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JPH0460766B2 - - Google Patents
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JPH0460766B2 - - Google Patents

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JPH0460766B2
JPH0460766B2 JP62126330A JP12633087A JPH0460766B2 JP H0460766 B2 JPH0460766 B2 JP H0460766B2 JP 62126330 A JP62126330 A JP 62126330A JP 12633087 A JP12633087 A JP 12633087A JP H0460766 B2 JPH0460766 B2 JP H0460766B2
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JP
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pressing pressure
aluminum
electrode
polishing cloth
polishing
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JP62126330A
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Shigeo Isoda
Takahiro Juki
Shiro Koike
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Kobe Steel Ltd
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Kobe Steel Ltd
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23HWORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
    • B23H5/00Combined machining
    • B23H5/06Electrochemical machining combined with mechanical working, e.g. grinding or honing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23HWORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
    • B23H5/00Combined machining
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、アルミニウムを0.1μmRmax以下の
超鏡面に表面加工できるようにした電解複合超鏡
面加工方法に関し、例えば、アルミデイスクのサ
ブストレート表面の超鏡面加工に利用される。
〔従来の技術〕
一般に、電解複合超鏡面加工方法は、回転軸に
固着された電極の下端面に緩衝材を固着するとと
もにこれを研磨布で覆つてなる研磨ヘツドを、回
転させつつ上記被加工面に所定の押付圧でもつて
押し付け、かつ電極と被加工面間に電流を流しな
がら該被加工面を表面加工する方法である。そし
てこの鏡面を得るためには、所定の押付圧を被加
工面に均一に作用させることが重要である。
この押付圧を均一化できる方法として、従来、
砥粒を粘弾性体で保持してなる研磨材を用いる方
法(特開昭58−137525号公報参照)又は、研磨布
と上記電極との間に弾性体からなる緩衝材を配置
した方法(特公昭58−19412号公報及び特開昭56
−139699号公報参照)がある。そしてこの場合、
上記研磨布及び緩衝材としては、電解液を、及び
電解液中に游離砥粒を使用する場合は該砥粒をも
透過させる必要がある点、及び布寿命を確保する
点から通常、不織布が使用されている。
上記公報には、例えば、被加工面の表面硬度が
Hv200と硬いオーステナイト系のステンレス鋼の
場合は、表面粒度を数10nmRmax以下に表面加
工することができるとの記載がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、従来の電解複合超鏡面加工方法
では、被加工物の表面硬度が高い場合は良好な鏡
面が得られるが、アルミニウムのように表面硬度
がHv70と低い軟質材の場合は被加工面にスクラ
ツチが発生し易く、表面粗度を0.1μmRmax以下
の超鏡面に表面加工することは困難である。な
お、第9図および第10図は上記従来方法による
場合のアルミニウムの被加工面におけるスクラツ
チの発生状態を示す図である。
本発明は、上記従来の問題点を解決するために
なされたもので、アルミニウムの被加工面をスク
ラツチの発生を防止して表面粗度を0.1μmRmax
以下の超鏡面に表面加工することができるアルミ
ニウムの電解複合超鏡面加工方法を提供すること
を目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者は、アルミニウムの電解複合超鏡面加
工方法において、スクラツチの発生を防止できる
条件を得るため、まず上記従来方法による場合の
スクラツチの発生原因について研究し、以下の点
を見い出した。
即ち、従来方法では、研磨材として繊維の直径
及び材質に規定がない通常の不織布を用いてお
り、かつ押付圧のコントロールが不適正であり、
これにより極部的に押付圧が高くなり、スクラツ
チが発生している。
さらに、機械精度の誤差、例えば、回転軸に配
設されている電極のスラスト方向の振れ,該電極
と被加工面との直角度、及び研磨布の装着時の盛
り上がりや皺が原因となつて被加工面の局部に高
押付圧を発生させ、これらもスクラツチ発生の要
因と考えられる。
そこで本発明者は、研磨材として用いられる不
織布の繊維径と表面粗度との関係及び押付圧と表
面粗度との関係について実験を行つた。
第1図及び第2図は上記実験結果を示し、第1
図は上記不織布の繊維径と表面粗度との関係を、
第2図は電極押付圧と表面粗度との関係をそれぞ
れ示す。
第1図から明きらかなように、研磨布の繊維径
が細くなるなど表面粗度が向上しており、繊維径
1〜1.5デニールを境界として、これ以上では表
面粗度の平均が0.12μmRmaxであつたものが、
1デニール以下では0.02μmRmaxとなつている
ことがわかる。
また、第2図から明きらかなように、押付圧を
低くするほど表面粗度が向上しており、0.5kgf/
cm2以下に制御すれば約0.02μmRmaxとなり、被
加工面にスクラツチが発生しないことがわかる。
そこで本発明は、電極の下端面に固着された緩
