JPH0463541B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0463541B2 JPH0463541B2 JP62069906A JP6990687A JPH0463541B2 JP H0463541 B2 JPH0463541 B2 JP H0463541B2 JP 62069906 A JP62069906 A JP 62069906A JP 6990687 A JP6990687 A JP 6990687A JP H0463541 B2 JPH0463541 B2 JP H0463541B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- liquid
- synthetic resin
- burrs
- forced flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/0053—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping
- B29C2045/0077—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor combined with a final operation, e.g. shaping removing burrs or flashes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置のばり取り方法及びその
装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method and apparatus for deburring a semiconductor device.
（従来の技術）
半導体装置の製造過程において、ペレツトをマ
ウンテイングし、ボンデイングした後にエポキシ
系の合成樹脂によつてトランスフアーモールドが
行われる。この状態における半導体装置を示した
のが、第２図である。この第２図において、１は
内部にペレツトを含むモールド体、２はリードフ
レーム２ａを備えるフレーム、３は合成樹脂のば
りであり、そのばり３は金型のクリアランスに起
因してフレーム２上に合成樹脂が流れ出たもので
ある。このばり３は、外装メツキを行う場合のメ
ツキ不良を避けるために、除去する必要がある。
除去方法には、従来以下のものがあつた。(Prior Art) In the process of manufacturing a semiconductor device, after mounting and bonding a pellet, transfer molding is performed using an epoxy-based synthetic resin. FIG. 2 shows the semiconductor device in this state. In FIG. 2, 1 is a mold body containing pellets inside, 2 is a frame with a lead frame 2a, and 3 is a synthetic resin burr.The burr 3 is on the frame 2 due to the clearance of the mold. The synthetic resin flowed out. This burr 3 needs to be removed in order to avoid plating defects when performing exterior plating.
Conventional removal methods include the following:
(1) ドライホーニング クルミ粉等の研掃剤を空気で噴射する。(1) Dry honing Spray an abrasive such as walnut powder with air.
(2) ウエツトホーニング
ガラスビーズ等の研掃剤を水と空気で噴射す
る。(2) Wet honing Spraying abrasives such as glass beads with water and air.
(3) 砥石方式 砥石で研磨する。(3) Grinding wheel method Polish with a whetstone.
(4) アルカリ電解及び高圧水噴射併用方式
NaOH溶液中で電解によりばりを浮かせた後、
高圧水を噴射する。(4) Combination method of alkaline electrolysis and high-pressure water injection
After floating the burr by electrolysis in NaOH solution,
Spray high pressure water.
(5) バレルSnメツキ
プレス加工後、補助陰極（釘）でばりを削り
取る。また、メツキ中のH2発泡でばりを浮か
し取る。(5) Barrel Sn plating After pressing, scrape off the burr with an auxiliary cathode (nail). In addition, burrs are lifted off by H2 foaming during plating.
(6) 高圧水除去方式 約1000Kg／cm2の高水圧でばりを除去する。(6) High-pressure water removal method Burrs are removed using high water pressure of approximately 1000Kg/ cm2 .
しかしながら、以上に述べた従来方法には以下の
ような難点があつた。However, the conventional method described above has the following drawbacks.
(1) ドライホーニング
クルミ粉による粉塵公害
低除去率（約60％）
(2) ウエツトホーニング
低除去率（約75％）
(3) 砥石方式
低除去率（約40％）
(4) アルカリ電解及び高圧水噴射併用方式
低除去率（約85％）
低信頼性（PCT）
(5) バレルSnメツキ
リード線の屈曲
(6) 高圧水除去方式
低作業効率
（発明の問題点）
このように、従来方法によつては、ばりの除去
を作業性良く且つ除去のし残しのない状態に行う
ことはできなかつた。(1) Dry honing Dust pollution due to walnut powder Low removal rate (approx. 60%) (2) Wet honing Low removal rate (approx. 75%) (3) Grinding wheel method Low removal rate (approx. 40%) (4) Alkaline electrolysis and high-pressure water injection method Low removal rate (approximately 85%) Low reliability (PCT) (5) Barrel Sn plating Bend lead wire (6) High-pressure water removal method Low work efficiency (problems with the invention) In this way, With conventional methods, it has not been possible to remove burrs with good workability and without leaving any residue.
本発明の目的は、作業性が良く、且つ残存する
ばりを可及的に少なくすることのできる半導体装
置のばり取り方法及びその装置を提供することに
ある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method and apparatus for deburring a semiconductor device, which is easy to work with and can reduce the amount of remaining burrs as much as possible.
（問題点を解決する手段）
本発明の半導体装置のばり取り方法は、モール
ドによる合成樹脂のばりをリードフレーム上に備
えた半導体装置を多数の小径硬質粒状体を含む液
体中に位置させ、前記液体外から前記液体中の前
記半導体装置に向けて前記液体を高圧で噴射する
ことにより、前記液体中に前記液体、前記硬質粒
状体及び気泡による強制流を生じさせ、その強制
流により前記半導体装置の前記ばりを除去するも
のとして構成される。
(Means for Solving Problems) A method for removing burrs from a semiconductor device according to the present invention includes placing a semiconductor device having a molded synthetic resin burr on a lead frame in a liquid containing a large number of small-diameter hard particles; By injecting the liquid at high pressure from outside the liquid toward the semiconductor device in the liquid, a forced flow of the liquid, the hard particles, and bubbles is generated in the liquid, and the forced flow causes the semiconductor device to The burr is removed from the burr.
本発明の半導体装置のばり取り装置は、硬質粒
状体を含む液体を収納する槽体と；その槽体の前
記液体中に、モールドによる合成樹脂のばりをリ
ードフレーム上に備えた半導体装置を搬入する搬
入手段と；前記液体中の前記半導体装置に向けて
前記液体を高圧で噴射して、前記液体中に前記液
体、前記硬質粒状体及び気泡による強制流を生じ
させる液体噴射手段と；前記強制流でばり取りさ
れた前記半導体装置を前記槽体外に搬出する搬出
手段と；を備えたものとして構成される。 A semiconductor device deburring device of the present invention includes a tank body containing a liquid containing hard particles; a semiconductor device having a molded synthetic resin burr on a lead frame is carried into the liquid in the tank body; a liquid injection means for injecting the liquid at high pressure toward the semiconductor device in the liquid to generate a forced flow of the liquid, the hard particles, and bubbles in the liquid; and a carrying-out means for carrying out the semiconductor device deburred by the flow out of the tank body.
（作用）
本発明の半導体装置のばり取り方法において
は、液体が高圧でその液体中の半導体装置に向け
て噴射される。これにより、液体中に、液体、硬
質粒状体及び気泡による強制流が生じる。その強
制流により、合成樹脂のばりが除去される。(Function) In the method for deburring a semiconductor device of the present invention, a liquid is injected at high pressure toward the semiconductor device in the liquid. This causes a forced flow of the liquid, hard particles, and bubbles in the liquid. The forced flow removes burrs from the synthetic resin.
本発明の半導体装置のばり取り装置において
は、除去すべきばりを備えた半導体装置が槽体の
液体中に搬入される。その半導体装置に向けて液
体噴射手段から液体が噴射される。これにより液
体中に生じる液体、硬質粒状体及び気泡の強制流
が、前記ばりを除去する。ばりを除去された半導
体装置は槽体外に搬出される。 In the semiconductor device deburring apparatus of the present invention, a semiconductor device with burrs to be removed is carried into a liquid in a tank. Liquid is ejected from the liquid ejecting means toward the semiconductor device. The forced flow of liquid, hard particles and bubbles generated in the liquid thereby removes the burrs. The semiconductor device from which burrs have been removed is carried out of the tank.
（実施例）
第１図は、本発明の半導体装置のばり取り方法
の実施に使用する装置の一例における全体概略図
を示すものである。同図において、１１はインロ
ーダー側のフレームマガジンであり、このマガジ
ン１１内にはモールド済の半導体装置（フレーム
体）１２が収納されている。この半導体装置１２
は、第２図に示す半導体装置と同一のものであ
る。(Example) FIG. 1 shows an overall schematic diagram of an example of an apparatus used to carry out the method of deburring a semiconductor device of the present invention. In the figure, reference numeral 11 denotes a frame magazine on the inloader side, and a molded semiconductor device (frame body) 12 is housed within this magazine 11. This semiconductor device 12
is the same as the semiconductor device shown in FIG.
上記フレームマガジン１１内の半導体装置１２
は、ベルトコンベア１３により順次前方に搬送さ
れる。その搬送により、半導体装置１２は、水槽
１４内を通過した後、さらに前方のアウトローダ
側のフレームマガジン１５に至り、そこに収納さ
れる。上記水槽１４内には、水とガラスビーズの
混合体１６が収納されている。両者の混合比は、
例えば１：１とすることができる。ガラスビーズ
の粒径としては、種々のものを用いることができ
るが、例えば100〜500μｍとすることができる。
ガラスビーズに代えて、Al2O3（アルミナ）ある
いは樹脂粉末（エポキシ、ポリエステル、尿素樹
脂メラニン等）等を用いることができる。この水
槽１４はオーバーフロー開口１４ａを備え、水面
高さを維持可能としている。さらに、水槽１４の
上方には、高圧水噴射ノズル１７が設けられてい
る。この噴射ノズル１７は、半導体装置１２から
合成樹脂のばりを取る水流を発生させるためのも
ので、噴射方向に沿つた軸線のまわりに自動可能
であると共に、水槽１４に沿つて、即ち水平面に
沿つて前後左右に移動可能に設けられている。 Semiconductor device 12 in the frame magazine 11
are sequentially conveyed forward by the belt conveyor 13. As a result of the transport, the semiconductor device 12 passes through the water tank 14 and then reaches the frame magazine 15 on the outloader side further forward and is stored there. A mixture 16 of water and glass beads is stored in the water tank 14. The mixing ratio of both is
For example, the ratio can be 1:1. Various particle sizes can be used for the glass beads, for example, 100 to 500 μm.
Instead of glass beads, Al 2 O 3 (alumina) or resin powder (epoxy, polyester, urea resin melanin, etc.) can be used. This water tank 14 is provided with an overflow opening 14a, so that the water surface height can be maintained. Furthermore, a high-pressure water injection nozzle 17 is provided above the water tank 14. This injection nozzle 17 is for generating a water stream to remove burrs from the synthetic resin from the semiconductor device 12, and is capable of automatically moving around an axis along the injection direction, and also along the water tank 14, that is, along a horizontal plane. It is installed so that it can be moved forward, backward, left and right.
上記構成の装置による半導体装置１２からの合
成樹脂のばり取りは以下のようにして行われる。 Deburring of the synthetic resin from the semiconductor device 12 using the apparatus having the above configuration is performed in the following manner.
即ち、フレームマガジン１１内の半導体装置１
２は順次ベルトコンベア１３により水槽１４内に
送られる。水槽１４に対しては噴射ノズル１７か
ら高圧水が噴射されている。これにより、第１図
に示すように、水槽１４内には、水、ガラスビー
ズ及び気泡１８による強制流１９が生じている。
この強制流が半導体装置１２に当り、合成樹脂の
ばりをリードフレームから剥がす。このようにし
て、合成樹脂のばりを剥がされた半導体装置１２
は、ベルトコンベア１３によりさらに前方に送ら
れ、アウトローダー側のフレームマガジン１５に
至り、そこに順次収納される。 That is, the semiconductor device 1 in the frame magazine 11
2 are sequentially sent into a water tank 14 by a belt conveyor 13. High-pressure water is sprayed into the water tank 14 from a spray nozzle 17 . As a result, as shown in FIG. 1, a forced flow 19 of water, glass beads, and air bubbles 18 is generated in the water tank 14.
This forced flow hits the semiconductor device 12 and peels off the synthetic resin burrs from the lead frame. In this way, the semiconductor device 12 from which the synthetic resin burrs have been peeled off
are sent further forward by the belt conveyor 13, reach the frame magazine 15 on the outloader side, and are sequentially stored therein.
従来の高圧水による方法において、その高圧水
を直接リードフレームに当てた場合には、合成樹
脂のばりを除去可能であるが、高圧水とリードフ
レームとの接触は点接触に近く、高圧水の噴射方
向の制御が困難であるだけでなく、除去効率が低
い。これに対し、上記実施例においては、半導体
装置を水中に置き、その半導体装置に対し上方空
中から高圧水を吹き付けるようにしたので、強制
流が生じ、その強制流がリードフレームの合成樹
脂のばりに面接触的に作用する。これと共に、水
中内にガラスビーズを収納しておくようにしたの
で、そのビーズの研削効果が得られる。よつて、
ばりは完全に近い程十分に除去される。 In the conventional method using high-pressure water, if the high-pressure water is applied directly to the lead frame, it is possible to remove burrs from the synthetic resin, but the contact between the high-pressure water and the lead frame is close to point contact, and the high-pressure water Not only is it difficult to control the injection direction, but the removal efficiency is low. In contrast, in the above embodiment, the semiconductor device is placed in water and high-pressure water is sprayed onto the semiconductor device from above, resulting in a forced flow that blows away the burrs of the synthetic resin of the lead frame. Acts on surface contact. In addition, since the glass beads are stored in the water, the grinding effect of the beads can be obtained. Afterwards,
The burrs are sufficiently removed to be almost completely removed.
また、従来はマークを付す前に、モールド体か
ら、合成樹脂中の離型剤を、トリクレン液中での
煮沸により除去していた。しかしながら、上記ガ
ラスビーズの研削効果ゆえに、煮沸工程は不要と
なる。即ち、マークを付す前の１処理工程が不要
となる。 Furthermore, conventionally, before marking is applied, the mold release agent in the synthetic resin has been removed from the molded body by boiling it in a trichloride solution. However, due to the grinding effect of the glass beads, the boiling step is not necessary. That is, one processing step before marking is unnecessary.
さらに、上記実施例によれば、効果的なばり取
りが可能であるため、噴射ノズル数を例えば従来
のものに比べて半分程度とすることもできるだけ
でなく、使用圧力を従来の約1000Kg／cm2から半分
の約500Kg／cm2に低下させることもできる。 Furthermore, according to the above embodiment, since effective deburring is possible, the number of injection nozzles can be reduced to about half that of conventional ones, and the working pressure can be reduced to about 1000 kg/cm compared to conventional ones. It is also possible to reduce the weight by half from 2 to about 500Kg/cm 2 .
このように、本発明の半導体装置のばり取り方
法によれば、ペレツトのモールド時に生じた合成
樹脂のばりを効率良く且つ確実に除去することが
できる。
As described above, according to the method for removing burrs from a semiconductor device of the present invention, it is possible to efficiently and reliably remove burrs from synthetic resin produced during pellet molding.
また、本発明の半導体装置のばり取り装置によ
れば、ペレツトのモールド時に生じた合成樹脂の
ばりを効率良く且つ確実に除去することのできる
装置を簡単な構成のものとして提供することがで
きる。 Further, according to the deburring device for a semiconductor device of the present invention, it is possible to provide a device with a simple structure that can efficiently and reliably remove burrs from synthetic resin generated during molding of pellets.
第１図は本発明の半導体装置のばり取り方法の
実施に使用する装置の一例を示す概略全体構成
図、第２図は合成樹脂のばりを備えた半導体装置
の部分斜視図である。
２ａ……リードフレーム、３……合成樹脂のば
り、１２……半導体装置、１３……ベルトコンベ
ア、１４……水槽、１６……水とガラスビーズの
混合体。
FIG. 1 is a schematic overall configuration diagram showing an example of an apparatus used to carry out the method of deburring a semiconductor device of the present invention, and FIG. 2 is a partial perspective view of a semiconductor device provided with synthetic resin burrs. 2a... Lead frame, 3... Synthetic resin burr, 12... Semiconductor device, 13... Belt conveyor, 14... Water tank, 16... Mixture of water and glass beads.
Claims (1)
ーム上に備えた半導体装置を多数の小径硬質粒状
体を含む液体中に位置させ、前記液体外から前記
液体中の前記半導体装置に向けて前記液体を高圧
で噴射することにより、前記液体中に前記液体、
前記硬質粒状体及び気泡による強制流を生じさ
せ、その強制流により前記半導体装置の前記ばり
を除去することを特徴とする半導体装置のばり取
り方法。 ２ 硬質粒状体を含む液体を収納する槽体と；そ
の槽体の前記液体中に、モールドによる合成樹脂
のばりをリードフレーム上に備えた半導体装置を
搬入する搬入手段と；前記液体中の前記半導体装
置に向けて前記液体を高圧で噴射して、前記液体
中の前記液体、前記硬質粒状体及び気泡による強
制流を生じさせる液体噴射手段と；前記強制流で
ばり取りされた前記半導体装置を前記槽体外に搬
出する搬出手段と；を備えたことを特徴とする半
導体装置のばり取り装置。[Claims] 1. A semiconductor device having a molded synthetic resin burr on a lead frame is placed in a liquid containing a large number of small-diameter hard particles, and the semiconductor device in the liquid is directed from outside the liquid. The liquid is injected into the liquid by injecting the liquid at high pressure.
A method for deburring a semiconductor device, characterized in that a forced flow is generated by the hard particles and air bubbles, and the burrs of the semiconductor device are removed by the forced flow. 2. A tank for storing a liquid containing hard particles; a carrying means for transporting a semiconductor device having a molded synthetic resin burr on a lead frame into the liquid in the tank; a liquid injection means for injecting the liquid at high pressure toward the semiconductor device to generate a forced flow of the liquid, the hard particles, and bubbles in the liquid; the semiconductor device deburred by the forced flow; A deburring device for a semiconductor device, comprising: a carrying-out means for carrying out out of the tank body.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62069906A JPS63234537A (en) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | Method of deburring semiconductor device and device therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62069906A JPS63234537A (en) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | Method of deburring semiconductor device and device therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63234537A JPS63234537A (en) | 1988-09-29 |
| JPH0463541B2 true JPH0463541B2 (en) | 1992-10-12 |
Family
ID=13416209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62069906A Granted JPS63234537A (en) | 1987-03-24 | 1987-03-24 | Method of deburring semiconductor device and device therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63234537A (en) |
-
1987
- 1987-03-24 JP JP62069906A patent/JPS63234537A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63234537A (en) | 1988-09-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR860001465B1 (en) | Method for removing flashes from molded resin product | |
| JP6384758B2 (en) | Deposit removal method | |
| JP2000343435A (en) | Blast media and blast method | |
| JPS59227970A (en) | Abrasive | |
| JPS61111884A (en) | Machining method by sand blast | |
| JP3494202B2 (en) | Wafer-like work cleaning method, cleaning basket and cleaning housing used in the cleaning method | |
| JPH0463541B2 (en) | ||
| JP2004106100A (en) | Surface clarifying processing device and method thereof | |
| JP2760339B2 (en) | Lead frame deburring method and lead frame deburring device | |
| JP2001210661A (en) | Deburring device for resin mold | |
| JP4292329B2 (en) | Electronic component cutting device | |
| CN116001112A (en) | Device and method for cleaning scraps and silicon wafer chamfering equipment | |
| JP2007007780A (en) | Blade part surface treatment method for cutting tool | |
| JPS58171261A (en) | Honing apparatus | |
| JPH0582570A (en) | Cleaning device of ic mold | |
| JPH089160B2 (en) | Bubble jet deburring method and apparatus | |
| JPH06140448A (en) | Semiconductor device manufacturing equipment | |
| JPS5937055A (en) | Abrasive material | |
| JP2000129242A (en) | Sandblasting abrasive material composition and sandblasting method using same | |
| KR101327499B1 (en) | Method and apparatus of cleaning a tray | |
| KR100802300B1 (en) | Slurry dispenser cleaning device and method | |
| JPH03170269A (en) | Deburring device | |
| JP2003127063A (en) | CMP apparatus and polishing method using CMP apparatus | |
| JPS59124569A (en) | Dry blasting | |
| JP2001062728A (en) | Method and device for washing workpiece |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |