JPH047102B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH047102B2 JPH047102B2 JP3954383A JP3954383A JPH047102B2 JP H047102 B2 JPH047102 B2 JP H047102B2 JP 3954383 A JP3954383 A JP 3954383A JP 3954383 A JP3954383 A JP 3954383A JP H047102 B2 JPH047102 B2 JP H047102B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frame
- inert gas
- lead frame
- bonding
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はボンデイング部において行なわれる
半導体素子とリードフレームとを接続するワイヤ
ボンデイング工程において、ワイヤボンデイング
のボンデイング性を向上させることができる還元
方法に関する。
半導体素子とリードフレームとを接続するワイヤ
ボンデイング工程において、ワイヤボンデイング
のボンデイング性を向上させることができる還元
方法に関する。
第１図を用いて従来のワイヤボンデイング工程
における還元方法について説明する。第１図Ａは
ボンデイング装置の平面図、第１図Ｂはその断面
図である。第１図において、薄板移送装置（図示
せず）から順次送られてきたリードフレーム１は
ボンデイング部において、リードフレーム１にマ
ウントされた半導体素子２とリードフレーム１と
をワイヤボンデイングされるが、その雰囲気は還
元性雰囲気にて行なわれる。これはリードフレー
ム１の酸化を防ぎ、リードフレーム１とワイヤと
の接続を良くするための処理である。このような
還元方法は、不活性ガスをリードフレーム１に吹
きつけることにより行なわれる。つまり、これは
半導体素子２とリードフレーム１を接続するワイ
ヤボンデイング時にヒータブロツク３とフレーム
押え蓋４との間に不活性ガスを流すことにより行
なわれる。このような不活性ガスの流路は矢印Ａ
に示すようにしてヒータブロツク３内を流れる不
活性ガスは、ヒータブロツク３内を通過すること
により温められて、ヒータブロツク上蓋５で集め
られて、このヒータブロツク上蓋５に設けられた
複数の孔６より上方に吹き出される。そして、孔
６より上方に吹き出された不活性ガスはリードフ
レーム１を通過してフレーム押え蓋４で受けとら
れてフレーム押え上蓋７に入る。そして、このフ
レーム押え上蓋７において不活性ガスは循環され
て、リードフレーム１にある半導体素子２に開孔
８を通して噴射されていた。このようにして、ワ
イヤボンデイング時の還元を行なつていた。
における還元方法について説明する。第１図Ａは
ボンデイング装置の平面図、第１図Ｂはその断面
図である。第１図において、薄板移送装置（図示
せず）から順次送られてきたリードフレーム１は
ボンデイング部において、リードフレーム１にマ
ウントされた半導体素子２とリードフレーム１と
をワイヤボンデイングされるが、その雰囲気は還
元性雰囲気にて行なわれる。これはリードフレー
ム１の酸化を防ぎ、リードフレーム１とワイヤと
の接続を良くするための処理である。このような
還元方法は、不活性ガスをリードフレーム１に吹
きつけることにより行なわれる。つまり、これは
半導体素子２とリードフレーム１を接続するワイ
ヤボンデイング時にヒータブロツク３とフレーム
押え蓋４との間に不活性ガスを流すことにより行
なわれる。このような不活性ガスの流路は矢印Ａ
に示すようにしてヒータブロツク３内を流れる不
活性ガスは、ヒータブロツク３内を通過すること
により温められて、ヒータブロツク上蓋５で集め
られて、このヒータブロツク上蓋５に設けられた
複数の孔６より上方に吹き出される。そして、孔
６より上方に吹き出された不活性ガスはリードフ
レーム１を通過してフレーム押え蓋４で受けとら
れてフレーム押え上蓋７に入る。そして、このフ
レーム押え上蓋７において不活性ガスは循環され
て、リードフレーム１にある半導体素子２に開孔
８を通して噴射されていた。このようにして、ワ
イヤボンデイング時の還元を行なつていた。
しかし、第１図を用いて説明したような従来の
還元方法は以下に記述するような欠点があつた。
還元方法は以下に記述するような欠点があつた。
(1) リードフレーム１の厚さが厚くなる（例え
ば、ヒートシンクなど）と、ヒータブロツク３
とフレーム押え蓋４とのすき間が広くなり、ヒ
ータブロツク３で温められた不活性ガスがその
すき間を通して外に吹き出てしまうため、フレ
ーム押え蓋４には集積されない。このため、不
活性ガスによる還元効果が減少し、リードフレ
ーム１とボンデイングワイヤとの接着性を著し
く低下させる。
ば、ヒートシンクなど）と、ヒータブロツク３
とフレーム押え蓋４とのすき間が広くなり、ヒ
ータブロツク３で温められた不活性ガスがその
すき間を通して外に吹き出てしまうため、フレ
ーム押え蓋４には集積されない。このため、不