衝材を覆うように研磨布を貼設してなる研磨ヘツ
ドを、回転させつつ被加工面に押し付けることに
より、アルミニウムの被加工面を0.1μmRmax以
下の超鏡面に表面加工する電解複合超鏡面加工方
法において、上記研磨布を直径が1.0デニール以
下の極細繊維からなる不織布とし、上記押付圧を
0.5kgf/cm2を越えない範囲に制御するようにした
ことを特徴としている。
ここで本発明者の実験により、平均押付圧は、
電極の下面と研磨布の下面間との隙間である電極
ギヤツプD(第4図参照)によつて影響を受ける
ことが明らかになつた。第3図は電極ギヤツプと
電極押付圧との関係を調査した実験結果を示す特
性図である。第3図から明らかなように、押付圧
が大きい領域では、わずかの電極ギヤツプの誤差
で大きく押付圧が変化することがわかる。
〔作 用〕
本発明に係るアルミニウムの電解複合超鏡面加
工方法では、研磨布を極細繊維からなる不織布と
するとともに、電極押付圧を0.5kgf/cm2以下に制
御するようにしたので、繊維1本当たりの曲げ剛
性が低くなり、被加工面に深い傷を付けることが
なく、また、押付圧が局部的に高くなつても繊維
が変形して砥粒を逃がし、砥粒による被加工面へ
のくい込みを防止することができ、スクラツチの
発生を防止して表面粗度を大きく向上することが
できる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第4図ないし第6図は本発明の一実施例方法を
実施するための表面加工装置を示す。
図において、1は表面加工装置であり、該表面
加工装置1は、テーブル駆動装置2と、電極駆動
装置3と、電解液供給装置4と、電流供給装置5
とで構成されている。
上記テーブル駆動装置2は、ベツド2aを図示
しない駆動モータで図示左右に駆動し、さらに駆
動モータ2bで回転テーブル2cを回転駆動する
ように構成されている。なお上記回転テーブル2
cの下方には電解液受け2dが配設されている。
そしこの回転テーブル2cの上面に被加工物、こ
の場合はアルミ合金のアルミデイスクWが載置さ
れる。
上記電極駆動装置3は上記回転テーブル2cの
上方に配設されており、該駆動装置3は、駆動機
構6により回転軸6aを回転駆動するとともに、
垂直方向に所定の押付圧を作用させることができ
るように構成されている。該回転軸6aには、電
解液を通す通路6bが形成されており該回転軸6
aの下端には、研磨ヘツド7が取り付けられてい
る。
上記研磨ヘツド7は、工具電極9,緩衝材10
および研磨布11で構成されており、この工具電
極9が上記回転軸6aの下端に固着されている。
該電極9の回転軸6aへの固着においては、機械
精度の誤差が考慮されている。即ち、スラスト方
向の振れ、およびアルミデイスクWの上面との直
角度等の誤差を予め測定し、最大誤差においても
押付圧が0.5kgf/cm2を越えないように調整して固
着されている。
上記工具電極9は電極(陰極)として作用する
円板状のものであり、多数の電解液噴出口9aが
放射状に上面から下面に貫通して形成されてい
る。またこの工具電極9の下面には、上記緩衝材
10が配設されており、さらに該緩衝材10を覆
うように上記研磨布11が配設されており、該研
磨布の周縁部は上記工具電極9及び上記回転軸6
aに接着材8で固着されている。
上記緩衝材10はポリエステル製不織布であ
り、上記研磨布11はポリエステル製の繊維径が
1デニール以下の極細繊維を使用した人工皮革で
ある。またこの研磨布11は市販販売されている
シート状のものを緩衝材10の外形形状に合わせ
てプレス成形されたものであり、これにより該研
磨布11の装着時の盛り上がりや皺をなくしてい
る。なお、上記研磨布11および該緩衝材10
は、後述の電解液及び砥粒を通す性質がある。
上記電解液供給装置4の電解液タンク14内に
は不働態化型電解液であるNaNO3と遊離砥粒が
収容されている。該砥粒は、組成はアルミナであ
り、平均粒径は0.5μmである。そしてこの電解液
タンク14は電解液通路12を介して電極駆動装
置3に接続されており、この供給通路12には供
給ポンプ13が介設されている。このようにして
電解液は上記供給通路12を通つて上記回転軸6
a内の通路6bを介して工具電極9の電解液噴出
口9aから研磨布11とアルミデイスクWとの間
に供給され、上記電解液受2dに溜まり、さらに
帰還通路13を通つて上間タンク14に戻るよう
になつている。
また上記電流供給装置5の直流定電圧電源15
は、陽極端子が上記回転テーブル2cを介して上
記アルミデイスクWに、陰極端子が上記工具電極
9に接続されており、この工具電極9とアルミデ
イスクWとの間に直流定電圧を印加する。なお、
16は両極間の電圧を計測する電圧計である。
次に上記表面加工装置1により、本発明の一実
施例によるアルミニウムの電解複合超鏡面加工方
法を実施する場合について説明する。
本実施例では、上記アルミデイスクWを上記表
面加工装置1の回転テーブル2cの上面に載置
し、上記電極駆動装置3によつて上記研磨ヘツド
7を回転させつつ軸方向に押付圧を作用させる。
そしてこの加工において、上記研磨ヘツド7の研
磨布11は上述のように、繊維径1デニール以下
の極細繊維が使用されており、また研磨ヘツド7
の上記被加工面への押付圧を0.5kgf/cm2以下に制
御する。
次に本実施例の作用効果を説明する。
上述のように、アルミニウムのような軟質材を
鏡面加工する場合は、押付圧を所定値(例えば
0.5kgf/cm2)以下に制御するとともに、極部的に
も高押付圧が発生しないようにする必要がある。
これに対して本実施例では研磨布11として繊維
径が1デニール以下のポリエステル極細繊維から
なる人工皮革を使用したので、繊維1本あたりの
曲げ剛性が小さくなり、極部的に高押付圧が発生
することはあまりなく、被加工面に傷をつけるこ
とがない。さらに仮に押付圧が局部的に高くなつ
てもこの繊維の剛性が低いことから砥粒を逃がす
ことができ、砥粒による被加工面へのくい込みを
緩和することができる。
また本実施例では、押付圧を0.5kgf/cm2以下と
するために予め機械精度の誤差による電極のステ
スト方向のフレ及び被加工面との角直度を測定し
て、これらの誤差最大時にも0.5kgf/cm2を越えな
いように電極を配設し、さらにシート状で市販さ
れている研磨布を上記緩衝材に合わせてプレス成
形し、これを装着したので、この点からも局部的
に押付圧が高くなるのを防止でき、これによりス
クラツチの発生を防止することができ、アルミニ
ウムを0.1μmRmax以下の超鏡面に加工すること
ができる。
なお、上記実施例では、研磨布を接着材で工具
電極に固着したが、これは第7図,第8図に示す
ように、ホースバンド20あるいは押え板22と
ボルト21によつて固着してもよい。
〔発明の効果〕
以上のように、本発明に係るアルミニウムの電
解複合超鏡面加工方法によれば、研磨布を極細繊
維からなる不織布とし、押付圧を0.5kgf/cm2を越
えない範囲に制御したので、スクラツチの発生を
