選定手段、並びに e 前記パルス幅選定手段から出力されるパルス
幅データに応じて変更されたパルス幅をもつ前
記一方極性電圧又は他方極性電圧の前記一対の
電極間への印加を、該印加の開始を命令する書
込み命令信号により開始させる制御手段 を有する液晶装置。[Scope of Claims] 1 a A pair of electrodes arranged at a distance, and an orientation state of either one orientation state or the other orientation state, which is arranged between the pair of electrodes, depending on the polarity of the applied voltage. a liquid crystal panel having a ferroelectric liquid crystal that produces a ferroelectric liquid crystal, b. a driving means for applying one polarity voltage or the other polarity voltage between the pair of electrodes, c. a temperature detection means for detecting the temperature of the liquid crystal panel and outputting temperature data; d an analog-to-digital converter that converts the temperature data into digital data; a memory that stores the temperature data converted to digital data;
The pulse width table is stored in the memory and determines the pulse width of the one polarity voltage or the other polarity voltage depending on the temperature, and the pulse width table is compared with the temperature data converted to the digital data. a pulse width selection means for outputting pulse width data according to the temperature of the liquid crystal panel, and e. said one polarity having a pulse width changed according to the pulse width data output from said pulse width selection means A liquid crystal device comprising a control means for starting application of a voltage or a voltage of the other polarity between the pair of electrodes in response to a write command signal instructing the start of the application.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8667885A JPS61245140A (en) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | Driving device |
| US07/287,657 US4923285A (en) | 1985-04-22 | 1988-12-21 | Drive apparatus having a temperature detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8667885A JPS61245140A (en) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | Driving device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61245140A JPS61245140A (en) | 1986-10-31 |
| JPH0446408B2 true JPH0446408B2 (en) | 1992-07-29 |
Family
ID=13893677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8667885A Granted JPS61245140A (en) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | Driving device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61245140A (en) |
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| JP2612267B2 (en) * | 1987-03-31 | 1997-05-21 | キヤノン株式会社 | Display control device |
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-
1985
- 1985-04-22 JP JP8667885A patent/JPS61245140A/en active Granted
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003041043A1 (en) * | 2001-11-09 | 2003-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
| US7592995B2 (en) | 2001-11-09 | 2009-09-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61245140A (en) | 1986-10-31 |
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