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JPH0451085B2 - - Google Patents
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JPH0451085B2 - - Google Patents

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JPH0451085B2
JPH0451085B2 JP57206766A JP20676682A JPH0451085B2 JP H0451085 B2 JPH0451085 B2 JP H0451085B2 JP 57206766 A JP57206766 A JP 57206766A JP 20676682 A JP20676682 A JP 20676682A JP H0451085 B2 JPH0451085 B2 JP H0451085B2
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emitter
current
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voltage follower
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はボルテージフオロア(エミツタフオロ
ア)の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a voltage follower (emitter follower).

背景技術とその問題点 第1図について従来の一般的なボルテージフオ
ロアについて説明する。NPN形のトランジスタ
3のベースよりコンデンサ4を介して入力端子1
が導出され、そのエミツタより出力端子2が導出
される。トランジスタ3のコレクタは正電源+B
に接続され、エミツタは負荷抵抗器7を通じて負
荷電源−Bに接続される。5及び6は電源+B及
び−B間に直列接続されたベースバイアス用抵抗
器である。
Background Art and Its Problems A conventional general voltage follower will be explained with reference to FIG. Input terminal 1 is connected to the base of NPN transistor 3 via capacitor 4.
is derived, and an output terminal 2 is derived from its emitter. The collector of transistor 3 is the positive power supply +B
The emitter is connected to the load power source -B through the load resistor 7. 5 and 6 are base bias resistors connected in series between power supplies +B and -B.

斯る第1図のボルテージフオロアは次の様な欠
点がある。第2図はこの第1図のボルテージフオ
ロアの出力レベル(V)に対する歪率(全高調波
歪率)(%)及びノイズレベル率(%)の特性を
両対数グラフで示したものである。THDは歪率
特性曲線を示し、この歪率特性曲線THDは最小
値は、ほぼ0.1%であつて、このボルテージフオ
ロアはかなり歪率が悪く、ダイナミツクレンジが
狭いことが解る。又、Nはノイズレベル率特性曲
線を示し、このノイズレベル率特性曲線Nは出力
レベルの増大に従つて歪率特性曲線THDと重な
つて45゜の傾斜で降下し、歪率特性曲線THDが最
小になつた時点以降そのまま出力レベルの増大に
従つて降下していく。これに対し歪率特性曲線
THDは出力レベルの増大に従つて、最小値を越
えると今度は上昇していく。
The voltage follower shown in FIG. 1 has the following drawbacks. Figure 2 shows the characteristics of the distortion rate (total harmonic distortion rate) (%) and noise level rate (%) with respect to the output level (V) of the voltage follower shown in Figure 1 in a log-log graph. . THD shows a distortion rate characteristic curve, and the minimum value of this distortion rate characteristic curve THD is approximately 0.1%, indicating that this voltage follower has a considerably poor distortion rate and a narrow dynamic range. Also, N indicates a noise level rate characteristic curve, and as the output level increases, this noise level rate characteristic curve N overlaps with the distortion rate characteristic curve THD and falls at a slope of 45 degrees, and the distortion rate characteristic curve THD becomes After reaching the minimum, it continues to drop as the output level increases. On the other hand, the distortion rate characteristic curve
As the output level increases, THD increases once it exceeds the minimum value.

又、第1図のボルテージフオロアは、トランジ
スタ3のベース・エミツタ間に0.6〜0.7V程度の
電位差VBEがあるため、コンデンサ4を除去し
て、入力端子1に直流電圧を供給した場合、これ
をそのまま出力端子2に伝達することができな
い。
Also, in the voltage follower shown in Fig. 1, there is a potential difference V BE of about 0.6 to 0.7 V between the base and emitter of the transistor 3, so if the capacitor 4 is removed and a DC voltage is supplied to the input terminal 1, This cannot be directly transmitted to the output terminal 2.

更に、この第1図のボルテージフオロアは、ト
ランジスタ3のベース・エミツタ間の電圧VBE
温度特性があるので、出力信号の直流レベルは−
2.3mV/℃程度の割合で変化してしまう。
Furthermore, in the voltage follower shown in Fig. 1, the voltage V BE between the base and emitter of transistor 3 has a temperature characteristic, so the DC level of the output signal is -
It changes at a rate of about 2.3mV/℃.

