JPH0456474B2 - - Google Patents
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- JPH0456474B2 JPH0456474B2 JP57075131A JP7513182A JPH0456474B2 JP H0456474 B2 JPH0456474 B2 JP H0456474B2 JP 57075131 A JP57075131 A JP 57075131A JP 7513182 A JP7513182 A JP 7513182A JP H0456474 B2 JPH0456474 B2 JP H0456474B2
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- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
- H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
- H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/14—Shape of semiconductor bodies; Shapes, relative sizes or dispositions of semiconductor regions within semiconductor bodies
- H10F77/147—Shapes of bodies
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明中空体の内壁に形成された非晶質
太陽電池に関し、特にその安定化をはかるもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an amorphous solar cell formed on the inner wall of a transparent hollow body, and particularly to stabilization thereof.
非晶質太陽電池は新規のエネルギー変換材料と
して注目されている。しかし乍らそのエネルギー
変換効率は時間の経過とともに減少する。 Amorphous solar cells are attracting attention as a new energy conversion material. However, its energy conversion efficiency decreases over time.
従来、太陽電池はその基板を非晶質半導体を形
成するための高価な設備中に設置され形成されて
いた。たとえばグロー放電設備のグロー放電槽、
スパツタリング設備のスパツタリング槽、CDV
設備のCVD槽などであり、それらの中に基板を
設置し、それぞれの手段を用いて非晶質半導体を
形成せしめる方法である。その結果、太陽電池は
外部に露出した状態となり、これを保護するこ
と、特に水分に対しての安定化は困難であつた。 Conventionally, solar cells have been formed by placing their substrates in expensive equipment for forming amorphous semiconductors. For example, the glow discharge tank of glow discharge equipment,
Sputtering tank of sputtering equipment, CDV
This is a method in which a substrate is placed in a CVD tank of equipment, and an amorphous semiconductor is formed using each method. As a result, the solar cells are exposed to the outside, and it is difficult to protect them, especially to stabilize them against moisture.
この様な観点から従来各種の安定化方法が検討
されており、たとえばエポキシ系樹脂やシリコー
ン系樹脂を用いて非晶質太陽電池をケースの中に
埋めこむなどの方法が提案されている。 From this point of view, various stabilization methods have been studied in the past, and methods such as embedding an amorphous solar cell in a case using epoxy resin or silicone resin have been proposed.
本発明の目的の一つは、この点に鑑みて成され
たものであり、これら埋込み用の樹脂やケースを
使用せずに安定化した非晶質太陽電池を提供する
ことにある。 One of the objects of the present invention was made in view of this point, and is to provide a stabilized amorphous solar cell without using these embedding resins or cases.
さらに本発明の別の目的は、非晶質シリコン層
を形成するための工程において、非晶質シリコン
層形成手段を簡略化する技術を提供することにあ
る。 Furthermore, another object of the present invention is to provide a technique for simplifying an amorphous silicon layer forming means in a process for forming an amorphous silicon layer.
本発明によれば前記のような高価な設備を必要
とせず、太陽電池の基板そのものが反応器となり
例えば第3図に示すようにグロー放電槽となしう
るので該槽に半導体の原料ガスを導入しグロー放
電することにより安定した非晶質太陽電池を容易
に製造することもできる。 According to the present invention, there is no need for the above-mentioned expensive equipment, and the substrate of the solar cell itself becomes a reactor, which can be used as a glow discharge tank, for example, as shown in FIG. Stable amorphous solar cells can also be easily produced by glow discharge.
すなわち本発明は透明中空体の内壁に電極及び
光発電領域が、透光性の第1の電極、光発電領
域、第2の電極の順に形成されている非晶質太陽
電池であり、好ましくは中空体の内部は実質的な
乾燥状態にあり、さらに好ましくは光発電領域な
非晶質シリコン層好ましくはグロー放電により形
成されている非晶質太陽電池である。 That is, the present invention is an amorphous solar cell in which electrodes and photovoltaic regions are formed on the inner wall of a transparent hollow body in the order of a transparent first electrode, a photovoltaic region, and a second electrode, and preferably The inside of the hollow body is in a substantially dry state, and is more preferably a photovoltaic region, an amorphous silicon layer, preferably an amorphous solar cell formed by glow discharge.
本発明の非晶質太陽電池において、実質的な乾
燥状態とは、水分含量が5ppm以下の気体が封入
されている状態であり、特に好ましくは水分含量
が3ppm以下の水素又は不活性ガスが封入されて
いるのもである。 In the amorphous solar cell of the present invention, a substantially dry state is a state in which gas with a moisture content of 5 ppm or less is enclosed, particularly preferably hydrogen or an inert gas with a moisture content of 3 ppm or less is enclosed. It is also what is being done.
