JPH0466022B2 - - Google Patents
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- JPH0466022B2 JPH0466022B2 JP58018881A JP1888183A JPH0466022B2 JP H0466022 B2 JPH0466022 B2 JP H0466022B2 JP 58018881 A JP58018881 A JP 58018881A JP 1888183 A JP1888183 A JP 1888183A JP H0466022 B2 JPH0466022 B2 JP H0466022B2
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- JP
- Japan
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- photosensitive
- memory layer
- image forming
- conductive
- memory
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、持続導電性ないしはメモリー型画像
形成方法ならびにこれに用いる画像形成材料に関
する。
形成方法ならびにこれに用いる画像形成材料に関
する。
持続導電性画像形成方法は、或種の感光材料に
露光するとその露光部に持続性のある（すなわち
メモリー効果を有する）導電性像が形成される現
象を利用したものであり、得られた持続導電性像
（潜像）は、一般に静電写真法に使用される各種
現像法により可視化することができる。この方法
に使用される感光材料としては各種のものが提案
されているが、代表的なものとして導電性基板上
に、有機光導電性物質およびメモリー効果付与剤
を含む感光メモリー層を形成してなるものが知ら
れている（たとえば米国特許第3879201号、同第
3997342号各明細書など）。有機光導電性物質とし
ては、ポリビニルカルバゾールのような高分子光
導電体、もしくはオキサジアゾールのような低分
子量光導電体を電気絶縁性バインダーへ分散した
ものが用いられ、メモリー効果付与剤としては、
各種のプロトン供与体が知られている。
露光するとその露光部に持続性のある（すなわち
メモリー効果を有する）導電性像が形成される現
象を利用したものであり、得られた持続導電性像
（潜像）は、一般に静電写真法に使用される各種
現像法により可視化することができる。この方法
に使用される感光材料としては各種のものが提案
されているが、代表的なものとして導電性基板上
に、有機光導電性物質およびメモリー効果付与剤
を含む感光メモリー層を形成してなるものが知ら
れている（たとえば米国特許第3879201号、同第
3997342号各明細書など）。有機光導電性物質とし
ては、ポリビニルカルバゾールのような高分子光
導電体、もしくはオキサジアゾールのような低分
子量光導電体を電気絶縁性バインダーへ分散した
ものが用いられ、メモリー効果付与剤としては、
各種のプロトン供与体が知られている。
上述した持続導電性を利用した画像形成材料の
欠点は、所望の持続導電性像を得るために必要な
露光量が数10ｍＪ〜100ｍＪ／cm2程度とかなり大
きいことである。
欠点は、所望の持続導電性像を得るために必要な
露光量が数10ｍＪ〜100ｍＪ／cm2程度とかなり大
きいことである。
この様な持続導電性画像形成材料の持つ欠点を
除き、露光感度を改善するために、本発明者らは
既にいくつかの技術を開発している。たとえば、
特願昭52−167010号の明細書には、感光メモリー
層の露光前にコロナ帯電を行う方法を；特開昭56
−17358号公報には感光メモリー層と積層して比
較的薄いメモリー効果を有さない光導電層を形成
した画像形成材料を；また特願昭57−5233号の明
細書には、感光メモリー層に電圧を印加しつつ露
光を行う方法を、それぞれ開示している。これら
の技術によつて、それなりに露光感度の改善効果
が得られるが未だ充分なものとは云い難く、ある
いは操作上の制約を受ける欠点がある。
除き、露光感度を改善するために、本発明者らは
既にいくつかの技術を開発している。たとえば、
特願昭52−167010号の明細書には、感光メモリー
層の露光前にコロナ帯電を行う方法を；特開昭56
−17358号公報には感光メモリー層と積層して比
較的薄いメモリー効果を有さない光導電層を形成
した画像形成材料を；また特願昭57−5233号の明
細書には、感光メモリー層に電圧を印加しつつ露
光を行う方法を、それぞれ開示している。これら
の技術によつて、それなりに露光感度の改善効果
が得られるが未だ充分なものとは云い難く、ある
いは操作上の制約を受ける欠点がある。
本発明は、上述した事情に鑑み、より一層露光
感度の改善された持続導電性画像形成材料ならび
にこれを用いる画像形成方法を提供することを主
要な目的とする。
感度の改善された持続導電性画像形成材料ならび
にこれを用いる画像形成方法を提供することを主
要な目的とする。