そこで、本発明者は第1図のボルテージフオロ
アの欠点を改良した、第3図に示すごときボルテ
ージフオロアを先に提案した。以下これについて
説明する。11は入力端子、12は出力端子であ
る。出力端子12及び接地間には負荷抵抗器20
が接続されている。13及び14は特性の等し
い、例えばNPN形のトランジスタである。但し、
一方のトランジスタ14は、そのコレクタおよび
ベース間が直結されてダイオードとされている。
トランジスタ13のベースから入力端子11が導
出される。トランジスタ13及び14の各エミツ
タは共通に接続されて、定電流源を構成する
NPN形のトランジスタ19のコレクタに接続さ
れる。トランジスタ19のエミツタは負電源−B
に接続される。このトランジスタ19に対して
は、これと同じ特性のNPN形のトランジスタ1
8が接続されてカレントミラー22が構成され
る。尚、このトランジスタ18はそのコレクタ・
ベース間が直結されてダイオードとされる。即
ち、トランジスタ18及び19の各ベースが互い
に接続され、その接続点が定電流源17を介して
正電源+Bに接続されると共に、トランジスタ1
8及び19の各エミツタが共通に接続されて、負
電源−Bに接続される。21は電流折返回路(カ
レントミラー回路)であつて、PNP形のトラン
ジスタ15及び16で構成されているが、一方の
トランジスタ15はそのコレクタベース間が直結
されてダイオードとされている。他方のトランジ
スタ16は定電流源を構成することになる。トラ
ンジスタ13のコレクタがトランジスタ15のコ
レクタに接続され、トランジスタ14のコレクタ
がトランジスタ16のコレクタに接続される。そ
して、トランジスタ15及び16の各ベースが共
通に接続されると共に、その各エミツタが共通に
接続されて正電源+Bに接続される。
Therefore, the present inventor has previously proposed a voltage follower as shown in FIG. 3, which improves the drawbacks of the voltage follower shown in FIG. This will be explained below. 11 is an input terminal, and 12 is an output terminal. A load resistor 20 is connected between the output terminal 12 and ground.
is connected. 13 and 14 are NPN type transistors having the same characteristics, for example. however,
One transistor 14 has its collector and base directly connected to form a diode.
Input terminal 11 is led out from the base of transistor 13 . The emitters of transistors 13 and 14 are connected in common to form a constant current source.
It is connected to the collector of an NPN type transistor 19. The emitter of transistor 19 is the negative power supply -B
connected to. For this transistor 19, an NPN type transistor 1 with the same characteristics as this one is used.
8 are connected to form a current mirror 22. Note that this transistor 18 has its collector
The bases are directly connected to form a diode. That is, the bases of the transistors 18 and 19 are connected to each other, and the connection point is connected to the positive power supply +B via the constant current source 17.
The emitters 8 and 19 are connected in common and connected to a negative power supply -B. Reference numeral 21 denotes a current mirror circuit, which is composed of PNP type transistors 15 and 16, and one transistor 15 has its collector and base connected directly to form a diode. The other transistor 16 constitutes a constant current source. The collector of transistor 13 is connected to the collector of transistor 15, and the collector of transistor 14 is connected to the collector of transistor 16. The bases of the transistors 15 and 16 are connected in common, and the emitters thereof are connected in common to the positive power supply +B.

この第3図のボルテージフオロアの作用効果を
説明しよう。定電流源17の定電流をI0とする。
カレントミラー回路22のトランジスタ18及び
19は、同じ特性であるので、トランジスタ19
のコレクタにも同じ定電流I0が流れる。そして、
電流折返回路21によつてトランジスタ13及び
14のコレクタ電流は互いに等しい値のI0/2に
なされる。尚、定電流源I0としては1〜2mA程
度である。
Let us explain the function and effect of the voltage follower shown in Fig. 3. Let the constant current of the constant current source 17 be I0 .
Since the transistors 18 and 19 of the current mirror circuit 22 have the same characteristics, the transistor 19
The same constant current I 0 also flows through the collector of . and,
The collector currents of transistors 13 and 14 are made equal to each other by I 0 /2 by the current folding circuit 21 . Note that the constant current source I0 is approximately 1 to 2 mA.