第1図は本発明の好ましい非晶質太陽電池の外
観図の1例であり、第2図は第1図のA−A線に
おける断面図の1例を模式図で示したものであ
る。第2図において1は透明中空体、2は透明中
空体1の内壁に形成されている第1の電極、3は
光発電領域、4は第2の電極であり、5は中空体
の内部空間を示している。第1図において6及び
7は外部リード線であり、それぞれ第1の電極2
及び第2の電極4と接続されている。 FIG. 1 is an example of an external view of a preferable amorphous solar cell of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 1. In FIG. 2, 1 is a transparent hollow body, 2 is a first electrode formed on the inner wall of the transparent hollow body 1, 3 is a photovoltaic region, 4 is a second electrode, and 5 is an internal space of the hollow body. It shows. In FIG. 1, 6 and 7 are external lead wires, which are connected to the first electrode 2, respectively.
and is connected to the second electrode 4.
透明中空体は、第2図の如き断面が円形のもの
に限らず、正方形、長方形、楕円形等であつても
よく、特に限定されないが、製作、取扱いの点に
おいては断面が円形であることが好ましい。要す
るに、該中空体の内部空間において実質的な乾燥
状態が保持できるものであれば如何なる形状でも
よく、また該中空体は一体物であれ、部分品から
構成されるものでもよい。第1図は透明中空体と
しての中空円筒1と封止材8及び9との部分品か
ら構成されている。中空円筒1と封止材とは溶着
あるいは接着により一体化される。ガス導入ある
いは真空排気部分はたとえば13,14のように
溶封される。封止材8及び9の材質は特に制限は
ないが、製作面及び保守面から透明中空体1と同
じかあるいは類似の材質であることが好ましい。 The transparent hollow body is not limited to having a circular cross section as shown in Figure 2, but may also be square, rectangular, oval, etc., and is not particularly limited; however, in terms of manufacturing and handling, the cross section must be circular. is preferred. In short, the hollow body may have any shape as long as it can maintain a substantially dry state in the internal space, and the hollow body may be an integral body or may be composed of parts. In FIG. 1, the device is composed of a hollow cylinder 1 as a transparent hollow body and sealing materials 8 and 9. The hollow cylinder 1 and the sealing material are integrated by welding or adhesion. The gas introduction or evacuation portions are sealed by heat sealing, for example, as shown in 13 and 14. The material of the sealing members 8 and 9 is not particularly limited, but from the viewpoint of manufacturing and maintenance, it is preferable that the material is the same as or similar to that of the transparent hollow body 1.
第1の電極2は透光性を有する導電体である。
たとえばITO(Indium−Tin−Oxide)、In2O3、
SnO2などの薄膜で形成されている。第2の電極
4は、第1の電極に用いる電極材料で形成できる
ことは勿論であるが、不透明の金属電極をも有効
に使用できる。透光性を有する導電体を第2の電
極として用いた場合には、光照射側と反対側の光
発電領域にまで、光照射側の光発電領域を通過し
た光が到達できるので太陽光の有効利用の面にお
いて好ましいものである。 The first electrode 2 is a light-transmitting conductor.
For example, ITO (Indium−Tin−Oxide), In 2 O 3 ,
It is made of a thin film such as SnO 2 . The second electrode 4 can of course be formed using the electrode material used for the first electrode, but an opaque metal electrode can also be effectively used. When a light-transmitting conductor is used as the second electrode, the light that has passed through the photovoltaic region on the light irradiation side can reach the photovoltaic region on the opposite side to the light irradiation side, so sunlight This is preferable in terms of effective utilization.
非晶質シリコン層からなる光発電領域は、
SiH4、Si2H6、Si3H8等のガス状のシリコン化合
物に、PH3、B2H6、AsH3、CH4、C2H6、NH3
等のガスを適宜添加したあるいは添加しない原料
ガスの雰囲気中でグロー放電または熱分解するこ
とにより形成される。本発明の特徴の一つはこの
堆積方法にある。即ち従来の堆積方法ではグロー
放電や熱分解を生ぜしめるための高価な装置を必
要としていたが、本発明ではこの必要はない。例
えば、グロー放電による場合は中空体を加熱し、
その内部を真空手段及び原料ガス導入手段に接続
し、真空に引きながら原料ガスを導入し、高周波
電界を印加するものである。この結果非晶質シリ
コンが中空体の内壁へ堆積し、光発電領域を容易
に形成することができる。 The photovoltaic region consists of an amorphous silicon layer.
Gaseous silicon compounds such as SiH 4 , Si 2 H 6 , Si 3 H 8 and the like, PH 3 , B 2 H 6 , AsH 3 , CH 4 , C 2 H 6 , NH 3
It is formed by glow discharge or thermal decomposition in an atmosphere of a raw material gas with or without addition of appropriate gases such as. One of the features of the present invention is this deposition method. That is, conventional deposition methods require expensive equipment to generate glow discharge and thermal decomposition, which is not necessary with the present invention. For example, when using glow discharge, a hollow body is heated,
The inside thereof is connected to a vacuum means and a raw material gas introduction means, and the raw material gas is introduced while being evacuated, and a high frequency electric field is applied. As a result, amorphous silicon is deposited on the inner wall of the hollow body, and a photovoltaic region can be easily formed.
非晶質シリコン層は、第1の電極側からたとえ
ばP型、i型、n型の順に堆積することにより形
成される。 The amorphous silicon layer is formed by depositing, for example, P-type, i-type, and n-type silicon layers in this order from the first electrode side.
p型非晶質シリコン層の膜厚は50〜1000Åであ
る。p型非晶質シリコン層はp型の不純物ガス、
たとえばB2H6をガス状のシリコン化合物に対し
て10-4〜10-1の割合で混合して形成される。i型
非晶質シリコン層は膜厚5000Å−1μmであり、
ガス状のシリコン化合物に10-5以下の割合でp型
不純物を添加してあるいは添加しない原料ガスか
ら形成される。n型層は50〜1000Åの膜厚を有
し、n型の不純物ガス、たとえばPH3、AsH3等
をガス状のシリコン化合物に対して10-4〜10-1の
割合で混合して形成される。これらの非晶質シリ
コン層の堆積はHe、Ar、H2等のガスをガス状の
シリコン化合物の0〜1000倍添加した雰囲気で実
施することもできる。 The thickness of the p-type amorphous silicon layer is 50 to 1000 Å. The p-type amorphous silicon layer contains p-type impurity gas,
For example, it is formed by mixing B 2 H 6 with a gaseous silicon compound at a ratio of 10 -4 to 10 -1 . The i-type amorphous silicon layer has a thickness of 5000 Å-1 μm,
It is formed from a raw material gas with or without adding p-type impurities to a gaseous silicon compound at a ratio of 10 -5 or less. The n-type layer has a film thickness of 50 to 1000 Å and is formed by mixing an n-type impurity gas, such as PH 3 or AsH 3 , with a gaseous silicon compound at a ratio of 10 -4 to 10 -1. be done. The deposition of these amorphous silicon layers can also be carried out in an atmosphere to which a gas such as He, Ar, H2, etc. is added 0 to 1000 times as much as the gaseous silicon compound.
第2の電極は上記非晶質シリコンの上に堆積さ
れる。堆積はグロー放電や真空蒸着の手段を有効
に用いることができる。たとえば、前記の非晶質
シリコンを堆積した後でガス状の錫化合物と酸素
含有ガスを導入し、グロー放電により酸化錫を堆
積したり、アルミニウムを真空中で加熱して蒸着
する方法が有用である。外部リード線としては、
アルミニウム、銅、銀等の線材、板材を有効に使
用できることは勿論であるが、導電性塗料たとえ
ば銀ペースト、銅ペースト等を用いることも便利
である。 A second electrode is deposited on top of the amorphous silicon. Glow discharge or vacuum deposition can be effectively used for the deposition. For example, it is useful to introduce a gaseous tin compound and an oxygen-containing gas after depositing amorphous silicon and deposit tin oxide by glow discharge, or to deposit aluminum by heating it in a vacuum. be. As an external lead wire,
Of course, wires and plates made of aluminum, copper, silver, etc. can be effectively used, but it is also convenient to use conductive paints such as silver paste, copper paste, etc.
外部リード線を第1及び第2の電極にそれぞれ
接続した後で、水素ガス又は不活性ガスを導入、
密封工程に移る。たとえば第4図においてガス導
入部11及び真空排気部12をガス導入手段15
及び真空排気手段16にそれぞれ接続して、真空
排気及び水素の導入を行なう。好ましくは排気−
導入を三回以上行なう。ついで中空体内部を大気
圧以下の真空、好ましくは100Torrの真空の状態
においてガス導入部及びガス排気部を密封するこ
とによつて実質的な乾燥状態とすることができ
る。 After connecting the external lead wires to the first and second electrodes, introducing hydrogen gas or inert gas,
Move on to the sealing process. For example, in FIG. 4, the gas introduction section 11 and the vacuum evacuation section 12 are
and evacuation means 16 for evacuation and introduction of hydrogen. Preferably exhaust-
Perform the introduction three or more times. Next, the inside of the hollow body can be brought into a substantially dry state by sealing the gas introduction part and the gas exhaust part in a vacuum state of less than atmospheric pressure, preferably 100 Torr.
光発電領域が大面積になる場合には第1の電極
と内壁のと間あるいは第2の電極の上に集電用の
薄膜電極を設けることができる。 When the photovoltaic region has a large area, a thin film electrode for current collection can be provided between the first electrode and the inner wall or on the second electrode.
本発明の別の特徴としては、本発明の太陽電池
には表裏の区別がなく、ほゞ全表面にわたり光発
電領域が存在することである。そのため直接入射
光はもとより、透過光、散乱光、反射光をも有効
に利用することができる。当然のことながら集光
用の太陽電池としても有効である。 Another feature of the present invention is that the solar cell of the present invention has no distinction between front and back, and a photovoltaic region exists over almost the entire surface. Therefore, not only directly incident light but also transmitted light, scattered light, and reflected light can be effectively used. Naturally, it is also effective as a solar cell for condensing light.
前記の如く、本発明は透明中空体の内部に電
極、光発電領域が封入されて外界と遮断されてい
るばかりか水素あるいは不活性ガス雰囲気に保持
されている。外部からの水や腐蝕性ガス、酸化性
ガスの侵入を防ぎ性能が極めて安定化するうえ
に、その製法や光電変換効率においてもすぐれた
ものである。 As described above, in the present invention, the electrodes and photovoltaic region are sealed inside a transparent hollow body, which is not only isolated from the outside world but also maintained in a hydrogen or inert gas atmosphere. It prevents the intrusion of water, corrosive gases, and oxidizing gases from the outside, making its performance extremely stable, and its manufacturing method and photoelectric conversion efficiency are also excellent.
以下実施例をあげさらに具体的に説明する。 A more specific explanation will be given below with reference to Examples.
実施例
第3図において、内壁にITO及びSnO2をコー
トした透明中空体1を真空排気手段18、移動自
在のガス導入手段17を有するフランジ19及び
20(フランジ19は非晶質シリコンを堆積させ
ないためのマスクの役割をするつば21を有す
る)にOリングを介して配設する。さらに加熱手
段22、グロー放電のためのコイル状の電界の印
加手段23が付加される。水素ガスを流しながら
加熱手段22によりガラス円筒を300℃に加熱し
た。B2H6/SiH4=1/100(容量比)の混合ガス
を導入し、グロー放電によりp型非晶質シリコン
層100Åを形成した。ついでSiH4のみを導入し、
i型層を5000Å形成した。ついてPH3/SiH4=
1/1000(容量比)の混合ガスを導入しn型層を
150Å形成した。さらにSnCl2とO2混合ガスを導
入しグロー放電によりSnO2層を堆積して第2の
電極とした。第4図における如く第1の電極が裸
の状態で存在する部分24に銀ペーストで外部リ
ード線6を接続する。第2の電極の上にグリツト
状の集電電極を設け、この集電電極に銀ペースト
で外部リード線7を接続する。外部リード線を封
止材8及び9の外部へとり出し、エポキシ樹脂よ
り封止材とガラス円筒とを接着一体化する。つい
で封止材のガス導入部11、真空排気部12をガ
ス導入手段15及び真空排気手段16に接続す
る。10-2以下の真空に引いた後水素ガスを導入す
る。これを三回繰返した後、1Torrに減じた状態
でガス導入部、真空排気部を酸水素炎で熔封し
た。このようにして得られた太陽電池は内部に水
素ガスが封入されて、かつ外界と隔離されてお
り、その性能は極めて安定化されることが認めら
れた。Embodiment In FIG. 3, a transparent hollow body 1 whose inner wall is coated with ITO and SnO 2 is prepared by evacuation means 18 and flanges 19 and 20 (flange 19 does not deposit amorphous silicon) having a vacuum evacuation means 18 and a movable gas introduction means 17. (has a collar 21 that serves as a mask for the purpose of the test) via an O-ring. Further, a heating means 22 and a coil-shaped electric field applying means 23 for glow discharge are added. The glass cylinder was heated to 300° C. by the heating means 22 while flowing hydrogen gas. A mixed gas of B 2 H 6 /SiH 4 =1/100 (volume ratio) was introduced, and a p-type amorphous silicon layer of 100 Å was formed by glow discharge. Then, only SiH 4 was introduced,
An i-type layer was formed with a thickness of 5000 Å. Then PH 3 /SiH 4 =
Introduce a mixed gas of 1/1000 (volume ratio) to form an n-type layer.
150 Å was formed. Further, a mixed gas of SnCl 2 and O 2 was introduced, and a SnO 2 layer was deposited by glow discharge to form a second electrode. As shown in FIG. 4, the external lead wire 6 is connected with silver paste to the portion 24 where the first electrode exists in a bare state. A grit-like current collecting electrode is provided on the second electrode, and an external lead wire 7 is connected to this current collecting electrode using silver paste. External lead wires are taken out to the outside of the sealing materials 8 and 9, and the sealing material and the glass cylinder are bonded and integrated with epoxy resin. Next, the gas introduction section 11 and evacuation section 12 of the sealing material are connected to the gas introduction means 15 and the evacuation means 16. After drawing a vacuum below 10 -2 , hydrogen gas is introduced. After repeating this three times, the gas introduction part and the vacuum exhaust part were sealed with an oxyhydrogen flame while the pressure was reduced to 1 Torr. It was found that the thus obtained solar cell had hydrogen gas sealed inside and was isolated from the outside world, and its performance was extremely stable.
第1図は本発明の好ましい非晶質太陽電池の外
観図の1例であり、第2図は第1図のA−A線に
おける断面図の1例を模式図で示したものであ
る。第3図は透明中空体に真空手段およびガス導
入手段を取りつけた装置の模式図であり、第4図
はガス導入および熔封時の太陽電池の状態の1例
を示す図である。
1……透明中空体、2……第1の電極、3……
光発電領域、4……第2の電極、5……透明中空
体の内部空間。
FIG. 1 is an example of an external view of a preferable amorphous solar cell of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional view taken along line A-A in FIG. 1. FIG. 3 is a schematic diagram of an apparatus in which a vacuum means and a gas introduction means are attached to a transparent hollow body, and FIG. 4 is a diagram showing an example of the state of the solar cell during gas introduction and melting. 1... Transparent hollow body, 2... First electrode, 3...
Photovoltaic region, 4... second electrode, 5... internal space of transparent hollow body.
Claims (1)
内壁に電極及び光発電領域が、当該内壁に接する
側から透光性の第1の電極、光発電領域、第2の
電極の順に形成されており、該中空体の内部は実
質的な乾燥状態であり且つ光発電領域はグロー放
電により形成された非晶質シリコン層を含んでい
ることを特徴とする非晶質太陽電池。 2 中空体の内部空間が水素ガスまたは不活性ガ
スが封入された乾燥状態にある特許請求の範囲1
記載の非晶質太陽電池。 3 光発電領域のうち少なくともi型層がグロー
放電により形成されている特許請求の範囲1記載
の非晶質太陽電池。[Scope of Claims] 1. An electrode and a photovoltaic region are formed on the inner wall of an integrally formed cylindrical transparent hollow body, and a translucent first electrode, a photovoltaic region, and a second an amorphous material, characterized in that the interior of the hollow body is substantially dry, and the photovoltaic region includes an amorphous silicon layer formed by glow discharge. solar cells. 2 Claim 1 in which the internal space of the hollow body is in a dry state filled with hydrogen gas or inert gas
The described amorphous solar cell. 3. The amorphous solar cell according to claim 1, wherein at least the i-type layer in the photovoltaic region is formed by glow discharge.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075131A JPS58192385A (en) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | Amorphous solar battery |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57075131A JPS58192385A (en) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | Amorphous solar battery |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58192385A JPS58192385A (en) | 1983-11-09 |
| JPH0456474B2 true JPH0456474B2 (en) | 1992-09-08 |
Family
ID=13567327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57075131A Granted JPS58192385A (en) | 1982-05-07 | 1982-05-07 | Amorphous solar battery |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58192385A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003347574A (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Ebara Corp | Solar battery module |
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Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5775132A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-11 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Production of ball for polishing of grinding |
| JPH05108780A (en) * | 1991-10-18 | 1993-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image processing device |
-
1982
- 1982-05-07 JP JP57075131A patent/JPS58192385A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58192385A (en) | 1983-11-09 |
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