JPH0463153B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0463153B2 JPH0463153B2 JP9572187A JP9572187A JPH0463153B2 JP H0463153 B2 JPH0463153 B2 JP H0463153B2 JP 9572187 A JP9572187 A JP 9572187A JP 9572187 A JP9572187 A JP 9572187A JP H0463153 B2 JPH0463153 B2 JP H0463153B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- cylindrical body
- supply device
- plate
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
シヤワー状にガスを流出する機能を有するガス
供給装置の内部にガス案内板を用いて層流形成手
段を設けて、導入ガスを中心部から周辺部に向か
う層流に形成して該装置内を誘導しガス流出面に
配設されたガス拡散板上に周辺部から供給するよ
うにして装置内を通過するガスの流れを低温部か
ら高温部に向かう一方向の流れに統一し、これに
よつて気相成長の際ガス供給装置内に生成堆積す
る粉末状反応生成物の量を減少せしめて、該粉末
状反応生成物の落下による被成長基板面の汚染を
防止する。
供給装置の内部にガス案内板を用いて層流形成手
段を設けて、導入ガスを中心部から周辺部に向か
う層流に形成して該装置内を誘導しガス流出面に
配設されたガス拡散板上に周辺部から供給するよ
うにして装置内を通過するガスの流れを低温部か
ら高温部に向かう一方向の流れに統一し、これに
よつて気相成長の際ガス供給装置内に生成堆積す
る粉末状反応生成物の量を減少せしめて、該粉末
状反応生成物の落下による被成長基板面の汚染を
防止する。
本発明は気相反応において被処理基板上に反応
ガスを注下するのに用いられるガス供給装置に係
り、特に化学気相成長に際して成長膜質の向上に
寄与するガス供給装置に関する。
ガスを注下するのに用いられるガス供給装置に係
り、特に化学気相成長に際して成長膜質の向上に
寄与するガス供給装置に関する。
半導体IC等に用いられるに二酸化シリコン
（SiO2）、燐珪酸ガラス（PSG）等の層間絶縁膜
は、主として化学気相成長（CVD）法によつて
形成されるが、近時該半導体ICの高集積化に伴
つて該層間絶縁膜が薄く形成され、且つ該層間絶
縁膜上に形成される配線層の膜厚も薄く形成され
るようになつて来て、膜質の低下による該層間絶
縁膜の絶縁性の劣化や、該層間絶縁膜の突起状欠
陥に起因する配線層の断線等が問題になつてい
る。
（SiO2）、燐珪酸ガラス（PSG）等の層間絶縁膜
は、主として化学気相成長（CVD）法によつて
形成されるが、近時該半導体ICの高集積化に伴
つて該層間絶縁膜が薄く形成され、且つ該層間絶
縁膜上に形成される配線層の膜厚も薄く形成され
るようになつて来て、膜質の低下による該層間絶
縁膜の絶縁性の劣化や、該層間絶縁膜の突起状欠
陥に起因する配線層の断線等が問題になつてい
る。
この層間絶縁膜の膜質劣化や突起状欠陥は、多
くは該層間絶縁膜を形成するCVD装置に起因す
るもので、高集積度ICの信頼性向上の面から、
その改善が要望されている。
くは該層間絶縁膜を形成するCVD装置に起因す
るもので、高集積度ICの信頼性向上の面から、
その改善が要望されている。
第２図は上記層間絶縁膜の形成に多く用いられ
る従来の減圧CVD装置の模式側断面図で、図中、
５１は成長室、５２はガス供給管、５３はガス供
給装置、５４は真空排気口、５５はヒータを内蔵
した基板支持台、５６は被成長基板を示す。
る従来の減圧CVD装置の模式側断面図で、図中、
５１は成長室、５２はガス供給管、５３はガス供
給装置、５４は真空排気口、５５はヒータを内蔵
した基板支持台、５６は被成長基板を示す。
上記従来のCVD装置に配設されたシヤワー状
にガスを流出するガス供給装置即ちシヤワー状ガ
ス供給装置５３は、第３図に示す模式側断面図の
ように、軸に対して直角な上下端面を有する高さ
の低い円筒体５７と、その上端面に固着された中
心部にガス供給管５２が開口固定された天板５８
と、円筒体５７の下端面の近傍に該端面と平行に
固着された第１のガス流通孔５９を低配設密度で