トランジスタ16及び19は上述したように
夫々定電流源として作用する。又、トランジスタ
14のベース・エミツタ(エミツタ・コレクタ)
間は直流電源として作用する。更に、トランジス
タ13には、次のような負帰還ループが形成され
る。即ち、トランジスタ13のコレクタ電流が電
流折返回路21によつて折返された後、トランジ
スタ14のエミツタに出力され、これによつて、
トランジスタ13のエミツタに負帰還が掛けられ
る。かくすると、第3図の回路はトランジスタ1
3のベースより入力端子11が導出され、エミツ
タがトランジスタ19からなる負荷抵抗器(定電
流源)を通じて負電源−Bに接続され、コレクタ
が正電源+Bに接続され、エミツタよりトランジ
スタ14からなる電源を介して出力端子12が導
出されて成るボルテージフオロアを構成すること
になる。
Transistors 16 and 19 each act as a constant current source as described above. Also, the base/emitter (emitter/collector) of the transistor 14
During the period, it acts as a DC power source. Furthermore, the following negative feedback loop is formed in the transistor 13. That is, after the collector current of the transistor 13 is folded back by the current folding circuit 21, it is output to the emitter of the transistor 14, and thereby,
Negative feedback is applied to the emitter of transistor 13. Thus, the circuit of FIG.
An input terminal 11 is led out from the base of 3, the emitter is connected to a negative power supply -B through a load resistor (constant current source) consisting of a transistor 19, the collector is connected to a positive power supply +B, and a power supply consisting of a transistor 14 is connected from the emitter. This constitutes a voltage follower in which the output terminal 12 is led out through the terminal.

しかして、第3図の回路において、トランジス
タ15,16のベースバイアスは互いに等しいの
で、これらのコレクタ電流も上述した様に互いに
等しく、従つてトランジスタ13,14のエミツ
タ電流も互いに等しい。又、トランジスタ13の
ベース・エミツタ間電圧と、トランジスタ14の
ベース・エミツタ間電圧とは互いに等しい。従つ
て入力端子11の直流電位と出力端子12の直流
電位とが等しくなりこれら入出力端子11,12
間に直流電位差を生じることがない。
In the circuit of FIG. 3, since the base biases of transistors 15 and 16 are equal, their collector currents are also equal as described above, and therefore the emitter currents of transistors 13 and 14 are also equal. Further, the base-emitter voltage of the transistor 13 and the base-emitter voltage of the transistor 14 are equal to each other. Therefore, the DC potential of the input terminal 11 and the DC potential of the output terminal 12 become equal, and these input/output terminals 11, 12
There is no DC potential difference between the two.

更に、トランジスタ13のベース・エミツタ間
電圧が温度によつて変化しても、トランジスタ1
4のベース・エミツタ間電圧も同時に変化するの
で温度変化によつて入出力端子11,12間に直
流電位差が生じることがない。
Furthermore, even if the base-emitter voltage of transistor 13 changes with temperature, transistor 1
Since the base-emitter voltage of the terminal 4 also changes at the same time, a DC potential difference does not occur between the input and output terminals 11 and 12 due to temperature changes.

更に、第1図の回路と比較すると、歪率の最小
値は第4図に示す如く0.01%程度となつて、歪率
が改善されると共に、ダイナミツクレンジも拡大
される。
Furthermore, compared to the circuit of FIG. 1, the minimum value of the distortion factor is about 0.01% as shown in FIG. 4, and the distortion factor is improved and the dynamic range is also expanded.

尚、トランジスタ15,16の各エミツタに抵
抗値の等しい抵抗器(数百Ω〜1KΩ)を接続す
ることができるが、その場合には直線性が良好と
なり、且つノイズを減少させることができる。
Note that resistors having the same resistance value (several hundred ohms to 1 kilohms) can be connected to each emitter of the transistors 15 and 16, but in that case, linearity becomes good and noise can be reduced.

ところで斯る第3図のボルテージフオロアにお
いて、負荷抵抗器20を小さくするに従つて、第
4図に示すごとく歪率特性曲線THDの右側の部
分が矢印a方向に悪化し、ダイナミツクレンジが
狭くなるという欠点がある。そしで定電流源を構
成するトランジスタ19の定電流I0を無理に増大
させると、歪率は良好となるが、その代わりに消
費電力が大となると共に、ノイズが増加して好ま
しくない。
In the voltage follower shown in Fig. 3, as the load resistor 20 is made smaller, the right side of the distortion characteristic curve THD deteriorates in the direction of arrow a, as shown in Fig. 4, and the dynamic range decreases. It has the disadvantage of being narrow. If the constant current I0 of the transistor 19 constituting the constant current source is forcibly increased, the distortion rate becomes good, but at the cost of this, power consumption increases and noise increases, which is not preferable.

発明の目的 斯る点に鑑み本発明は第3図に示したごときボ
ルテージフオロアの改良に係わり、特に負荷抵抗
器の抵抗値が小さくても歪率が悪化せず、又、ダ
イナミツクレンジが狭くならず、しかもノイズの
増加の虞のないボルテージフオロアを提案せんと
するものである。
Purpose of the Invention In view of the above, the present invention relates to an improvement of the voltage follower as shown in FIG. The purpose of the present invention is to propose a voltage follower that does not become narrow and has no risk of increasing noise.

発明の概要 本発明によるボルテージフオロアはベースに入
力信号が供給されるトランジスタと、このトラン
ジスタのエミツタに接続された定電流源と、トラ
ンジスタのコレクタに接続されてそのコレクタ電
流のn(>1)倍の電流を折り返す電流折返回路
と、この電流折返回路及び定電流源間に接続さ
れ、折返電流が流された時、順方向降下電圧がト
ランジスタのベース・エミツタ間電圧と等しくな
る様構成されたダイオードとを有し、トランジス
タのコレクタ、電流折返回路、ダイオード、トラ
ンジスタのエミツタにより負帰還回路を形成する
と共に、電流折返回路及びダイオードの接続中点
より出力信号を得る様にしたものである。
Summary of the Invention The voltage follower according to the present invention includes a transistor whose base is supplied with an input signal, a constant current source connected to the emitter of this transistor, and a constant current source connected to the collector of the transistor so that the collector current is n(>1). A current folding circuit that doubles the current is connected between this current folding circuit and a constant current source, and is configured so that when the folded current is passed, the forward voltage drop becomes equal to the voltage between the base and emitter of the transistor. A negative feedback circuit is formed by the collector of the transistor, the current folding circuit, the diode, and the emitter of the transistor, and an output signal is obtained from the midpoint of the connection between the current folding circuit and the diode.

斯る本発明によれば、負荷抵抗器の抵抗値が小
さくても歪率が悪化せず、ダイナミツクレンジが
狭くならず、しかもノイズの増加の虞のないボル
テージフオロアを得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a voltage follower in which the distortion factor does not deteriorate even if the resistance value of the load resistor is small, the dynamic range does not become narrow, and there is no risk of noise increase.

実施例 以下に第5図を参照して本発明のIC化に好適
な一実施例を説明するも、第5図において、第3
図と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。電流折返回路21は、特性の等しい
PNP形のトランジスタ15,161,162,16
…16n及びその各エミツタと正電源+Bとの
間に接続された抵抗値の等しい抵抗器23,24
,242,243…24nから構成されている。
但し、トランジスタ15はそのコレクタ・ベース
間が直結されてダイオードとされている。そし
て、トランジスタ15,161,162,163
16nの各ベースは共通に接続され、トランジス
タ161,162,163…16nの各コレクタは
共通に接続されている。
Embodiment An embodiment suitable for IC implementation of the present invention will be described below with reference to FIG.
Portions corresponding to those in the figures are designated by the same reference numerals and redundant explanation will be omitted. The current folding circuit 21 has the same characteristics.
PNP type transistors 15, 16 1 , 16 2 , 16
3 ...16n and resistors 23 and 24 with equal resistance connected between each emitter and the positive power supply +B
1 , 24 2 , 24 3 . . . 24n.
However, the collector and base of the transistor 15 are directly connected to form a diode. And transistors 15, 16 1 , 16 2 , 16 3 ...
The bases of the transistors 16n are connected in common, and the collectors of the transistors 16 1 , 16 2 , 16 3 . . . 16n are connected in common.

