JPH0462073B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0462073B2 JPH0462073B2 JP57164990A JP16499082A JPH0462073B2 JP H0462073 B2 JPH0462073 B2 JP H0462073B2 JP 57164990 A JP57164990 A JP 57164990A JP 16499082 A JP16499082 A JP 16499082A JP H0462073 B2 JPH0462073 B2 JP H0462073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hydrogen
- temperature
- decomposition
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
本発明はSinH2n＋２（ｎ≧２）で表される高次
シランを熱分解することにより水素化アモルフア
スシリコン（以下、ａ−Si：Ｈと略記する）を形
成する方法に関する。 ａ−Si：Ｈを得る方法は、モノシラン（SiH4
のグロー放電（GD）によつて形成する方法や熱
分解法（CVD）が広く知られているが、まだ満
足されるものは得られていない。すなわち、
SiH4のグロー放電による方法は得られるａ−
Si：Ｈ膜の暗伝導度（σd）が比較的高く、また
耐熱性も劣つており、しかも装置が高価複雑とな
る。また、SiH4の熱分解による方法は、基板上
への堆積速度を大きくできる事、製造設備を簡素
化できる事等の利点があるが、分解温度が高く、
600℃以上の高温を必要とする為、ａ−Si：Ｈを
堆積する基板の材質が高価な石英ガラス、サフア
イヤ等に限定される。その上、得られるａ−Si：
Ｈ膜の電気的及び光学的特性は不良であり（たと
えば光伝導度（Δσph）がきわめて小さい等）、光
電変換素子、光感光体、薄膜トランジスタ等に実
用化する為には、アモルフアスシリコンを基板上
に堆積後、水素プラズマ中で更にアニールする工
程や水素イオンを注入する工程を別に必要とし、
２段階の操作をせなばならず実用性の乏しいもの
であつた。 特にａ−Si：Ｈ膜を電子写真用感光体として用
いる場合は、高抵抗（σd≦10-11）の膜が好まし
いとされているが、従来の方法によつてはこのよ
うな高抵抗の膜を形成することは困難であつた。 本発明者らは以上の点にかんがみ鋭意検討した
結果、大気圧以上の圧力下で高次シランを熱分解
することによつて、高抵抗（σd≦10-11Ω-1cm-1）
でかつ後記のごとく優れた特徴をもつた膜が、他
の工程を追加することなく容易に得られることを
見い出し、本発明を完成するにいたつた。すなわ
ち、本発明に従つて、一般式SinH2n＋２（ここで
はｎはｎ≧２の整数を示す）であらわされる高次
シランガスを大気圧以上の圧力下で熱分解し基板
上に堆積せしめることを特徴とする水素化アモル
フアスシリコン膜の形成方法。が提供される。 本発明における高次シランは一般式SinH2n＋
２（ここではｎはｎ≧２の整数を示す）であらわ
されるもので、たとえば、ジシラン（Si2H6）、
トリシラン（Si3H8）、テトラシラン（Si4H10）、
ペンタシラン（Si5H12）、ヘキサンシラン（Si6
H14）等であるが、取り扱いの容易さから、ジシ
ラン、トリシラン、テトラシランが好ましい。こ
れらは単独でまたは混合物として使用される。な
お、高次シランを混合物として使用する場合は、
少量のモノシラン（SiH4）を含有していてもか
まわないことはもちろんである。しかして高次シ
ランの代りにモノシランのみを用いた場合は、前
記のごとく本発明の目的を達成できない。 本発明はかかる高次シランを原料として、それ
自体公知の熱分解法により基板上にアモルフアス
シリコン膜を形成せしめるものであるが熱分解圧
力は大気圧以上の圧力下であることが必要であ
る。大気圧以上の圧力下で分解反応を行うことに
より、膜の形成速度が非常に大きくなるばかりで
なく、高抵抗（σd≦10-11Ω-1cm-1）でかつ後記
実施例に示すように特性に優れたａ−Si：Ｈ膜が
容易に得られる。 これに対し分解圧力が大気圧未満（減圧）であ
ると膜の形成速度（生長速度）が遅いばかりでな
く、得られる膜の特性が大気圧以上で形成した場
合に比し暗伝導度をはじめとして劣るものしか得
