JPH0458641B2

JPH0458641B2 -

Info

Publication number: JPH0458641B2
Application number: JP58091135A
Authority: JP
Inventors: Junichi Nishizawa
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1983-05-23
Filing date: 1983-05-23
Publication date: 1992-09-18
Also published as: JPS59217202A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、高密度でしかも高精度に記録、再生
の行える新規な磁気記録方法に関し、特にマルチ
トラツク化が容易な新規な垂直磁気記録方法に関
する。

従来の磁気記録装置には、記録を記録媒体の長
手方向に記録する水平記録装置と、記録媒体の磁
性層の厚さ方向に記録する垂直記録装置とがあ
る。

第１図ａは従来の水平記録装置の一例の概略
図、第１図ｂは記録媒体を説明するための概略図
である。

水平記録装置は、記録媒体１とリングヘツド２
とから構成される。

記録媒体１は、基板３とヘツド２に接する面に
設けられる磁性層４とから成る。

磁性層４は、第１図ｂに示す如く、長さｌ、厚
さｄの磁石上にＮ極（＋）とＳ極（−）が、Ｎ極
とＮ極、Ｓ極とＳ極とを突き合わせて並べた形に
なつている。

第１図ｂに示した長さＡ−A′部分が第１図ａ
の磁性層４として示してある。

リングヘツド２は、リング型磁心５と、信号の
入力端子６，７を有するコイル８とから成る。

この装置における記録は、入力端子６，７に外
部より入力する入力信号に応じ、リングヘツド２
の磁心の空〓９から生じるフラツクス１０によ
り、記録媒体１の走行方向Ｖに磁化力を変化させ
て行われる。

従来の水平記録装置は第１図ｂに示した距離ｌ
を短くすればする程、要するに記録密度を増そう
とすればする程、減磁作用の影響が多くなる大き
な欠点を有している。

第２図ａは、従来の垂直記録装置の一例の概略
図、第２図ｂは記録媒体を説明するための概略図
である。

垂直記録装置は、一例をあげると記録媒体１１
と主磁極１２、補助磁極１３とから構成される。

記録媒体１１は、基板１４と磁性層１５とから
成る。

磁性層１５は、水平方向記録の場合と異り、磁
石を媒体面に垂直に立て、Ｎ極とＳ極とが交互に
表面にでるように並べた形になつている。

第２図ｂに示した長さＢ−B′部分が第２図ａ
の磁性層１５として示してある。

この装置において、水平記録装置のリングヘツ
ドの空〓（第１図ａの９）は、軟磁性薄膜の短冊
（厚み1μｍ以下）でできた主磁極１２に置き換え
られている。

主磁極１２は、非磁性体によつて保持される。

補助磁極１３は、主磁極１２に対向して設けら
れ、入力端子１６，１７を有するコイル１８を外
部に有して形成されている。

記録の際、記録媒体１１は、その磁性層１５が
主磁極１２に接触して図中矢印Ｖ方向に移動する
が、この時補助磁極１３からの励磁によつて生じ
た主磁極１２の垂直磁界１９で、信号は磁性層１
５に、その厚さ方向に記録される。

従つて、この装置における記録は、隣り合う磁
石（信号）同士には全て吸引力が働き、減磁作用
を０にする利点を有しているが、主磁極１１、補
助磁極１３間が離れているので、その距離に応じ
て、電流を多く流す必要が生じたり、更に実用の
際磁性層１５は、内部にFe−Ni膜、パーマロイ
層を0.5μｍ程度を必要とする等の大きな欠点を有
している。

第３図は、従来の垂直記録装置の他の一例の概
略図である。

この装置は、記録媒体２１、主磁極２２、補助
磁極２３とから構成されるが、第２図ａに示した
例と異り、主磁極２２，補助磁極２３が、記録媒
体２１に対向しておらず、記録媒体２１の一方の
面方向に両方共設けられている。