本発明者らは、上述の目的で研究した結果、カ
ルバゾール環を構造内に含むアリールメタン系色
素は、メモリー効果付与剤として機能するだけで
なく、光導電性物質との組合せにおいて0.1ｍ
Ｊ／cm2程度と従来のメモリー機能を有する感光体
（画像形成材料）に比べて約100倍もの大幅に増大
された光感度を示す感光メモリー層を与えるこ
と、ならびにこのような高感度での持続導電性画
像の形成には感光メモリー層と導電性基板との相
互作用による導電性基板から感光メモリー層への
ホール注入効果が関係し、特に表面抵抗率が102
〜106Ω／cm2の範囲にある導電性基板を用いる場
合に高いホール注入効果が得られることが見出さ
れた。
ルバゾール環を構造内に含むアリールメタン系色
素は、メモリー効果付与剤として機能するだけで
なく、光導電性物質との組合せにおいて0.1ｍ
Ｊ／cm2程度と従来のメモリー機能を有する感光体
（画像形成材料）に比べて約100倍もの大幅に増大
された光感度を示す感光メモリー層を与えるこ
と、ならびにこのような高感度での持続導電性画
像の形成には感光メモリー層と導電性基板との相
互作用による導電性基板から感光メモリー層への
ホール注入効果が関係し、特に表面抵抗率が102
〜106Ω／cm2の範囲にある導電性基板を用いる場
合に高いホール注入効果が得られることが見出さ
れた。
本発明のメモリー機能を有する画像形成材料
は、上述の知見に基づくものであり、より詳しく
は、表面抵抗率が102〜106Ω／□である導電性基
板上に、有機光導電性物質および下式(1)で表わさ
れるアリールメタン系色素からなるメモリー効果
付与剤を含む感光メモリー層を設けてなることを
特徴とするものである。
は、上述の知見に基づくものであり、より詳しく
は、表面抵抗率が102〜106Ω／□である導電性基
板上に、有機光導電性物質および下式(1)で表わさ
れるアリールメタン系色素からなるメモリー効果
付与剤を含む感光メモリー層を設けてなることを
特徴とするものである。
（式中、基R1、R2、R3の少なくとも一つは、下
式(2)または(3)で表わされるパラ位をＮ置換したフ
エニル基であり、 （式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素） 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得、
X-はアニオンを表わす。） また、本発明の画像形成方法は、上記画像形成
材料の感光メモリー層にパターン露光を行い、露
光部にホールの注入された持続導電性画像を形成
することを特徴とするものである。
式(2)または(3)で表わされるパラ位をＮ置換したフ
エニル基であり、 （式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素） 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得、
X-はアニオンを表わす。） また、本発明の画像形成方法は、上記画像形成
材料の感光メモリー層にパターン露光を行い、露
光部にホールの注入された持続導電性画像を形成
することを特徴とするものである。
本発明により光感度で持続導電性画像が得られ
る理由は必ずしも明らかではないが、以下のよう
に推定される。すなわち、有機光導電物質および
メモリー効果付与剤を含む感光メモリー層は、ホ
ールの易動度（mobility）の大なｐ型半導体であ
る。
る理由は必ずしも明らかではないが、以下のよう
に推定される。すなわち、有機光導電物質および
メモリー効果付与剤を含む感光メモリー層は、ホ
ールの易動度（mobility）の大なｐ型半導体であ
る。
この感光メモリー層には、一般に導電性基板か
らホールが注入されるが、注入されたホールのう
ち移動距離（レンジ＝易動度×寿命×電圧（たと
えば、一般的な導電性部の検出法としての負のコ
ロナ帯電により与えられる））が感光メモリー層
の膜厚よりも大なるもののみが表面に現われ導電
性の付与、すなわち負のコロナ帯電の相殺に使用
され、受容電位の低下に寄与する。ここでメモリ
ー効果付与剤の吸収波長域の光を照射すると、メ
モリー効果付与剤と導電性基板との相互作用の物
理的、化学的変化に伴なつて導電性基板からのホ
ール注入効率が増大し、露光部では、コロナ帯電
による感光メモリー層の受容電位が、このホール
注入効率の増大に伴つて見かけ上減少する。この
光照射によるホール注入効率の増大した状態は、
暗所では比較的長時間持続し、いわゆるメモリー
効果を示すが、この状態は可逆的であり、熱エネ
ルギー等により光照射前のホール注入効率にもど
り、メモリー消去が行なわれる。本発明の場合、
アリールメタン系色素からなるメモリー効果付与
剤の使用により、露光時のホール注入効率の変化
率が著しく増大していることが、高い光感度の一
因と考えられる。また、導電性基板の表面抵抗率
が過大であると効率的なホール注入が行われず、
また過小であると、露光部以外においても感光メ
モリー層の受容電位の低下が起り、所望のコント
ラストが得られなくなる。これが、アリールメタ
ン系色素からなるメモリー効果付与剤との組合せ