られない。もちろん、減圧設備を備えなければな
らないという装置的問題もある。 なお、大気圧以上であれば任意の圧力を採用す
ることができるが、２Kg／cm2−Ｇ以下の範囲で、
十分本発明の目的を達成することができる。ま
た、装置の取扱い上もこの範囲が好ましい。 本発明における熱分解温度は250℃〜600℃、好
ましくは300〜500℃の範囲である。分解温度が
600℃を越えると高価な基板を必要とするととも
にａ−Si−膜に水素が取り込まれにくく、十分な
特性を得ることができない。そして、十分な特性
を得るためには水素をとり込ませる後処理が必要
となる。また、これが250℃未満であると高次シ
ランの分解速度が遅くなり、ａ−Si膜の成長速度
が実用に適さないほど低くなる。 また、SiH4を使用した場合は、大気圧以上の
熱分解においても、600℃以上の高温を必要とし、
使用基板の制約があるばかりでなくかかる温度で
は水素を取込むことができず、ａ−Si中のダング
リングボンド（未結合手）を十分補償することが
できない。さらに500℃まで低下させた場合は、
膜の成長速度がきわめて遅くなつて、実用的な速
度で膜を形成させることが難しくなるばかりか、
依然として水素を取込みにくく、ａ−Si中の上記
ダングリングボンドをなお十分補償することがで
きないという欠点がある。本発明の方法によれ
ば、同温、同圧におけるSiH4の熱分解に比べ膜
の成長速度が10〜50倍になるばかりでなく得られ
る水素化アモルフアスシリコン膜（ａ−Si：Ｈ）
は後記実施例に示すような優れた特性を有するも
のである。 本発明を実施するための装置としては、たとえ
ば第１図の示したようなものが使用できる。１０
は分解炉（反応管）であり、30mmφ×500mmｌ〜
60mmφ×1000mmｌ程度の石英ガラス管である。こ
れは管でなく角型（ダクト）でもよい。反応管は
外周囲にハロゲンランプのごとき加熱器２０を備
えている。加熱器に対応する管内の部分が分解ゾ
ーンであり、シリコン製サセプター３０（支持
台）および該サセプター上の石英ガラス、シリコ
ン、サフアイヤ、SUS等の基板４０がセツトさ
れている。分解ゾーンの温度は熱電対４５により
測定される。反応管の一端部は原料ガスの供給部
５０であり、高次シランガス６０およびキヤリア
ガス７０配管部に結合されている。６１，７１は
バルブであり、６３，７３はガス流量系である。 また、反応管の他端部は排出ガスの出口部８０
である。 なお、加熱容器は、ランプ加熱式でなく、反応
管全体を加熱する抵抗加熱式でもかまわない。 次に分解操作について説明するに、分解炉を分
解温度以上に昇温し、窒素ガスを流しながらベー
キング操作を行つた後、分解温度まで降温し300
〜600℃で温度安定化させる。しかる後、高次シ
ラン100％のもの、または、0.1〜20％程度に窒
素、ヘリウム、アルゴン、水素等の不活性ガスで
希釈したものを、そのまま、または、上記不活性
ガスのキヤリアガスと共に、300〜600℃の分解温
度にセツトした分解炉に供給し、高次シランガス
の熱分解を行い基板上にａ−Si：Ｈ膜を堆積せし
める。 以下実施例により本発明を具体的に説明する。 以下の実施例において得られたａ−Si：Ｈ膜は
次のごとくして分析ないし評価した。 (1) 暗伝導度 測定に先立つて被測定ａ−Si：Ｈ膜上にゲート
電極を真空蒸着によつて付け、オーミツク特性を
とつた。電圧−電流特性は光を遮断し、日本分光
(株)製回析格子分光器CT−50により測定した。 (2) 水素含有量及び赤外吸収 赤外吸収係数の積分強度により求めた。使用し
た赤外分光器は日本分光(株)Ｈ−202型である。 同時に赤外吸収スペクトルからSi−Ｈ及びSi−
H2の伸縮振動の赤外吸収を求めた。 (3) 耐熱性 第１図に示した装置を使つてａ−Si：Ｈ膜を
N2，H2等のキヤリアガスを流しながら１時間熱
アニールし水素の離脱量が元の水素含有量の10％
を越える温度で表示する。 (4) 膜厚み 膜厚みに応じて、重量法、表面荒さ計による方
法、透過率による干渉から求める方法を併用して
求めた。 実施例 １ 実験装置として第１図にしめした装置を使用し
た（反応管：50mmφ×1000mmｌ）。N2をガスで希
釈した１％のSi2H6を含む原料ガスを1000c.c.／
minの流速で、N2をキヤリアガスとして用い圧
力1.0Kg／cm2−Ｇで分解炉に流し30分CVD操作を
行つた。熱分解温度を300〜500℃の範囲で変化さ