記録媒体２１は、基板２４の一方の側面に磁性
層２５、その上にFe−Ni膜２６を有し形成され
る。

磁性層２５は、第２図ｂに示した磁性層１５と
同様、Ｎ極とＳ極とが交互に表面にでるように並
べた形状、即ち垂直異方性を有する如く形成され
る。

この例に示した装置の特徴は、第１図ａに示し
た水平記録装置用のリングヘツド２とほぼ同じ構
成であるが水平記録用のものより空〓２７（第１
図ａでは９）を広く（15μｍ）してあり、かつ
主磁極２２の膜厚を補助磁極２３に比較してずつ
と薄くしてあることにある。この構造のものは、
コイル２８を有する主磁極２２の先端部の記録媒
体２１の面に垂直な磁界成分が急峻になる利点を
有する共に、Fe−Ni膜２６をヘツドの一部とし
て積極的に利用している。つまり、記録媒体２１
のFe−Ni膜２６が主磁極２２と補助磁極２３間
の磁路２９になり、磁束は主磁極２２の下に集ま
る。補助磁極２３の下では、磁束が広がつている
ので、ここで記録、再生が行われることはない
が、トラツクを逆方向に移動させて記録させるこ
とはできない欠点を有している。

第５図にはトラツク走行方向に対し直角方向に
磁化を行なう様に主磁極と、主磁極に隣接あるい
は主磁極を挾むように、記録媒体の進行方向に垂
直方向に補助磁極が設置された例を示す。従つて
磁化パターンは第４図に示す様にトラツク走行方
向を横切る形状でならび、又、記録媒体の磁化膜
層の下に高透磁率層を配置することにより垂直方
向にも磁化される。

従来の水平記録方式において記録密度を高める
ために磁石の長さを短かくした場合（第１図bA
−A′）、減磁界が大きくなつてしまい、それを解
決する為にはトラツク幅を狭く、又、膜厚を薄
く、かつ抗磁力を大きくする必要がありこの事は
技術的にも又、材料の抗磁力の点でも限界があ
り、従つて記録密度を上げるには限界があつた。

第５図の磁化構造にすると磁石の長さは走行ト
ラツクの幅方向及び垂直方向になる為上記の欠点
が全く無視できる利点を有している。又トラツク
走行方向に対して直角方向に磁界が閉磁路を形成
して記録する為、マルチトラツクを形成した場
合、各トラツク間の相互干渉は極端に少ない。例
えば１トラツク100μｍ程度の幅で構成した場合、
マルチトラツク走行面が１cmであれば100以上の
チヤンネル数を構成でき走行方向の磁化区分は
0.5μｍ以下の幅で記録できることから１cm²当り、
2000000ビツト以上の記録ができる特徴を有する。

また、水平記録方式で記録密度の限界が生じる
為、前記説明した垂直磁化記録方式が提案されて
いる。垂直磁化記録方式の垂直ヘツドとしては記
録媒体をはさむ形で構成される補助磁極励磁型、
補助磁極付き主磁極励磁型等があり特に補助磁極
励磁型（第２図ａ）は主磁極に高透磁率材料を使
用することで再生感度を上げ高記録密度を達成し
ているが、この方式は記録媒体をはさむ構造（開
磁路）であるため磁気テープやフロツピーデイス
ク用としては有力であるがハードデイスク装置に
は使用できない。又、磁気テープやフロツピーデ
イスクの強度を増す為基板層を厚くした場合にも
使用が困難となる。又、マルチトラツク記録方式
には開磁路を形成している為相互干渉が起り非常
に使用しにくい欠点を有している。

又、垂直磁化記録方式では第３図に示す如く上
面より記録媒体の高透磁率層を磁気ヘツドの一部
として使用し裏面に補助磁極を置かずに垂直磁化
を行う方式が提案されているが、この場合トラツ
クの進行方向に対して磁束が形成されるためトラ
ツクの進行方向が一方向に限定され逆方向に記録
することはできない欠点を有している。

