JPH0468280B2 - - Google Patents
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- JPH0468280B2 JPH0468280B2 JP61029296A JP2929686A JPH0468280B2 JP H0468280 B2 JPH0468280 B2 JP H0468280B2 JP 61029296 A JP61029296 A JP 61029296A JP 2929686 A JP2929686 A JP 2929686A JP H0468280 B2 JPH0468280 B2 JP H0468280B2
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- solids
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- crystal
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、複数の固体の表面同志又は単一の
固体の切り口の相対する表面同志を化学結合、例
えば水酸基同志の水素結合によつて強固に接合す
るための方法に関する。
固体の切り口の相対する表面同志を化学結合、例
えば水酸基同志の水素結合によつて強固に接合す
るための方法に関する。
従来の技術
２つの固体の表面を鏡面研摩し、必要であれば
親水性処理を施して水酸基（OH基）を付着させ
た状態で、固体同志を密着させると互の表面の
OH基同志が水素結合することにより両固体は接
合する。次にこの接合面を加熱すると、OH基同
志の水素結合に脱水縮合・酸素の拡散が生じ、結
合はより強固になる。
親水性処理を施して水酸基（OH基）を付着させ
た状態で、固体同志を密着させると互の表面の
OH基同志が水素結合することにより両固体は接
合する。次にこの接合面を加熱すると、OH基同
志の水素結合に脱水縮合・酸素の拡散が生じ、結
合はより強固になる。
以上のような接合方法を、例えばn-型のSiウエ
ーハ（ジリコンウエーハ）とp-型のSiウエーハと
の接合に適用すると、不純物濃度が低く、かつ厚
さが50〜100μmもあるn-型とp-型の層が簡単に
得られるため、この接合方法は高耐圧パワーIC
や1000V以上のバイポーラ型MOSFETとして工
業的にきわめて有効である。
ーハ（ジリコンウエーハ）とp-型のSiウエーハと
の接合に適用すると、不純物濃度が低く、かつ厚
さが50〜100μmもあるn-型とp-型の層が簡単に
得られるため、この接合方法は高耐圧パワーIC
や1000V以上のバイポーラ型MOSFETとして工
業的にきわめて有効である。
この接合方法を詳述すると、まず２枚のSiウエ
ーハ１０，２０の鏡面仕上した表面に、必要に応
じて洗浄・脱脂・親水処理・酸化・乾燥などの処
理を施すことにより、水酸基（OH基）を付着さ
せる。次に、そのような処理をした２枚のSiウエ
ーハ１０，２０の表面同志を、その結晶方向をほ
ぼ一致させた状態で、互に押しつけて密着させ
る。こうすると、OH基同志の水素結合３０によ
り、両Siウエーハの接合面が約５Kg／cm2程度の結
合強度で結合する。（第２Ａ図） そこで、こうして接合したSiウエーハをN2な
どの適当な雰囲気中で約1000℃に加熱すると、ま
ず、OH基同志の水素結合３０が脱水縮合４０し
て、50Kg／cm2程度に接合面の結合強度が増加す
る。この段階では２枚のSiウエーハの界面は、Si
−Ｏ−Si結合となる。（第２Ｂ図） さらに加熱すると、Ｏはウエーハ中に拡散し、
界面近くのＯ濃度はバルク中と変わらなくなる。
このときの接合面の結合強度は110Kg／cm2以上で
ある。（第２Ｃ図） 以上のプロセスの結果、２枚のSi−ウエーハ
は、強く結合されることになるので、例えば２枚
の単結晶Siウエーハを結合したときには、１枚の
単結晶を得ることができる。 なお、説明を容易
にするために、第２Ａ〜２Ｃ図ではSiウエーハ同
志の接合面が拡大されて描かれていることは勿論
である。
ーハ１０，２０の鏡面仕上した表面に、必要に応
じて洗浄・脱脂・親水処理・酸化・乾燥などの処
理を施すことにより、水酸基（OH基）を付着さ
せる。次に、そのような処理をした２枚のSiウエ
ーハ１０，２０の表面同志を、その結晶方向をほ
ぼ一致させた状態で、互に押しつけて密着させ
る。こうすると、OH基同志の水素結合３０によ
り、両Siウエーハの接合面が約５Kg／cm2程度の結
合強度で結合する。（第２Ａ図） そこで、こうして接合したSiウエーハをN2な
どの適当な雰囲気中で約1000℃に加熱すると、ま
ず、OH基同志の水素結合３０が脱水縮合４０し
て、50Kg／cm2程度に接合面の結合強度が増加す
る。この段階では２枚のSiウエーハの界面は、Si
−Ｏ−Si結合となる。（第２Ｂ図） さらに加熱すると、Ｏはウエーハ中に拡散し、
界面近くのＯ濃度はバルク中と変わらなくなる。
このときの接合面の結合強度は110Kg／cm2以上で
ある。（第２Ｃ図） 以上のプロセスの結果、２枚のSi−ウエーハ
は、強く結合されることになるので、例えば２枚
の単結晶Siウエーハを結合したときには、１枚の
単結晶を得ることができる。 なお、説明を容易
にするために、第２Ａ〜２Ｃ図ではSiウエーハ同
志の接合面が拡大されて描かれていることは勿論
である。
また、酸化層５０を有する２枚のSiウエーハ１
０，２０を互に押しつけて700℃以上にO2雰囲気
で熱処理すると、各ウエーハ上のOH基同志が水
素結合し、脱水縮合・酸素拡散が前記同様に生
じ、両ウエーハは強固に接合する（第３Ｂ図）。
このようなSiウエーハは、SOI（Silicon on
Ionsulator）ウエーハとして有効である。
０，２０を互に押しつけて700℃以上にO2雰囲気
で熱処理すると、各ウエーハ上のOH基同志が水
素結合し、脱水縮合・酸素拡散が前記同様に生
じ、両ウエーハは強固に接合する（第３Ｂ図）。
このようなSiウエーハは、SOI（Silicon on
Ionsulator）ウエーハとして有効である。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、こうした接合方法においては固
体を700℃〜1000℃もの高温に加熱する工程を含
むため、次のような欠点を有することが明らかに
なつた。
体を700℃〜1000℃もの高温に加熱する工程を含
むため、次のような欠点を有することが明らかに
なつた。
１ 低融点の固体同志の結合には使用できない。
２ 加熱工程にて、結合した２枚の固体間に温度
差が生じると、熱膨張に差が生じるため、両固
体間の結合がはずれてしまう危険性がある。し
たがつて加熱工程の温度管理が極めて難しい。
差が生じると、熱膨張に差が生じるため、両固
体間の結合がはずれてしまう危険性がある。し
たがつて加熱工程の温度管理が極めて難しい。
３ 700℃〜1000℃もの高温に加熱する手段（炉
など）が必要となり、設備が高価で大規模とな
る。
など）が必要となり、設備が高価で大規模とな
る。
４ 接合面近くに、高温に耐えられない構造物や
装置などがあれば、この接合方法を適用するこ
とは不可能である。
装置などがあれば、この接合方法を適用するこ
とは不可能である。
この発明は、こうした欠点をことごとく除去し
た新規な接合方法を提供することを目的とする。
た新規な接合方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この発明においては、固体同志を高温に加熱し
てその接合面に脱水縮合や酸素拡散を生じさせる
代りに、固体に吸収されない又は吸収されても温
度上昇を引き起さないが水酸基同志の水素結合部
のような化学結合部のみに吸収される電磁波（光
を含む）や放射線などの励起波を化学結合部に照
射して該化学結合部のみを励起することにより、
固体を加熱することなく接合部に縮合や拡散、例
えば脱水縮合及び／又は酸素拡散を生じさせるよ
うにしている。
てその接合面に脱水縮合や酸素拡散を生じさせる
代りに、固体に吸収されない又は吸収されても温
度上昇を引き起さないが水酸基同志の水素結合部
のような化学結合部のみに吸収される電磁波（光
を含む）や放射線などの励起波を化学結合部に照
射して該化学結合部のみを励起することにより、
固体を加熱することなく接合部に縮合や拡散、例
えば脱水縮合及び／又は酸素拡散を生じさせるよ
うにしている。
実施例
以下、この発明の実施例を第１図を参照しなが
ら説明する。第１図において、複数個（図では３
個）の固体１，２，３のそれぞれの表面の鏡面研
摩したあと、表面に親水性をもたせOH基を付着
させてから、固体１，２，３を、互に密着させ
る。すると第２Ａ図のように、これら固体の接合
面８，９にOH基同志の水素結合が生じる。そこ
で、OH基の水素結合のみを励起して、固体１，
２，３には吸収されないで透過してしまう電磁波
４を電磁波源５で発生し、導波路６を通じて開口
７がら発射し、固体１，２，３に照射する。する
と、これら固体の接合面８，９にて脱水縮合が、
また酸素の拡散が起り、これら固体は互いに強固
に接合する。ここで、固体１，２，３が単結晶
（同一種類）であり、しかも互に結晶軸方向をほ
ぼ一致させて密着させると、接合後、これら固体
は１つの大きな単結晶となる。これは大型単結晶
製造方法として極めて有効である。
ら説明する。第１図において、複数個（図では３
個）の固体１，２，３のそれぞれの表面の鏡面研
摩したあと、表面に親水性をもたせOH基を付着
させてから、固体１，２，３を、互に密着させ
る。すると第２Ａ図のように、これら固体の接合
面８，９にOH基同志の水素結合が生じる。そこ
で、OH基の水素結合のみを励起して、固体１，
２，３には吸収されないで透過してしまう電磁波
４を電磁波源５で発生し、導波路６を通じて開口
７がら発射し、固体１，２，３に照射する。する
と、これら固体の接合面８，９にて脱水縮合が、
また酸素の拡散が起り、これら固体は互いに強固
に接合する。ここで、固体１，２，３が単結晶
（同一種類）であり、しかも互に結晶軸方向をほ
ぼ一致させて密着させると、接合後、これら固体
は１つの大きな単結晶となる。これは大型単結晶
製造方法として極めて有効である。
また、この接合方法を利用すれば、加熱炉に入
らない大型の物を接合により作ることができる。
例えば、親水性処理によつてOH基が付着された
容器本体と蓋との接合面に上記の性質を有する電
磁波を照射すると、これら容器本体と蓋とが単結
晶であり、それらの結晶方向が一致していれば、
両者は一つの単結晶となるため、接合面で耐圧が
弱くなることもなく、真空容器、高圧容器として
最適である。
らない大型の物を接合により作ることができる。
例えば、親水性処理によつてOH基が付着された
容器本体と蓋との接合面に上記の性質を有する電
磁波を照射すると、これら容器本体と蓋とが単結
晶であり、それらの結晶方向が一致していれば、
両者は一つの単結晶となるため、接合面で耐圧が
弱くなることもなく、真空容器、高圧容器として
最適である。
以上の場合、電磁波４の代りに、OH基同志の
水素結合のみ励起して、固体１，２，３には吸収
されない放射線を、放射線源から発射して放射線
用導波路を介して固体１，２，３に照射しても、
電磁波を使用した場合と同じ作用効果が生じる。
この場合、OH基が水素結合した部分のエネルギ
凖位を、電磁波、放射線などの励起波の吸収に適
したレベルにまで調節するために、ゼーマン効
果、シユタルク効果、パツシエンバツク効果を用
いて水素結合の部分に電場と磁場のいずれか一方
又は両方を印加するようにしてもよい。また、化
学結合が電場や磁場の印加により縮合及び／又は
拡散しやすい構造に変化する場合は、電場や磁場
を励起波照射の前後及び／又は照射中に印加して
もよい。
水素結合のみ励起して、固体１，２，３には吸収
されない放射線を、放射線源から発射して放射線
用導波路を介して固体１，２，３に照射しても、
電磁波を使用した場合と同じ作用効果が生じる。
この場合、OH基が水素結合した部分のエネルギ
凖位を、電磁波、放射線などの励起波の吸収に適
したレベルにまで調節するために、ゼーマン効
果、シユタルク効果、パツシエンバツク効果を用
いて水素結合の部分に電場と磁場のいずれか一方
又は両方を印加するようにしてもよい。また、化
学結合が電場や磁場の印加により縮合及び／又は
拡散しやすい構造に変化する場合は、電場や磁場
を励起波照射の前後及び／又は照射中に印加して
もよい。
この発明の接合方法は次のような場合において
も実施可能である。
も実施可能である。
１ 固体に吸収されても、熱に転化せず、例えば
光などの形で再放出されるような電磁波や放射
線等を用いてもよい。
光などの形で再放出されるような電磁波や放射
線等を用いてもよい。
２ 固体は、単結晶・多結晶・非晶質のいずれで
もよい。
もよい。
３ 単結晶同志を接合するときは、互いに、結晶
軸が同一方向をむくようにして結晶同志を接合
すれば、接合した結果、単一の単結晶となり、
接合面での結晶欠陥も少ない。しかし、必ずし
も結晶軸が同一方向をむかなければ接合できな
いというわけではない。
軸が同一方向をむくようにして結晶同志を接合
すれば、接合した結果、単一の単結晶となり、
接合面での結晶欠陥も少ない。しかし、必ずし
も結晶軸が同一方向をむかなければ接合できな
いというわけではない。
４ 結晶は、シリコン以外に、金属結晶や水晶等
の光学結晶など何れの固体でもよい。
の光学結晶など何れの固体でもよい。
５ 別体の固体同志の接合ばかりでなく、単一の
固体に形成された切り口の接合も可能である。
例えば、弾性固体の切り口をねじひろげ、そこ
を鏡面研摩してから親水処理によりOH基を付
着させたあと、もとに戻して接合し、電磁波や
放射線などを照射して強固に接合することがで
きる。
固体に形成された切り口の接合も可能である。
例えば、弾性固体の切り口をねじひろげ、そこ
を鏡面研摩してから親水処理によりOH基を付
着させたあと、もとに戻して接合し、電磁波や
放射線などを照射して強固に接合することがで
きる。
６ 接合部分の化学結合は、水酸基同志の水素結
合のように水分子構造及び／又は酸素を含んで
いて励起波により脱水縮合及び／又は酸素拡散
してもよく、水分子構造を含まず他の結合方式
であつて励起波により脱水以外の縮合及び／又
は酸素以外の原子や分子の拡散を引き起しても
よい。
合のように水分子構造及び／又は酸素を含んで
いて励起波により脱水縮合及び／又は酸素拡散
してもよく、水分子構造を含まず他の結合方式
であつて励起波により脱水以外の縮合及び／又
は酸素以外の原子や分子の拡散を引き起しても
よい。
７ 励起波は固体を透過させて接合面を照射して
もよく、また、励起波のビームを細く絞つて接