有する第１のガス拡散板６０と、該円筒体５７の
下端面に固着された第２のガス流通孔６１を高配
設密度で有する第２のガス拡散板６２とによつて
構成されていた。
にガスを流出するガス供給装置即ちシヤワー状ガ
ス供給装置５３は、第３図に示す模式側断面図の
ように、軸に対して直角な上下端面を有する高さ
の低い円筒体５７と、その上端面に固着された中
心部にガス供給管５２が開口固定された天板５８
と、円筒体５７の下端面の近傍に該端面と平行に
固着された第１のガス流通孔５９を低配設密度で
有する第１のガス拡散板６０と、該円筒体５７の
下端面に固着された第２のガス流通孔６１を高配
設密度で有する第２のガス拡散板６２とによつて
構成されていた。
しかし該従来構造のシヤワー状ガス供給装置に
おいては、ガス供給管５２から例えばモノシラン
（SiH4）と酸素（O2）との混合ガスよりなる成長
ガスを導入して、例えば400℃程度に加熱された
被成長基板５６上にSiO2膜を成長しようとする
際、基板支持台５５及び被成長基板５６からの輻
射熱によつて高温に加熱されている第１のガス拡
散板６０の中央部に常温の成長ガス６３が高速で
衝突して該ガス拡散板６０が局部的に冷却され、
その近傍に低温領域６４が形成される。
おいては、ガス供給管５２から例えばモノシラン
（SiH4）と酸素（O2）との混合ガスよりなる成長
ガスを導入して、例えば400℃程度に加熱された
被成長基板５６上にSiO2膜を成長しようとする
際、基板支持台５５及び被成長基板５６からの輻
射熱によつて高温に加熱されている第１のガス拡
散板６０の中央部に常温の成長ガス６３が高速で
衝突して該ガス拡散板６０が局部的に冷却され、
その近傍に低温領域６４が形成される。
そしてガス拡散板６０の周辺部に接する高温領
域６５から、該高温において飽和状態に反応種が
形成された高温の成長ガスの一部が鎖線で示す矢
印６６のように低温領域６４へ逆流し、冷却され
て反応種が急激に過飽和状態になり、粉末状の
SiO2を生成して、該SiO2粉６７を拡散板６０，
６２上等に堆積させる。
域６５から、該高温において飽和状態に反応種が
形成された高温の成長ガスの一部が鎖線で示す矢
印６６のように低温領域６４へ逆流し、冷却され
て反応種が急激に過飽和状態になり、粉末状の
SiO2を生成して、該SiO2粉６７を拡散板６０，
６２上等に堆積させる。
また特に成長ガスの導入を停止した際には円筒
体５７と第１のガス拡散板６０とによつて画定さ
れる一空間内に停滞している成長ガスが該空間内
を自由に移動し、高温の成長ガスが低温領域に浸
入し冷却されるので、上記SiO2粉６７の堆積は
より顕著となる。
体５７と第１のガス拡散板６０とによつて画定さ
れる一空間内に停滞している成長ガスが該空間内
を自由に移動し、高温の成長ガスが低温領域に浸
入し冷却されるので、上記SiO2粉６７の堆積は
より顕著となる。
そしてこれらSiO2粉６７は、成長ガスを流通
せしめた際に成長ガス６２に載つて被成長基板５
６上に運ばれ該基板上に付着するので、該基板５
６上に成長するSiO2膜６８に亀裂状の欠陥６９
や、突起状の欠陥７０を発生させ、これによつて
該SiO2膜６８による層間絶縁膜の絶縁性の劣化
や、該SiO2層間絶縁膜上に形成される金属配線
層の断線等が生ずる。
せしめた際に成長ガス６２に載つて被成長基板５
６上に運ばれ該基板上に付着するので、該基板５
６上に成長するSiO2膜６８に亀裂状の欠陥６９
や、突起状の欠陥７０を発生させ、これによつて
該SiO2膜６８による層間絶縁膜の絶縁性の劣化
や、該SiO2層間絶縁膜上に形成される金属配線
層の断線等が生ずる。
そこで従来は、上記欠陥を防止して半導体IC
等の製造デバイスの信頼性を向上させるために、
該ガス供給装置の洗浄が頻繁に行われたので、
CVD装置の保守工数の増大、スループツトの大
幅な減少等が問題となつていた。
等の製造デバイスの信頼性を向上させるために、
該ガス供給装置の洗浄が頻繁に行われたので、
CVD装置の保守工数の増大、スループツトの大
幅な減少等が問題となつていた。
本発明が解決しようとする問題点は、上記のよ
うに従来のガス供給装置を具備したCVD装置に
おいては、気相成長絶縁膜の亀裂状或いは突起状
の欠陥による絶縁性の劣化や、配線層の断線等に
よる製造デバイスの信頼性の低下を防止するため
に、ガス供給装置の頻繁な洗浄が必要なために
CVD装置の保守工数が増大し、且つスループツ
トが大幅に減少していたことである。
うに従来のガス供給装置を具備したCVD装置に
おいては、気相成長絶縁膜の亀裂状或いは突起状
の欠陥による絶縁性の劣化や、配線層の断線等に
よる製造デバイスの信頼性の低下を防止するため
に、ガス供給装置の頻繁な洗浄が必要なために
CVD装置の保守工数が増大し、且つスループツ
トが大幅に減少していたことである。
上記問題点は、軸に対して直角な上下端面を有
する円筒体と、該円筒体の上端面に固着された中
心部にガス導入口を有する天板と、該円筒体の下
端面に固着されたガス拡散板と、該円筒体の内部
に、該円筒体の側壁との間に間隙部を有するガス
案内板を用いて構成されガス導入口から導入され
るガスを該円筒体の中心部から周辺部に向かう層
流に形成する層流形成手段とを有し、ガス導入口
から導入されたガスが該層流形成手段を経て該ガ
ス案内板と円筒体側壁との間隙部から該拡散板上
に供給され、該ガス拡散板を介して外部に流出せ
しめられることを特徴とする本発明によるガス供
給装置によつて解決される。
する円筒体と、該円筒体の上端面に固着された中
心部にガス導入口を有する天板と、該円筒体の下
端面に固着されたガス拡散板と、該円筒体の内部
に、該円筒体の側壁との間に間隙部を有するガス
案内板を用いて構成されガス導入口から導入され
るガスを該円筒体の中心部から周辺部に向かう層
流に形成する層流形成手段とを有し、ガス導入口
から導入されたガスが該層流形成手段を経て該ガ
ス案内板と円筒体側壁との間隙部から該拡散板上
に供給され、該ガス拡散板を介して外部に流出せ
しめられることを特徴とする本発明によるガス供
給装置によつて解決される。
即ち本発明に係るシヤワー状のガス供給装置に
おいては、天板の中心部に開口する単数若しくは
同心円状の複数のガス導入口から導入される各々
のガスを個々に、天板及び装置内部に配設したガ
ス案内板によつて薄い層流にして装置の中心部か
ら周辺部に誘導し、装置の内壁面と案内板の周縁
部との間に形成される空隙部を介して周辺部から
ガス拡散板上に供給し、ガス拡散板を介してシヤ
ワー状に流出させる。
おいては、天板の中心部に開口する単数若しくは
同心円状の複数のガス導入口から導入される各々
のガスを個々に、天板及び装置内部に配設したガ
ス案内板によつて薄い層流にして装置の中心部か
ら周辺部に誘導し、装置の内壁面と案内板の周縁
部との間に形成される空隙部を介して周辺部から
ガス拡散板上に供給し、ガス拡散板を介してシヤ
ワー状に流出させる。
このようにすることにより、ガス供給装置内を
流れるガスの流れが常温の導入ガスの衝突によつ
て冷却される最低温領域から該冷却を直接受けな
い装置の内壁近傍の中温領域を経て輻射により最
も高温に加熱されているガス拡散板に達する低温
部から高温部に向かう一方向の流れに統一される
ので、ガス中に含まれる反応種が過飽和になるこ
とがない。
流れるガスの流れが常温の導入ガスの衝突によつ
て冷却される最低温領域から該冷却を直接受けな
い装置の内壁近傍の中温領域を経て輻射により最
も高温に加熱されているガス拡散板に達する低温
部から高温部に向かう一方向の流れに統一される
ので、ガス中に含まれる反応種が過飽和になるこ
とがない。
従つて気相成長に際して、過飽和反応種によつ
てガス供給装置内に生成堆積される粉末状の気相
成長物質は大幅に減少し、ガス供給装置から被成
長基板面に落下する粉末状の気相成長物質が減少
するので、気相成長膜の亀裂状欠陥及び突起状欠
陥が大幅に減少する。
てガス供給装置内に生成堆積される粉末状の気相
成長物質は大幅に減少し、ガス供給装置から被成
長基板面に落下する粉末状の気相成長物質が減少
するので、気相成長膜の亀裂状欠陥及び突起状欠
陥が大幅に減少する。
以下本発明を、２個のガス導入口を有する一実
施例について、第１図に示す模式側断面図ａ及び
模式平面図ｂを用いて具体的に説明する。
施例について、第１図に示す模式側断面図ａ及び
模式平面図ｂを用いて具体的に説明する。
第１図において、
１は軸に対して直角な上下端面を有し石英等よ
りなる高さ例えば５〜10mm程度の円筒体、 ２は円筒体１の上端面に固着された石英等より
なる天板、 ３は天板２の中心部に開口して固定された石英
等よりなる第１のガス導入管、 ４は石英等よりなり第１のガス導入管のほぼ中
心を貫通する第２のガス導入管、 ５は第２のガス導入管４の先端部が中央部に開
口して固定され該第２のガス導入管４によつて円