せて得たａ−Si：Ｈ膜の特性を第１表に示した。
シランを熱分解することにより水素化アモルフア
スシリコン（以下、ａ−Si：Ｈと略記する）を形
成する方法に関する。 ａ−Si：Ｈを得る方法は、モノシラン（SiH4
のグロー放電（GD）によつて形成する方法や熱
分解法（CVD）が広く知られているが、まだ満
足されるものは得られていない。すなわち、
SiH4のグロー放電による方法は得られるａ−
Si：Ｈ膜の暗伝導度（σd）が比較的高く、また
耐熱性も劣つており、しかも装置が高価複雑とな
る。また、SiH4の熱分解による方法は、基板上
への堆積速度を大きくできる事、製造設備を簡素
化できる事等の利点があるが、分解温度が高く、
600℃以上の高温を必要とする為、ａ−Si：Ｈを
堆積する基板の材質が高価な石英ガラス、サフア
イヤ等に限定される。その上、得られるａ−Si：
Ｈ膜の電気的及び光学的特性は不良であり（たと
えば光伝導度（Δσph）がきわめて小さい等）、光
電変換素子、光感光体、薄膜トランジスタ等に実
用化する為には、アモルフアスシリコンを基板上
に堆積後、水素プラズマ中で更にアニールする工
程や水素イオンを注入する工程を別に必要とし、
２段階の操作をせなばならず実用性の乏しいもの
であつた。 特にａ−Si：Ｈ膜を電子写真用感光体として用
いる場合は、高抵抗（σd≦10-11）の膜が好まし
いとされているが、従来の方法によつてはこのよ
うな高抵抗の膜を形成することは困難であつた。 本発明者らは以上の点にかんがみ鋭意検討した
結果、大気圧以上の圧力下で高次シランを熱分解
することによつて、高抵抗（σd≦10-11Ω-1cm-1）
でかつ後記のごとく優れた特徴をもつた膜が、他
の工程を追加することなく容易に得られることを
見い出し、本発明を完成するにいたつた。すなわ
ち、本発明に従つて、一般式SinH2n＋２（ここで
はｎはｎ≧２の整数を示す）であらわされる高次
シランガスを大気圧以上の圧力下で熱分解し基板
上に堆積せしめることを特徴とする水素化アモル
フアスシリコン膜の形成方法。が提供される。 本発明における高次シランは一般式SinH2n＋
２（ここではｎはｎ≧２の整数を示す）であらわ
されるもので、たとえば、ジシラン（Si2H6）、
トリシラン（Si3H8）、テトラシラン（Si4H10）、
ペンタシラン（Si5H12）、ヘキサンシラン（Si6
H14）等であるが、取り扱いの容易さから、ジシ
ラン、トリシラン、テトラシランが好ましい。こ
れらは単独でまたは混合物として使用される。な
お、高次シランを混合物として使用する場合は、
少量のモノシラン（SiH4）を含有していてもか
まわないことはもちろんである。しかして高次シ
ランの代りにモノシランのみを用いた場合は、前
記のごとく本発明の目的を達成できない。 本発明はかかる高次シランを原料として、それ
自体公知の熱分解法により基板上にアモルフアス
シリコン膜を形成せしめるものであるが熱分解圧
力は大気圧以上の圧力下であることが必要であ
る。大気圧以上の圧力下で分解反応を行うことに
より、膜の形成速度が非常に大きくなるばかりで
なく、高抵抗（σd≦10-11Ω-1cm-1）でかつ後記
実施例に示すように特性に優れたａ−Si：Ｈ膜が
容易に得られる。 これに対し分解圧力が大気圧未満（減圧）であ
ると膜の形成速度（生長速度）が遅いばかりでな
く、得られる膜の特性が大気圧以上で形成した場
合に比し暗伝導度をはじめとして劣るものしか得
られない。もちろん、減圧設備を備えなければな
らないという装置的問題もある。 なお、大気圧以上であれば任意の圧力を採用す
ることができるが、２Kg／cm2−Ｇ以下の範囲で、
十分本発明の目的を達成することができる。ま
た、装置の取扱い上もこの範囲が好ましい。 本発明における熱分解温度は250℃〜600℃、好
ましくは300〜500℃の範囲である。分解温度が
600℃を越えると高価な基板を必要とするととも
にａ−Si−膜に水素が取り込まれにくく、十分な
特性を得ることができない。そして、十分な特性
を得るためには水素をとり込ませる後処理が必要
となる。また、これが250℃未満であると高次シ
ランの分解速度が遅くなり、ａ−Si膜の成長速度
が実用に適さないほど低くなる。 また、SiH4を使用した場合は、大気圧以上の
熱分解においても、600℃以上の高温を必要とし、
使用基板の制約があるばかりでなくかかる温度で
は水素を取込むことができず、ａ−Si中のダング
リングボンド（未結合手）を十分補償することが
できない。さらに500℃まで低下させた場合は、
膜の成長速度がきわめて遅くなつて、実用的な速
度で膜を形成させることが難しくなるばかりか、
依然として水素を取込みにくく、ａ−Si中の上記
ダングリングボンドをなお十分補償することがで
きないという欠点がある。本発明の方法によれ
ば、同温、同圧におけるSiH4の熱分解に比べ膜
の成長速度が10〜50倍になるばかりでなく得られ
る水素化アモルフアスシリコン膜（ａ−Si：Ｈ）
は後記実施例に示すような優れた特性を有するも
のである。 本発明を実施するための装置としては、たとえ
ば第１図の示したようなものが使用できる。１０
は分解炉（反応管）であり、30mmφ×500mmｌ〜
60mmφ×1000mmｌ程度の石英ガラス管である。こ
れは管でなく角型（ダクト）でもよい。反応管は
外周囲にハロゲンランプのごとき加熱器２０を備
えている。加熱器に対応する管内の部分が分解ゾ
ーンであり、シリコン製サセプター３０（支持
台）および該サセプター上の石英ガラス、シリコ
ン、サフアイヤ、SUS等の基板４０がセツトさ
れている。分解ゾーンの温度は熱電対４５により
測定される。反応管の一端部は原料ガスの供給部
５０であり、高次シランガス６０およびキヤリア
ガス７０配管部に結合されている。６１，７１は
バルブであり、６３，７３はガス流量系である。 また、反応管の他端部は排出ガスの出口部８０
である。 なお、加熱容器は、ランプ加熱式でなく、反応
管全体を加熱する抵抗加熱式でもかまわない。 次に分解操作について説明するに、分解炉を分
解温度以上に昇温し、窒素ガスを流しながらベー
キング操作を行つた後、分解温度まで降温し300
〜600℃で温度安定化させる。しかる後、高次シ
ラン100％のもの、または、0.1〜20％程度に窒
素、ヘリウム、アルゴン、水素等の不活性ガスで
希釈したものを、そのまま、または、上記不活性
ガスのキヤリアガスと共に、300〜600℃の分解温
度にセツトした分解炉に供給し、高次シランガス
の熱分解を行い基板上にａ−Si：Ｈ膜を堆積せし
める。 以下実施例により本発明を具体的に説明する。 以下の実施例において得られたａ−Si：Ｈ膜は
次のごとくして分析ないし評価した。 (1) 暗伝導度 測定に先立つて被測定ａ−Si：Ｈ膜上にゲート
電極を真空蒸着によつて付け、オーミツク特性を
とつた。電圧−電流特性は光を遮断し、日本分光
(株)製回析格子分光器CT−50により測定した。 (2) 水素含有量及び赤外吸収 赤外吸収係数の積分強度により求めた。使用し
た赤外分光器は日本分光(株)Ｈ−202型である。 同時に赤外吸収スペクトルからSi−Ｈ及びSi−
H2の伸縮振動の赤外吸収を求めた。 (3) 耐熱性 第１図に示した装置を使つてａ−Si：Ｈ膜を
N2，H2等のキヤリアガスを流しながら１時間熱
アニールし水素の離脱量が元の水素含有量の10％
を越える温度で表示する。 (4) 膜厚み 膜厚みに応じて、重量法、表面荒さ計による方
法、透過率による干渉から求める方法を併用して
求めた。 実施例 １ 実験装置として第１図にしめした装置を使用し
た（反応管：50mmφ×1000mmｌ）。N2をガスで希
釈した１％のSi2H6を含む原料ガスを1000c.c.／
minの流速で、N2をキヤリアガスとして用い圧
力1.0Kg／cm2−Ｇで分解炉に流し30分CVD操作を
行つた。熱分解温度を300〜500℃の範囲で変化さ
せて得たａ−Si：Ｈ膜の特性を第１表に示した。
【表】
比較例 １
圧力を50Torrの減圧を行つた以外は実施例１
と同様の実験を行つた。結果を第２表に示した。
と同様の実験を行つた。結果を第２表に示した。
【表】
比較例 ２
原料ガスとしてN2で希釈した１％のSiH4を含
むガスを使用した以外は実施例１と同様な実験を
行つた（但し、熱分解温度は500℃を下回ると膜
の成長速度が極めて小さく実用的範囲で得られな
い為、500〜650℃の範囲とした）。 結果を第３表に示した。
むガスを使用した以外は実施例１と同様な実験を
行つた（但し、熱分解温度は500℃を下回ると膜
の成長速度が極めて小さく実用的範囲で得られな
い為、500〜650℃の範囲とした）。 結果を第３表に示した。
【表】
ついての結果である。
以上実施例より明らかなように、本発明の方法
により得られる水素化アモルフアスシリコン（ａ
−Si：Ｈ）膜は次のごとき優れた特性を有するこ