活性ガスによる還元効果が減少し、リードフレ
ーム１とボンデイングワイヤとの接着性を著し
く低下させる。
(2) また、上記した第１項で述べたリードフレー
ム１とボンデイングワイヤとの接着性を維持す
るためには不活性ガスの量を多くしなければな
らないため、不経済である。
ム１とボンデイングワイヤとの接着性を維持す
るためには不活性ガスの量を多くしなければな
らないため、不経済である。
(3) ヒータブロツク３とフレーム押え蓋４との間
に熱的移動があり、リードフレーム１上の半導
体素子２の最適温度を下げてしまい、ボンデイ
ング性を著しく低下させる。
に熱的移動があり、リードフレーム１上の半導
体素子２の最適温度を下げてしまい、ボンデイ
ング性を著しく低下させる。
この発明は上記の点に鑑みてなされたもので、
その目的はボンデイング部において行なわれる半
導体素子とリードフレームとを接続するワイヤボ
ンデイング工程において、ボンデイングワイヤと
リードフレームとの接着性の向上、不活性ガスの
節約及び温度差の是正を行なうことができる還元
方法を提供することにある。
その目的はボンデイング部において行なわれる半
導体素子とリードフレームとを接続するワイヤボ
ンデイング工程において、ボンデイングワイヤと
リードフレームとの接着性の向上、不活性ガスの
節約及び温度差の是正を行なうことができる還元
方法を提供することにある。
フレーム押え蓋にヒータと不活性ガス流路を設
け、そのヒータによりフレーム押え蓋を温める。
そして、不活性ガス流路を通して流れる不活性ガ
スは温められたフレーム押え蓋により温められ
て、フレーム押え上蓋から半導体素子がマウント
されているリードフレームに吹きつけられる。従
つて、リードフレームが厚くなつてヒータブロツ
クとフレーム押え蓋とのすき間が大きくなつても
不活性ガスは上方より供給されるため、還元性雰
囲気を保つことができる。
け、そのヒータによりフレーム押え蓋を温める。
そして、不活性ガス流路を通して流れる不活性ガ
スは温められたフレーム押え蓋により温められ
て、フレーム押え上蓋から半導体素子がマウント
されているリードフレームに吹きつけられる。従
つて、リードフレームが厚くなつてヒータブロツ
クとフレーム押え蓋とのすき間が大きくなつても
不活性ガスは上方より供給されるため、還元性雰
囲気を保つことができる。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説
明する。第２図はこの発明に係る還元方法が用い
られるボンデイング装置を示す。第２図Ａはボン
デイング装置の平面図、第２図Ｂはその断面図で
ある。第２図において、第１図と同一名称には同
一番号を付することにする。１１はフレーム押え
蓋４に取つけられたヒータで、このヒータ１１に
より上記フレーム押え蓋４及びフレーム押え下蓋
１２が温められる。上記フレーム押え蓋４には不
活性ガス経路Ｂ、Ｃが設けられており、この不活
性ガス経路Ｂ、Ｃを通る不活性ガスは上記ヒータ
１１により温められる。そして、上記不活性ガス
経路Ｂ、Ｃを通つた不活性ガスはフレーム押え蓋
４の開孔８のまわりを循環して、フレーム押え下
蓋１２とフレーム押え蓋４との隙間を流れて、リ
ードフレーム１及びリードフレーム１上にマウン
トされている半導体素子２に噴射される。
明する。第２図はこの発明に係る還元方法が用い
られるボンデイング装置を示す。第２図Ａはボン
デイング装置の平面図、第２図Ｂはその断面図で
ある。第２図において、第１図と同一名称には同
一番号を付することにする。１１はフレーム押え
蓋４に取つけられたヒータで、このヒータ１１に
より上記フレーム押え蓋４及びフレーム押え下蓋
１２が温められる。上記フレーム押え蓋４には不
活性ガス経路Ｂ、Ｃが設けられており、この不活
性ガス経路Ｂ、Ｃを通る不活性ガスは上記ヒータ
１１により温められる。そして、上記不活性ガス
経路Ｂ、Ｃを通つた不活性ガスはフレーム押え蓋
４の開孔８のまわりを循環して、フレーム押え下
蓋１２とフレーム押え蓋４との隙間を流れて、リ
ードフレーム１及びリードフレーム１上にマウン
トされている半導体素子２に噴射される。
なお、例えばリードフレーム１にヒートシンク
などがあつた場合には熱伝導性を上げるためにヒ
ータブロツク３に溝を作り、ヒートシンクとリー
ドフレーム１との両方を温めるようにすればよ
い。
などがあつた場合には熱伝導性を上げるためにヒ
ータブロツク３に溝を作り、ヒートシンクとリー
ドフレーム１との両方を温めるようにすればよ
い。
以上詳述したようにこの発明によれば、ボンデ
イング部において行なわれる半導体素子とリード
フレームとを接続するワイヤボンデイング工程に
おいて、リードフレームの厚さに関係なく、還元
性雰囲気を作りだすことができる。つまり、不活
性ガスを上方に供給源を持つようにしたので、リ
ードフレームが厚くなつてフレーム押え蓋とヒー
タブロツクとの隙間が大きくなつても無関係にリ
ードフレーム及び半導体素子に不活性ガスを吹き
つけることができる。さらに、従来のようにフレ
ーム押え蓋とヒータブロツクとの隙間があつた場
合に不活性ガスが無駄に吹き出すような不活性ガ