において、特定の表面抵抗率を有する導電性基板
が優れた結果を与える理由と考えられる。
らホールが注入されるが、注入されたホールのう
ち移動距離（レンジ＝易動度×寿命×電圧（たと
えば、一般的な導電性部の検出法としての負のコ
ロナ帯電により与えられる））が感光メモリー層
の膜厚よりも大なるもののみが表面に現われ導電
性の付与、すなわち負のコロナ帯電の相殺に使用
され、受容電位の低下に寄与する。ここでメモリ
ー効果付与剤の吸収波長域の光を照射すると、メ
モリー効果付与剤と導電性基板との相互作用の物
理的、化学的変化に伴なつて導電性基板からのホ
ール注入効率が増大し、露光部では、コロナ帯電
による感光メモリー層の受容電位が、このホール
注入効率の増大に伴つて見かけ上減少する。この
光照射によるホール注入効率の増大した状態は、
暗所では比較的長時間持続し、いわゆるメモリー
効果を示すが、この状態は可逆的であり、熱エネ
ルギー等により光照射前のホール注入効率にもど
り、メモリー消去が行なわれる。本発明の場合、
アリールメタン系色素からなるメモリー効果付与
剤の使用により、露光時のホール注入効率の変化
率が著しく増大していることが、高い光感度の一
因と考えられる。また、導電性基板の表面抵抗率
が過大であると効率的なホール注入が行われず、
また過小であると、露光部以外においても感光メ
モリー層の受容電位の低下が起り、所望のコント
ラストが得られなくなる。これが、アリールメタ
ン系色素からなるメモリー効果付与剤との組合せ
において、特定の表面抵抗率を有する導電性基板
が優れた結果を与える理由と考えられる。
以下、本発明を更に詳細に説明する。以下の記
載において、組成を表わす「部」は特に断らない
限り重量基準とする。
載において、組成を表わす「部」は特に断らない
限り重量基準とする。
本発明の画像形成材料は、一例を第１図に示す
ように導電性基板１上に、感光メモリー層２を形
成してなる。
ように導電性基板１上に、感光メモリー層２を形
成してなる。
前述したように導電性基板１は、単なる電極と
して作用するものではなく、画像形成材料を構成
する機能要素の一つとして重要な役割を果し、感
光メモリー層にホール注入が可能でかつ適度な帯
電能を感光メモリー層に与えるために102〜
106Ω／□の表面抵抗率を有することが必要であ
る。
して作用するものではなく、画像形成材料を構成
する機能要素の一つとして重要な役割を果し、感
光メモリー層にホール注入が可能でかつ適度な帯
電能を感光メモリー層に与えるために102〜
106Ω／□の表面抵抗率を有することが必要であ
る。
この意味でAu、Ag等の高導電材料は不適当で
ある。また、通常、静電写真材料に最も一般的に
用いられる導電性基板材料であるAlは表面に酸
化により不働態膜が形成され、ホール注入に対す
るバリアー層として作用するので不都合である。
導電性基板１としては、好ましくは、第２図に示
すように、ガラスあるいはポリエステル、ポリカ
ーボネートなどの透明プラスチツクのシートない
しは基板１ａ上に、導電性材料の膜２ａを形成し
たものが用いられる。導電性材料としては、Zn、
Ti、Fe、Sn、Cu、In等の金属ないし半導体元
素、あるいは、SnO2、In2O3、ZnO、TiO、WO、
V2O5等の酸化物半導体等の102〜106Ω／□の表面
抵抗率を安定に与える材料が単独であるいは二種
以上の複合材料として好適に使用される。なかで
も酸化物半導体が好ましく用いられ、特に抵抗率
が104Ω／□程度のIn2O3−SnO2複合薄膜は好まし
い導電膜材料である。
ある。また、通常、静電写真材料に最も一般的に
用いられる導電性基板材料であるAlは表面に酸
化により不働態膜が形成され、ホール注入に対す
るバリアー層として作用するので不都合である。
導電性基板１としては、好ましくは、第２図に示
すように、ガラスあるいはポリエステル、ポリカ
ーボネートなどの透明プラスチツクのシートない
しは基板１ａ上に、導電性材料の膜２ａを形成し
たものが用いられる。導電性材料としては、Zn、
Ti、Fe、Sn、Cu、In等の金属ないし半導体元
素、あるいは、SnO2、In2O3、ZnO、TiO、WO、
V2O5等の酸化物半導体等の102〜106Ω／□の表面
抵抗率を安定に与える材料が単独であるいは二種
以上の複合材料として好適に使用される。なかで
も酸化物半導体が好ましく用いられ、特に抵抗率
が104Ω／□程度のIn2O3−SnO2複合薄膜は好まし
い導電膜材料である。
感光メモリー層２は、有機光導電性物質および
メモリー効果付与剤を含む。有機光導電性物質に
は、前述した様に高分子光導電体自体、或いは低
分子光導電体の絶縁性バインダー中への分散物が
ある。高分子光導電体としては、前述したポリビ
ニルカルバゾール以外にも、ビニル基の代りに、
アリル基、アクリロキシアルキル基等のエチレン
性不飽和基が含まれたＮ−置換カルバゾールの重
合体であるポリＮ−エチレン性不飽和基置換カル
バゾール類、ポリＮ−アクリルフエノチアジン、
ポリＮ−（β−アクリロキシ）フエノチアジン等
のポリＮ−エチレン性不飽和基置換フエノチアジ
ン類、ポリビニルピレン等が用いられる。なかで
