JPH0448116B2 - - Google Patents
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- JPH0448116B2 JPH0448116B2 JP60246516A JP24651685A JPH0448116B2 JP H0448116 B2 JPH0448116 B2 JP H0448116B2 JP 60246516 A JP60246516 A JP 60246516A JP 24651685 A JP24651685 A JP 24651685A JP H0448116 B2 JPH0448116 B2 JP H0448116B2
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- polymer liquid
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、書替可能な情報多値記録方式に関す
るものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a rewritable information multilevel recording system.
(従来の技術)
従来、書替可能な情報記録方式として、光磁気
記録方式、無機系材料の相変化を利用した方式が
知られている。(Prior Art) Conventionally, magneto-optical recording methods and methods utilizing phase change of inorganic materials are known as rewritable information recording methods.
光磁気記録方式では媒体中のスピンの方向を外
部磁場により制御し、カー効果又はフアラデー効
果を利用してわずかな偏光方向の回転を検知する
方式である。 In the magneto-optical recording method, the direction of spin in the medium is controlled by an external magnetic field, and a slight rotation of the polarization direction is detected using the Kerr effect or the Faraday effect.
無機系材料の相変化を利用した方式は、熱印加
後の急冷・徐冷の差によつて前記材料に結晶−結
晶転移あるいは結晶−アモルフアス転移を生じせ
しめ、それに伴なう反射率変化が利用されてい
る。 Methods that utilize phase changes in inorganic materials produce crystal-crystal transitions or crystal-amorphous transitions in the materials due to the difference between rapid cooling and slow cooling after heat application, and utilize the accompanying change in reflectance. has been done.
この他に、S/N比の向上、製造コストの低廉
化を目的として、高分子液晶を記録層として使
い、書き込みに一定の光エネルギー密度を使つた
情報記録方式が特開昭59−10930公報および特開
昭59−35989号公報の中において提案されている。 In addition, for the purpose of improving the S/N ratio and reducing manufacturing costs, an information recording method using polymeric liquid crystal as a recording layer and using a constant optical energy density for writing was published in Japanese Patent Application Laid-Open No. 59-10930. and JP-A-59-35989.
かかる方式においては、液晶基の均一配向状態
と無配向状態における反射率変化を利用してい
る。 In this method, changes in reflectance between the uniformly oriented state and the non-oriented state of the liquid crystal groups are utilized.
(発明が解決しようとする問題点)
情報化社会になるに伴い、高い記録密度を有す
る情報媒体ならびに方式が望まれるが、記録密度
は現在使用可能な光ビームの波長によるビーム径
の広がりはおよそ1μmに制限されており、前記の
二状態を用いた記録方式の最高記録密度が
109BPI2である。本発明はこの記録密度をさらに
向上させるための方式として1つの記録スポツト
に多値状態として情報を記録する方式を提供する
ものである。この際、光磁気記録方式では、スピ
ンの反転を利用しており、その場合の回転角も小
さく、S/Nが小さいためこれを応用しての多値
化は困難である。また、相変化媒体を利用した方
式では、相転移温度領域がせまいため、その領域
での中間的な反射率変化を利用した多値化は困難
である。(Problems to be Solved by the Invention) As we become an information society, information media and systems with high recording density are desired, but the recording density is limited by the beam diameter spread depending on the wavelength of currently available light beams. 1μm, and the maximum recording density of the above two-state recording method is
10 9 BPI 2 . The present invention provides a method for recording information in a multivalued state in one recording spot as a method for further improving this recording density. At this time, in the magneto-optical recording method, spin reversal is used, and the rotation angle is small in this case, and the S/N ratio is small, so it is difficult to apply this to multi-value recording. In addition, in the method using a phase change medium, the phase transition temperature region is narrow, so it is difficult to perform multi-leveling using intermediate reflectance changes in that region.
そこで適度な粘度があるため中間状態が制御で
きる高分子液晶、特にブラツク反射が利用できる
コレステリツク性高分子液晶、これはコレステリ
ールを含む液晶およびカイラルネマチツクな高分
子液晶を示すが、これを用いて照射光エネルギー
のエネルギー密度をすくなくとも2つ以上に多値
的に制御することにより記録密度の向上を図るも
のである。 Therefore, polymer liquid crystals that have an appropriate viscosity and can control the intermediate state, especially cholesteric polymer liquid crystals that can utilize black reflection, which refers to cholesteryl-containing liquid crystals and chiral nematic polymer liquid crystals, are used. The recording density is improved by controlling the energy density of the irradiated light energy to at least two or more values in a multivalued manner.