とがわかる。 (1) 高抵抗（σd≦10-11Ω-1cm-1）である； したがつて、電子写真用感光体としてひとう非
常に適したものである。場合によつてはＢ，Ｏ等
を添加することによつて更に高抵抗の膜を得るこ
ともできる。 (2) 水素含有量が５〜10原子％と多い； したがつて、ａ−Si中のダングリングボンド
（未結合手）は十分補償されているということが
できる。なおこのことはESRによつて確認した、
すなわち、本発明の方法によれば、水素後処理を
する必要なしに、熱分解のみの一段プロセスでか
かるすぐれたａ−Si：Ｈ膜が得られるのである。 (3) 耐熱性が高い； すなわち、400℃アニールにおける離脱水素量
が10％以下である。更に、場合によつては、500
℃を越えるアニールによつても、耐熱性を有する
ことが表−１から明らかである。 通常の、グロー放電等により形成したａ−Si：
Ｈ膜はアニールすると300℃付近より膜中の水素
の離脱が始まり、400℃付近まで昇温するとほゞ
完全に水素が離脱する、これに対し本発明んいよ
り形成した膜は、400℃付近においても水素の離
脱量はわずかであり、きわめて優れた耐熱性を有
していることが明らかである。 (4) 赤外吸収において1960〜2000cm-1付近にSi
−Ｈ伸縮振動の赤外吸収をもち、2100cm-1付
近のSi−H2伸縮振動の赤外吸収は見られな
い； すなわち、電気特性とSi−Ｈ，Si−H2伸縮振
動の赤外吸収との関係は、Si−H2のそれが少な
くなるほど電気特性が良くなるとされているが、
本発明により得られた膜はSi−H2のそれを全く
含まないという好ましい特徴をもつのである。
以上実施例より明らかなように、本発明の方法
により得られる水素化アモルフアスシリコン（ａ
−Si：Ｈ）膜は次のごとき優れた特性を有するこ
とがわかる。 (1) 高抵抗（σd≦10-11Ω-1cm-1）である； したがつて、電子写真用感光体としてひとう非
常に適したものである。場合によつてはＢ，Ｏ等
を添加することによつて更に高抵抗の膜を得るこ
ともできる。 (2) 水素含有量が５〜10原子％と多い； したがつて、ａ−Si中のダングリングボンド
（未結合手）は十分補償されているということが
できる。なおこのことはESRによつて確認した、
すなわち、本発明の方法によれば、水素後処理を
する必要なしに、熱分解のみの一段プロセスでか
かるすぐれたａ−Si：Ｈ膜が得られるのである。 (3) 耐熱性が高い； すなわち、400℃アニールにおける離脱水素量
が10％以下である。更に、場合によつては、500
℃を越えるアニールによつても、耐熱性を有する
ことが表−１から明らかである。 通常の、グロー放電等により形成したａ−Si：
Ｈ膜はアニールすると300℃付近より膜中の水素
の離脱が始まり、400℃付近まで昇温するとほゞ
完全に水素が離脱する、これに対し本発明んいよ
り形成した膜は、400℃付近においても水素の離
脱量はわずかであり、きわめて優れた耐熱性を有
していることが明らかである。 (4) 赤外吸収において1960〜2000cm-1付近にSi
−Ｈ伸縮振動の赤外吸収をもち、2100cm-1付
近のSi−H2伸縮振動の赤外吸収は見られな
い； すなわち、電気特性とSi−Ｈ，Si−H2伸縮振
動の赤外吸収との関係は、Si−H2のそれが少な
くなるほど電気特性が良くなるとされているが、
本発明により得られた膜はSi−H2のそれを全く
含まないという好ましい特徴をもつのである。
第１図は本発明を実施するための装置の説明図
である。
である。
Claims (1)
- １ 一般式SinH2n＋２（ここではｎはｎ≧２の整
数を示す）であらわされる高次シランガスを大気
圧以上の圧力下で熱分解し基板上に堆積せしめる
ことを特徴とする水素化アモルフアスシリコン膜
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164990A JPS5955441A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57164990A JPS5955441A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5955441A JPS5955441A (ja) | 1984-03-30 |