も、ポリＮ−エチレン性不飽和基置換カルバゾー
ル類、特にポリビニルカルバゾールが好ましく用
いられる。
メモリー効果付与剤を含む。有機光導電性物質に
は、前述した様に高分子光導電体自体、或いは低
分子光導電体の絶縁性バインダー中への分散物が
ある。高分子光導電体としては、前述したポリビ
ニルカルバゾール以外にも、ビニル基の代りに、
アリル基、アクリロキシアルキル基等のエチレン
性不飽和基が含まれたＮ−置換カルバゾールの重
合体であるポリＮ−エチレン性不飽和基置換カル
バゾール類、ポリＮ−アクリルフエノチアジン、
ポリＮ−（β−アクリロキシ）フエノチアジン等
のポリＮ−エチレン性不飽和基置換フエノチアジ
ン類、ポリビニルピレン等が用いられる。なかで
も、ポリＮ−エチレン性不飽和基置換カルバゾー
ル類、特にポリビニルカルバゾールが好ましく用
いられる。
また低分子量光導電体としては、アルキルアミ
ノフエニル基等で置換された、オキサジアゾール
類、トリフエニルメタン誘導体類などが用いられ
る。これらの低分子量光導電体は、その１部に対
して、たとえば１〜10部程度の、たとえばシリコ
ーン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、
飽和もしくは不飽和ポリエステル樹脂、ポリビニ
ルアセタール樹脂などの電気絶縁性のバインダー
樹脂と組み合わせることにより皮膜形成性の有機
光導電性物質として用いられる。
ノフエニル基等で置換された、オキサジアゾール
類、トリフエニルメタン誘導体類などが用いられ
る。これらの低分子量光導電体は、その１部に対
して、たとえば１〜10部程度の、たとえばシリコ
ーン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、
飽和もしくは不飽和ポリエステル樹脂、ポリビニ
ルアセタール樹脂などの電気絶縁性のバインダー
樹脂と組み合わせることにより皮膜形成性の有機
光導電性物質として用いられる。
一方、メモリー効果付与剤としては、以下の構
造式(1)を有するアリールメタン系色素が用いられ
る。
造式(1)を有するアリールメタン系色素が用いられ
る。
前述したように上記式中、基R1、R2、R3の少
なくとも一つは、下式(2)または(3)で表わされるパ
ラ位をＮ置換したフエニル基であり、 （式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素） 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得る。
なくとも一つは、下式(2)または(3)で表わされるパ
ラ位をＮ置換したフエニル基であり、 （式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素） 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得る。
また、X-は一般にアニオンを示し、たとえば
Cl-、Br-、I-等のハロゲンイオン；BF4 -、
PF6 -、SbF6 -、AsF6 -等の共有結合は錯陰イオ
ン；MnXm-（Ｍは金属、Ｘはハロゲン、ｍおよ
びｎは整数）などが挙げられる。なかでもBF4 -、
PF6 -、SbF6 -などの共有結合性の錯陰イオンが光
メモリーの応答性が高い感光メモリー層を与える
ので好ましい。また同様の理由により、R1およ
びR2がＮ−エチル置換カルバゾール基でR3がフ
エニル基であるアリールメタン系色素、あるいは
R1、R2がｐ−ジメチルアミノフエニル基でR3が
フエニル基であるアリールメタン系色素が特に好
ましく用いられる。
Cl-、Br-、I-等のハロゲンイオン；BF4 -、
PF6 -、SbF6 -、AsF6 -等の共有結合は錯陰イオ
ン；MnXm-（Ｍは金属、Ｘはハロゲン、ｍおよ
びｎは整数）などが挙げられる。なかでもBF4 -、
PF6 -、SbF6 -などの共有結合性の錯陰イオンが光
メモリーの応答性が高い感光メモリー層を与える
ので好ましい。また同様の理由により、R1およ
びR2がＮ−エチル置換カルバゾール基でR3がフ
エニル基であるアリールメタン系色素、あるいは
R1、R2がｐ−ジメチルアミノフエニル基でR3が
フエニル基であるアリールメタン系色素が特に好
ましく用いられる。
これらのメモリー効果付与剤は、有機光導電性
物質中の光導電体１モル（光導電体が重合体の場
合は、その重合単位１モル）あたり、0.0001〜
0.01モル混合し、混合物を、必要に応じて溶剤で
希釈して導電性基板にワイヤバー、ドクターブレ
ード等で塗布することにより感光メモリー層を形
成し、本発明の画像形成材料を得る。感光メモリ
ー層の膜厚は、１〜20μ程度が望ましい。
物質中の光導電体１モル（光導電体が重合体の場
合は、その重合単位１モル）あたり、0.0001〜
0.01モル混合し、混合物を、必要に応じて溶剤で
希釈して導電性基板にワイヤバー、ドクターブレ
ード等で塗布することにより感光メモリー層を形
成し、本発明の画像形成材料を得る。感光メモリ
ー層の膜厚は、１〜20μ程度が望ましい。
なお、感光メモリー層２は、それ自体、複数の