前述の第５図は、記録媒体の進行方向に対して
垂直方向に磁化する記録方式の従来技術を示すも
のである。トラツク走行方向に対して直角方向に
磁界を発生する磁気ヘツドが設置され記録媒体は
第４図に示す用にCo−Cr膜などの磁化膜４０に
Ni−Fe（パーマロイ）層などの高透磁率層４１を
裏打ちしてある。この高透磁率層はNi−Feの外
にMo，Mn，Cr等を加えたスーパーパーマロイ
等を使用すれば透磁率はさらに向上し酸化膜４０
の磁化がさらに良好となる。又、高透磁率層を有
しない媒体の場合、媒体の裏面に同作用を行うパ
ーマロイ等の高透磁率で形成される補助磁極を置
けば垂直磁化ができる。磁気ヘツドは２つの主磁
極から構成され、磁束は一方の主磁極から記録媒
体の磁化膜４０、高透磁率層４１を通過し再度磁
化膜４０を通つて、同一磁気ヘツドの他方の主磁
極へつながり閉回路を構成する。又、当然この逆
の経路でも構成される。

従つて記録媒体上の磁化膜４０には第４図に示
される如く垂直方向に＋，−の対の極が、又、ト
ラツク走行方向水平成分の直角方向にも＋，−の
対の極が記録される。この主磁極ＡとＢとの間隙
は非常に狭く構成することができ、２つの主磁極
は磁束が集中した状態で閉磁路を構成する為単位
断面積当りの磁束密度が大きく、従つて再生時の
検出電圧も大きい。しかし、磁化パターンはトラ
ツク走行方向を含む平面上の配列となり、記録密
度には限界がある。

本考案の目的は全く異なる新規な垂直磁化記録
方式を提案し、記録密度の増加、多トラツクでの
優位性などを実現することにある。本発明の別の
目的は、進行方向に対して無関係に高密度で記録
できる新規な記録方向を提供することにある。本
発明のさらに別の目的は再生出力電圧の非常に大
きい記録方式を提供することにある。

第７図は本発明を示すもので、主磁極とこの主
磁極よりも断面積の大きい補助磁極により構成さ
れる。この場合、トラツク走行方向水平成分には
一つの極だけが記録され、垂直磁化記録だけとな
る。しかし従来の垂直磁化方式とは異なりトラツ
クの進行方向がどちらでも記録が可能である。

主磁極の断面はトラツク走行方向に対し長い形
状であつても又、逆に走行方向に対し短い形状で
あつても良い。

トラツク走行方向に対し短い形状の主磁極でマ
ルチヘツドを構成すると第６図に示す如くとなり
のトラツクの磁束に各々が影響しない程度に重複
させながら配置ができる。このことは各トラツク
間の距離を縮める事ができ尚一層高密度化が可能
となる。又、各主磁極対は閉磁路で構成される
為、トラツク間同志の影響は非常に少ない。第８
図は主磁極を補助磁極の両側に設置した例の平面
図である。この場合磁化媒体には第４図で示した
構造とは異なり第９図の様に、水平成分方向には
同極が記録される。従つて再生出力電圧は非常に
大きな値が得られる。

第１０図は第８図の構造をマルチトラツクに構
成した例の平面図である。この場合に於いても各
主磁極と補助磁極は閉磁路で構成される為、隣り
のトラツクの主磁極が近接しても影響は起らない
特徴をもつ。

第１１図はマルチトラツクの場合の記録及び再
生の一回路実施例である。本発明は前述した様に
各トラツクの分離にすぐれており、又、非常に多
くのトラツク数を構成できることから、記録媒体
の走行方向にはトラツク移動、又、直角方向へは
順次記録が電気的に行う事が可能であり、任意の
位置に信号を記録でき、走行方向及び直角方向で
のマトリツクス記録ができる。逆方向への記録、
再生ができるのも言うまでもない。