合面の化学結合部の層に沿つて照射し、固体に
は励起波が達しないようにしてもよい。この場
合には、励起波が固体に吸収され温度上昇を引
き起すものであつても、固体に達しないので励
起波として使用できる。
もよく、また、励起波のビームを細く絞つて接
合面の化学結合部の層に沿つて照射し、固体に
は励起波が達しないようにしてもよい。この場
合には、励起波が固体に吸収され温度上昇を引
き起すものであつても、固体に達しないので励
起波として使用できる。
発明の効果
この発明は次のような顕著な効果を奏する。
１ 加熱工程を含まないため、高温に耐えられな
い固体同志も接合できる。接合部周囲に高温に
耐えられない人間、生物、装置等が近接してい
ても固体同志の接合が可能である。しかも加熱
によつて接合部に熱歪みが入ることも、不均一
加熱によつて固体同志が異なる熱膨張を示して
接合がはずれるようなこともない。
い固体同志も接合できる。接合部周囲に高温に
耐えられない人間、生物、装置等が近接してい
ても固体同志の接合が可能である。しかも加熱
によつて接合部に熱歪みが入ることも、不均一
加熱によつて固体同志が異なる熱膨張を示して
接合がはずれるようなこともない。
２ 加熱に比べて、電磁波や放射線等の照射は簡
便であり、かつ大きい面積を照射できるので、
炉に入らない大型構造物同志の接合ができる。
便であり、かつ大きい面積を照射できるので、
炉に入らない大型構造物同志の接合ができる。
こうした効果を有するこの発明の接合方法は、
次のような場合に応用可能である。
次のような場合に応用可能である。
１ 小さな単結晶同志を接合して、極めて大型の
単結晶を作ることができる。
単結晶を作ることができる。
２ 真空容器や圧力容器の蓋を、容器本体に強力
かつ継目なく接合できる。
かつ継目なく接合できる。
３ 光フアイバやプリズム等の光学部品同志を接
合すると、接合面にて光の反射損失が少なく、
しかも水晶同志の接合などで多用される従来の
オプチカルコンタクトより強固な接合ができ
る。接着剤による接合と比べると、接合面の接
着層による光吸収がない。加熱工程がないた
め、低融点の光学部品も接合できる。又、炉に
入らないような大型の光学部品も接合でき、レ
ーザ核融合用の大型光学部品等も接合できる。
合すると、接合面にて光の反射損失が少なく、
しかも水晶同志の接合などで多用される従来の
オプチカルコンタクトより強固な接合ができ
る。接着剤による接合と比べると、接合面の接
着層による光吸収がない。加熱工程がないた
め、低融点の光学部品も接合できる。又、炉に
入らないような大型の光学部品も接合でき、レ
ーザ核融合用の大型光学部品等も接合できる。
第１図は、この発明の一実施例を示す概略図で
ある。第２Ａ，２Ｂ，２Ｃ図は、従来の固体接合
方法の工程を順に示す図、第３Ａ，３Ｂ図は従来
の固体接合方法の他の例である。 １，２，３……固体、４……電磁波、５……電
磁波源、６……導波路、７……開口、８，９……
接合面、１０，２０……Siウエーハ、３０……水
素結合、４０……脱水縮合、５０……酸化膜。
ある。第２Ａ，２Ｂ，２Ｃ図は、従来の固体接合
方法の工程を順に示す図、第３Ａ，３Ｂ図は従来
の固体接合方法の他の例である。 １，２，３……固体、４……電磁波、５……電
磁波源、６……導波路、７……開口、８，９……
接合面、１０，２０……Siウエーハ、３０……水
素結合、４０……脱水縮合、５０……酸化膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数の固体の表面同志又は単一の固体の切り
口の相対する表面同志を接合する固体の接合方法
において、 複数の面同志を化学結合によつて接合し、 この化学結合部のみに吸収されて縮合及び／又
は拡散を生じさせるが固体には温度上昇を引き起
さない電磁波、放射線等の励起波を前記化学結合
部に照射することを特徴とする固体の接合方法。 ２ 同じ種類の固体同志を接合する特許請求の範
囲第１項記載の固体の接合方法。 ３ 前記固体が単結晶である特許請求の範囲第２
項記載の固体の接合方法。 ４ 前記固体の結晶軸が互いにほぼ同一の方向を
向いている特許請求の範囲第３項記載の固体の接
合方法。 ５ 前記固体がSi単結晶である特許請求の範囲第
４項記載の固体の接合方法。 ６ 前記固体が光学結晶である特許請求の範囲第
４項記載の固体の接合方法。 ７ 前記光学結晶が水晶である特許請求の範囲第
６項記載の固体の接合方法。 ８ 前記固体が多結晶である特許請求の範囲第２
項記載の固体の接合方法。 ９ 前記固体が非晶質である特許請求の範囲第２
項記載の固体の接合方法。 １０ 前記固体が光学部品である特許請求の範囲
第８項または第９項記載の固体の接合方法。 １１ 異なる種類の固体同志を接合する特許請求
の範囲第１項記載の固体の接合方法。 １２ 単結晶の固体と多結晶の固体とを接合する
特許請求の範囲第１１項記載の固体の接合方法。 １３ 単結晶の固体と非晶質の固体とを接合する
特許請求の範囲第１１項記載の固体の接合方法。 １４ 多結晶の固体と非晶質の固体とを接合する
特許請求の範囲第１１項記載の固体の接合方法。 １５ 前記化学結合が水分子構造を含み、前記励
起波が前記化学結合部に脱水縮合を引き起す特許
請求の範囲第１項〜第１４項のいずれか一つに記
載の固体の接合方法。 １６ 前記複数の面に水酸基を付着させ、これら
の面同志を水酸基同志の水素結合によつて接合
し、この水素結合部に前記励起波により脱水縮合
及び／又は酸素拡散を引き起す特許請求の範囲第
１５項記載の固体の接合方法。 １７ 前処理工程として前記複数の面を鏡面研摩
する工程を含む特許請求の範囲第１項〜第１６項
のいずれか一つに記載された固体の接合方法。 １８ 前記化学結合部又は前記水素結合部に縮合
や拡散を促進するための電場及び／又は磁場を印
加する特許請求の範囲第１項〜第１７項のいずれ
か一つに記載された固体の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2929686A JPS62186938A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 固体の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2929686A JPS62186938A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 固体の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62186938A JPS62186938A (ja) | 1987-08-15 |
| JPH0468280B2 true JPH0468280B2 (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=12272277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2929686A Granted JPS62186938A (ja) | 1986-02-13 | 1986-02-13 | 固体の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62186938A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999048810A1 (en) * | 1998-03-24 | 1999-09-30 | Kia Silverbrook | Method for construction of nanotube matrix material |
| FR2854493B1 (fr) * | 2003-04-29 | 2005-08-19 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement par brossage d'une plaquette semiconductrice avant collage |
| JP4616149B2 (ja) * | 2005-10-18 | 2011-01-19 | 本田技研工業株式会社 | 金属部材の固相接合方法 |
| JP5517588B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-06-11 | 日産自動車株式会社 | 金属部材の接合方法及び金属部材の接合装置並びにこれらを用いた金属接合部材の製造方法 |
| CN111270314A (zh) * | 2020-04-17 | 2020-06-12 | 中国电子科技南湖研究院 | 一种制备大尺寸单晶的方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57180148A (en) * | 1981-04-30 | 1982-11-06 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device having dielectric isolation structure |
| JPS5855732A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-02 | Hitachi Ltd | 静電容量型圧力センサ |
-
1986
- 1986-02-13 JP JP2929686A patent/JPS62186938A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62186938A (ja) | 1987-08-15 |
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