防止することができ、アルミニウムの被加工面を
0.1μmRmax以下の超鏡面に加工ができる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は本発明成立過程を説明す
るための図であり、第1図は繊維径−表面粗度特
性図、第2図は電極押付圧−表面粗度特性図、第
3図は電極ギヤツプ−電極押付圧特性図、第4図
ないし第6図は本発明の実施例方法を実施するた
めの装置を示し、第4図は研磨ヘツドの断面図、
第5図は工具電極の断面底面図、第6図は表面加
工装置の正面図、第7図,第8図はいずれも上記
実施例の変形例を示す研磨ヘツドの断面図、第9
図,第10図はアルミニウムの加工面のスクラツ
チ発生状態を示す図である。 図において、6aは回転軸、7は研磨ヘツド、
10は緩衝材、11は研磨布、Wはアルミニウム
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 回転軸に固着された電極の下端面に緩衝材を
    介して研磨布を貼設してなる研磨ヘツドを、回転
    させつつ軸方向に所定の押付圧で押し付けること
    により、アルミニウム(以下アルミニウム合金を
    含む)の被加工面を0.1μmRmax以下の超鏡面に
    表面加工する電解複合超鏡面加工方法において、
    上記研磨布を直径が1.0デニール以下の極細繊維
    からなる不織布とし、上記押付圧を0.5Kgf/cm2
    を越えない範囲に制御するようにしたことを特徴
    とするアルミニウムの電解複合超鏡面加工方法。
JP62126330A 1987-05-22 1987-05-22 アルミニウムの電解複合超鏡面加工方法 Granted JPS63288620A (ja)

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Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0253222A (ja) * 1988-08-15 1990-02-22 Kobe Steel Ltd 磁気記録体
US5085747A (en) * 1989-05-19 1992-02-04 Akio Nikano Ultrasonic machining method
US5114548A (en) * 1990-08-09 1992-05-19 Extrude Hone Corporation Orbital electrochemical machining
MY124578A (en) * 1997-06-17 2006-06-30 Showa Denko Kk Magnetic hard disc substrate and process for manufacturing the same
WO1999026758A1 (en) * 1997-11-25 1999-06-03 John Hopkins University Electrochemical-control of abrasive polishing and machining rates
US6328872B1 (en) * 1999-04-03 2001-12-11 Nutool, Inc. Method and apparatus for plating and polishing a semiconductor substrate
US6066030A (en) * 1999-03-04 2000-05-23 International Business Machines Corporation Electroetch and chemical mechanical polishing equipment
US6379223B1 (en) 1999-11-29 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for electrochemical-mechanical planarization
US6299741B1 (en) 1999-11-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Advanced electrolytic polish (AEP) assisted metal wafer planarization method and apparatus
US6991526B2 (en) * 2002-09-16 2006-01-31 Applied Materials, Inc. Control of removal profile in electrochemically assisted CMP
US6582281B2 (en) * 2000-03-23 2003-06-24 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of removing conductive material
US7220166B2 (en) * 2000-08-30 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electromechanically and/or electrochemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US7153195B2 (en) 2000-08-30 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for selectively removing conductive material from a microelectronic substrate
US7129160B2 (en) * 2002-08-29 2006-10-31 Micron Technology, Inc. Method for simultaneously removing multiple conductive materials from microelectronic substrates
US7134934B2 (en) * 2000-08-30 2006-11-14 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrically detecting characteristics of a microelectronic substrate and/or polishing medium
US7074113B1 (en) * 2000-08-30 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate
US7192335B2 (en) 2002-08-29 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemically, mechanically, and/or electrolytically removing material from microelectronic substrates
