JPH0458421B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0458421B2 JPH0458421B2 JP61218743A JP21874386A JPH0458421B2 JP H0458421 B2 JPH0458421 B2 JP H0458421B2 JP 61218743 A JP61218743 A JP 61218743A JP 21874386 A JP21874386 A JP 21874386A JP H0458421 B2 JPH0458421 B2 JP H0458421B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- weight
- hydrofluoric acid
- glass substrate
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
- C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
- C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は、実質的にアルカリ金属酸化物、
PbO、MgOを含有せず、溶融性、耐熱性及び耐
酸性、特に耐硫酸性、耐バツフアード弗酸性に優
れ、薄膜トランジスタ(TFT)液晶デイスプレ
イ、エレクトロルミネツセンス(EL)デイスプ
レイ等のデイスプレイ基板あるいはアモルフアス
太陽電池基板等に使用されるガラス基板に関す
る。 [従来技術] 電子工業では、デイスプレイや太陽電池などの
透明基板としてガラス基板が使用される。これら
のガラス基板には、透明導電膜や絶縁膜、各種半
導体膜が成膜され、さらに、フオトエツチング法
により種々のパターン、回路が基板上に形成され
る。これらの成膜及びフオトエツチング工程にお
いては、ガラス基板はさまざまな熱処理や薬品処
理をうける。例えば、薄膜トランジスタ(TFT)
を用いたアクテイブマトリクス方式の液晶デイス
プレイでは、ガラス基板上に透明導電膜や絶縁膜
が形成された上に、アモルフアスシリコンや多結
晶シリコンノTFTがフオトエツチング法を用い
て基板上に多数形成される。この工程では、ガラ
ス基板は、数百度の熱処理や硫酸、弗酸あるいは
アルカリ溶液などによる種々の薬品処理を受け
る。 したがつて、ガラス基板、特にTFT液晶デイ
スプレイ用ガラス基板としては、一般に次のよう
な要件を満足することが必要である。 アモルフアスシリコンや多結晶シリコン等の
半導体素子は、Naなどのアルカリ金属の影響
を受けると、暗比抵抗が増大するなどの特性劣
化を生じる。ガラス中にアルカリ金属酸化物が
含有されていると、熱処理中にアルカリイオン
が成膜された半導体物質中に拡散し膜特性の劣
化をまねくため、実質的にアルカリ金属酸化物
を含有しないこと。 基板上に成膜された各種の膜のパターニング
を行うフオトエツチング工程では、洗浄、レジ
スト剥離あるいはエツチングの際に、硫酸、弗
酸等の酸あるいはアルカリ等の薬品が使用され
るため、耐薬品性に優れていること。 蒸着、アニール等の成膜工程では、ガラス基
板は数百度に加熱されるため、耐熱性に優れて
いること。 ガラス中に気泡、異物、脈理等が含まれると
デイスプレイの欠陥となるため、溶融性の良い
こと。 基板用として用いられるガラスのうち、ソーダ
石灰ガラスあるいは硬質硼珪酸ガラスはアルカリ
金属酸化物を多量に含有しているため、の要件
を満たさない。石英ガラスは、アルカリ金属酸化
物を含有せず、さらに、の要件を満たすが、
コストが高いという難点がある。 従来、基板用に用いられている無アルカリガラ
スとしては、SiO2−Al2O3−RO系(Rはアルカ
リ土類金属)のアルミノシリケートガラスと
SiO2−B2O3−Al2O3−BaO系のバリウム硼珪酸
ガラスが知られている。 このうち、前者のアルミノシリケートガラスと
して市販されているガラスは、組成中にAl2O3を
15%程度と多量に含有しさらにMgOを含有して
いる場合もあるため、フオトエツチング工程での
弗酸処理時にガラス表面に白濁が発生する。すな
わち、弗酸処理工程では、安定した処理を行うた
めに緩衝剤として弗化アンモニウムを加えたいわ
ゆるバツフアード弗酸が使用される。このバツフ
アード弗酸にガラスが浸漬されると、ガラス中の
Al2O3およびMgOと溶液中のアンモニウムイオン
(NH4 +)と弗素イオン(F-)とが反応し、ガラ
ス表面に白濁物質が形成される。この白濁は簡単
な洗浄では除去できず、また、強制的に除去すれ
ば、ガラス表面に荒れが発生するため、従来のア
ルミノシリケートガラスはデイスプレイ用として
は使用できない。 さらに上記問題に加え、この系のガラスは、溶
融温度が高く、かつ失透温度が高いため、溶融、