(問題を解決するための手段)
光ビームの照射により、支持体上に形成したコ
レステリツク性高分子液晶層に情報を記録する光
記録方式において光ビームの照射エネルギー密度
を少なくとも2種以上に多値的に制御し、前記光
ビームの照射エネルギー密度に対応したコレステ
リツク性高分子液晶のラセンピツチ長又はラセン
軸の傾きを変えるかもしくは無配向状態あるいは
ピツトを形成することで前記コレステリツク性高
分子液晶層の光反射率を多値的に変化せしめて情
報を記録することを特徴とする光記録方式であ
る。(Means for solving the problem) In an optical recording method in which information is recorded on a cholesteric polymer liquid crystal layer formed on a support by irradiation with a light beam, the irradiation energy density of the light beam is multivalued into at least two types. of the cholesteric polymer liquid crystal layer by controlling the helical pitch length or the inclination of the helical axis of the cholesteric polymer liquid crystal corresponding to the irradiation energy density of the light beam, or by forming a non-oriented state or pits. This is an optical recording method characterized by recording information by changing the light reflectance multi-valued.
(作 用)
本発明において、コレステリツク性高分子液晶
を記録層として含む光記録媒体に種々のエネルギ
ー密度を持つ光ビームパルスを照射した。第1図
は照射した光エネルギー密度に対する反射率の変
化特性を示す。反射率変化のしきい値は25mJ/
cm2であり、これから65mJ/cm2の範囲で反射率は
増加を示す。65mJ/cm2以上の光エネルギーで急
激に反射率が減少している。これら反射率の変化
はパルス照射後も保存される。以上の事が我々の
実験で判明した。(Function) In the present invention, an optical recording medium containing a cholesteric polymer liquid crystal as a recording layer was irradiated with light beam pulses having various energy densities. FIG. 1 shows the change characteristics of reflectance with respect to the energy density of irradiated light. The threshold for reflectance change is 25mJ/
cm 2 , and the reflectance increases in the range of 65 mJ/cm 2 . The reflectance decreases rapidly at light energy of 65 mJ/cm 2 or more. These reflectance changes are preserved even after pulse irradiation. The above was revealed through our experiments.
この現象は、次のメカニズムに依ると考えられ
る。すなわち、光ビームの照射による光エネルギ
ーが光吸収体により熱エネルギーに変換され、こ
れによりコレステリツク性高分子液晶の温度が上
昇する。コレステリツク性高分子液晶のコレステ
リツクピツチが温度により変化する事が知られて
いるから、このコレステリツクピツチの変化によ
り、コレステリツクピツチに基づく選択反射スペ
クトルのシフトが反射率の変化に寄与すると考え
られる。 This phenomenon is thought to be due to the following mechanism. That is, the light energy generated by the irradiation of the light beam is converted into thermal energy by the light absorber, thereby increasing the temperature of the cholesteric polymer liquid crystal. Since it is known that the cholesteric pitch of cholesteric polymer liquid crystals changes with temperature, it is thought that a shift in the selective reflection spectrum based on the cholesteric pitch will contribute to changes in reflectance due to changes in cholesteric pitch. .
第1図において、エネルギー密度が25mJ/cm2
から65mJ/cm2にかけて反射率が増大している領
域がある。この領域においては、選択反射スペク
トルがレツドシフトしていることが顕微鏡観察に
より判明している。これにより、用いたコレステ
リツク性高分子液晶の室温における選択反射最大
波長λMAX570nmがレツドシフトし、長波長側の光
を用いての反射率が増して、反射率測定に用いた
レーザダイオードの波長830nmでの反射率が増加
したものと考えられる。 In Figure 1, the energy density is 25mJ/cm 2
There is a region where the reflectance increases from 65 mJ/cm 2 to 65 mJ/cm 2 . Microscopic observation has revealed that the selective reflection spectrum is red-shifted in this region. As a result, the maximum selective reflection wavelength λ MAX 570 nm at room temperature of the cholesteric polymer liquid crystal used was red-shifted, and the reflectance using light on the long wavelength side increased, so that the wavelength of the laser diode used for reflectance measurement was 830 nm. This is thought to be due to an increase in the reflectance at .
選択反射最大波長λMAXとコレステリツクピツチ
との間にはλMAX=n・Pの関係があり、屈折率n
は1.5で温度変化しないとすると、前記レツドシ
フトはコレステリツクピツチの増大によるものと
考えられる。 There is a relationship between the maximum selective reflection wavelength λ MAX and the cholesteric pitch, and the refractive index n
Assuming that 1.5 and no temperature change, the red shift is considered to be due to an increase in cholesteric pitch.
このピツチの増大は光ビームの照射が終わると
照射スポツトとその周囲部との温度差のため急冷
されることにより、固定化される。従つてピツチ
の増大の固定化によつて反射率の増大も保存され
る。 This increase in pitch is fixed by rapid cooling due to the temperature difference between the irradiation spot and its surroundings after the irradiation of the light beam is completed. By fixing the increase in pitch, therefore, the increase in reflectance is also preserved.
次に、第1図において、エネルギー密度が
65mJ/cm2以上の領域において反射率の急激な減
少が見られている。得られたスポツトの顕微鏡観
察によれば、このスポツトはピツト形状をし、反
射率が低いことが判明している。 Next, in Figure 1, the energy density is
A sharp decrease in reflectance is observed in the region of 65 mJ/cm 2 or more. According to microscopic observation of the obtained spot, it has been found that this spot has a pit shape and has a low reflectance.
この事から、光エネルギー密度が65mJ/cm2以
上の領域では粘度の低下による流動が起つてピツ
トが形成され、同時にらせん軸の変化に伴う無配
向化が起り選択反射率の低下が起つていると考え
られる。 From this, in the region where the optical energy density is 65 mJ/cm 2 or more, flow occurs due to the decrease in viscosity and pits are formed, and at the same time non-orientation occurs due to changes in the helical axis, resulting in a decrease in selective reflectance. it is conceivable that.
このピツト形成および無配向化によつて反射率
測定に用いたレーザタイオードの波長830nmにお
いても反射率の低下をもたらしているものと考え
られる。 It is thought that this pit formation and non-orientation cause a decrease in reflectance even at the wavelength of 830 nm of the laser diode used for reflectance measurement.
この領域においてもピツトおよび無配向は急冷
により保存されている。 Even in this region, pits and non-orientation are preserved by rapid cooling.
以上述べたように各照射光エネルギー密度によ
つて反射率の異なる状態が保持される。 As described above, different states of reflectance are maintained depending on the energy density of each irradiated light.
これにより、照射光エネルギー密度を多値的に
制御する事によつて前記光記録媒体の光反射率を
多値的に変化せしめて情報を記録することが可能
となる。 Thereby, by controlling the energy density of the irradiated light in a multivalued manner, it becomes possible to record information by changing the light reflectance of the optical recording medium in a multivalued manner.
次に情報の消去について述べる。前記の如く作
製した照射スポツトの記録点を再加熱し、これは
記録媒体全体でもそのスポツトのみでもよいが、
徐冷すると前記照射スポツトの反射率は周囲のそ
れと同じになり、また初めの反射率と同一となる
ことが判明した。 Next, we will discuss erasing information. The recording point of the irradiation spot prepared as described above is reheated, and this may be the entire recording medium or just that spot.
It has been found that upon gradual cooling, the reflectance of the irradiated spot becomes the same as that of the surrounding area, and is also the same as the initial reflectance.
これは再加熱徐冷中にコレステリツク性高分子
液晶が所定の再配向をするからだと考えられ、こ
れにより反射率は初期の状態にもどり情報は消去
されたことになると同時に再書き込みすなわち書
き替えが可能となる。 This is thought to be because the cholesteric polymer liquid crystal undergoes a predetermined reorientation during reheating and slow cooling, and as a result, the reflectance returns to its initial state, meaning that the information is erased and can be rewritten or rewritten. Become.
書き替え方法は前に述べた初めの書き込み方法
と同じ方法で行なえる。 The rewriting method can be performed in the same manner as the initial writing method described above.
(実施例)
次に第1図から第3図を参照して本発明の実施
例について説明する。(Example) Next, an example of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
第1図は一実施例に用いたコレステリツク性高
分子液晶(第3図に示す)に光ビームを照射した
際の光エネルギー密度に対して得られた反射率変
化を示す図である。ここで光ビームは80μs巾のパ
ルス光であり波長830nmのレーザダイオードを用
いている。 FIG. 1 is a diagram showing the change in reflectance obtained with respect to the optical energy density when the cholesteric polymer liquid crystal (shown in FIG. 3) used in one example was irradiated with a light beam. Here, the light beam is pulsed light with a width of 80 μs, and a laser diode with a wavelength of 830 nm is used.
光ビームのエネルギー密度25mJ/cm2が書き込
みエネルギーのしきい値であり、これから
65mJ/cm2までの範囲が反射率が増加している。
65mJ/cm2以上のエネルギー密度を与えると反射
率が減少している。スポツト径は10μmである。 The energy density of the light beam is 25 mJ/ cm2 , which is the threshold for writing energy.
The reflectance increases in the range up to 65mJ/ cm2 .
When an energy density of 65 mJ/cm 2 or more is applied, the reflectance decreases. The spot diameter is 10 μm.
次に実施例についての媒体について孫2図を用
いて説明する。 Next, the medium for the embodiment will be explained using Figure 2.
支持体基板1上に光呼吸体3として酸化バナジ
ウム膜を蒸着し、この上にコレステリツク性高分
子液晶5をスピンコートして付けている。それか
らエアーギヤツプ層9を有するエアーギヤツプセ
ルとするためスペーサ7および透明な保護板11
を用いる。この上に円編光板15を設ける。書き
込み読み取りには、従来用いられているDRAW
型の光ヘツドを使用すれば良い。但し光ビーム1
3が円遍光されていて、その回転方向はコレステ
リツク性高分子液晶のらせん回転方向と一致して
いる事が望ましい。なぜならばコレステリツク性
高分子液晶の選択反射はそのらせん回転方向と同
一の回転方向を持つ光に対してだけ有効であるか
らである。 A vanadium oxide film is deposited as a photorespirator 3 on a support substrate 1, and a cholesteric polymer liquid crystal 5 is spin-coated thereon. Then, to form an air gap cell having an air gap layer 9, a spacer 7 and a transparent protection plate 11 are provided.
Use. A circular optical plate 15 is provided on this. DRAW is traditionally used for writing and reading.
You can use a type of optical head. However, light beam 1
3 is circularly illuminated, and it is desirable that the direction of rotation coincides with the direction of helical rotation of the cholesteric polymer liquid crystal. This is because the selective reflection of a cholesteric polymer liquid crystal is effective only for light having the same rotation direction as its helical rotation direction.
無偏光の光ビーム13を用いる場合は透明な保
護板11の上面あるいは下面にコレステリツク性
高分子液晶のらせん方向と一致した円遍光板を設
けることにより、再生する時のS/Nが高くな
る。実施例で用いたコレステリツク高分子液晶層
は室温でバルキーであり低分子液晶のように封し
する必要がない。また室温での選択反射スペクト
ルの最大ピーク波長λMAXは570nmであり、半値巾
100nmである。半値巾は、コレステリツク高分子
の配向秩序性を示す目安であり、半値巾100nmで
は余り高い配向秩序ではない。配向秩序性の高い
膜であり、最大ピーク波長が書き込み・読み取り
光の波長に適切に近くすれば、書き込み、読み取
り感度が向上することは容易に推定される。な
お、実施例で用いたコレステリツク性高分子液晶
での反射率は5%でありレーザの円遍光方向はコ
レステリツク性高分子のらせんの回転方向、実施
例では左巻、と同一である。 When a non-polarized light beam 13 is used, the S/N ratio during reproduction can be increased by providing a circular light plate on the top or bottom surface of the transparent protection plate 11 that matches the helical direction of the cholesteric polymer liquid crystal. The cholesteric polymer liquid crystal layer used in the examples is bulky at room temperature and does not need to be sealed unlike low molecular liquid crystals. In addition, the maximum peak wavelength λ MAX of the selective reflection spectrum at room temperature is 570 nm, and the half-width
It is 100nm. The half-width is a measure of the orientation order of cholesteric polymers, and a half-width of 100 nm does not indicate very high orientation order. It is easily assumed that writing and reading sensitivity will be improved if the film has a high orientational order and the maximum peak wavelength is appropriately close to the wavelength of the writing/reading light. The reflectance of the cholesteric polymer liquid crystal used in the examples is 5%, and the circular direction of the laser beam is the same as the direction of rotation of the helix of the cholesteric polymer, which is left-handed in the examples.
また読み取り光の光エネルギー密度は10mJ/
cm2であり、媒体の劣化は認めない。 The optical energy density of the reading light is 10mJ/
cm2 , and no deterioration of the medium is observed.
(発明の効果)
実施例において、光エネルギー密度を25mJ/
cm2、50mJ/cm2、60mJ/cm2、75mJ/cm2と制御す
ることにより、従来は1スポツト当り1ビツトの
情報しか記録できなかつた所を電界を印加するこ
となく2ビツト分の情報の書き込み、消去、書き
替えが可能であつた。なお、再生S/N比は
69dBであつた。なお記録媒体の選択波長位置の
設定、配向秩度の向上によりS/N比、記録密度
の向上が期待できる。(Effect of the invention) In the example, the light energy density was set to 25 mJ/
cm 2 , 50 mJ/cm 2 , 60 mJ/cm 2 , and 75 mJ/cm 2 , it is now possible to record 2 bits of information without applying an electric field, whereas previously only 1 bit of information could be recorded per spot. It was possible to write, erase, and rewrite. Furthermore, the playback S/N ratio is
It was 69dB. It is expected that the S/N ratio and recording density will be improved by setting the selected wavelength position of the recording medium and improving the alignment uniformity.
以上のように本発明によれば多値記録が可能と
なり、記録情報量を増すことができる。 As described above, according to the present invention, multilevel recording becomes possible and the amount of recorded information can be increased.
第1図は本発明の動作原理を説明するのに用い
るコレステリツク性高分子液晶の反射率特性を示
す。第2図は本発明の一実施例に用いた記録媒体
の断面図。第3図は実施例に用いたコレステリツ
ク性高分子液晶の分子構造を示す図である。
図において、1…支持体基板、3…光吸収体、
5…コレステリツク性高分子液晶、7…スペー
サ、9…エアーギヤツプ層、11…透明保護板、
13…光ビーム、15…円偏光板。
FIG. 1 shows the reflectance characteristics of a cholesteric polymer liquid crystal used to explain the operating principle of the present invention. FIG. 2 is a sectional view of a recording medium used in an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing the molecular structure of the cholesteric polymer liquid crystal used in the examples. In the figure, 1...support substrate, 3...light absorber,
5... Cholesteric polymer liquid crystal, 7... Spacer, 9... Air gap layer, 11... Transparent protective plate,
13...Light beam, 15...Circularly polarizing plate.
Claims (1)
コレステリツク性高分子液晶層に情報を記録する
光記録方式であつて、光ビームの照射エネルギー
密度を少なくとも2種以上に多値的に制御し、前
記光ビームの照射エネルギー密度に対応したコレ
ステリツク性高分子液晶のラセンピツチ長又はラ
セン軸の傾きを変えるかもしくは無配向状態ある
いはピツトを形成することで前記コレステリツク
性高分子液晶層の光反射率を多値的に変化せしめ
て情報を記録する光記録方式。1. An optical recording method for recording information on a cholesteric polymer liquid crystal layer formed on a support by irradiation with a light beam, in which the irradiation energy density of the light beam is multivalued controlled into at least two types, The light reflectance of the cholesteric polymer liquid crystal layer can be varied by changing the helical pitch length or the inclination of the helical axis of the cholesteric polymer liquid crystal corresponding to the irradiation energy density of the light beam, or by forming a non-oriented state or pits. An optical recording method that records information by changing its value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246516A JPS62107448A (en) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | Optical recording system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246516A JPS62107448A (en) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | Optical recording system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62107448A JPS62107448A (en) | 1987-05-18 |
| JPH0448116B2 true JPH0448116B2 (en) | 1992-08-05 |
Family
ID=17149556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246516A Granted JPS62107448A (en) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | Optical recording system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62107448A (en) |
Families Citing this family (4)
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| JPH02273338A (en) * | 1989-04-13 | 1990-11-07 | Canon Inc | Information memory medium |
| JPH04228132A (en) * | 1990-06-12 | 1992-08-18 | Canon Inc | Information storage medium and method for recording and holding using the medium |
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| JPS5994733A (en) * | 1982-11-22 | 1984-05-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | Optical recording medium |
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-
1985
- 1985-11-01 JP JP60246516A patent/JPS62107448A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS62107448A (en) | 1987-05-18 |
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