| JPH0462073B2 true JPH0462073B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=15803739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57164990A Granted JPS5955441A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 水素化アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5955441A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2592238B2 (ja) * | 1986-06-24 | 1997-03-19 | セイコー電子工業株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2701767B2 (ja) * | 1995-01-27 | 1998-01-21 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57164990A patent/JPS5955441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5955441A (ja) | 1984-03-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4237150A (en) | Method of producing hydrogenated amorphous silicon film | |
| JPH0556852B2 (ja) | ||
| JPS6043485A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JPH0424430B2 (ja) | ||
| JPS6126774A (ja) | 非晶質シリコン膜形成装置 | |
| JPS5978919A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JPH02155225A (ja) | 非晶質半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH0462073B2 (ja) | ||
| JPH05144741A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JP3462976B2 (ja) | シリコン粒子の製造方法及びシリコン膜の形成方法 | |
| JP3084395B2 (ja) | 半導体薄膜の堆積方法 | |
| JPH07221026A (ja) | 高品質半導体薄膜の形成方法 | |
| JPH0587171B2 (ja) | ||
| JPS5957909A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| JPH0817738A (ja) | 結晶性半導体薄膜形成方法 | |
| JPH04137725A (ja) | ガラス基板多結晶シリコン薄膜 | |
| JPS5957908A (ja) | アモルフアスシリコン膜の形成方法 | |
| Wiesmann | Method of producing hydrogenated amorphous silicon film | |
| JPS63258016A (ja) | 非晶質薄膜の作製方法 | |
| JPH0364019A (ja) | 半導体薄膜 | |
| JPS6190421A (ja) | 堆積膜形成方法 | |
| Zhang et al. | Influences of GeF4 on poly-SiGe films prepared by reactive thermal CVD | |
| Lee et al. | Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin-Films by Reactive Thermal Chemical Vapour Deposition at 450° C | |
| Kim et al. | Comparison of a-Si: H Films Prepared by RP-and Conventional P-CVD | |
| JP2966909B2 (ja) | 非晶質半導体薄膜 |