又、ダイオード14はトランジスタ13と同特
性のNPN形のトランジスタ141,142,143
…14nから構成され、夫々各コレクタ及びベー
スが直結されてダイオードとされ、各トランジス
タ141,142,143…14nの各コレクタが
共通接続されて電流折返回路21の各トランジス
タ161,162,163…16nの各コレクタに
接続され、各エミツタが共通接続されてトランジ
スタ13のエミツタ及びトランジスタ19のコレ
クタに接続される。更にトランジスタ141,1
2,143…14nの各コレクタの共通接続点が
出力端子12に接続される。そして、トランジス
タ13のコレクタ、電流折返回路21、ダイオー
ド14、トランジスタ13のエミツタにより負帰
還回路を構成する。
Further, the diode 14 is an NPN type transistor 14 1 , 14 2 , 14 3 having the same characteristics as the transistor 13.
. . 14n, the collectors and bases of which are directly connected to form a diode, and the collectors of the transistors 14 1 , 14 2 , 14 3 . 2 , 16 3 . Furthermore, the transistor 14 1 , 1
A common connection point of each collector of 4 2 , 14 3 . . . 14n is connected to the output terminal 12. The collector of the transistor 13, the current return circuit 21, the diode 14, and the emitter of the transistor 13 constitute a negative feedback circuit.

しかして、定電流源17の定電流をI0とする
と、トランジスタ13のコレクタにはI0/2の電
流が流れ、電流折返回路21からはダイオード1
4に対しnI0/2の折返電流が流れる。従つて、
定電流源を構成するトランジスタ19のコレクタ
には(n+1)・I0/2の定電流が流れることに
なる。又カレントミラー回路22にあつては、ト
ランジスタ18及び19のコレクタ電流が1:
(n+1)/2となる様に、トランジスタ18及
び19のエミツタ面積をこれと同じ比にするか、
又は、抵抗器25及び26の逆数の比をこれと同
じにする。
Therefore, if the constant current of the constant current source 17 is I 0 , a current of I 0 /2 flows through the collector of the transistor 13, and a current of I 0 /2 flows from the current return circuit 21 to the diode 1.
4, a return current of nI 0 /2 flows. Therefore,
A constant current of (n+1)·I 0 /2 flows through the collector of the transistor 19 constituting the constant current source. In the current mirror circuit 22, the collector currents of the transistors 18 and 19 are 1:
Either make the emitter areas of transistors 18 and 19 the same ratio so that it becomes (n+1)/2, or
Alternatively, the ratio of the reciprocals of resistors 25 and 26 may be made the same.

斯る第5図のボルテージフオロアによれば、負
荷抵抗器20の抵抗値の小ささに応じて電流折返
回路21のトランジスタ16の個数及びダイオー
ド14の個数を増やすことにより、負荷抵抗器2
0の抵抗値が小さくなつても歪率が悪化したり、
ダイナミツクレンジが狭くなることはない。尚、
nが大きく成る程負帰還ループの利得が増大する
ので、歪率が向上し、nが10のときの最小値は
0.001%程度となる。
According to the voltage follower shown in FIG.
Even if the resistance value of 0 becomes small, the distortion rate worsens,
The dynamic range never becomes narrower. still,
As n increases, the gain of the negative feedback loop increases, so the distortion rate improves, and the minimum value when n is 10 is
It will be around 0.001%.

又、定電流源を構成するトランジスタ19に過
大な電流を流す必要がないので、これによつて消
費電力が増大したり、ノイズが増加したりする虞
もない。
Furthermore, since there is no need to flow an excessive current through the transistor 19 constituting the constant current source, there is no risk of an increase in power consumption or noise.

次に第6図を参照して、本発明のIC化に好適
な他の実施例を説明するも、第6図において第5
図と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。この実施例では、電流折返回路21
においてトランジスタ16を1個のみにし、且つ
トランジスタ15及び16の特性を同じくし、エ
ミツタ抵抗器24の抵抗値をエミツタ抵抗器23
の抵抗値の1/nに設定した場合である。この場
合においても電流折返回路21の折返電流は
nI0/2になる。尚、ダイオード14の構成は第
5図と同様である。
Next, referring to FIG. 6, another embodiment suitable for IC implementation of the present invention will be described.
Portions corresponding to those in the figures are designated by the same reference numerals and redundant explanation will be omitted. In this embodiment, the current folding circuit 21
, the number of transistors 16 is reduced to one, the characteristics of transistors 15 and 16 are made the same, and the resistance value of emitter resistor 24 is set to be the same as that of emitter resistor 23.
This is a case where the resistance value is set to 1/n of the resistance value. Even in this case, the return current of the current return circuit 21 is
It becomes nI 0 /2. Note that the configuration of the diode 14 is the same as that shown in FIG.