US7153410B2 (en) 2000-08-30 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrochemical-mechanical processing of microelectronic workpieces
US7094131B2 (en) 2000-08-30 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Microelectronic substrate having conductive material with blunt cornered apertures, and associated methods for removing conductive material
US7160176B2 (en) * 2000-08-30 2007-01-09 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrically and/or chemically-mechanically removing conductive material from a microelectronic substrate
US7112121B2 (en) 2000-08-30 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for electrical, mechanical and/or chemical removal of conductive material from a microelectronic substrate
US7078308B2 (en) 2002-08-29 2006-07-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for removing adjacent conductive and nonconductive materials of a microelectronic substrate
US6867448B1 (en) 2000-08-31 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Electro-mechanically polished structure
US6464855B1 (en) * 2000-10-04 2002-10-15 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for electrochemical planarization of a workpiece
US6773337B1 (en) 2000-11-07 2004-08-10 Planar Labs Corporation Method and apparatus to recondition an ion exchange polish pad
US6905526B1 (en) 2000-11-07 2005-06-14 Planar Labs Corporation Fabrication of an ion exchange polish pad
US6722950B1 (en) 2000-11-07 2004-04-20 Planar Labs Corporation Method and apparatus for electrodialytic chemical mechanical polishing and deposition
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
RU2290291C2 (ru) * 2001-02-08 2006-12-27 Рем Текнолоджиз, Инк. Способ химико-механической и чистовой обработки поверхности (варианты)
JP2002254248A (ja) * 2001-02-28 2002-09-10 Sony Corp 電解加工装置
US6592742B2 (en) 2001-07-13 2003-07-15 Applied Materials Inc. Electrochemically assisted chemical polish
US6863794B2 (en) * 2001-09-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming metal layers
US20030201185A1 (en) * 2002-04-29 2003-10-30 Applied Materials, Inc. In-situ pre-clean for electroplating process
US7189313B2 (en) * 2002-05-09 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support with fluid retention band
US20030209523A1 (en) * 2002-05-09 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Planarization by chemical polishing for ULSI applications
US20040072445A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Effective method to improve surface finish in electrochemically assisted CMP
US7021993B2 (en) * 2002-07-19 2006-04-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a substrate with a polishing system containing conducting polymer
US6796887B2 (en) 2002-11-13 2004-09-28 Speedfam-Ipec Corporation Wear ring assembly
US20040259479A1 (en) * 2003-06-23 2004-12-23 Cabot Microelectronics Corporation Polishing pad for electrochemical-mechanical polishing
US7763548B2 (en) * 2003-08-06 2010-07-27 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece processing system for, e.g., semiconductor wafer analysis
AT500259B1 (de) * 2003-09-09 2007-08-15 Austria Tech & System Tech Dünnschichtanordnung und verfahren zum herstellen einer solchen dünnschichtanordnung
US7112122B2 (en) * 2003-09-17 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for removing conductive material from a microelectronic substrate
US20050121141A1 (en) * 2003-11-13 2005-06-09 Manens Antoine P. Real time process control for a polishing process
US7186164B2 (en) * 2003-12-03 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Processing pad assembly with zone control
US7153777B2 (en) * 2004-02-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for electrochemical-mechanical polishing
US7566391B2 (en) 2004-09-01 2009-07-28 Micron Technology, Inc. Methods and systems for removing materials from microfeature workpieces with organic and/or non-aqueous electrolytic media
US20060234396A1 (en) * 2005-04-18 2006-10-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing structure
US8251777B2 (en) * 2005-06-30 2012-08-28 Cabot Microelectronics Corporation Polishing slurry for aluminum and aluminum alloys
US8062096B2 (en) 2005-06-30 2011-11-22 Cabot Microelectronics Corporation Use of CMP for aluminum mirror and solar cell fabrication
JP5404331B2 (ja) * 2008-12-17 2014-01-29 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド、記録素子基板、インクジェット記録ヘッドの製造方法、および記録素子基板の製造方法
WO2012082395A2 (en) 2010-12-14 2012-06-21 3M Innovative Properties Company Self-contained fibrous buffing article
BR112013031897A2 (pt) 2011-06-14 2016-12-13 3M Innovative Properties Co artigo de polimento fibroso de peça única
US9457493B2 (en) * 2013-08-14 2016-10-04 Mitsubishi Rayon Co., Ltd. Method for producing cylindrical nanoimprinting mold and method for producing nanoimprinting reproduction mold
JP6421640B2 (ja) 2015-02-25 2018-11-14 株式会社Sumco 半導体ウェーハの枚葉式片面研磨方法および半導体ウェーハの枚葉式片面研磨装置
US9849562B2 (en) 2015-12-28 2017-12-26 Shine-File Llc And manufacture of an abrasive polishing tool
CN109108414A (zh) * 2018-10-26 2019-01-01 辽宁科技大学 航空航天3d打印件异形孔内表面光整加工的设备及工艺
CN114346338B (zh) * 2022-01-21 2024-06-07 江苏大学 一种基于柔性pi膜导电特性激光定域调控的电解加工方法及装置
CN118531488B (zh) * 2024-05-31 2025-02-21 广州众山紧固件有限公司 电化学机械抛光控制方法及装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2539455A (en) * 1944-01-27 1951-01-30 Mazia Joseph Electrolytic polishing of metals
JPS50107267A (ja) * 1974-02-05 1975-08-23
JPS5848291B2 (ja) * 1976-07-07 1983-10-27 日立造船株式会社 電解バフ研摩方法
JPS58137526A (ja) * 1982-02-12 1983-08-16 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 電解複合加工による表面仕上方法
JPS58171265A (ja) * 1982-04-02 1983-10-07 Teijin Ltd 研磨,塗布及び払拭用の極細立毛織物及びその製造法
JPS5914113U (ja) * 1982-07-14 1984-01-28 アルプス電気株式会社 磁気ヘツド
US4609450A (en) * 1985-03-26 1986-09-02 Agency Of Industrial Science And Technology Combined electrolytic-abrasive polishing apparatus
JPH07118261B2 (ja) * 1988-09-29 1995-12-18 三菱電機株式会社 帯電防止処理型陰極線管の製造方法およびその装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63288620A (ja) 1988-11-25
US4839005A (en) 1989-06-13

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