本発明の磁気記録再生装置に使用する磁気ヘツ
ドについて説明する。第１２図は、磁気テープあ
るいは磁気デイスクの進行方向に直角な方向に一
つの主磁極とそれに隣接する補助磁極を多数配列
されたマルチヘツドの先端部の構造が示されてい
る。非磁性材料基板、たとえば融容石英基板ある
いはガラス基板１２１上に設けられた一つの主磁
極１１１と補助磁極１１２により記録・再生は行
なわれる。主磁極対の数は、対象となる磁気テー
プや磁気デイスクの寸法及び所望の記録チヤンネ
ル数から決定する。図中の矢印は、磁気テープや
磁気デイスクの進行方向を示している。隣接する
磁極間のギヤツプもｇ、主磁極の進行方向厚さ
ｄ、幅Ｗ及び各ヘツド間の間隔ｌは、それぞれ所
望の値に設計する。１２２は、CVD（Chemical
Vapor Deposition）法等により堆積されるSiO₂
である。あるいは、比較的低温で硬化する樹脂、
たとえばポリイミド樹脂のようなものでもよい。

第１２図に示された−主磁極と隣接する補助磁
極を用いたマルチヘツドを上から見た時のヘツド
の平面図を第１３図に示す。ヘツド１個分の平面
図が第１３図には示されている。主磁極１１１，
１１２は図に示されているように、いわばリング
状に磁性材料１１３によつてつながつている。１
１１，１１２，１１３は通常同一の材料で形成さ
れる。記録時の起磁力が小さくできて、かつ再生
電圧が大きくできるためには、この材料は特に飽
和磁束密度Bsが大きくかつ初透磁率μiの高いこ
とが要求される。通常、Cu−Moパーマロイ膜あ
るいはCo−Zrアモルフアス膜等である。Cu−
Moパーマロイ膜のBsは、6000Gauss、μiは2600、
抗磁力Hcは0.10e最大透磁率μmax13000である。
一方、Co−Zrアモルフアス膜では、Bs＝
13000Gauss、Hc＝0.120e、μi＝4000、μmax＝
7500である。Fe−Ni系パーマロイにMo，Cr，
Mu等を少量添加したスーパーパーマロイの初透
磁率はさらに大きくなる。スーパーパーマロイ膜
も当然主磁極材料として使用できる。主磁極１１
１と補助磁極１１２に直接接触する形で、ベース
材料の上に高透磁率材料すなわちパーマロイある
いはスーパーパーマロイ、もしくはCo−Zrアモ
ルフアス等の薄膜を設け、更にその上に、Co−
Cr、Co−Mo、Co−Ｗ、Co−Ｖ等の垂直磁気異
方性を有する材料の薄膜が設けられた磁気テープ
や磁気デイスクは配置されるわけである。第１３
図で点線で示される１１４は、主磁極薄膜１１
１，１１２，１１３の下にSiO₂等の絶縁層を介
して設けられているAl等の金属配線である。

実線で示されている１１５は、主磁極薄膜１１
１，１１２，１１３上に、SiO₂等の絶縁層薄膜
を設けその上に設けられたAl等の金属配線であ
る。上下２層の金属配線は主磁極材料薄膜の外部
の重なつた部分１１６……１１７……でコンタク
トホールを通して接触している。第１３図では、
リング状主磁極に21ターンのコイルが巻かれた構
造になつている。寸法の概略を次に記述する。磁
気テープ、磁気デイスクの進行方向記録密度を高
くするためには、主磁極薄膜の厚さｄは薄い程望
ましい。たとえば、0.1μｍ〜数μｍ程度に設定す
る。再生電圧を数10μVから数100μVにするため
には、主磁極の幅Ｗは数10μｍから数100μｍ程度
必要である。記録密度を高くするためには当然、
この幅は小さい方が望ましい。磁気デイスクのよ
うに横振れのない装置にあつては、検出系の増幅
器能力さえ高くすれば、主磁極の幅Ｗは、小さく
する方が、記録密度が上つて望ましい。磁気テー
プにおいても、横振れを少なくするような機械系
にすれば、主磁極の幅を小さくする程トラツク数
が増して、記録密度は高くなる。垂直磁荷をほぼ
飽和させる起磁力として、本発明の装置では、殆
んど完全な閉磁路系となるため、0.15〜0.2Aター
ン程度あれば、十分である。第１３図に示すよう
に21ターンのコイルが主磁極に巻かれていれば、
コイルに流れる電流は最大10ｍＡ程度で十分であ
る。金属配線にAlを用いた場合には、マイグレ
ーシヨンを考えるとAl配線中の最大許容電流密
度は１×10⁵Ａ／cm²程度である。従つて、第１３
図で主磁極に巻かれる部分のAlの幅は6μｍ、厚
さ2μｍのものを用いている。10ｍＡ流れた時の
Al中の電流密度は８×10⁴Ａ／cm²である。ヘツド
部への電流導入部のAl配線の幅は略々15μｍ程
度、厚さ2μｍ程度になされている。第１３図で
の主磁極の幅Ｗは略々50μｍ、ギヤツプは略々1μ
ｍである。リング状磁性薄膜の幅は略々15μｍで
ある。ギヤツプはもちろん1μｍより狭くするこ
ともできる。これらの値は、もちろんそれぞれ所
望の値に設定できる。

主磁極の厚さ1μｍのこのヘツドで、記録媒体
のスーパーパーマロイ高透磁率層の厚さ1μｍ、
Co−Cn垂直磁荷磁性層の厚さ0.5μｍに構成され
た記録媒体を用いることにより、100μV程度の再
生電圧が得られている。

金属配線１１４，１１５はヘツドの主磁極導入
部まで幅広く形成されている。抵抗値を小さくす
るためである。金属配線１１４，１１５はその上
部で記録信号発生器及び再生電圧増幅器にそれぞ
れ接続されている。記録時に比較的大きな起磁力
を要求されるために、第１３図からも分るよう
に、励磁用コイルの配線電極が幅広になる。これ
は主として、金属のマイグレーシヨンから決ま
る。さらに、小さなヘツドにしたりする場合に
は、マイグレーシヨンが起こる許容電流の大きい
Al−Cu金属を用いたりすればよい。やや高価に
はなるがAuを用いれば、マイグレーシヨンの起
こる最大許容電流はAlにくらべて１桁大きくな
る。すなわち、微細化ヘツドには最適である。第
１２図、第１３図で示されるヘツドの構造はほん
の一例である。リング状主磁極の構造はいわば閉
磁路になればいいわけで、どんな形状にでもでき
る。また、巻線も、第１３図に示されるものに限
らない。リング状主磁極に巻き付く構造であれば
何でもよい。取り出し配線１１４，１１５はリン
グ状ヘツドの外側に配置させた。さらに高密度に
ヘツドを詰め込む時には、金属の４層配線を用い
れば、取り出し配線１１４，１１５をリング状主
磁極の上下に配置できるようになる。

第１３図で、隣接するヘツドの取り出し配線
は、第１３図の配線１１４，１１５にすぐ隣接さ
せればよい。電気的絶縁が確保されていればよ
い。

その他のヘツドの構造を次に説明する。第１４
図乃至第１６図はヘツドの先端構造である。いず
れも、非磁性材料１０３の中に主磁極１０１，１
０５若しくは補助磁極１０２，１０４が埋込まれ
ている。主磁極、補助磁極材料はすでに述べたよ
うに高透磁率材料により形成される。いずれの図
においても、矢印は磁気テープ或いは磁気デイス
クの走行方向を示す。第１４図では、同じ寸法の
主磁極が対向している。もちろん紙面垂直方向で
主磁極１０１はリング状に接続されており、コイ
ルが必要巻数、巻かれている。図示された、寸法
l₁，l₂，d₁，g₁，W₁はそれぞれの目的に応じて設
計すればよい。第１４図のヘツドを上下方向に多
数重ねれば、第１２図と同じ、マルチヘツドにな
る。

第１５図の構造は、主磁極の一方の面積が大き
くなされたものであり、それを一応補助磁極１０
４と呼ぶ。主磁極１０１と補助磁極が紙面垂直方
向でリング上に接続されコイルが巻かれる状況は
同じである。この例では、主として記録は主磁極
１０１で行なわれる。第１４図の例では、１０
１，１０２のいずれもが書き込みを行なつたわけ
である。第１５図で、主磁極１０１の上方にも補
助磁極を設けることもある。いわば左右の方向に
見るとＥ字型になつているわけである。コイルが
それぞれに巻かれることはいうまでもない。

逆に、補助磁極１０４の上下に主磁極１０１，
１０５を設けたものが第１６図である。１０１と
１０４，１０５と１０４はそれぞれリング状に接
続される。この場合は、互いの信号が相手方に漏
れる可能性がある。

いずれにしても、基本的動作は第１２図、第１
３図のものと同様である。

次に第１２図、第１３図のマルチヘツドの製造
の一例を簡単に述べる。

融溶石英基板（200〜500μｍ厚）を用いた場合
について説明する。十分に洗浄して汚染層を無く
した後、Al，Al−Cu，Au等の金属を蒸着、スパ
ツタリング、CVD（プラズマCVD、光励起CVD
含む）、或いは無電解メツキ、光照射による溶液
からのプレーテイング等で石英板上に堆積する。
溶液からのレーザプレーテイングなどの場合に
は、パターンを持つたプレーテイングが行なえ
る。全面金属を堆積した場合には、通常のフオト
リソグラフ工程により、第１３図の点線で示され
た取り出し電極及びコイル巻線用一層目のパター
ンを残して、他はエツチングで除去する。そのま
まレジストを金属配線上に残して、光励起CVD
によりSiO₂膜を金属膜と同じ厚さ堆積する。例
えば、ソースガスにSiH₄，N₂Ｏを用いる場合に
は、同時に水銀蒸発をソースガスに添加して、外
部から低圧水銀ランプの2537.5Åを照射すると
Hgガスが励起状態に励起され、励起されたHg分
子がN₂Ｏと反応して、酸素ラデイカルを発生さ
せ、この酸素ラデイカルがSiH₄と反応して、
SiO₂が堆積する。この光励起CVDでは、50℃−
150℃程度の基板温度で比較的良好なSiO₂が得ら
れる。この後、レジストをエツチングすると、リ
フトオフによりレジスト上のSiO₂膜も取れてし
まうから、金属膜とSiO₂CVD膜は殆んど平坦に
なる。この状態の上に、さらに、SiO₂膜をCVD
で堆積する。厚さは0.2μｍ程度から2μｍ程度の間
任意に選べばよい。この厚さが薄い程、記録電流
は小さく、再生電圧は大きい。このCVDは、既
に述べた光励起CVDでもよいが、SiH₄とO₂系の
通常のCVDでもよい。300〜350℃程度の基板温
度で十分良好な膜質のSiO₂膜が得られる。0.2μｍ
の厚さで、その耐圧電界は８×10⁶Ｖ／cmを越え
ている。さらに、このSiO₂膜の上に、所要の高
透磁率を持つ主磁極材料例えば、パーマロイ膜、
スーパーパーマロイ膜、Cu−Coパーマロイ膜、
Co−Znアモルフアス膜を通常高周波スパツタリ
ング法で堆積する。場合によつては蒸着で付ける
こともできる。フオトレジストを塗布し、通常の
フオトリソグラフイ工程により不必要な部分の高
透磁率膜をエツチングする。膜厚は、0.1μｍ〜3μ
ｍ程度、所要の厚さにすればよい。パターニング
された高透磁率膜上のレジストをそのまま残し
て、再び光励起CVDによりSiO₂膜を高透磁率膜
と同じだけ堆積する。レジストを除去するとリフ
トオフによりレジスト上のSiO₂も除去され、高
透磁率層とSiO₂層表面には殆んど凹凸がなく平
坦である。さらに、その上にSiO₂膜をCVD或い
は光励起CVDにより所要の厚さ堆積する。0.1〜
1μｍ程度のうち、必要な値を選べばよい。フオ
トリソグラフ工程で、下地のAlとのコンタクト
が取れるように、SiO₂膜にコンタクトホールを
エツチングで設けておいてから、Al，Al−Cu等
の金属を前述した方法で堆積する。フオトリソグ
ラフ工程で不必要な部分Alをエツチングしてし
まえば第１３図に示されるようなパターンが得ら
れる。さらにその上にSiO₂のCVD膜を堆積した
りすればよい。他の樹脂膜等を使うことも有効で
ある。