又、第5図のボルテージフオロアの変形例とし
て、次の様な構成も取り得る。即ち、電流折返回
路16として特性の等しいトランジスタ15及び
16を夫々1個ずつ設け、しかもその各エミツタ
抵抗器23,24の抵抗値を等しくする。そし
て、トランジスタ16のエミツタ面積をトランジ
スタ15のエミツタ面積のn倍にする。又、トラ
ンジスタ13と同じ特性のダイオード構成のトラ
ンジスタ14を夫々1個ずつ設け、トランジスタ
14のエミツタ面積をトランジスタ13のエミツ
タ面積のn倍にする。この様にしても、そきの作
用効果は第5図と同様となる。
Furthermore, as a modification of the voltage follower shown in FIG. 5, the following configuration may be adopted. That is, one transistor 15 and one transistor 16 having the same characteristics are provided as the current folding circuit 16, and the resistance values of the emitter resistors 23 and 24 are made equal. Then, the emitter area of the transistor 16 is made n times the emitter area of the transistor 15. Further, one transistor 14 having a diode configuration having the same characteristics as the transistor 13 is provided, and the emitter area of the transistor 14 is made n times the emitter area of the transistor 13. Even in this case, the effect will be the same as that shown in FIG. 5.

尚、上述においては、ダイオード14,15,
18としてIC化に好適な、トランジスタのコレ
クタ・ベース間を直結したダブルジヤンクシヨン
形のダイオードを用いた場合について述べたが、
デイスクリート回路の場合はシングルジヤンクシ
ヨン形のダイオードを用いてもよい。
In addition, in the above description, the diodes 14, 15,
As No. 18, we described the case of using a double-junction type diode that is directly connected between the collector and base of a transistor, which is suitable for IC implementation.
In the case of a discrete circuit, a single junction diode may be used.

又、本発明は2電源方式に限らず、1電源方式
も可能である。
Further, the present invention is not limited to a two-power supply system, but also a single power supply system.

次に第7図を参照して本発明によるボルテージ
フオロアの応用回路を説明する。第7図は本発明
によるボルテージフオロアをハイパスフイルタ
(アクテイブフイルタ)に適用した場合である。
31及び32は夫々ハイパスフイルタの入力端子
及び出力端子である。33は上述した、本発明に
よるボルテージフオロアを示す。入力端子31が
コンデンサ34−35を通じてボルテージフオロ
ア33の入力端子11に接続される。入力端子1
1が抵抗器36を通じて接地される。出力端子3
2、即ちボルテージフオロア33の出力端子12
が帰還抵抗器37を通じてコンデンサ34,35
の接続中点に接続される。斯るハイパスフイルタ
の特性の傾斜部の傾きは、−12dB/octとなる。
Next, an application circuit of the voltage follower according to the present invention will be explained with reference to FIG. FIG. 7 shows a case where the voltage follower according to the present invention is applied to a high pass filter (active filter).
31 and 32 are the input terminal and output terminal of the high-pass filter, respectively. 33 indicates the voltage follower according to the present invention as described above. Input terminal 31 is connected to input terminal 11 of voltage follower 33 through capacitors 34-35. Input terminal 1
1 is grounded through resistor 36. Output terminal 3
2, that is, the output terminal 12 of the voltage follower 33
is connected to capacitors 34 and 35 through feedback resistor 37.
connected to the connection midpoint of The slope of the characteristic slope of such a high-pass filter is -12 dB/octave.