筒体内１のほぼ中心位置に該円筒体２の上端面か
ら例えば１mm程度の距離d1を隔てて平行に支持さ
れた石英等よりなる第１のガス案内板、 ６は図示されない支持手段により第１のガス案
内板５の下部に例えば１mm程度の距離d2を隔てて
平行に支持された石英等よりなる第２のガス案内
板、 ７は第２のガス案内板６の下部に例えば１mm程
度の距離d3を隔てて平行に、該円筒体２の開口部
を覆つて固着された石英板等よりなり、例えば
0.3mmφのガス流出孔８が３mm程度のピツチでマ
トリクス上に配設されたガス拡散板、 ９はガス流を示す矢印、 １０はガス流出面 を示す。
りなる高さ例えば５〜10mm程度の円筒体、 ２は円筒体１の上端面に固着された石英等より
なる天板、 ３は天板２の中心部に開口して固定された石英
等よりなる第１のガス導入管、 ４は石英等よりなり第１のガス導入管のほぼ中
心を貫通する第２のガス導入管、 ５は第２のガス導入管４の先端部が中央部に開
口して固定され該第２のガス導入管４によつて円
筒体内１のほぼ中心位置に該円筒体２の上端面か
ら例えば１mm程度の距離d1を隔てて平行に支持さ
れた石英等よりなる第１のガス案内板、 ６は図示されない支持手段により第１のガス案
内板５の下部に例えば１mm程度の距離d2を隔てて
平行に支持された石英等よりなる第２のガス案内
板、 ７は第２のガス案内板６の下部に例えば１mm程
度の距離d3を隔てて平行に、該円筒体２の開口部
を覆つて固着された石英板等よりなり、例えば
0.3mmφのガス流出孔８が３mm程度のピツチでマ
トリクス上に配設されたガス拡散板、 ９はガス流を示す矢印、 １０はガス流出面 を示す。
なお第１、第２のガス案内板５，６と円筒体１
の内側面との距離d4は、例えば２mm程度に形成さ
れる。
の内側面との距離d4は、例えば２mm程度に形成さ
れる。
上記本発明に係るガス供給装置を前述のような
反応容器内に、ガス拡散板７を有するガス流出面
１０を例えば420℃程度に加熱された被成長基板
（図示せず）に対向させて配置し、第２のガス導
入管４から例えば500c.c.／minの流量でO2ガスを
流入し、第１のガス導入管３からSiH4ガス50
c.c.／minとキヤリアガスである窒素（N2）ガス
3l／minとの混合ガスを流入し、反応容器内を
10Torr程度に減圧して図示しない被成長基板上
に1μm程度の厚さのSiO2膜の成長を行つた。
反応容器内に、ガス拡散板７を有するガス流出面
１０を例えば420℃程度に加熱された被成長基板
（図示せず）に対向させて配置し、第２のガス導
入管４から例えば500c.c.／minの流量でO2ガスを
流入し、第１のガス導入管３からSiH4ガス50
c.c.／minとキヤリアガスである窒素（N2）ガス
3l／minとの混合ガスを流入し、反応容器内を
10Torr程度に減圧して図示しない被成長基板上
に1μm程度の厚さのSiO2膜の成長を行つた。
この成長工程において、上記ガス供給装置の被
処理基板側からの輻射及び伝導熱によつて加熱さ
れてガス拡散板７と第２のガス案内板６との間の
第３の空間部が最も高い300℃程度の温度T3に加
熱され、該２のガス案内板６と第１のガス案内板
５との間の第２の空間部が250℃程度の温度T2に
加熱され、第１のガス案内板５と上端面との間の
第１の空間部が200℃程度の温度T1に加熱され
る。そして更に各空間部には、該空間に形成され
るガスの層流の向きと反対の向きの温度勾配が形
成される。また上記ガスの流入量に対して距離
d1，d2，d3で示される各空間部の高さが１mm程度
に十分低く形成されているので各空間部に形成さ
れる層流内に高温部から低温部に逆流する乱流を
しようずることがない。従つて該ガス供給装置内
の上記成長ガスの流れは低温から高温に向かう温
度勾配に沿つた流れのみとなるので、該装置の内
部に過飽和反応種に起因する粉末状SiO2の堆積
は殆ど生じなくなる。
処理基板側からの輻射及び伝導熱によつて加熱さ
れてガス拡散板７と第２のガス案内板６との間の
第３の空間部が最も高い300℃程度の温度T3に加
熱され、該２のガス案内板６と第１のガス案内板
５との間の第２の空間部が250℃程度の温度T2に
加熱され、第１のガス案内板５と上端面との間の
第１の空間部が200℃程度の温度T1に加熱され
る。そして更に各空間部には、該空間に形成され
るガスの層流の向きと反対の向きの温度勾配が形
成される。また上記ガスの流入量に対して距離
