JPH046249B2 - - Google Patents
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- JPH046249B2 JPH046249B2 JP58224560A JP22456083A JPH046249B2 JP H046249 B2 JPH046249 B2 JP H046249B2 JP 58224560 A JP58224560 A JP 58224560A JP 22456083 A JP22456083 A JP 22456083A JP H046249 B2 JPH046249 B2 JP H046249B2
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- coil
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B39/00—Circuit arrangements or apparatus for operating incandescent light sources
- H05B39/04—Controlling
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H47/00—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
- H01H47/22—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil
- H01H47/226—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil for bistable relays
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/30—Modifications for providing a predetermined threshold before switching
- H03K17/305—Modifications for providing a predetermined threshold before switching in thyristor switches
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- Relay Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は電気回路とりわけリレーコイルの制御
回路に関する。
回路に関する。
[背景技術]
リレーコイルの制御電流を発生する電気回路は
これまでよく知られている。リレーは大きく2つ
に分類できる。1つは磁界を発生して一組の機械
接点を移動させるリレーである。接点は解放され
た枠組上に支持するかまたはリードと呼ばれるガ
ラス封止カプセルの中に据え付ける。コイルがリ
ードを取り囲んで磁力が接点を動かす。接点の状
態を維持するにはコイルに電流を耐えず流してお
かねばならない。
これまでよく知られている。リレーは大きく2つ
に分類できる。1つは磁界を発生して一組の機械
接点を移動させるリレーである。接点は解放され
た枠組上に支持するかまたはリードと呼ばれるガ
ラス封止カプセルの中に据え付ける。コイルがリ
ードを取り囲んで磁力が接点を動かす。接点の状
態を維持するにはコイルに電流を耐えず流してお
かねばならない。
もう1つは双安定リレーまたは磁気ラツチリレ
ーと呼ばれるリレーであり、これは保持磁石を利
用して接点をセツトあるいはリセツトのいずれか
の状態に保持するリレーである。接点はセツトコ
イルまたはリセツトコイルに電流を流して切り換
える。電流がセツトコイルに流れると磁石が接点
をセツト状態に保つ。電流がリセツトコイルに流
れると、保持磁石より強い磁力によつて接点をリ
セツト状態に強制する。セツトコイルおよびリセ
ツトコイルは普通、互に反対方向にまいてある
る。このリレーは双安定であるので、コイルに連
続的に電流を流しておく必要はない。
ーと呼ばれるリレーであり、これは保持磁石を利
用して接点をセツトあるいはリセツトのいずれか
の状態に保持するリレーである。接点はセツトコ
イルまたはリセツトコイルに電流を流して切り換
える。電流がセツトコイルに流れると磁石が接点
をセツト状態に保つ。電流がリセツトコイルに流
れると、保持磁石より強い磁力によつて接点をリ
セツト状態に強制する。セツトコイルおよびリセ
ツトコイルは普通、互に反対方向にまいてある
る。このリレーは双安定であるので、コイルに連
続的に電流を流しておく必要はない。
本発明は主にこの双安定リレーに制御に関す
る。以下にその従来例を示す。
る。以下にその従来例を示す。
米国特許第4257081号は双安定リレーを制御す
るための回路の1つの例である。コンデンサをリ
レーと直列に接続し、その両端に励起電圧を印加
する。またこれと並列にトランジスタ・スイツチ
を接続する。励起電圧を印加するとリレーおよび
コンデンサに電流が流れる。電流はリレーをセツ
トしてコンデンサを充電する。励起電圧がなくな
るとトランジスタスイツチを介して放電を開始し
リレーをリセツトする。
るための回路の1つの例である。コンデンサをリ
レーと直列に接続し、その両端に励起電圧を印加
する。またこれと並列にトランジスタ・スイツチ
を接続する。励起電圧を印加するとリレーおよび
コンデンサに電流が流れる。電流はリレーをセツ
トしてコンデンサを充電する。励起電圧がなくな
るとトランジスタスイツチを介して放電を開始し
リレーをリセツトする。
これまでのリレーは比較的大きな電流を要する
ために大電流が取り出せない状況においてはこう
したリレーを利用できない。さらにリレーが一度
セツトされた場合は回路に故障が生じてもセツト
状態を維持してしまう。すなわちフエールセーフ
機構を持つていない。
ために大電流が取り出せない状況においてはこう
したリレーを利用できない。さらにリレーが一度
セツトされた場合は回路に故障が生じてもセツト
状態を維持してしまう。すなわちフエールセーフ
機構を持つていない。
[発明の目的]
本発明の目的は必要な電流および電圧が小さく
てすむリレー制御回路を構成することである。
てすむリレー制御回路を構成することである。
[発明の概要]
本発明によるリレー制御回路は、所定の基準電
圧に向かつて充電される少なくとも1つのコンデ
ンサを有している。コンデンサの電圧を感知しそ
の電圧が前記基準電圧を超えた場合にはコンデン
サの電化の一部を放電しセツトコイルに電流を流
すための第1のスイツチング素子が設けられる。
入力電圧およびコンデンサの電圧を感知し入力電
圧がコンデンサの電圧より小さくなつた場合にコ
ンデンサを放電しリセツトコイルに電流を流すた
めの第2のスイツチング素子も設けられる。
圧に向かつて充電される少なくとも1つのコンデ
ンサを有している。コンデンサの電圧を感知しそ
の電圧が前記基準電圧を超えた場合にはコンデン
サの電化の一部を放電しセツトコイルに電流を流
すための第1のスイツチング素子が設けられる。
入力電圧およびコンデンサの電圧を感知し入力電
圧がコンデンサの電圧より小さくなつた場合にコ
ンデンサを放電しリセツトコイルに電流を流すた
めの第2のスイツチング素子も設けられる。
[実施例の説明]
第1図は本発明を利用する通信システムを表す
図である。通信システムは通信リンク10を有し
ている。通信リンク10はデータを遠隔地から集
線装置(WC)12に伝送する。そのデータは導
線14を介して別の遠隔地に伝送される。WC1
2は導線16,18を介して局20に接続する。
WC12の機能は局20をネツトワークに切り替
えることである。その結果通信リンク10を通る
データは局20に伝送され、また局20からのデ
ータは導線14に伝送される。これを実現するた
めにWC12はリレーおよび一対のトランス2
2,24を有する。リレーの接点はA1,A2,
B1、およびB2、である。トランスはこれらの
接点に接続される。リレーコイルを含むリレー制
御回路26は一対のチヨークコイルを介してトラ
ンス22,24に接続される。
図である。通信システムは通信リンク10を有し
ている。通信リンク10はデータを遠隔地から集
線装置(WC)12に伝送する。そのデータは導
線14を介して別の遠隔地に伝送される。WC1
2は導線16,18を介して局20に接続する。
WC12の機能は局20をネツトワークに切り替
えることである。その結果通信リンク10を通る
データは局20に伝送され、また局20からのデ
ータは導線14に伝送される。これを実現するた
めにWC12はリレーおよび一対のトランス2
2,24を有する。リレーの接点はA1,A2,
B1、およびB2、である。トランスはこれらの
接点に接続される。リレーコイルを含むリレー制
御回路26は一対のチヨークコイルを介してトラ
ンス22,24に接続される。
局20は端子28,30において導線16,1
8にそれぞれ結合される自営機器(図示せず)を
有している。自営機器はトランス32,34、チ
ヨークコイル36、およびアダプタ制御回路38
によつて端子28,30に接続される。
8にそれぞれ結合される自営機器(図示せず)を
有している。自営機器はトランス32,34、チ
ヨークコイル36、およびアダプタ制御回路38
によつて端子28,30に接続される。
通常、WC12は電源を有していない。従つて
リレーを駆動する電力はアダプタ制御回路38か
ら供給される。通常、リレー制御電流は接点を動
かすために150ミリアンペア程度(直流)必要で
ある。第1図の通信システムにはいくつかの問題
がある。例えばアダプタ制御回路38は通常、
LSI回路で構成されているが、LSI回路は一般に
低電圧、小電流素子であるためリレーを直接駆動
することができない。従つて大電流の個別トラン
ジスタおよび電流制限抵抗をアダプタ制御回路3
8に備えなければならない。その上アダプタ制御
回路38とWC12との間の距離には導線16,
18による電圧効果のためにかなり制限がある。
リレーを駆動する電力はアダプタ制御回路38か
ら供給される。通常、リレー制御電流は接点を動
かすために150ミリアンペア程度(直流)必要で
ある。第1図の通信システムにはいくつかの問題
がある。例えばアダプタ制御回路38は通常、
LSI回路で構成されているが、LSI回路は一般に
低電圧、小電流素子であるためリレーを直接駆動
することができない。従つて大電流の個別トラン
ジスタおよび電流制限抵抗をアダプタ制御回路3
8に備えなければならない。その上アダプタ制御
回路38とWC12との間の距離には導線16,
18による電圧効果のためにかなり制限がある。
こうした問題を解決するための本発明のリレー
制御回路を第2図に示す。端子40,42はチヨ
ークコイル36(第1図)に接続されている。端
子42はアース電位(負端子)である。端子40
は正端子である。リレーの励起コイルはリセツト
コイルとセツトコイル(第2図)である。リセツ
トコイルの一端は端子42に接続されており、リ
セツトコイルの他端はプログラマブルユニジヤン
クシヨントランジスタ(PUT1)のカソードC
に接続されている。PUT1の機能のアダプタ制
御回路38(第1図)から送られてくる電圧を感
知し、その電圧がコンデンサC1の電圧以下に下
がつた場合にコンデンサC1を放電させてリセツ
トコイルに電流を流すことである。
制御回路を第2図に示す。端子40,42はチヨ
ークコイル36(第1図)に接続されている。端
子42はアース電位(負端子)である。端子40
は正端子である。リレーの励起コイルはリセツト
コイルとセツトコイル(第2図)である。リセツ
トコイルの一端は端子42に接続されており、リ
セツトコイルの他端はプログラマブルユニジヤン
クシヨントランジスタ(PUT1)のカソードC
に接続されている。PUT1の機能のアダプタ制
御回路38(第1図)から送られてくる電圧を感
知し、その電圧がコンデンサC1の電圧以下に下
がつた場合にコンデンサC1を放電させてリセツ
トコイルに電流を流すことである。
PUT1のゲート電極Gは抵抗R1を介して端
子40に接続される。さらにダイオードD1の一
端はPUT1のゲート電極Gと、他端はPUT1の
アノード電極Aと接続する。コンデンサC1は端
子40と端子42との間に接続する。コンデンサ
C1はセツトコイルおよびリセツトコイルを活性
化するに十分な電荷を蓄積する容量を有する。コ
ンデンサC2の正極はコンデンサC1の正極と、
コンデンサC2の負極はセツトコイルの正極とに
接続する。セツトコイルの負極はシリコン制御整
流器SCR1のアノードAに接続する。SCR1の
カソードCは端子42に接続し、SCR1のゲー
トGはツエナダイオードD3および抵抗R2を介
してコンデンサC1,C2の正極に接続する。
SCR1の機能はコンデンサC1の電圧がダイオ
ードD3の基準電圧を超えた場合にC1の電荷の
一部をセツトコイルに放電させることである。ダ
イオードD2は端子40と端子42との間に接続
する。
子40に接続される。さらにダイオードD1の一
端はPUT1のゲート電極Gと、他端はPUT1の
アノード電極Aと接続する。コンデンサC1は端
子40と端子42との間に接続する。コンデンサ
C1はセツトコイルおよびリセツトコイルを活性
化するに十分な電荷を蓄積する容量を有する。コ
ンデンサC2の正極はコンデンサC1の正極と、
コンデンサC2の負極はセツトコイルの正極とに
接続する。セツトコイルの負極はシリコン制御整
流器SCR1のアノードAに接続する。SCR1の
カソードCは端子42に接続し、SCR1のゲー
トGはツエナダイオードD3および抵抗R2を介
してコンデンサC1,C2の正極に接続する。
SCR1の機能はコンデンサC1の電圧がダイオ
ードD3の基準電圧を超えた場合にC1の電荷の
一部をセツトコイルに放電させることである。ダ
イオードD2は端子40と端子42との間に接続
する。
次にこの回路の動作を説明する。5Vよりも大
きい電圧が端子40,42間に印加されると、小
電流(サブミリアンペアのオーダー)が抵抗R1
およびダイオードD1を介して流れてコンデンサ
C1を放電する。理想的にはコンデンサC1に充
電されてダイオードD3の基準電圧に等しくなる
までは他の経路には電流は流れない。コンデンサ
C1の電圧がツエナーダイオードD3の基準電圧
に達するとツエナーダイオードD3は導通し
SCR1のゲートGに電流が流れる。そうしてセ
ツトコイルに電流が流れてリレーの接点(第1
図)が閉成される。コンデンサC1からコンデン
サC2へ流れる電流は指数関数的に減少しゼロに
なる。コンデンサC2の充電が終わるとコンデン
サC1からの電流の流れは停止する。端子40,
42間に電圧が印加されている限りコンデンサC
1の電荷は保存され、抵抗R1およびダイオード
D1に流れる電流は抵抗R2、ダイオードD3、
およびSCR1のゲートを介してほんのわずかだ
け流れる。
きい電圧が端子40,42間に印加されると、小
電流(サブミリアンペアのオーダー)が抵抗R1
およびダイオードD1を介して流れてコンデンサ
C1を放電する。理想的にはコンデンサC1に充
電されてダイオードD3の基準電圧に等しくなる
までは他の経路には電流は流れない。コンデンサ
C1の電圧がツエナーダイオードD3の基準電圧
に達するとツエナーダイオードD3は導通し
SCR1のゲートGに電流が流れる。そうしてセ
ツトコイルに電流が流れてリレーの接点(第1
図)が閉成される。コンデンサC1からコンデン
サC2へ流れる電流は指数関数的に減少しゼロに
なる。コンデンサC2の充電が終わるとコンデン
サC1からの電流の流れは停止する。端子40,
42間に電圧が印加されている限りコンデンサC
1の電荷は保存され、抵抗R1およびダイオード
D1に流れる電流は抵抗R2、ダイオードD3、
およびSCR1のゲートを介してほんのわずかだ
け流れる。
入力電圧を意図的に下げるかまたは断線によつ
て下がるかするとダイオードD1には電流が流れ
なくなる。このときPUT1(またはこれと等価
な感知素子)においてはアノード電極Aよりもゲ
ート電極Gの法が電位は低い。(PUT1のアノー
ド電圧はコンデンサC1の正極の電圧である。)
ゲート電圧がアノード電圧よりも大きい場合は
PUT1は単なる高抵抗素子に過ぎない。しかし
ながらこの逆の場合すなわちゲート電圧がアノー
ド電圧よりも小さい場合はPUT1は低抵抗素子
となる。コンデンサC1,C2はPUT1によつ
て放電しダイオードD2に電流を流す。PUT1
を流れる電流はリセツトコイルを通つてリレーを
リセツト状態にする。
て下がるかするとダイオードD1には電流が流れ
なくなる。このときPUT1(またはこれと等価
な感知素子)においてはアノード電極Aよりもゲ
ート電極Gの法が電位は低い。(PUT1のアノー
ド電圧はコンデンサC1の正極の電圧である。)
ゲート電圧がアノード電圧よりも大きい場合は
PUT1は単なる高抵抗素子に過ぎない。しかし
ながらこの逆の場合すなわちゲート電圧がアノー
ド電圧よりも小さい場合はPUT1は低抵抗素子
となる。コンデンサC1,C2はPUT1によつ
て放電しダイオードD2に電流を流す。PUT1
を流れる電流はリセツトコイルを通つてリレーを
リセツト状態にする。
第3図は発明の第2の実施例である。この実施
例では、端子40,42間に印加する電圧は5V
より小さく、例えば3.5V出よい。第2図と同一
の素子は、第2図と同一の参照番号を付記する。
第2図と同ように端子40,42はチヨークコイ
ル36(第1図)に接続する。端子42は正端
子、端子40は負端子である。第3図の回路の機
能は比較的低電圧、小電流の信号を端子40,4
2に受け取つて、接点をセツト状態にする電流を
発生することである。端子40,42間の信号が
中断された場合はリセツトコイルに電流を流して
接点をリセツト状態にする。
例では、端子40,42間に印加する電圧は5V
より小さく、例えば3.5V出よい。第2図と同一
の素子は、第2図と同一の参照番号を付記する。
第2図と同ように端子40,42はチヨークコイ
ル36(第1図)に接続する。端子42は正端
子、端子40は負端子である。第3図の回路の機
能は比較的低電圧、小電流の信号を端子40,4
2に受け取つて、接点をセツト状態にする電流を
発生することである。端子40,42間の信号が
中断された場合はリセツトコイルに電流を流して
接点をリセツト状態にする。
このためにPUT1はダイオードD2を介して
チスイツチング素子T1のベースに接続されてい
る。本発明の良好な実施例ではこのスイツチング
素子T1はトランジスタである。セツトコイルの
負極はT1のコレクタに接続され、T1のエミツ
タは端子42に接続される。抵抗R4の一端は
PUT1のカソードCに接続し、他端は端子42
に接続する。セツトコイルの正極は端子40に接
続する。ダイオードD3はセツトコイルに並列接
続する。PUT1のゲートGは節点44に接続す
る。節点44は抵抗R5および抵抗R6に接続す
る。抵抗R5および抵抗R6は分圧器を更正し、
接点44に基準電圧を設定する。これらの抵抗は
端子40,42間に接続する。コンデンサC1の
電圧がこの基準電圧よりも大きくなるとPUT1
は道通しT1をターンオンする。これによつてコ
ンデンサC2は放電を開始しセツトコイルに電流
を流す。
チスイツチング素子T1のベースに接続されてい
る。本発明の良好な実施例ではこのスイツチング
素子T1はトランジスタである。セツトコイルの
負極はT1のコレクタに接続され、T1のエミツ
タは端子42に接続される。抵抗R4の一端は
PUT1のカソードCに接続し、他端は端子42
に接続する。セツトコイルの正極は端子40に接
続する。ダイオードD3はセツトコイルに並列接
続する。PUT1のゲートGは節点44に接続す
る。節点44は抵抗R5および抵抗R6に接続す
る。抵抗R5および抵抗R6は分圧器を更正し、
接点44に基準電圧を設定する。これらの抵抗は
端子40,42間に接続する。コンデンサC1の
電圧がこの基準電圧よりも大きくなるとPUT1
は道通しT1をターンオンする。これによつてコ
ンデンサC2は放電を開始しセツトコイルに電流
を流す。
PUT1のアノードAは抵抗R1,R2を介し
て端子40に接続する。コンデンサC1の一端は
PUT1のアノードAに、コンデンサC1の他端
は端子42に接続する。コンデンサC1の正極は
トランジスタT2を介して端子42とリセツトコ
イルの正極とに接続する。リレーの接点をリセツ
トの状態にするためにリセツトコイルの正極はス
イツチング素子PUT2に接続し、負極は端子4
2に接続する。PUT2は、リセツトコイルの正
極に接続するカソードCと、端子40に接続する
ゲートGと、コンデンサC2の正極に接続するア
ノードAとを有する。ダイオードD1はPUT2
のゲート・アノード間に接続する。コンデンサC
2の負極は端子42に接続する。コンデンサC2
は十分な電荷を蓄える蓄積素子を形成しセツトコ
イルおよびリセツトコイルにそれぞれの状態を実
現するための電流を供給する。ここで本発明の実
施例の各々の素子の一例を示す。
て端子40に接続する。コンデンサC1の一端は
PUT1のアノードAに、コンデンサC1の他端
は端子42に接続する。コンデンサC1の正極は
トランジスタT2を介して端子42とリセツトコ
イルの正極とに接続する。リレーの接点をリセツ
トの状態にするためにリセツトコイルの正極はス
イツチング素子PUT2に接続し、負極は端子4
2に接続する。PUT2は、リセツトコイルの正
極に接続するカソードCと、端子40に接続する
ゲートGと、コンデンサC2の正極に接続するア
ノードAとを有する。ダイオードD1はPUT2
のゲート・アノード間に接続する。コンデンサC
2の負極は端子42に接続する。コンデンサC2
は十分な電荷を蓄える蓄積素子を形成しセツトコ
イルおよびリセツトコイルにそれぞれの状態を実
現するための電流を供給する。ここで本発明の実
施例の各々の素子の一例を示す。
表 1素 子
値および名称
R1 24.9kΩ 1% 1/8ワツト抵抗
R2 511Ω 1% 1/8ワツト抵抗
R3 1KΩ 1% 1/8ワツト抵抗
R4 3.32kΩ 1% 1/8ワツト抵抗
R5 698kΩ 1% 1/8ワツト抵抗
R6 432kΩ 1% 1/8ワツト抵抗
C1 33μF 10v.タンタルコデンサ
C2 1kμF 10v.タンタルコデンサ
T1、T2 2N3252トランジスタまたは相当品
PUT1、PUT2 GE D13T2 プログラマブルユ
ニジヤクシヨントランジス
タまたは相当品 D1 1N60または相当品 ゲルマニウムダイオ
ード D2、D3 1N14150または相当品 シリコンダイ
オード 次に第3図の回路の動作の説明をする。比較的
低い電圧(例えば3.5V以上)を端子40,42
間に印加するとコンデンサC1,C2の充電が始
まる。同様に抵抗R5およびR6での分圧により
接点44において基準電圧が得られる。その電圧
はPUT1のゲートGに伝達される。コンデンサ
C1が放電されて基準電圧よりも大きくなると
PUT1はターンオンし、コンデンサC1は抵抗
R4に放電を開始する。抵抗R4の電圧が2つの
ダイオードの電圧降下(すなわちダイオードD2
の電圧降下とトランジスタT1のベース・エミツ
タ間の電圧降下の和)よりも大きい間はトランジ
スタT1をオンの状態に保つ。トランジスタT1
がオンになるとコンデンサC2が放電を開始しセ
ツトコイルに電流を流す。従つてリレーの接点は
セツト状態に切り替わる。トランジスタT1がオ
フになつた時にコンデンサC2の電荷は初期値の
約70%となるようにコンデンサC2の値を選ぶこ
とが望ましい。このことはリレーのセツトのすぐ
後に何らかの理由で端子40,42間の電圧が断
たれた場合にリレーをセツトするのに十分な電荷
量を残していることを保証する。これは第1図の
局20からの信号が中断された後にリレーが意に
反してセツト状態を維持してしまうことに対する
予防策である。さらに抵抗R1ないしR6は、コ
ンデンサC1の初めの放電の後でPUT1の電流
が保持電流値を超えるように選択する。もし
PUT1がターンオフするとすれば、回路は再び
コンデンサC1の充電を開始しPUT1をターン
オンすることになり、回路は発振してしまう。し
かしながらこの保持電流はあまりし小さいため、
抵抗R4の電圧降かは前述の2つのダイオードに
よる電圧降かを超えることができない。
ニジヤクシヨントランジス
タまたは相当品 D1 1N60または相当品 ゲルマニウムダイオ
ード D2、D3 1N14150または相当品 シリコンダイ
オード 次に第3図の回路の動作の説明をする。比較的
低い電圧(例えば3.5V以上)を端子40,42
間に印加するとコンデンサC1,C2の充電が始
まる。同様に抵抗R5およびR6での分圧により
接点44において基準電圧が得られる。その電圧
はPUT1のゲートGに伝達される。コンデンサ
C1が放電されて基準電圧よりも大きくなると
PUT1はターンオンし、コンデンサC1は抵抗
R4に放電を開始する。抵抗R4の電圧が2つの
ダイオードの電圧降下(すなわちダイオードD2
の電圧降下とトランジスタT1のベース・エミツ
タ間の電圧降下の和)よりも大きい間はトランジ
スタT1をオンの状態に保つ。トランジスタT1
がオンになるとコンデンサC2が放電を開始しセ
ツトコイルに電流を流す。従つてリレーの接点は
セツト状態に切り替わる。トランジスタT1がオ
フになつた時にコンデンサC2の電荷は初期値の
約70%となるようにコンデンサC2の値を選ぶこ
とが望ましい。このことはリレーのセツトのすぐ
後に何らかの理由で端子40,42間の電圧が断
たれた場合にリレーをセツトするのに十分な電荷
量を残していることを保証する。これは第1図の
局20からの信号が中断された後にリレーが意に
反してセツト状態を維持してしまうことに対する
予防策である。さらに抵抗R1ないしR6は、コ
ンデンサC1の初めの放電の後でPUT1の電流
が保持電流値を超えるように選択する。もし
PUT1がターンオフするとすれば、回路は再び
コンデンサC1の充電を開始しPUT1をターン
オンすることになり、回路は発振してしまう。し
かしながらこの保持電流はあまりし小さいため、
抵抗R4の電圧降かは前述の2つのダイオードに
よる電圧降かを超えることができない。
PUT2はリレーのリセツトサイクルを開始す
るスイツチング素子を形成する。端子40,42
間に必要な電圧が印加されている限りは、マイク
ロアンペアのオーダーの電流がPUT1とダイオ
ードD1とにながれている。PUT2のゲート・
アノード間にはダイオードD1が接続しており、
PUT2は今アノードよりもゲートの方が高い。
この場合はPUT2は降抵抗素子しなつていて道
通はない。端子40,42間の印加電圧が下がる
とPUT2のアノード電圧はコンデンサC2によ
つて電圧を維持する。この電圧が第3図の回路に
おいては最も大きい。端子40,42間の印加が
下がるとPUT2のゲート電圧が下がる。PUT2
のゲート電圧がアノード電圧よりも例えば0.6V
低くなると、PUT2は導通しコンデンサC2の
放電を開始しリセツトコイルの電流を流す。そう
してリレーの接点はリセツト状態となる。コンデ
ンサC2の放電は電流がPUT2の保持電流値に
到達するまで続き、そのときPUT2はターンオ
フする。そうして回路は次のセツトサイクルを持
つ。
るスイツチング素子を形成する。端子40,42
間に必要な電圧が印加されている限りは、マイク
ロアンペアのオーダーの電流がPUT1とダイオ
ードD1とにながれている。PUT2のゲート・
アノード間にはダイオードD1が接続しており、
PUT2は今アノードよりもゲートの方が高い。
この場合はPUT2は降抵抗素子しなつていて道
通はない。端子40,42間の印加電圧が下がる
とPUT2のアノード電圧はコンデンサC2によ
つて電圧を維持する。この電圧が第3図の回路に
おいては最も大きい。端子40,42間の印加が
下がるとPUT2のゲート電圧が下がる。PUT2
のゲート電圧がアノード電圧よりも例えば0.6V
低くなると、PUT2は導通しコンデンサC2の
放電を開始しリセツトコイルの電流を流す。そう
してリレーの接点はリセツト状態となる。コンデ
ンサC2の放電は電流がPUT2の保持電流値に
到達するまで続き、そのときPUT2はターンオ
フする。そうして回路は次のセツトサイクルを持
つ。
以上から明らかなように、PUTは比較器とし
て機能しているから、この機能を満足する限り、
PUT以外の等価素子あるいは回路を使用するこ
とができる。
て機能しているから、この機能を満足する限り、
PUT以外の等価素子あるいは回路を使用するこ
とができる。
本発明には次のようないくつかの利点がある。
リレーの励起コイルを制御するのに必要な電力を
LSI回路から供給することができ、大電力の外部
回路を必要としない。
リレーの励起コイルを制御するのに必要な電力を
LSI回路から供給することができ、大電力の外部
回路を必要としない。
局20の自営機器からWC12までの距離はほ
どんど制限がなくなる。なぜならアダプタ制御回
路38から供給する電流が微小であるからであ
る。従つて導線16,18の電圧損失は少なくリ
レー回路においてわずかの電圧降下しかもたらさ
ない。
どんど制限がなくなる。なぜならアダプタ制御回
路38から供給する電流が微小であるからであ
る。従つて導線16,18の電圧損失は少なくリ
レー回路においてわずかの電圧降下しかもたらさ
ない。
本発明の回路は、入力信号の有無を感知して高
速にターンオンするPUTを利用しているので、
リレーのリセツトは比較的短かい時間で行なわれ
る。
速にターンオンするPUTを利用しているので、
リレーのリセツトは比較的短かい時間で行なわれ
る。
リレーを駆動するのに必要なエネルギは一定期
間に蓄積された電荷から得られるので、従来のリ
レー駆動回路に比べて、ホスト側で必要な電力を
大幅に減ずることができる。
間に蓄積された電荷から得られるので、従来のリ
レー駆動回路に比べて、ホスト側で必要な電力を
大幅に減ずることができる。
第1図は本発明によるリレー制御回路を組み込
んだ通信システムを表す回路図、第2図は本発明
の第1の実施例を表す回路図、第3図は本発明の
第2の実施例を表す回路図である。
んだ通信システムを表す回路図、第2図は本発明
の第1の実施例を表す回路図、第3図は本発明の
第2の実施例を表す回路図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 正端子および負端子の間に並列に接続された
セツトコイルおよびリセツトコイルと、 前記正端子および負端子への入力信号に応答し
て充電を開始する蓄積手段と、 前記セツトコイルおよび前記蓄積手段に接続さ
れ、前記蓄積手段の充電電圧が所定の基準電圧を
超えたときに導通してリレーをセツト状態にする
電流を前記セツトコイルに流す第1のスイツチン
グ手段と、 前記リセツトコイルおよび前記蓄積手段に接続
され、前記入力信号を下がつたときに前記蓄積手
段を放電させて前記リレーをリセツト状態にする
電流を前記リセツトコイルに流す第2のスイツチ
ング手段と、 を具備するリレー制御回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US475780 | 1983-03-16 | ||
| US06/475,780 US4527216A (en) | 1983-03-16 | 1983-03-16 | Sub-milliamp mechanical relay control |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7036650A Division JP2620536B2 (ja) | 1983-03-16 | 1995-02-24 | リレー制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59169018A JPS59169018A (ja) | 1984-09-22 |
| JPH046249B2 true JPH046249B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=23889112
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58224560A Granted JPS59169018A (ja) | 1983-03-16 | 1983-11-30 | リレ−制御回路 |
| JP7036650A Expired - Lifetime JP2620536B2 (ja) | 1983-03-16 | 1995-02-24 | リレー制御回路 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7036650A Expired - Lifetime JP2620536B2 (ja) | 1983-03-16 | 1995-02-24 | リレー制御回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4527216A (ja) |
| EP (1) | EP0122370B1 (ja) |
| JP (2) | JPS59169018A (ja) |
| DE (1) | DE3482151D1 (ja) |
| HK (1) | HK8095A (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4527216A (en) * | 1983-03-16 | 1985-07-02 | International Business Machines Corporation | Sub-milliamp mechanical relay control |
| JPS60176321A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Hayashibara Takeshi | 磁力線パルス発生装置 |
| US4675776A (en) * | 1984-11-23 | 1987-06-23 | General Electric Company | Bistable undervoltage release circuit for circuit breakers |
| US4701630A (en) * | 1985-06-27 | 1987-10-20 | International Business Machines Corp. | Local area network station connector |
| IT1185437B (it) * | 1985-10-15 | 1987-11-12 | Elettrocondutture | Amplificatore statico con deboli segnali senza alimentazione ausiliaria |
| GB2184260B (en) * | 1985-11-20 | 1989-11-01 | British Gas Plc | Valve operating system |
| US4737750A (en) * | 1986-12-22 | 1988-04-12 | Hamilton Standard Controls, Inc. | Bistable electrical contactor arrangement |
| JPH01279533A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-09 | Nec Corp | リレー駆動回路 |
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| US5199026A (en) * | 1991-02-27 | 1993-03-30 | Memorex Telex N.V. | Token ring wiring concentrator |
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| US5821642A (en) * | 1996-11-04 | 1998-10-13 | Hubbell Incorporated | Arc prevention circuit for a mechanical switch |
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| WO1999053627A1 (en) | 1998-04-10 | 1999-10-21 | Chrimar Systems, Inc. Doing Business As Cms Technologies | System for communicating with electronic equipment on a network |
| US6304180B1 (en) | 1998-04-15 | 2001-10-16 | Brian P. Platner | Highly versatile occupancy sensor |
| US6850159B1 (en) | 2001-05-15 | 2005-02-01 | Brian P. Platner | Self-powered long-life occupancy sensors and sensor circuits |
| US9305729B2 (en) * | 2013-08-21 | 2016-04-05 | Littelfuse, Inc. | Capacitive driven normal relay emulator using voltage boost |
| US9401708B2 (en) * | 2014-05-20 | 2016-07-26 | General Electric Company | Gate drive unit and method for controlling a gate drive unit |
| US20180342364A1 (en) * | 2017-05-29 | 2018-11-29 | Lithionics Llc | Control method for bi-stable contactors with full component redundancy |
| CN111200425A (zh) * | 2020-01-23 | 2020-05-26 | 华为技术有限公司 | 一种复位电路及相关电子设备 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1487940A1 (de) * | 1951-01-28 | 1969-01-16 | Siemens Ag | Schaltungsanordnung fuer Fernmelde-,insbesondere Fernsprechanlagen zur wahlweisen Betaetigung von Schaltmitteln |
| US3889161A (en) * | 1973-11-16 | 1975-06-10 | Steven F Trush | Electronic control system |
| GB1466246A (en) * | 1974-07-02 | 1977-03-02 | Redding Robert James | Electrical switching circuits |
| DE2747607C2 (de) * | 1977-10-24 | 1991-05-08 | Sds-Elektro Gmbh, 8024 Deisenhofen | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Relais |
| AT378090B (de) * | 1977-10-24 | 1985-06-10 | Sds Elektro Gmbh | Schaltungsanordnung zur ansteuerung eines bistabilen relais |
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| JPS56153637A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-27 | Matsushita Electric Works Ltd | Relay driving circuit |
| US4418374A (en) * | 1982-09-29 | 1983-11-29 | Allen-Bradley Company | Latch relay drive circuit |
| US4527216A (en) * | 1983-03-16 | 1985-07-02 | International Business Machines Corporation | Sub-milliamp mechanical relay control |
-
1983
- 1983-03-16 US US06/475,780 patent/US4527216A/en not_active Ceased
- 1983-11-30 JP JP58224560A patent/JPS59169018A/ja active Granted
-
1984
- 1984-01-26 EP EP84100778A patent/EP0122370B1/en not_active Expired
- 1984-01-26 DE DE8484100778T patent/DE3482151D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-01-19 HK HK8095A patent/HK8095A/en not_active IP Right Cessation
- 1995-02-24 JP JP7036650A patent/JP2620536B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59169018A (ja) | 1984-09-22 |
| EP0122370A1 (en) | 1984-10-24 |
| JPH0887939A (ja) | 1996-04-02 |
| EP0122370B1 (en) | 1990-05-02 |
| HK8095A (en) | 1995-01-27 |
| US4527216A (en) | 1985-07-02 |
| DE3482151D1 (de) | 1990-06-07 |
| JP2620536B2 (ja) | 1997-06-18 |
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