成形が困難で、気泡、異物、脈理等のない均質な
ガラスを製造することが難しい。そのため、ガラ
ス組成中に融剤としてPbOを含有させる場合があ
るが、PbOはガラス溶融時に融液表面から蒸発し
環境を汚染する恐れがある。そのため、PbOの含
有は好ましくない。 また、無アルカリのバリウム硼珪酸ガラスとし
ては、コーニング社製7059があり、このガラスは
Al2O3含有量が低く、MgOを含まないためバツフ
アード弗酸に対して白濁を生じにくいが、SiO2
の含有量が低いため、耐酸性、特に耐硫酸性に劣
り、フオトエツチング工程中の酸処理工程で表面
の白濁や荒れが発生する。また、歪点が低く、耐
熱性に劣る。 [発明の目的] 本発明は、以上の問題を解決し、上記した〜
の要件を満たすガラス基板を得ることを目的と
する。すなわち、実質的にアルカリ金属酸化物を
含有せず、さらに、耐薬品性、特に耐硫酸性及び
耐バツフアード弗酸性に優れ、フオトエツチング
工程での薬品処理により変質をうけず、耐熱性に
優れ、かつ気泡、脈理等の除去が可能な溶融性の
良いガラス基板を供することを目的としている。 [発明の構成] 本発明者等は、上記した〜の要件を満たす
ガラス基板として、AiO2−Al2O3−B2O3−RO系
で、SiO2含有量を52重量%以上にすることによ
り耐硫酸性を高め、かつAl2O3含有量を14重量%
以下、より好ましくは13重量%以下に抑えること
と、RO成分として実質的にMgOを含有しないこ
とにより耐バツフアード弗酸性を高め、さらに
B2O3、CaOを適度に加えることにより優れた溶
融性を有するガラスが好適であることを見い出し
た。 すなわち、本発明のガラス基板は、重量百分率
で、SiO2 52〜60%、Al2O3 7〜14%、B2O3 3
〜12%、CaO 3〜13%、BaO 10〜22%、SrO
0〜10%、ZnO 0〜10%からなり、より好まし
くは、SiO2 55〜58%、Al2O3 8〜13%、B2O3
4〜10%、CaO 4〜7%、BaO 11〜20%、SrO
0〜5%、ZnO 0.5〜7%からなり、実質的にア
ルカリ金属酸化物、PbO、MgOを含有しないこ
とを特徴とする。 以下に本発明のガラス基板を構成する各成分の
限定理由について説明する。 本発明におけるSiO2の含有量は、52〜60重量
%、好ましくは、55〜58重量%である。52重量%
より少ない場合は、耐硫酸性が悪化するととも
に、歪点が低くなり耐熱性が悪くなる。60重量%
より多い場合は、高温粘度が大きくなり溶融性が
悪くなるとともに、クリストバライトの失透が出
やすくなり、ガラス中に失透異物の欠陥が生じや
すくなる。 Al2O3の含有量は、7〜14重量%、より好まし
くは8〜13重量%であり、7重量%より少ない場
合は、失透温度が著しく上昇し、ガラス中に失透
がおこりやすくなり、また14重量%より多い場合
は、ガラスをバツフアード弗酸に浸漬したときに
ガラス表面に白濁が生じやすくなる。 B2O3は、融剤として作用し、粘度を下げ溶融
を容易にする成分である。本来、無アルカリガラ
スは、融剤であるアルカリを含まないため、溶融
が非常に難しい。アルカリにかわる融剤として
は、他にPbOが知られているが、PbOは、ガラス
溶融時に融液表面から蒸発し環境を汚染する恐れ
があるため、好ましくない。無アルカリガラスの
溶融性を良くするためには、B2O3を融剤として
加えることが必須である。B2O3の含有量は、3
〜12重量%、より好ましくは4〜10重量%であ
る。3重量%より少ない場合は、融剤としての効
果が得られず、12重量%より多い場合は耐硫酸性
が悪くなるとともに、歪点が低下して耐熱性が得
られなくなる。 CaOは、高温粘度を下げ溶融を容易にする成分
である。その含有量は3〜13重量%、より好まし
くは4〜7重量%である。3重量%より少ない場
合は、上記の効果が得られず、また、13重量%よ
り多い場合は、バツフアード弗酸に浸漬した場合
に白濁を生じやすくなる。 BaOは、ガラスの耐バツフアード弗酸性を損
なうことなく溶融性、成形性を高める効果がある
ので必要な成分であるが、10重量%より少ない場
合はこの効果がなく、22重量%より多い場合は歪
点が低下して耐熱性が悪くなる。 SrOもBaOと同様の効果があるが、10重量%よ
り多い場合は失透性が増すため好ましくない。 ZnOは、耐硫酸性、耐バツフアード弗酸性を向
上させる成分であるが、10重量%より多い場合
は、失透が発生しやすくなるとともに歪点が低下
し耐熱性が得られなくなる。 上記成分以外にも本発明の特徴となるガラス特
性が損なわれない限り、ZrO2、TiO2を含有させ
ても差し支えない。又、As2O3、Sb2O3、F2、
Cl2、SO3等の通常の清澄剤を用いることができ
る。 更に、本発明は、上記のようにガラス基板を構
成する各成分を限定する以外に、アルカリ金属酸
化物、MgO、PbOを実質的に含有しないことを
特徴としている。アルカリ金属酸化物は、基板上
に形成された各種の膜、素子の特性を劣化させ
る。MgOはガラスがバツフアード弗酸に浸漬さ
れたときに白濁を生ずる原因の一つとなる。PbO
は、ガラス溶融時に蒸発し、環境を汚染する恐れ
がある。 [実施例] 次表は本発明のガラス基板の実施例を比較例と
ともに示したものである。 表のNo.1〜10は本発明の実施例、No.11及び12は
比較例である。
PbO、MgOを含有せず、溶融性、耐熱性及び耐
酸性、特に耐硫酸性、耐バツフアード弗酸性に優
れ、薄膜トランジスタ(TFT)液晶デイスプレ
イ、エレクトロルミネツセンス(EL)デイスプ
レイ等のデイスプレイ基板あるいはアモルフアス
太陽電池基板等に使用されるガラス基板に関す
る。 [従来技術] 電子工業では、デイスプレイや太陽電池などの
透明基板としてガラス基板が使用される。これら
のガラス基板には、透明導電膜や絶縁膜、各種半
導体膜が成膜され、さらに、フオトエツチング法
により種々のパターン、回路が基板上に形成され
る。これらの成膜及びフオトエツチング工程にお
いては、ガラス基板はさまざまな熱処理や薬品処
理をうける。例えば、薄膜トランジスタ(TFT)
を用いたアクテイブマトリクス方式の液晶デイス
プレイでは、ガラス基板上に透明導電膜や絶縁膜
が形成された上に、アモルフアスシリコンや多結
晶シリコンノTFTがフオトエツチング法を用い
て基板上に多数形成される。この工程では、ガラ
ス基板は、数百度の熱処理や硫酸、弗酸あるいは
アルカリ溶液などによる種々の薬品処理を受け
る。 したがつて、ガラス基板、特にTFT液晶デイ
スプレイ用ガラス基板としては、一般に次のよう
な要件を満足することが必要である。 アモルフアスシリコンや多結晶シリコン等の
半導体素子は、Naなどのアルカリ金属の影響
を受けると、暗比抵抗が増大するなどの特性劣
化を生じる。ガラス中にアルカリ金属酸化物が
含有されていると、熱処理中にアルカリイオン
が成膜された半導体物質中に拡散し膜特性の劣
化をまねくため、実質的にアルカリ金属酸化物
を含有しないこと。 基板上に成膜された各種の膜のパターニング
を行うフオトエツチング工程では、洗浄、レジ
スト剥離あるいはエツチングの際に、硫酸、弗
酸等の酸あるいはアルカリ等の薬品が使用され
るため、耐薬品性に優れていること。 蒸着、アニール等の成膜工程では、ガラス基
板は数百度に加熱されるため、耐熱性に優れて
いること。 ガラス中に気泡、異物、脈理等が含まれると
デイスプレイの欠陥となるため、溶融性の良い
こと。 基板用として用いられるガラスのうち、ソーダ
石灰ガラスあるいは硬質硼珪酸ガラスはアルカリ
金属酸化物を多量に含有しているため、の要件
を満たさない。石英ガラスは、アルカリ金属酸化
物を含有せず、さらに、の要件を満たすが、
コストが高いという難点がある。 従来、基板用に用いられている無アルカリガラ
スとしては、SiO2−Al2O3−RO系(Rはアルカ
リ土類金属)のアルミノシリケートガラスと
SiO2−B2O3−Al2O3−BaO系のバリウム硼珪酸
ガラスが知られている。 このうち、前者のアルミノシリケートガラスと
して市販されているガラスは、組成中にAl2O3を
15%程度と多量に含有しさらにMgOを含有して
いる場合もあるため、フオトエツチング工程での
弗酸処理時にガラス表面に白濁が発生する。すな
わち、弗酸処理工程では、安定した処理を行うた
めに緩衝剤として弗化アンモニウムを加えたいわ
ゆるバツフアード弗酸が使用される。このバツフ
アード弗酸にガラスが浸漬されると、ガラス中の
Al2O3およびMgOと溶液中のアンモニウムイオン
(NH4 +)と弗素イオン(F-)とが反応し、ガラ
ス表面に白濁物質が形成される。この白濁は簡単
な洗浄では除去できず、また、強制的に除去すれ
ば、ガラス表面に荒れが発生するため、従来のア
ルミノシリケートガラスはデイスプレイ用として
は使用できない。 さらに上記問題に加え、この系のガラスは、溶
融温度が高く、かつ失透温度が高いため、溶融、
成形が困難で、気泡、異物、脈理等のない均質な
ガラスを製造することが難しい。そのため、ガラ
ス組成中に融剤としてPbOを含有させる場合があ
るが、PbOはガラス溶融時に融液表面から蒸発し
環境を汚染する恐れがある。そのため、PbOの含
有は好ましくない。 また、無アルカリのバリウム硼珪酸ガラスとし
ては、コーニング社製7059があり、このガラスは
Al2O3含有量が低く、MgOを含まないためバツフ
アード弗酸に対して白濁を生じにくいが、SiO2
の含有量が低いため、耐酸性、特に耐硫酸性に劣
り、フオトエツチング工程中の酸処理工程で表面
の白濁や荒れが発生する。また、歪点が低く、耐
熱性に劣る。 [発明の目的] 本発明は、以上の問題を解決し、上記した〜
の要件を満たすガラス基板を得ることを目的と
する。すなわち、実質的にアルカリ金属酸化物を
含有せず、さらに、耐薬品性、特に耐硫酸性及び
耐バツフアード弗酸性に優れ、フオトエツチング
工程での薬品処理により変質をうけず、耐熱性に
優れ、かつ気泡、脈理等の除去が可能な溶融性の
良いガラス基板を供することを目的としている。 [発明の構成] 本発明者等は、上記した〜の要件を満たす
ガラス基板として、AiO2−Al2O3−B2O3−RO系
で、SiO2含有量を52重量%以上にすることによ
り耐硫酸性を高め、かつAl2O3含有量を14重量%
以下、より好ましくは13重量%以下に抑えること
と、RO成分として実質的にMgOを含有しないこ
とにより耐バツフアード弗酸性を高め、さらに
B2O3、CaOを適度に加えることにより優れた溶
融性を有するガラスが好適であることを見い出し
た。 すなわち、本発明のガラス基板は、重量百分率
で、SiO2 52〜60%、Al2O3 7〜14%、B2O3 3
〜12%、CaO 3〜13%、BaO 10〜22%、SrO
0〜10%、ZnO 0〜10%からなり、より好まし
くは、SiO2 55〜58%、Al2O3 8〜13%、B2O3
4〜10%、CaO 4〜7%、BaO 11〜20%、SrO
0〜5%、ZnO 0.5〜7%からなり、実質的にア
ルカリ金属酸化物、PbO、MgOを含有しないこ
とを特徴とする。 以下に本発明のガラス基板を構成する各成分の
限定理由について説明する。 本発明におけるSiO2の含有量は、52〜60重量
%、好ましくは、55〜58重量%である。52重量%
より少ない場合は、耐硫酸性が悪化するととも
に、歪点が低くなり耐熱性が悪くなる。60重量%
より多い場合は、高温粘度が大きくなり溶融性が
悪くなるとともに、クリストバライトの失透が出
やすくなり、ガラス中に失透異物の欠陥が生じや
すくなる。 Al2O3の含有量は、7〜14重量%、より好まし
くは8〜13重量%であり、7重量%より少ない場
合は、失透温度が著しく上昇し、ガラス中に失透
がおこりやすくなり、また14重量%より多い場合
は、ガラスをバツフアード弗酸に浸漬したときに
ガラス表面に白濁が生じやすくなる。 B2O3は、融剤として作用し、粘度を下げ溶融
を容易にする成分である。本来、無アルカリガラ
スは、融剤であるアルカリを含まないため、溶融
が非常に難しい。アルカリにかわる融剤として
は、他にPbOが知られているが、PbOは、ガラス
溶融時に融液表面から蒸発し環境を汚染する恐れ
があるため、好ましくない。無アルカリガラスの
溶融性を良くするためには、B2O3を融剤として
加えることが必須である。B2O3の含有量は、3
〜12重量%、より好ましくは4〜10重量%であ
る。3重量%より少ない場合は、融剤としての効
果が得られず、12重量%より多い場合は耐硫酸性
が悪くなるとともに、歪点が低下して耐熱性が得
られなくなる。 CaOは、高温粘度を下げ溶融を容易にする成分
である。その含有量は3〜13重量%、より好まし
くは4〜7重量%である。3重量%より少ない場
合は、上記の効果が得られず、また、13重量%よ
り多い場合は、バツフアード弗酸に浸漬した場合
に白濁を生じやすくなる。 BaOは、ガラスの耐バツフアード弗酸性を損
なうことなく溶融性、成形性を高める効果がある
ので必要な成分であるが、10重量%より少ない場
合はこの効果がなく、22重量%より多い場合は歪
点が低下して耐熱性が悪くなる。 SrOもBaOと同様の効果があるが、10重量%よ
り多い場合は失透性が増すため好ましくない。 ZnOは、耐硫酸性、耐バツフアード弗酸性を向
上させる成分であるが、10重量%より多い場合
は、失透が発生しやすくなるとともに歪点が低下
し耐熱性が得られなくなる。 上記成分以外にも本発明の特徴となるガラス特
性が損なわれない限り、ZrO2、TiO2を含有させ
ても差し支えない。又、As2O3、Sb2O3、F2、
Cl2、SO3等の通常の清澄剤を用いることができ
る。 更に、本発明は、上記のようにガラス基板を構
成する各成分を限定する以外に、アルカリ金属酸
化物、MgO、PbOを実質的に含有しないことを
特徴としている。アルカリ金属酸化物は、基板上
に形成された各種の膜、素子の特性を劣化させ
る。MgOはガラスがバツフアード弗酸に浸漬さ
れたときに白濁を生ずる原因の一つとなる。PbO
は、ガラス溶融時に蒸発し、環境を汚染する恐れ
がある。 [実施例] 次表は本発明のガラス基板の実施例を比較例と
ともに示したものである。 表のNo.1〜10は本発明の実施例、No.11及び12は
比較例である。
【表】
【表】
表のNo.1〜12のガラス試料は、次のようにして
調製した。表に示す組成になるように調合した原
料バツチを白金ルツボに入れて1550℃で16時間溶
融し、その後、溶融ガラスをカーボン板上に流し
出して板状に成形した。この板状ガラスの両面を
光学研磨することによつてガラス基板を作製し、
これを試料として耐硫酸性及び耐バツフアード弗
酸性を評価した。 耐硫酸性は、ガラス基板を80℃の10重量%硫酸
水溶液に3時間浸漬した後、ガラス表面状態を観
察して評価した。ガラス表面が白濁している、あ
るいはクラツク等がはいり荒れが著しいものを
×、わずかに荒れが認められるものを△、全く変
化がないものを○とした。 耐バツフアード弗酸性は、ガラス基板を30重量
%弗化アンモニウム、6重量%弗酸からなるバツ
フアード弗酸に3分間浸漬した後、ガラス表面状
態を観察して評価した。ガラス表面が白濁するも
のを×、わずかに白濁が認められるものを△、全
く白濁しないものを○とした。 この結果、本発明の実施例は、耐硫酸性及び耐
バツフアード弗酸性が優れていることがわかる。 また、本発明の実施例は、歪点がいずれも600
℃以上であり、優れた耐熱性を有していることが
わかる。 さらに、溶融性の目安となる高温粘度について
は102.5ポイズに相当する温度が、本発明の実施例
では、いずれも1520℃以下と低い。本発明のガラ
ス基板は、溶融性の良いことがわかる。 [発明の効果] 本発明のガラス基板は、実質的にアルカリ金属
酸化物を含有しないため基板上に形成される透明
導電膜や半導体膜の特性を損なうことがなく、ま
た硫酸やバツフアード弗酸に対する耐久性に優
れ、かつ歪点が高く耐熱性に優れているため成膜
工程やフオトエツチング工程で受ける熱処理や薬
品処理によつても変質することがなく、さらに溶
融が容易で気泡や脈理の除去が容易で均質なガラ
スが得やすいため、TFT液晶デイスプレイ基板
として最適であり、それ以外にもELデイスプレ
イ基板やアモルフアスシリコン太陽電池基板等の
各種基板として広範な用途に利用できる。
調製した。表に示す組成になるように調合した原
料バツチを白金ルツボに入れて1550℃で16時間溶
融し、その後、溶融ガラスをカーボン板上に流し
出して板状に成形した。この板状ガラスの両面を
光学研磨することによつてガラス基板を作製し、
これを試料として耐硫酸性及び耐バツフアード弗
酸性を評価した。 耐硫酸性は、ガラス基板を80℃の10重量%硫酸
水溶液に3時間浸漬した後、ガラス表面状態を観
察して評価した。ガラス表面が白濁している、あ
るいはクラツク等がはいり荒れが著しいものを
×、わずかに荒れが認められるものを△、全く変
化がないものを○とした。 耐バツフアード弗酸性は、ガラス基板を30重量
%弗化アンモニウム、6重量%弗酸からなるバツ
フアード弗酸に3分間浸漬した後、ガラス表面状
態を観察して評価した。ガラス表面が白濁するも
のを×、わずかに白濁が認められるものを△、全
く白濁しないものを○とした。 この結果、本発明の実施例は、耐硫酸性及び耐
バツフアード弗酸性が優れていることがわかる。 また、本発明の実施例は、歪点がいずれも600
℃以上であり、優れた耐熱性を有していることが
わかる。 さらに、溶融性の目安となる高温粘度について
は102.5ポイズに相当する温度が、本発明の実施例
では、いずれも1520℃以下と低い。本発明のガラ
ス基板は、溶融性の良いことがわかる。 [発明の効果] 本発明のガラス基板は、実質的にアルカリ金属
酸化物を含有しないため基板上に形成される透明
導電膜や半導体膜の特性を損なうことがなく、ま
た硫酸やバツフアード弗酸に対する耐久性に優
れ、かつ歪点が高く耐熱性に優れているため成膜
工程やフオトエツチング工程で受ける熱処理や薬
品処理によつても変質することがなく、さらに溶
融が容易で気泡や脈理の除去が容易で均質なガラ
スが得やすいため、TFT液晶デイスプレイ基板
として最適であり、それ以外にもELデイスプレ
イ基板やアモルフアスシリコン太陽電池基板等の
各種基板として広範な用途に利用できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 重量百分率でSiO2 52〜60%、Al2O3 7〜14
%、B2O3 3〜12%、CaO 3〜13%、BaO 10〜
22%、SrO 0〜10%、ZnO 0〜10%からなり、
実質的にアルカリ金属酸化物、PbO、MgOを含
有しないことを特徴とする耐薬品性に優れたガラ
ス基板。 2 重量百分率でSiO2 55〜58%、Al2O3 8〜13
%、B2O3 4〜10%、CaO 4〜7%、BaO 11〜
20%、SrO 0〜5%、ZnO 0.5〜7%からなり、
実質的にアルカリ金属酸化物、PbO、MgOを含
有しないことを特徴とする特許請求の範囲第1項
記載の耐薬品性に優れたガラス基板。
Priority Applications (3)
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|---|---|---|---|
| JP61218743A JPS6374935A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 耐薬品性に優れたガラス基板 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61218743A JPS6374935A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 耐薬品性に優れたガラス基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6374935A JPS6374935A (ja) | 1988-04-05 |
| JPH0458421B2 true JPH0458421B2 (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=16724725
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61218743A Granted JPS6374935A (ja) | 1986-09-17 | 1986-09-17 | 耐薬品性に優れたガラス基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS6374935A (ja) |
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| US5116787A (en) * | 1991-08-12 | 1992-05-26 | Corning Incorporated | High alumina, alkaline earth borosilicate glasses for flat panel displays |
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| US5374595A (en) * | 1993-01-22 | 1994-12-20 | Corning Incorporated | High liquidus viscosity glasses for flat panel displays |
| US5326730A (en) * | 1993-01-22 | 1994-07-05 | Corning Incorporated | Barium aluminosilicate glasses |
| US5508237A (en) * | 1994-03-14 | 1996-04-16 | Corning Incorporated | Flat panel display |
| US5631195A (en) * | 1994-09-14 | 1997-05-20 | Asahi Glass Company Ltd. | Glass composition and substrate for plasma display |
| US5459109A (en) * | 1994-09-19 | 1995-10-17 | Corning Incorporated | Substrate glasses for plasma displays |
| FR2727399B1 (fr) * | 1994-10-13 | 1997-01-31 | Saint Gobain Vitrage | Compositions de verre silico-sodo-calciques et leurs applications |
| ATE166858T1 (de) * | 1994-10-13 | 1998-06-15 | Saint Gobain Vitrage | Substrat aus verstärktem glas |
| DE69508706T2 (de) * | 1994-11-30 | 1999-12-02 | Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo | Alkalifreies Glas und Flachbildschirm |
| US5741746A (en) * | 1995-03-02 | 1998-04-21 | Kohli; Jeffrey T. | Glasses for display panels |
| DE19601922C2 (de) * | 1996-01-13 | 2001-05-17 | Schott Glas | Zinn- und zirkonoxidhaltige, alkalifreie Erdalkali-Alumo-Borosilicatgläser und deren Verwendung |
| US6508083B1 (en) | 1996-08-21 | 2003-01-21 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Alkali-free glass and method for producing the same |
| KR100394094B1 (ko) * | 1997-07-16 | 2003-09-19 | 삼성코닝 주식회사 | 프라즈마 영상 표시판넬용 기판유리조성물 |
| US6197429B1 (en) * | 1998-02-26 | 2001-03-06 | Corning Incorporated | Method for making transparent glass-ceramics with high temperature dimensional stability |
| US6468933B1 (en) | 1998-09-22 | 2002-10-22 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Alkali-free glass and method of producing the same |
| DE19916296C1 (de) * | 1999-04-12 | 2001-01-18 | Schott Glas | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendung |
| DE19942259C1 (de) * | 1999-09-04 | 2001-05-17 | Schott Glas | Erdalkalialuminoborosilicatglas und dessen Verwendungen |
| DE10000839C1 (de) * | 2000-01-12 | 2001-05-10 | Schott Glas | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen |
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| DE10000836B4 (de) * | 2000-01-12 | 2005-03-17 | Schott Ag | Alkalifreies Aluminoborosilicatglas und dessen Verwendungen |
| DE10064804C2 (de) * | 2000-12-22 | 2003-03-20 | Schott Glas | Alkalifreie Aluminoborosilicatgläser und ihre Verwendung |
| US6753279B2 (en) | 2001-10-30 | 2004-06-22 | Corning Incorporated | Glass composition for display panels |
| DE10214449B4 (de) * | 2002-03-30 | 2005-03-24 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von alkalifreien Aluminosilicatgläsern |
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| US8281618B2 (en) * | 2005-12-16 | 2012-10-09 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Alkali-free glass substrate and process for producing the same |
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|---|---|---|---|---|
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| US4441051A (en) * | 1982-02-22 | 1984-04-03 | General Electric Company | Lamp seal glass |
| JPS6042247A (ja) * | 1983-08-16 | 1985-03-06 | Asahi Glass Co Ltd | 低膨張性ガラス |
| JPS60118648A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミツク基板用グレ−ズ組成物 |
| JPS60141642A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-26 | Tdk Corp | 高温度安定低膨脹ガラス |
| JPS60215547A (ja) * | 1984-04-09 | 1985-10-28 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 紫外線透過ガラス |
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