d1，d2，d3で示される各空間部の高さが１mm程度
に十分低く形成されているので各空間部に形成さ
れる層流内に高温部から低温部に逆流する乱流を
しようずることがない。従つて該ガス供給装置内
の上記成長ガスの流れは低温から高温に向かう温
度勾配に沿つた流れのみとなるので、該装置の内
部に過飽和反応種に起因する粉末状SiO2の堆積
は殆ど生じなくなる。
そのためこのガス供給装置において、洗浄を行
わずに厚さ1μmの上記SiO2膜の気相成長を30回
以上行つても成長膜にデバイスの信頼性を低下せ
しめる大きさ及び量の突起欠陥及び亀裂欠陥を生
ずることがなかつた。この値は従来装置において
10回毎に洗浄していたのに比べて大幅に改善され
た値であり、これによつてCVD装置のスループ
ツトは大幅に向上する。
わずに厚さ1μmの上記SiO2膜の気相成長を30回
以上行つても成長膜にデバイスの信頼性を低下せ
しめる大きさ及び量の突起欠陥及び亀裂欠陥を生
ずることがなかつた。この値は従来装置において
10回毎に洗浄していたのに比べて大幅に改善され
た値であり、これによつてCVD装置のスループ
ツトは大幅に向上する。
以上説明のように本発明によればガス供給装置
内に反応種を過飽和に含んだ反応ガスが形成され
ることがなくなるので、該ガス供給装置をCVD
装置に用いた際に該ガス供給装置内に粉末状の反
応生成物が生成堆積されることが極めて少なくな
るので、CVD膜の品質を確保するために行うガ
ス供給装置の洗浄頻度を大幅に減少することが出
来、CVD装置の保守工数の削減及びスループツ
トの向上が図れる。
内に反応種を過飽和に含んだ反応ガスが形成され
ることがなくなるので、該ガス供給装置をCVD
装置に用いた際に該ガス供給装置内に粉末状の反
応生成物が生成堆積されることが極めて少なくな
るので、CVD膜の品質を確保するために行うガ
ス供給装置の洗浄頻度を大幅に減少することが出
来、CVD装置の保守工数の削減及びスループツ
トの向上が図れる。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す側断
面図ａ及び平面図ｂ、第２図は従来の減圧CVD
装置を示す模式側断面図、第３図は従来のガス供
給装置の模式側断面図である。 図において、１は円筒体、２は天板、３は第１
のガス導入管、４は第２のガス導入管、５は第１
のガス案内板、６は第２のガス案内板、７はガス
拡散板、８はガス流出孔、９はガス流を示す矢
印、１０はガス流出面、を示す。
面図ａ及び平面図ｂ、第２図は従来の減圧CVD
装置を示す模式側断面図、第３図は従来のガス供
給装置の模式側断面図である。 図において、１は円筒体、２は天板、３は第１
のガス導入管、４は第２のガス導入管、５は第１
のガス案内板、６は第２のガス案内板、７はガス
拡散板、８はガス流出孔、９はガス流を示す矢
印、１０はガス流出面、を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 軸に対して直角な上下端面を有する円筒体
と、 該円筒体の上端面に固着された中心部にガス導
入口を有する天板と、 該円筒体の下端面に固着されたガス拡散板と、 該円筒体の内部に、該円筒体の側壁との間に間
隙を有するガス案内板を用いて構成されガス導入
口から導入されるガスを該円筒体の中心部から周
辺部に向かう層流に形成する層流形成手段とを有
し、 ガス導入口から導入されたガスが該層流形成手
段を経て該ガス案内板と円筒体側壁との間隙部か
ら該拡散板上に供給され、該ガス拡散板を介して
外部に流出せしめられることを特徴とするガス供
給装置。 ２ 上記ガス導入口が同心円状に形成された複数
のガス導入口よりなり、且つ上記層流形成手段が
各々のガス導入口から導入されるガスについて
個々に設けられてなることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のガス供給装置。 ３ 上記ガス拡散板が、複数個のガス流出孔を有