次に本発明によるボルテージフオロアをローパ
スフイルタに適用した場合の実施例について説明
するも、第8図において第7図と対応する部分に
同一符号を付して説明する。入力端子31を抵抗
器38−39を通じて入力端子11に接続する。
入力端子11をコンデンサ40を通じて接地す
る。出力端子32即ちボルテージフオロア33の
出力端子12を帰還コンデンサ41を通じて抵抗
器38及び39の接続中点に接続する。斯るロー
パスフイルタの傾斜部の傾きは−12dB/octとな
る。
Next, an embodiment in which the voltage follower according to the present invention is applied to a low-pass filter will be described. In FIG. 8, parts corresponding to those in FIG. 7 are given the same reference numerals. Input terminal 31 is connected to input terminal 11 through resistors 38-39.
Input terminal 11 is grounded through capacitor 40 . The output terminal 32, ie, the output terminal 12 of the voltage follower 33, is connected to the midpoint between the resistors 38 and 39 through the feedback capacitor 41. The slope of the slope of such a low-pass filter is -12 dB/octave.

又、第7図のハイパスフイルタの後段又は前段
に第8図のローパスフイルタを縦続接続すること
により、両傾斜部の傾きが夫々−12dB/octのバ
ンドパスフイルタを得ることができる。これらア
クテイブフイルタはボルテージフオロア33の入
力インピーダンスが高いので、良好なアクテイブ
フイルタとなる。
Furthermore, by cascade-connecting the low-pass filter shown in FIG. 8 after or before the high-pass filter shown in FIG. 7, a band-pass filter with slopes of -12 dB/octave can be obtained. Since these active filters have a high input impedance to the voltage follower 33, they are good active filters.

発明の効果 上述せる本発明によれば、第3図に述べたボル
テージフオロアに比較して、負荷抵抗器の抵抗値
を小さくしても歪率が悪化せず、ダイナミツクレ
ンジが狭くならず、又、定電流源の電流を過大に
増大させる必要がないので、ノイズが増加したり
消費電力増大する虞もない。
Effects of the Invention According to the present invention described above, compared to the voltage follower described in FIG. Furthermore, since there is no need to excessively increase the current of the constant current source, there is no risk of increased noise or increased power consumption.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のボルテージフオロアを示す回路
図、第2図はその歪率及びノイズレベル率の特性
を示す特性曲線図、第3図は他の従来のボルテー
ジフオロアを示す回路図、第4図はその説明に供
する歪率及びノイズレベル率の特性を示す特性曲
線図、第5図及び第6図は夫々本発明の各実施例
を示す回路図、第7図及び第8図は本発明による
ボルテージフオロアを応用したハイパスフイルタ
及びローパスフイルタを示す回路図である。 13はトランジスタ、14はダイオード、19
は電流源を構成するトランジスタ、21は電流折
返回路である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a conventional voltage follower, FIG. 2 is a characteristic curve diagram showing its distortion rate and noise level rate characteristics, FIG. 3 is a circuit diagram showing another conventional voltage follower, and FIG. FIG. 4 is a characteristic curve diagram showing distortion rate and noise level rate characteristics for explanation, FIGS. 5 and 6 are circuit diagrams showing each embodiment of the present invention, and FIGS. 7 and 8 are FIG. 3 is a circuit diagram showing a high-pass filter and a low-pass filter to which the voltage follower according to the invention is applied. 13 is a transistor, 14 is a diode, 19
21 is a transistor constituting a current source, and 21 is a current return circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ベースに入力信号が供給されるトランジスタ
と、該トランジスタのエミツタに接続された定電
流源と、上記トランジスタのコレクタに接続され
てそのコレクタ電流のn(>1)倍の電流を折り
返す電流折返回路と、上記電流折返回路及び上記
電流源間に接続され、上記折り返し電流が流され
た時、順方向降下電圧が上記トランジスタのベー
ス・エミツタ間電圧と等しくなるように構成され
たダイオードを有し、上記トランジスタのコレク
タ、電流折返回路、ダイオード、トランジスタの
エミツタにより負帰還回路を形成すると共に、上
記電流折返回路及び上記ダイオードの接続中点よ
り出力信号を得るようにしたことを特徴とするボ
ルテージフオロア。
1 A transistor whose base is supplied with an input signal, a constant current source connected to the emitter of the transistor, and a current folding circuit connected to the collector of the transistor to fold back a current n (>1) times the collector current. and a diode connected between the current folding circuit and the current source and configured such that the forward voltage drop becomes equal to the base-emitter voltage of the transistor when the folded current is passed; A voltage follower characterized in that a negative feedback circuit is formed by the collector of the transistor, a current folding circuit, a diode, and an emitter of the transistor, and an output signal is obtained from a connection midpoint of the current folding circuit and the diode. .
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