JPH0458621B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0458621B2 JPH0458621B2 JP59227369A JP22736984A JPH0458621B2 JP H0458621 B2 JPH0458621 B2 JP H0458621B2 JP 59227369 A JP59227369 A JP 59227369A JP 22736984 A JP22736984 A JP 22736984A JP H0458621 B2 JPH0458621 B2 JP H0458621B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- thin film
- cleaning
- sulfur
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体集積回路の製造工程中に用い
られる写真蝕刻用フオトマスクの製造方法に関す
るものである。
られる写真蝕刻用フオトマスクの製造方法に関す
るものである。
一般に、半導体集積回路の製造においては、写
真蝕刻工程で使用される選択露光用フオトマスク
には、金属クロム、酸化クロム、酸化鉄、シリコ
ン酸化物等の薄膜を使用したメタルマスクと、ハ
ロゲン化銀乳剤を使用したエマルジヨンマスクと
がある。しかしながら微細パターンが要求される
ようになつた近年においては、その分解能、耐久
性などの観点から前者が主流となつてきている。
真蝕刻工程で使用される選択露光用フオトマスク
には、金属クロム、酸化クロム、酸化鉄、シリコ
ン酸化物等の薄膜を使用したメタルマスクと、ハ
ロゲン化銀乳剤を使用したエマルジヨンマスクと
がある。しかしながら微細パターンが要求される
ようになつた近年においては、その分解能、耐久
性などの観点から前者が主流となつてきている。
ところがエマルジヨンマスクからメタルマスク
へと耐久性が向上した反面、繰り返し使用する際
の洗浄が重要となつてきた。保管中に受ける大気
中の有機物による汚染に加え、コンタクト露光時
のレジスト付着、運搬、取り扱い中の汚れ等をい
かに効率よく除去するかが、メタルマスクを使用
する上で大きな問題となつている。これらメタル
マスクの洗浄方法としては、界面活性剤等の洗
浄、硝酸、硫酸、クロム硫酸、過酸化水素水等の
酸を使用する化学洗浄、スポンジやブラシによる
スクラブ、超音波等の物理洗浄あるいはその組合
せ等が用いられているが、それぞれ一長一短があ
り、最適な洗浄方法が確立されていない現状にあ
る。最適洗浄方法が見い出せず洗浄効果が悪いと
いうことはとりもなおさず、半導体集積回路の歩
留に影響することはいうまでもない。
へと耐久性が向上した反面、繰り返し使用する際
の洗浄が重要となつてきた。保管中に受ける大気
中の有機物による汚染に加え、コンタクト露光時
のレジスト付着、運搬、取り扱い中の汚れ等をい
かに効率よく除去するかが、メタルマスクを使用
する上で大きな問題となつている。これらメタル
マスクの洗浄方法としては、界面活性剤等の洗
浄、硝酸、硫酸、クロム硫酸、過酸化水素水等の
酸を使用する化学洗浄、スポンジやブラシによる
スクラブ、超音波等の物理洗浄あるいはその組合
せ等が用いられているが、それぞれ一長一短があ
り、最適な洗浄方法が確立されていない現状にあ
る。最適洗浄方法が見い出せず洗浄効果が悪いと
いうことはとりもなおさず、半導体集積回路の歩
留に影響することはいうまでもない。
また一般に被洗浄体の洗浄性は、洗浄体の表面
状態に大きく依存し、滴下した純水液滴の接触角
に大きく関連し、接触角が小さいほどその被洗浄
体の汚れの除去が容易であることが知られてい
る。発明者らはメタルマスクの洗浄性に関し各種
検討を加えた結果、メタルマスクの金属薄膜にイ
オウイオンを注入または吸着させることにより洗
浄性を長期間あるいは半永久的に持続させること
ができることを見出した。
状態に大きく依存し、滴下した純水液滴の接触角
に大きく関連し、接触角が小さいほどその被洗浄
体の汚れの除去が容易であることが知られてい
る。発明者らはメタルマスクの洗浄性に関し各種
検討を加えた結果、メタルマスクの金属薄膜にイ
オウイオンを注入または吸着させることにより洗
浄性を長期間あるいは半永久的に持続させること
ができることを見出した。
本発明は、上記検討を踏まえてなされたもので
あり、写真蝕刻用メタルマスク主面上の金属薄膜
を改質し、メタルマスクの洗浄性を改善するとと
もに、ひいては半導体集積回路の歩留向上、原価
低減を目的になされたものである。
あり、写真蝕刻用メタルマスク主面上の金属薄膜
を改質し、メタルマスクの洗浄性を改善するとと
もに、ひいては半導体集積回路の歩留向上、原価
低減を目的になされたものである。
上記目的を達成するため、本発明による写真蝕
刻用フオトマスクの製造方法においては、透明基
板の一方の主平面上に感光剤の感光波長域の紫外
光を遮断する金属または金属酸化物の薄膜を形成
し、該薄膜にイオウイオンの注入または吸着処理
を行う写真蝕刻用フオトマスクの製造方法であつ
て、 イオウイオンの注入または吸着処理は、金属ま
たは金属酸化物の薄膜の純水に対する濡れ性を高
める処理である。
刻用フオトマスクの製造方法においては、透明基
板の一方の主平面上に感光剤の感光波長域の紫外
光を遮断する金属または金属酸化物の薄膜を形成
し、該薄膜にイオウイオンの注入または吸着処理
を行う写真蝕刻用フオトマスクの製造方法であつ
て、 イオウイオンの注入または吸着処理は、金属ま
たは金属酸化物の薄膜の純水に対する濡れ性を高
める処理である。
以下本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例であるメタルマスク
の模式断面図であるが、外観上は従来のメタルマ
スクと同様である。１は石英ガラスまたはソーダ
ガラス等の透明基板であり、２はイオン注入によ
り表面にイオウイオンを注入したクロム及び酸化
クロムよりなる金属薄膜である。実施例ではイオ
ン源に二酸化イオウガス（SO2）を用い、加速エ
ネルギー100〜200KeVにてドース量
1013〜16ions／cm2となるような条件を用いたが、イ
オン源としては固体イオウ(S)も使用可であること
を確認している。
の模式断面図であるが、外観上は従来のメタルマ
スクと同様である。１は石英ガラスまたはソーダ
ガラス等の透明基板であり、２はイオン注入によ
り表面にイオウイオンを注入したクロム及び酸化
クロムよりなる金属薄膜である。実施例ではイオ
ン源に二酸化イオウガス（SO2）を用い、加速エ
ネルギー100〜200KeVにてドース量
1013〜16ions／cm2となるような条件を用いたが、イ
オン源としては固体イオウ(S)も使用可であること
を確認している。
上述条件のもとで表面にイオウイオンを注入さ
れた金属薄膜を有するメタルマスクは、第２図に
示したように、長期間にわたり濡れ性を維持し
（すなわち純水に対する接触角の上昇が小さい）、
ウエハー工程でマスクを使用した後も簡単な洗浄
のみ（例えば純水スクラブ等）で表面の清浄性を
回復することができた。一方本発明による表面処
理を行わないマスクにおいては、極めて短時間に
汚染が進み、清浄性を回復させるためには相当ハ
ードな洗浄が必要であつた。このものは洗浄時に
おいて、当然メタルマスクの欠損、パターンの欠
け、金属薄膜の反射率増加等の幣害の機会も増大
することになり、結果としてメタルマスクの寿命
を縮めることになることは明らかである。
れた金属薄膜を有するメタルマスクは、第２図に
示したように、長期間にわたり濡れ性を維持し
（すなわち純水に対する接触角の上昇が小さい）、
ウエハー工程でマスクを使用した後も簡単な洗浄
のみ（例えば純水スクラブ等）で表面の清浄性を
回復することができた。一方本発明による表面処
理を行わないマスクにおいては、極めて短時間に
汚染が進み、清浄性を回復させるためには相当ハ
ードな洗浄が必要であつた。このものは洗浄時に
おいて、当然メタルマスクの欠損、パターンの欠
け、金属薄膜の反射率増加等の幣害の機会も増大
することになり、結果としてメタルマスクの寿命
を縮めることになることは明らかである。
以上述べたように、本発明によるメタルマスク
の製造方法によれば、透明基板上の金属薄膜にイ
オウイオンを注入または吸着させることにより、
薄膜の純水に対する濡れ性を高め、純水による洗
浄性を改善して極めて長期間にわたり金属薄膜表
面を有機系の汚染から保護でき、メタルマスクを
繰り返し使用した後でも簡単な洗浄にて清浄度を
回復できる。
の製造方法によれば、透明基板上の金属薄膜にイ
オウイオンを注入または吸着させることにより、
薄膜の純水に対する濡れ性を高め、純水による洗
浄性を改善して極めて長期間にわたり金属薄膜表
面を有機系の汚染から保護でき、メタルマスクを
繰り返し使用した後でも簡単な洗浄にて清浄度を
回復できる。
したがつて、本発明を採用することによりメタ
ルマスクの寿命を延ばし、加えて複雑な洗浄装置
の必要がなくなり、結果として半導体集積回路の
コスト低減にも大きく貢献できる効果を有するも
のである。
ルマスクの寿命を延ばし、加えて複雑な洗浄装置
の必要がなくなり、結果として半導体集積回路の
コスト低減にも大きく貢献できる効果を有するも
のである。
第１図は、本発明により製造されたメタルマス
クの断面図であり、第２図は本発明により製造さ
れたメタルマスクと従来のメタルマスクの純水に
対する接触角の経時変化を比較してプロツトした
グラフを示す図である。 １……石英ガラスまたはソーダガラス等の透明
基板、２……イオウイオンを注入したクロム及び
酸化クロムよりなる金属薄膜。
クの断面図であり、第２図は本発明により製造さ
れたメタルマスクと従来のメタルマスクの純水に
対する接触角の経時変化を比較してプロツトした
グラフを示す図である。 １……石英ガラスまたはソーダガラス等の透明
基板、２……イオウイオンを注入したクロム及び
酸化クロムよりなる金属薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明基板の一方の主平面上に感光剤の感光波
長域の紫外光を遮断する金属または金属酸化物の
薄膜を形成し、該薄膜にイオウイオンの注入また
は吸着処理を行う写真蝕刻用フオトマスクの製造
方法であつて、 イオウイオンの注入または吸着処理は、金属ま
たは金属酸化物の薄膜の純水に対する濡れ性を高
める処理であることを特徴とする写真蝕刻用フオ
トマスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227369A JPS61105548A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 写真蝕刻用フオトマスクの製造方法 |
| US06/791,585 US4670365A (en) | 1984-10-29 | 1985-10-25 | Photomask and method of fabrication thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227369A JPS61105548A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 写真蝕刻用フオトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105548A JPS61105548A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH0458621B2 true JPH0458621B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=16859722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59227369A Granted JPS61105548A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 写真蝕刻用フオトマスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4670365A (ja) |
| JP (1) | JPS61105548A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4764441A (en) * | 1985-11-22 | 1988-08-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-mask for production of substrate for optical memory element |
| US6604086B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-08-05 | Usa Technologies, Inc. | Electronic commerce terminal connected to a vending machine operable as a telephone |
| US6615183B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-09-02 | Usa Technologies, Inc. | Method of warehousing user data entered at an electronic commerce terminal |
| US6601037B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-07-29 | Usa Technologies, Inc. | System and method of processing credit card, e-commerce, and e-business transactions without the merchant incurring transaction processing fees or charges worldwide |
| US6601039B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-07-29 | Usa Technologies, Inc. | Gas pump control system having access to the internet for the purposes of transacting e-mail, e-commerce, and e-business, and for conducting vending transactions |
| US6763336B1 (en) | 1998-07-20 | 2004-07-13 | Usa Technologies, Inc. | Method of transacting an electronic mail, an electronic commerce, and an electronic business transaction by an electronic commerce terminal using a wirelessly networked plurality of portable digital devices |
| US6604087B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-08-05 | Usa Technologies, Inc. | Vending access to the internet, business application software, e-commerce, and e-business in a hotel room |
| US6807532B1 (en) | 1998-07-20 | 2004-10-19 | Usa Technologies, Inc. | Method of soliciting a user to input survey data at an electronic commerce terminal |
| US6609102B2 (en) | 1998-07-20 | 2003-08-19 | Usa Technologies, Inc. | Universal interactive advertizing and payment system for public access electronic commerce and business related products and services |
| US6601038B1 (en) | 1998-07-20 | 2003-07-29 | Usa Technologies, Inc. | Delivery of goods and services resultant from an electronic commerce transaction by way of a pack and ship type company |
| US6162565A (en) * | 1998-10-23 | 2000-12-19 | International Business Machines Corporation | Dilute acid rinse after develop for chrome etch |
| US7805338B2 (en) * | 2001-03-26 | 2010-09-28 | Usa Technologies, Inc. | Method of constructing a digital content play list for transmission and presentation on a public access electronic terminal |
| CN102043323B (zh) * | 2009-10-23 | 2014-09-24 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 制造掩膜版的方法 |
| US9287154B2 (en) * | 2012-06-01 | 2016-03-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | UV curing system for semiconductors |
| KR102296739B1 (ko) * | 2014-10-27 | 2021-09-01 | 삼성전자 주식회사 | 포토마스크용 세정 조성물을 이용한 집적회로 소자 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55151643A (en) * | 1979-05-16 | 1980-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film treating method |
| JPS5616136A (en) * | 1979-07-17 | 1981-02-16 | Mitsubishi Electric Corp | Production of transfer mask for x-ray |
| JPS5640828A (en) * | 1979-09-11 | 1981-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | Production of photomask |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP59227369A patent/JPS61105548A/ja active Granted
-
1985
- 1985-10-25 US US06/791,585 patent/US4670365A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61105548A (ja) | 1986-05-23 |
| US4670365A (en) | 1987-06-02 |
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