層に分割することができる。この際、第３図に示
すように、上記の感光メモリー層と同様な組成を
有する層２ａ上に比較的薄い厚さを有しメモリー
効果を有さない光導電層２ｂを設ける層構成が好
ましく用いられる。
層に分割することができる。この際、第３図に示
すように、上記の感光メモリー層と同様な組成を
有する層２ａ上に比較的薄い厚さを有しメモリー
効果を有さない光導電層２ｂを設ける層構成が好
ましく用いられる。
次にこのようにして得られた画像形成材料を用
いて行う、本発明の画像形成方法について説明す
る。
いて行う、本発明の画像形成方法について説明す
る。
本発明の方法にしたがい、持続導電性画像を得
るためには、第１図に対応して第３図に示すよう
に、画像形成材料の感光メモリー層２に、光源３
から透過原稿４を介して光照射することによりパ
ターン露光を行えばよい。導電性基板１が透明で
ある場合、感光メモリー層２への露光は導電性基
板１を介して行うこともできる（図示せず）。光
源３としては、白色ランプ、キセノンランプ、ハ
ロゲンランプ等の連続スペクトル光源を用いるこ
とができるほか、メモリー効果付与剤であるカル
バゾール環を構造内に含むアリールメタン系色素
が可視域に光吸収（感度）を有するため、可視域
の単色光も使用可能である。このような単色光の
代表としては、たとえばArレーザー（514nｍ）、
ルビーレーザー（488nｍ）、ダイレーザー、He−
Neレーザー（633nｍ）のどのレーザー光が挙げ
られ、この場合、単位面積あたりのエネルギー密
度が大であるレーザーの特徴を利用してビーム走
査により直接パターン露光を行うことができる。
るためには、第１図に対応して第３図に示すよう
に、画像形成材料の感光メモリー層２に、光源３
から透過原稿４を介して光照射することによりパ
ターン露光を行えばよい。導電性基板１が透明で
ある場合、感光メモリー層２への露光は導電性基
板１を介して行うこともできる（図示せず）。光
源３としては、白色ランプ、キセノンランプ、ハ
ロゲンランプ等の連続スペクトル光源を用いるこ
とができるほか、メモリー効果付与剤であるカル
バゾール環を構造内に含むアリールメタン系色素
が可視域に光吸収（感度）を有するため、可視域
の単色光も使用可能である。このような単色光の
代表としては、たとえばArレーザー（514nｍ）、
ルビーレーザー（488nｍ）、ダイレーザー、He−
Neレーザー（633nｍ）のどのレーザー光が挙げ
られ、この場合、単位面積あたりのエネルギー密
度が大であるレーザーの特徴を利用してビーム走
査により直接パターン露光を行うことができる。
上述したように本発明の画像形成材料は増感剤
の添加なしでも0.05〜0.1ｍＪ／cm2程度の露光量
で良好なメモリー効果が得られ、得られる導電性
画像は１〜３時間安定に持続する。また、さらに
感度を上げるためには、パターン露光の前にあら
かじめ逆帯電（正帯電）を行えばよい。これによ
つて感度がさらに20％程度向上する。この場合、
逆帯電を行つた後、一旦、電位をゼロまで戻して
もよいし、または逆帯電したままで露光を行なつ
てもよい。更に特願昭57−5233号明細書に記載し
たように、感光メモリー層に負極を接触させて電
圧の印加下に露光を行つてもよい。
の添加なしでも0.05〜0.1ｍＪ／cm2程度の露光量
で良好なメモリー効果が得られ、得られる導電性
画像は１〜３時間安定に持続する。また、さらに
感度を上げるためには、パターン露光の前にあら
かじめ逆帯電（正帯電）を行えばよい。これによ
つて感度がさらに20％程度向上する。この場合、
逆帯電を行つた後、一旦、電位をゼロまで戻して
もよいし、または逆帯電したままで露光を行なつ
てもよい。更に特願昭57−5233号明細書に記載し
たように、感光メモリー層に負極を接触させて電
圧の印加下に露光を行つてもよい。
上述のようにして得られた持続導電性画像は一
般に潜像であるが、これを静電写真ないし静電印
刷マスターとして利用することにより可視像が得
られる。すなわち、持続導電性画像の形成された
感光メモリー属に負のコロナ放電を行い、非露光
部に反転静電潜像を形成し、以後、トナー粉末の
付着による現像、紙等への転写を代表とするゼロ
グラフイーの各種現像法をそのまま適用すること
ができる。また、本発明法により、一旦、持続導
電性画像が得られると、以後、帯電現像−転写を
繰り返すことにより多数枚の複写物が得られる。
般に潜像であるが、これを静電写真ないし静電印
刷マスターとして利用することにより可視像が得
られる。すなわち、持続導電性画像の形成された
感光メモリー属に負のコロナ放電を行い、非露光
部に反転静電潜像を形成し、以後、トナー粉末の
付着による現像、紙等への転写を代表とするゼロ
グラフイーの各種現像法をそのまま適用すること
ができる。また、本発明法により、一旦、持続導
電性画像が得られると、以後、帯電現像−転写を
繰り返すことにより多数枚の複写物が得られる。
またメモリー機能を生かした方法として導電性
画像と現像とを切り離すことができるため、部分
焼付の可能な印刷版としての応用も期待できる。
その他の現像方法として、露光部と非露光部との
導電性の差を利用して、電着現像、電解現像、電
気泳動現像等の方法を利用することもできる。
画像と現像とを切り離すことができるため、部分
焼付の可能な印刷版としての応用も期待できる。
その他の現像方法として、露光部と非露光部との
導電性の差を利用して、電着現像、電解現像、電
気泳動現像等の方法を利用することもできる。
さらに、本発明の画像形成材料の特徴として、
メモリー消去が容易であることが挙げられる。メ
モリー消去の方法としては、持続導電性画像形成
後の感光メモリー層に逆帯電（正帯電）を行う方
法、あるいは100〜150℃の熱板、熱ローラー等に
よつて感光メモリー層を加熱する方法等がある。
メモリー消去が容易であることが挙げられる。メ
モリー消去の方法としては、持続導電性画像形成
後の感光メモリー層に逆帯電（正帯電）を行う方
法、あるいは100〜150℃の熱板、熱ローラー等に
よつて感光メモリー層を加熱する方法等がある。
特に、加熱によるメモリー消去に際しては、温
度120〜150℃の条件を用いれば、わずか１〜５秒
で完全なメモリー消去が可能である。
度120〜150℃の条件を用いれば、わずか１〜５秒
で完全なメモリー消去が可能である。
以下の実施例によつて、本発明を更に具体的に
説明する。
説明する。
実施例 １
９，9′−ジエチル−３，3′−ジカルバジルフ
エニルメチルテトラフルオロボレート（メモリ
ー付与剤） ２mg ポリビニルカルバゾール（光導電性物質；高砂
染料(株)製ツビコール） １ｇ CHCl3 25ｇ 上記組成を有する混合溶液を暗所で作成し、
In2O3−SnO2を蒸着したポリエステルフイルム
（表面抵抗率104Ω／□、帝人(株)製、透明導電性フ
イルム）にワイヤバーを用いて塗布し、50℃で約
１時間通風乾燥し、膜厚約10μｍの感光メモリー
層を有する画像形成材料（感光材料）を形成し
た。
エニルメチルテトラフルオロボレート（メモリ
ー付与剤） ２mg ポリビニルカルバゾール（光導電性物質；高砂
染料(株)製ツビコール） １ｇ CHCl3 25ｇ 上記組成を有する混合溶液を暗所で作成し、
In2O3−SnO2を蒸着したポリエステルフイルム
（表面抵抗率104Ω／□、帝人(株)製、透明導電性フ
イルム）にワイヤバーを用いて塗布し、50℃で約
１時間通風乾燥し、膜厚約10μｍの感光メモリー
層を有する画像形成材料（感光材料）を形成し
た。
この画像形成材料について、完全に乾燥を行な
うために、さらに１日自然放置を行ない、その
後、本発明の画像形成法に準じて以下の様な測定
を行なつた。
うために、さらに１日自然放置を行ない、その
後、本発明の画像形成法に準じて以下の様な測定
を行なつた。
すなわち、露光は干渉フイルターとハロゲンラ
ンプを用いて633nｍ、0.1ｍｗ／cm2の光を照射し
て、感光メモリー層全面の導電化処理を行なつ
た。
ンプを用いて633nｍ、0.1ｍｗ／cm2の光を照射し
て、感光メモリー層全面の導電化処理を行なつ
た。
露光前後の表面電位をコロナ帯電器（回転式ペ
ーパーアナライザー、河口電気(株)製）で測定し
た。
ーパーアナライザー、河口電気(株)製）で測定し
た。
その結果、露光前では、700V（−）電荷受容性
の感光体が0.1ｍＪ／cm2の露光量を与えた後では、
140V（−）の電荷受容性となり、画像として考え
た場合、未露光部と露光部との間に、560Vのコ
ントラスト電位が得られた。このようにして得ら
れた電荷受容性の低下状態は、暗状態で安定で、
３時間後でも、200V（−）までしか回復せず、こ
の階段でも500Vのコントラスト電位が得られた。
の感光体が0.1ｍＪ／cm2の露光量を与えた後では、
140V（−）の電荷受容性となり、画像として考え
た場合、未露光部と露光部との間に、560Vのコ
ントラスト電位が得られた。このようにして得ら
れた電荷受容性の低下状態は、暗状態で安定で、
３時間後でも、200V（−）までしか回復せず、こ
の階段でも500Vのコントラスト電位が得られた。
別途、上記画像形成材料の感光メモリー層にパ
ターンフイルムを介して密着露光を行い、その
後、コロナ帯電し、（−6kv）正極性の電子写真
湿式トナーにより現像して感光材料表面の非露光
部にトナー像を得た。その場合の解像度は15本／
mmであつた。
ターンフイルムを介して密着露光を行い、その
後、コロナ帯電し、（−6kv）正極性の電子写真
湿式トナーにより現像して感光材料表面の非露光
部にトナー像を得た。その場合の解像度は15本／
mmであつた。
実施例 ２
実施例１で用いたものと同様の感光材料におい
て、露光前にあらかじめ、正帯電を行ない、その
後に露光、もしくは一度、負帯電で表面電荷をキ
ヤンセルした後に露光した場合、露光部の電荷受
容性は70V（−）（未露光部＝700V（−））となり、
増感効果が得られた。
て、露光前にあらかじめ、正帯電を行ない、その
後に露光、もしくは一度、負帯電で表面電荷をキ
ヤンセルした後に露光した場合、露光部の電荷受
容性は70V（−）（未露光部＝700V（−））となり、
増感効果が得られた。
実施例 ３
実施例１で用いたものと同様の感光材料におい
て、露光により、電荷受容性が70V（−）まで低
下したものを、正帯電（＋6kv）で５分継続した
場合、また140℃の熱ローラーに３秒通した場合、
電荷受容性は、露光前の700Vまで回転し、メモ
リーの消去が行なわれた。
て、露光により、電荷受容性が70V（−）まで低
下したものを、正帯電（＋6kv）で５分継続した
場合、また140℃の熱ローラーに３秒通した場合、
電荷受容性は、露光前の700Vまで回転し、メモ
リーの消去が行なわれた。
比較例
実施例１で用いた感光材料において、導電性基
板を、In2O3−SnO2を蒸着したポリエステルフイ
ルムに代えて、Al蒸着マイラーフイルムにした
結果、露光を行なつた後の電荷受容性の低下は認
められず、メモリー効果が起こらなかつた。
板を、In2O3−SnO2を蒸着したポリエステルフイ
ルムに代えて、Al蒸着マイラーフイルムにした
結果、露光を行なつた後の電荷受容性の低下は認
められず、メモリー効果が起こらなかつた。
実施例 ４
実施例１で用いた感光材料において、光源をハ
ロゲンランプの代りに、He−Neレーザー633nｍ
を用いて、ビーム操作により直接光記録を行なつ
た。その結果、露光量500erg／cm2で画像形成が可
能であつた。
ロゲンランプの代りに、He−Neレーザー633nｍ
を用いて、ビーム操作により直接光記録を行なつ
た。その結果、露光量500erg／cm2で画像形成が可
能であつた。
実施例 ５
９，9′−ジエチル−３，3′−ジカルバジルフ
エニルメチルヘキサフルオロホスフアイド ４mg ポリビニルカルバゾール １ｇ CHCl3 25ｇ 上記組成を有する混合溶液を実施例１で用いた
ものと同様の導電性基板上に、ギヤツプ巾4mil
のドクターブレードを用いて塗布し、完全乾燥し
て、膜厚15μｍの感光メモリー層を形成した。得
られた感光材料の感光メモリー層に500nｍ、0.1
ｍｗ／cm2の強度の光を0.1ｍＪ／cm2照射した後、
負極性の電子写真湿式トナーに浸し、アルミ板を
対陰極に用いて、感光基板（導電性基板）との間
に100Vの直流電圧を印加した結果、露光部にト
ナーが付着し、電着が行なわれることが確認され
た。
エニルメチルヘキサフルオロホスフアイド ４mg ポリビニルカルバゾール １ｇ CHCl3 25ｇ 上記組成を有する混合溶液を実施例１で用いた
ものと同様の導電性基板上に、ギヤツプ巾4mil
のドクターブレードを用いて塗布し、完全乾燥し
て、膜厚15μｍの感光メモリー層を形成した。得
られた感光材料の感光メモリー層に500nｍ、0.1
ｍｗ／cm2の強度の光を0.1ｍＪ／cm2照射した後、
負極性の電子写真湿式トナーに浸し、アルミ板を
対陰極に用いて、感光基板（導電性基板）との間
に100Vの直流電圧を印加した結果、露光部にト
ナーが付着し、電着が行なわれることが確認され
た。
実施例 ６
１，２−Ｐ−ジメチルアミノ−３−フエニルメタ
ン、テトラフルオロボレート（マラカイトグリー
ン−４−フツ化ホウ酸塩） ３mg ポリビニルカルバゾール １ｇ CHCl3 25ｇ 上記組成を有する混合溶液を、表面抵抗率
104Ω／□程度のNiO基板上にギヤツプ巾4milの
ドクタープレードを用いて塗布し、完全乾燥し
て、膜厚10μｍの感光メモリー層を形成した。得
られた感光材料の感光メモリー層に640nｍ、0.1
ｍｗ／cm2の光を0.5ｍＪ／cm2パターン露光を行な
つた。
ン、テトラフルオロボレート（マラカイトグリー
ン−４−フツ化ホウ酸塩） ３mg ポリビニルカルバゾール １ｇ CHCl3 25ｇ 上記組成を有する混合溶液を、表面抵抗率
104Ω／□程度のNiO基板上にギヤツプ巾4milの
ドクタープレードを用いて塗布し、完全乾燥し
て、膜厚10μｍの感光メモリー層を形成した。得
られた感光材料の感光メモリー層に640nｍ、0.1
ｍｗ／cm2の光を0.5ｍＪ／cm2パターン露光を行な
つた。
３時間保存後（−）帯電を行なつて、トナー現
像を行なつた結果、15本／mmの画像形成が得られ
た。
像を行なつた結果、15本／mmの画像形成が得られ
た。
第１図〜第３図は、それぞれ本発明の実施例に
かかる画像形成材料の厚み方向部断面図、第４図
は本発明の画像形成方法におけるパターン露光工
程を説明するための画像形成材料の厚み方向断面
図である。 １……導電性基板（１ａ……透明基板、１ｂ…
…導電性膜）、２……感光メモリー層、３……光
源、４……透過原稿。
かかる画像形成材料の厚み方向部断面図、第４図
は本発明の画像形成方法におけるパターン露光工
程を説明するための画像形成材料の厚み方向断面
図である。 １……導電性基板（１ａ……透明基板、１ｂ…
…導電性膜）、２……感光メモリー層、３……光
源、４……透過原稿。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ホール注入が可能な表面抵抗率が102〜
106Ω／□である導電性基板上に、有機光導電性
物質および下式(1)で表わされるアリールメタン系
色素からなるメモリー効果付与剤を含む感光メモ
リー層を設けてなることを特徴とするメモリー機
能を有する画像形成材料。 （式中、基R1、R2、R3の少なくとも一つは、下
式(2)または(3)で表わされるパラ位をＮ置換したフ