ここでは、絶縁膜はSiO₂の場合を述べた。基
板がSiO₂なので、熱膨張係数が一致し大変に具
合がよい。他のものを使うことも可能である。

ここで説明してきたように、マルチヘツドの製
法はほぼ完全なセルフアライン工程で行え、かつ
ほとんど平担面を常に確保しながらのプロセスで
あるため、微細化が極めて行い易い。VLSIレベ
ルの微細化技術の導入によりヘツドの大きさを数
μｍレベルにすることも十分行なえる。特に、既
に説明したように、ヘツドを多層に構成すれば、
マルチヘツドの密度は十分に高くでき、かつ、記
録再生時の特性を十分良好に保つことができる。
要するに十分特性の良好な集積化マルチヘツドが
容易に作れるのである。

本発明によれば、順、逆いずれの進行方向にお
いても再生可能な垂直磁化記録が実現できる。ま
た本発明によれば、マルチトラツク化が容易で、
しかも極めて大きな再生出力が得られるので、超
高密度の記録が行なえる。本発明は、ベース材に
少なくとも一層の薄い磁化膜層を備えた記録媒体
にトラツク走行方向に直角な水平面内方向に記録
し、再生するようになしたものであり、特に集積
化マルチヘツドを用いた時には極めて高密度の記
録が行えて、その工業的価値は高い。本発明によ
れば、同一トラツク内の磁化水平成分を実効的に
ゼロとし、隣接するトラツク相互の減磁作用をゼ
ロとし、マルチトラツク化が容易となる。本発明
によれば、同一トラツク内の水平成分方向には同
極が記録され、再生出力電圧は非常に大きくな
り、スペーシングロスが小さく、高密度化が容易
である。本発明によれば、補助磁極と対向した部
分の磁気記録媒体の磁化成分による影響を小さく
できるので、再生時の歪も小さくできる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは水平記録装置の従来例、ｂは水平記
録方式による磁化パターン、第２図ａは垂直記録
装置の従来例、ｂは垂直記録方式による磁化パタ
ーン、第３図はリングヘツド構造による垂直記録
装置の従来例、第５図はトラツク走行方向に対し
て垂直に磁界を発生する磁気記録装置の従来例
で、第４図はその磁化パターン、第６図は本発明
を用いたマルチヘツド構造の一実施例、第７図は
補助磁極を主磁極に対して、トラツク走行方向に
垂直に配置した本発明の一実施例、第８図は２主
磁極、１補助磁極方式の一実施例、第９図は２主
磁極、１補助磁極方式による磁化パターン例、第
１０図は補助磁極を用いたマルチトラツク構造の
一実施例、第１１図はマルチトラツク構造の記
録、再生回路の一実施例、第１２図は２主磁極マ
ルチヘツドの先端構造、第１３図は２主磁極マル
チヘツドを構成する一つのヘツドの平面図、第１
４図は２主磁極方式ヘツドの先端構造、第１５図
は主磁極補助磁極方式ヘツドの先端構造、第１６
図は２主磁極、補助磁極方式ヘツドの先端構造を
示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

１磁気記録媒体の水平面上で、一つの補助磁極
と、該補助磁極よりも断面積が小さい二つの主磁
極を該磁気記録媒体の移動方向に対して垂直方向
に該補助磁極の両側に配置された複数の磁気ヘツ
ドを、該磁気記録媒体の移動方向に対して垂直方
向に配列して、マルチ磁気ヘツド構造を構成し、
該マルチヘツド構造を用いることによりマルチト
ラツクの磁気記録を行うことを特徴とする高密度
磁気記録方法。