スの無駄を防止することができる。さらに、フレ
ーム押え蓋にもヒータを内蔵させたので、フレー
ム押え蓋とヒータとの間の温度差をなくすことが
できるので、ワイヤボンデイングの接着性を向上
させることができる。
イング部において行なわれる半導体素子とリード
フレームとを接続するワイヤボンデイング工程に
おいて、リードフレームの厚さに関係なく、還元
性雰囲気を作りだすことができる。つまり、不活
性ガスを上方に供給源を持つようにしたので、リ
ードフレームが厚くなつてフレーム押え蓋とヒー
タブロツクとの隙間が大きくなつても無関係にリ
ードフレーム及び半導体素子に不活性ガスを吹き
つけることができる。さらに、従来のようにフレ
ーム押え蓋とヒータブロツクとの隙間があつた場
合に不活性ガスが無駄に吹き出すような不活性ガ
スの無駄を防止することができる。さらに、フレ
ーム押え蓋にもヒータを内蔵させたので、フレー
ム押え蓋とヒータとの間の温度差をなくすことが
できるので、ワイヤボンデイングの接着性を向上
させることができる。
第１図Ａは従来の還元方法を用いたボンデイン
グ装置の平面図、第１図Ｂはその断面図、第２図
Ａはこの発明の一実施例に係る還元方法を用いた
ボンデイング装置の平面図、第２図Ｂはその断面
図である。 １……リードフレーム、３……ヒータブロツ
ク、４……フレーム押え蓋、１１……ヒータ、１
２……フレーム押え下蓋。
グ装置の平面図、第１図Ｂはその断面図、第２図
Ａはこの発明の一実施例に係る還元方法を用いた
ボンデイング装置の平面図、第２図Ｂはその断面
図である。 １……リードフレーム、３……ヒータブロツ
ク、４……フレーム押え蓋、１１……ヒータ、１
２……フレーム押え下蓋。
Claims (1)
- １ 半導体素子とリードフレームとを接続するワ
イヤボンデイング工程に用いられる還元方法にお
いて、ボンデイング部のリードフレームの上方に
設けられるフレーム押え蓋にヒータを内蔵し、上
記フレーム押え蓋内に不活性ガス経路を設けてボ
ンデイング部に不活性ガスを供給するようにした
ことを特徴とする還元方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039543A JPS59165429A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 還元方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58039543A JPS59165429A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 還元方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59165429A JPS59165429A (ja) | 1984-09-18 |
| JPH047102B2 true JPH047102B2 (ja) | 1992-02-07 |
Family
ID=12555963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58039543A Granted JPS59165429A (ja) | 1983-03-10 | 1983-03-10 | 還元方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59165429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9415456B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-08-16 | Shinkawa Ltd. | Antioxidant gas blow-off unit |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02140848U (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-26 |
-
1983
- 1983-03-10 JP JP58039543A patent/JPS59165429A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9415456B2 (en) | 2012-10-05 | 2016-08-16 | Shinkawa Ltd. | Antioxidant gas blow-off unit |
| JPWO2014054305A1 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-08-25 | 株式会社新川 | 酸化防止ガス吹き出しユニット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59165429A (ja) | 1984-09-18 |
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