エニル基であり、 （式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素） 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得、
X-はアニオンを表わす。 ２ 導電性基板が導電性金属酸化物皮膜を有する
上記第１項の画像形成材料。 ３ 感光メモリー層が複数の層からなり、その一
層にメモリー効果付与剤を含む上記第１項または
第２項の画像形成材料。 ４ 表面抵抗率が102〜106Ω／□である導電性基
板上に、有機光導電性物質および下式(1)で表わさ
れるアリールメタン系色素からなるメモリー効果
付与剤を含む感光メモリー層を設けてなる画像形
成材料の感光メモリー層にパターン露光を行い露
光部にホールの注入された持続導電性画像を形成
することを特徴とする、メモリー型画像形成方
法。 （式中、基R1、R2、R3の少なくとも一つは、下
式(2)または(3)で表わされるパラ位をＮ置換したフ
エニル基であり、 （式(2)、(3)中、R4〜R8は、それぞれ、アルキル
基、アリール基または水素） 基R1、R2、R3の二つまでは、アルキル基、ア
リール基、アラルキル基または水素であり得、
X-はアニオンを表わす。） ５ パターン露光後の感光メモリー層に負帯電を
行い、非露光部に負帯電画像を形成する上記第４
項の方法。 ６ 負帯電後にトナー現像を行う上記第５項の方
法。 ７ パターン露光後、感光メモリー層の正帯電あ
るいは加熱により持続導電性画像の消去を行う上
記第４項ないし第６項のいずれかの方法。 ８ パターン露光前に感光メモリー層の正帯電を
行う上記第４項ないし第７項のいずれかの方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1888183A JPS59146059A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | メモリ−機能を有する画像形成材料およびこれを用いる画像形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1888183A JPS59146059A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | メモリ−機能を有する画像形成材料およびこれを用いる画像形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59146059A JPS59146059A (ja) | 1984-08-21 |
| JPH0466022B2 true JPH0466022B2 (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=11983893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1888183A Granted JPS59146059A (ja) | 1983-02-09 | 1983-02-09 | メモリ−機能を有する画像形成材料およびこれを用いる画像形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59146059A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5288582A (en) * | 1991-07-29 | 1994-02-22 | Eastman Kodak Company | Photoelectrographic method for printing |
| US5240800A (en) * | 1991-07-29 | 1993-08-31 | Eastman Kodak Company | Near-infrared radiation sensitive photoelectrographic master and imaging method |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5617357A (en) * | 1979-07-20 | 1981-02-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic material with lasting electrical conductivity |
| JPS5633652A (en) * | 1979-08-24 | 1981-04-04 | Xerox Corp | Image forming member |
-
1983
- 1983-02-09 JP JP1888183A patent/JPS59146059A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59146059A (ja) | 1984-08-21 |
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