する単数若しくは複数枚の平板よりなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のガス供給装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9572187A JPS63262469A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | ガス供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9572187A JPS63262469A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | ガス供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63262469A JPS63262469A (ja) | 1988-10-28 |
| JPH0463153B2 true JPH0463153B2 (ja) | 1992-10-08 |
Family
ID=14145339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9572187A Granted JPS63262469A (ja) | 1987-04-17 | 1987-04-17 | ガス供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63262469A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
-
1987
- 1987-04-17 JP JP9572187A patent/JPS63262469A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63262469A (ja) | 1988-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7655093B2 (en) | Wafer support system | |
| US10570508B2 (en) | Film forming apparatus, film forming method and heat insulating member | |
| US20180320266A1 (en) | Chemical vapor deposition device | |
| US6203622B1 (en) | Wafer support system | |
| US9777374B2 (en) | Chemical vapor deposition device | |
| JP3901252B2 (ja) | 化学蒸着装置 | |
| JP2007116151A (ja) | 基板処理のためのガスリング及びその使用方法 | |
| JPH03287770A (ja) | 枚葉式常圧ｃｖｄ装置 | |
| CN101374973A (zh) | 基板处理装置以及基板载置台 | |
| JP2000294511A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| CN100398696C (zh) | 单晶片腔室中的无辐射率变化泵送板套件 | |
| JPWO2019124099A1 (ja) | 成膜装置 | |
| JP2000311862A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2602298B2 (ja) | 気相成長装置 | |
| CN115928050A (zh) | 一种横流式薄膜沉积反应器 | |
| JPH0463153B2 (ja) | ||
| CA1234972A (en) | Chemical vapor deposition wafer boat | |
| JP7329034B2 (ja) | コーティング装置 | |
| JP2943407B2 (ja) | 化学気相成長装置 | |
| JP4040505B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| TWI916703B (zh) | 成膜裝置 | |
| JP2000208425A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置ならびにウェ―ハ支持治具及び出入れ治具 | |
| JP2002373861A (ja) | バッチ式熱処理装置 | |
| JPH0193130A (ja) | 縦型炉 | |
| TW202425177A (zh) | 成膜裝置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |