JPH0471871B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0471871B2 JPH0471871B2 JP58074577A JP7457783A JPH0471871B2 JP H0471871 B2 JPH0471871 B2 JP H0471871B2 JP 58074577 A JP58074577 A JP 58074577A JP 7457783 A JP7457783 A JP 7457783A JP H0471871 B2 JPH0471871 B2 JP H0471871B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal growth
- crucible
- single crystal
- reflective layer
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は主に高純度シリコン単結晶棒の製造に
使用される結晶成長装置に関し、結晶成長に際し
ての輻射による熱損失を抑えるようにした結晶成
長装置に関する。
使用される結晶成長装置に関し、結晶成長に際し
ての輻射による熱損失を抑えるようにした結晶成
長装置に関する。
本発明の内容を説明するに当り先ず従来より一
般に使用されている高純度シリコン単結晶成長装
置に就て説明する。
般に使用されている高純度シリコン単結晶成長装
置に就て説明する。
第１図は従来の引上法（CZ法）による単結晶
成長装置を示す断面正面図である。図中１は結晶
成長室を構成する金属壁である。１−１はその上
部蓋、１−２はその胴体部、１−３はその下部フ
ランジで、いずれも冷却水にて強制冷却される。
１２は冷却水の出入口である。
成長装置を示す断面正面図である。図中１は結晶
成長室を構成する金属壁である。１−１はその上
部蓋、１−２はその胴体部、１−３はその下部フ
ランジで、いずれも冷却水にて強制冷却される。
１２は冷却水の出入口である。
２はカーボンルツボ、３は石英ルツボ、４はシ
リコン溶融体、５は種子結晶、６は単結晶であ
る。７は引上シヤフト又はワイヤーで、其の先端
に種子結晶５が取付けられ、上下動及び回転可能
に構成されている。８は回転可能なルツボ受台、
９−１はガスの導入口、９−２はガスの排出口又
は減圧のための排気口、１０はヒーター電極、１
１は内部観測用である。１３は発熱抵抗体（又は
高周波コイル）でヒーター電極１０によつて外部
電源に接続されている。１４は発熱抵抗体１３の
外側に設けられた外部保温筒、１５はカーボンル
ツボ２の保持筒である。
リコン溶融体、５は種子結晶、６は単結晶であ
る。７は引上シヤフト又はワイヤーで、其の先端
に種子結晶５が取付けられ、上下動及び回転可能
に構成されている。８は回転可能なルツボ受台、
９−１はガスの導入口、９−２はガスの排出口又
は減圧のための排気口、１０はヒーター電極、１
１は内部観測用である。１３は発熱抵抗体（又は
高周波コイル）でヒーター電極１０によつて外部
電源に接続されている。１４は発熱抵抗体１３の
外側に設けられた外部保温筒、１５はカーボンル
ツボ２の保持筒である。
次に機能に就て述べる。発熱体１３によつて加
熱されたカーボンルツボ２内のシリコン溶融体４
（融液）は窓１１を通してパイロメーターによつ
て温度が精密に管理される。この状態でシヤフト
７の先端に取付けられた種子結晶５を融液面に静
かに接触させる。種子結晶５からの冷却により単
結晶６が生成し、シヤフト７を引上げることによ
り単結晶６が成長する。この時、窓１１より結晶
成長室内を観測して単結晶の直径、形状をコント
ロールする。
熱されたカーボンルツボ２内のシリコン溶融体４
（融液）は窓１１を通してパイロメーターによつ
て温度が精密に管理される。この状態でシヤフト
７の先端に取付けられた種子結晶５を融液面に静
かに接触させる。種子結晶５からの冷却により単
結晶６が生成し、シヤフト７を引上げることによ
り単結晶６が成長する。この時、窓１１より結晶
成長室内を観測して単結晶の直径、形状をコント
ロールする。
第２図は従来の浮遊帯溶融法（FZ法）による
単結晶成長装置を示す断面正面図である。図中１
乃至１２の構造部分は第１図と共通である。但
し、８は第１図のルツボ受台と異なり、種子結晶
５を保持するシヤフトである。また、金属壁１は
その胴部が水冷されている。１６は原料多結晶、
１７は高周波コイル、１８は其の電極である。以
下に其の機能に就いて述べる。
単結晶成長装置を示す断面正面図である。図中１
乃至１２の構造部分は第１図と共通である。但
し、８は第１図のルツボ受台と異なり、種子結晶
５を保持するシヤフトである。また、金属壁１は
その胴部が水冷されている。１６は原料多結晶、
１７は高周波コイル、１８は其の電極である。以
下に其の機能に就いて述べる。
高周波コイル１７によつて原料多結晶１６内に
誘導電流が発生し、其の発熱によつてシリコン溶
融体４（溶融帯）が生じ、原料多結晶１６と単結
晶６との表面張力により溶融帯が保持される。こ
の状態で単結晶６並びに原料多結晶１６を相対的
に高周波コイル１７に対して移動させることによ
り単結晶６が成長する。其の時材料の移動速度及
び高周波電流によつて単結晶６の寸法をコントロ
ールする。
誘導電流が発生し、其の発熱によつてシリコン溶
融体４（溶融帯）が生じ、原料多結晶１６と単結
晶６との表面張力により溶融帯が保持される。こ
の状態で単結晶６並びに原料多結晶１６を相対的
に高周波コイル１７に対して移動させることによ
り単結晶６が成長する。其の時材料の移動速度及
び高周波電流によつて単結晶６の寸法をコントロ
ールする。
以上に述べた従来より使用されている引上法並
びに浮遊帯溶融法による単結晶成長装置では、発
熱体並びに溶融体表面から輻射によつて多くの熱
が失われ、過剰な電力を必要としていた。特に引
上法による単結晶成長装置の場合、初期材料多結
晶をルツボ内に設置し、発熱体からの加熱によつ
てルツボを加熱し、熱伝導、輻射によつてこれを
溶かしていた。其の際材料結晶の表面（上部）は
輻射によつて熱を失つて溶融しにくく、時にはル
ツボ内面に付着するため更に全体を高温に加熱す
る必要があるため、ルツボ材からの汚染が増加す
る問題もあつた。又結晶成長中も長時間にわたり
表面からの熱輻射によつて熱損失が起り、過剰な
電力の消費が発生していた。又これ等の熱輻射は
装置の内面で吸収されるために器壁の温度上昇と
なり、其の冷却のために多量の冷却水を必要とし
ていた。
びに浮遊帯溶融法による単結晶成長装置では、発
熱体並びに溶融体表面から輻射によつて多くの熱
が失われ、過剰な電力を必要としていた。特に引
上法による単結晶成長装置の場合、初期材料多結
晶をルツボ内に設置し、発熱体からの加熱によつ
てルツボを加熱し、熱伝導、輻射によつてこれを
溶かしていた。其の際材料結晶の表面（上部）は
輻射によつて熱を失つて溶融しにくく、時にはル
ツボ内面に付着するため更に全体を高温に加熱す
る必要があるため、ルツボ材からの汚染が増加す
る問題もあつた。又結晶成長中も長時間にわたり
表面からの熱輻射によつて熱損失が起り、過剰な
電力の消費が発生していた。又これ等の熱輻射は
装置の内面で吸収されるために器壁の温度上昇と
なり、其の冷却のために多量の冷却水を必要とし
ていた。
結晶成長に際しての輻射熱の損失を抑えるため
に、ルツボの上方に反射板を設けた引上法による
単結晶成長装置は特開昭58−36998号公報に開示
されている。しかし、この装置ではルツボ内の溶
融面が反射板の陰になるため、窓（第１図に１１
で示す）からの融液面の観測ができなくなり、引
上げ制御が困難になる。また、反射板に付着した
異物（SiO）の落下により単結晶が破損する問題
が生じる。更に、反射板が冷却されていないた
め、反射板による単結晶汚染の問題が生じ、反射
板を水冷したとしても、水がリークした場合には
その水がルツボ内に侵入して爆発を引き起こす危
険があり、安全性の面で問題がある。従つて、特
開昭58−36998号公報に開示された熱損失防止技
術は、実現性に欠ける。
に、ルツボの上方に反射板を設けた引上法による
単結晶成長装置は特開昭58−36998号公報に開示
されている。しかし、この装置ではルツボ内の溶
融面が反射板の陰になるため、窓（第１図に１１
で示す）からの融液面の観測ができなくなり、引
上げ制御が困難になる。また、反射板に付着した
異物（SiO）の落下により単結晶が破損する問題
が生じる。更に、反射板が冷却されていないた
め、反射板による単結晶汚染の問題が生じ、反射
板を水冷したとしても、水がリークした場合には
その水がルツボ内に侵入して爆発を引き起こす危
険があり、安全性の面で問題がある。従つて、特
開昭58−36998号公報に開示された熱損失防止技
術は、実現性に欠ける。
本発明はかかる実情に鑑みてなされたもので、
結晶成長に際しての輻射熱の損失を抑え、しかも
結晶成長に悪影響を及ぼすおそれのない結晶成長
装置を提供することを目的とする。以下に本発明
の結晶成長装置の構造並びに作用に就て詳細に説
明する。
結晶成長に際しての輻射熱の損失を抑え、しかも
結晶成長に悪影響を及ぼすおそれのない結晶成長
装置を提供することを目的とする。以下に本発明
の結晶成長装置の構造並びに作用に就て詳細に説
明する。
第３図は本発明を引上法による単結晶成長装置
に適用した一実施例を示す断面正面図である。図
中１９−１は結晶成長室を構成する金属壁１の上
部蓋１−１の内面に、熱反射率の高い金属例えば
銀、金、アルミニウム等を張着又はメツキにより
直接ライニングして形成した反射層である。反射
層は、強制水冷される上部蓋１−１により充分に
冷却され、装置内の汚染源となることはない。反
射層の材料としては、銀が最適である。シリコン
半導体の場合、金は深いエネルギー準位を作り半
導体材料の特性を劣化させる傾向があり、アルミ
ニウムは表面が不安定で、反応ガスに対して反応
し易く、シリコンに対してアクセプタ（Ｐ型）不
純物であり、且つ異常に早い拡散速度を持つてい
るために純度が下る欠点を持つている。これに対
し、銀はシリコン中の溶解度が低く、充分に水冷
された状態では殆ど其の特性並びに純度に影響を
与えることがなく、其の上加工も容易である等の
利点を持つている。
に適用した一実施例を示す断面正面図である。図
中１９−１は結晶成長室を構成する金属壁１の上
部蓋１−１の内面に、熱反射率の高い金属例えば
銀、金、アルミニウム等を張着又はメツキにより
直接ライニングして形成した反射層である。反射
層は、強制水冷される上部蓋１−１により充分に
冷却され、装置内の汚染源となることはない。反
射層の材料としては、銀が最適である。シリコン
半導体の場合、金は深いエネルギー準位を作り半
導体材料の特性を劣化させる傾向があり、アルミ
ニウムは表面が不安定で、反応ガスに対して反応
し易く、シリコンに対してアクセプタ（Ｐ型）不
純物であり、且つ異常に早い拡散速度を持つてい
るために純度が下る欠点を持つている。これに対
し、銀はシリコン中の溶解度が低く、充分に水冷
された状態では殆ど其の特性並びに純度に影響を
与えることがなく、其の上加工も容易である等の
利点を持つている。
この反射層は、シリコン溶融液面、ルツボ、発
熱体からの輻射熱を反射により効率良く溶融面に
戻して其の保温効果を高め、又上部蓋１−１の温
度上昇を防ぐ。
熱体からの輻射熱を反射により効率良く溶融面に
戻して其の保温効果を高め、又上部蓋１−１の温
度上昇を防ぐ。
１９−２は同様に胴体部１−２の内面にライニ
ングした反射層であり、発熱体から側面への輻射
熱の損失を防いでいる。１９−３は下部フランジ
１−３の内面にライニングしたもので、引上炉底
部からの輻射熱損失を防ぎ、保温効果を高める。
又図中の２０はルツボ受台８のルツボ２底面から
の熱輻射防止並びにルツボ２底面の保温のために
その内面にライニングした反射層を示す。
ングした反射層であり、発熱体から側面への輻射
熱の損失を防いでいる。１９−３は下部フランジ
１−３の内面にライニングしたもので、引上炉底
部からの輻射熱損失を防ぎ、保温効果を高める。
又図中の２０はルツボ受台８のルツボ２底面から
の熱輻射防止並びにルツボ２底面の保温のために
その内面にライニングした反射層を示す。
本発明を引上法による結晶成長装置に適用すれ
ば、輻射熱の損失防止により、原料溶融時の電力
が節約出来ると同時に溶融時間が短縮され、更に
結晶成長時に於ける電力を著しく低減し、省エネ
ルギー効果を揚げることが出来る。また、輻射熱
の損失を防止する反射層が金属壁の内面に直接ラ
イニングされ、装置内に障害物を突出させないの
で、窓からのルツボ内の融液面の観察を防げず、
引上げ制御を支障なく行わしめる。また、金属壁
が水冷され、これにより反射層が充分に冷却され
るので、単結晶を汚染するおそれがなく、金属壁
を冷却する水がリークしても爆発に至ることはな
い。更に、反射層の表面に付着した異物が落下し
ても、単結晶を損傷させるおそれがない。
ば、輻射熱の損失防止により、原料溶融時の電力
が節約出来ると同時に溶融時間が短縮され、更に
結晶成長時に於ける電力を著しく低減し、省エネ
ルギー効果を揚げることが出来る。また、輻射熱
の損失を防止する反射層が金属壁の内面に直接ラ
イニングされ、装置内に障害物を突出させないの
で、窓からのルツボ内の融液面の観察を防げず、
引上げ制御を支障なく行わしめる。また、金属壁
が水冷され、これにより反射層が充分に冷却され
るので、単結晶を汚染するおそれがなく、金属壁
を冷却する水がリークしても爆発に至ることはな
い。更に、反射層の表面に付着した異物が落下し
ても、単結晶を損傷させるおそれがない。
第４図は本発明を浮遊帯溶融法による単結晶成
長装置に適用した一実施例を示す断面正面図であ
る。図中１９−２は結晶成長室を構成する金属壁
１の水冷された胴部の内面にライニングした反射
層であり、上述の引上法による単結晶成長装置の
場合と同様にして省エネルギー効果を揚げること
が出来、又水冷される胴部によつて充分な冷却が
期待できるので反射層が汚染源になることがな
い。
長装置に適用した一実施例を示す断面正面図であ
る。図中１９−２は結晶成長室を構成する金属壁
１の水冷された胴部の内面にライニングした反射
層であり、上述の引上法による単結晶成長装置の
場合と同様にして省エネルギー効果を揚げること
が出来、又水冷される胴部によつて充分な冷却が
期待できるので反射層が汚染源になることがな
い。
以上、シリコンを対象とした結晶成長装置に就
て説明したが、本発明は他種の材料の結晶成長装
置に適用可能であり、又常圧、減圧或いは加圧の
孰れの状態にも適用することが出来る。更に、反
射層は水冷された金属壁にライニングする必要が
あるが、その全部にライニングを行う必要はな
い。
て説明したが、本発明は他種の材料の結晶成長装
置に適用可能であり、又常圧、減圧或いは加圧の
孰れの状態にも適用することが出来る。更に、反
射層は水冷された金属壁にライニングする必要が
あるが、その全部にライニングを行う必要はな
い。
以上の説明のとおり、本発明の結晶成長装置
は、金属製の結晶成長装置に於て、装置内の高温
の結晶成長室を取巻き且つ冷却水にて強制冷却さ
れる金属壁の内面に、輻射熱反射率の高い反射層
を直接ライニングし、これを前記金属壁により強
制冷却するようにしたので、輻射熱の損失を抑え
て省エネルギーを図ると共に、反射層が汚染源に
なるのを防ぎ、高品質の結晶を経済性よく製造で
きる効果がある。また、引上法による単結晶成長
装置にあつても、反射層が引上げ制御の妨げにな
らず、反射層に付着した異物が落下しても単結晶
を破壊せず、更には、金属壁を冷却する水を反射
層の冷却に使用するので、冷却機構を必要とせ
ず、またその水がリークしても爆発に至らず、安
全性に優れる。
は、金属製の結晶成長装置に於て、装置内の高温
の結晶成長室を取巻き且つ冷却水にて強制冷却さ
れる金属壁の内面に、輻射熱反射率の高い反射層
を直接ライニングし、これを前記金属壁により強
制冷却するようにしたので、輻射熱の損失を抑え
て省エネルギーを図ると共に、反射層が汚染源に
なるのを防ぎ、高品質の結晶を経済性よく製造で
きる効果がある。また、引上法による単結晶成長
装置にあつても、反射層が引上げ制御の妨げにな
らず、反射層に付着した異物が落下しても単結晶
を破壊せず、更には、金属壁を冷却する水を反射
層の冷却に使用するので、冷却機構を必要とせ
ず、またその水がリークしても爆発に至らず、安
全性に優れる。
第１図及び第２図は従来より一般に使用されて
いる夫々引上法（CZ法）及び浮遊帯溶融法（FZ
法）による単結晶成長装置を示す断面正面図、第
３図及び第４図は本発明を夫々引上法及び浮遊帯
溶融法による単結晶成長装置に適用した一実施例
を示す断面正面図である。 １……金属壁、１−１……上部蓋、１−２……
胴体部、１−３……下部フランジ、２……カーボ
ンルツボ、３……石英ルツボ、４……シリコン溶
融体、５……種子結晶、６……単結晶、７……引
上シヤフト、８……ルツボ受台、９−１……ガス
の導入口、９−２……ガスの排出口、１０……ヒ
ーターの電極、１１……観測用窓、１２……冷却
用水パイプの水出入口、１３……発熱抵抗体（又
は高周波コイル）、１４……保温筒、１５……ル
ツボ支持筒、１６……原料多結晶、１７……高周
波コイル、１８……高周波コイル電極、１９−
１，１９−２，１９−３，２０……反射層。
いる夫々引上法（CZ法）及び浮遊帯溶融法（FZ
法）による単結晶成長装置を示す断面正面図、第
３図及び第４図は本発明を夫々引上法及び浮遊帯
溶融法による単結晶成長装置に適用した一実施例
を示す断面正面図である。 １……金属壁、１−１……上部蓋、１−２……
胴体部、１−３……下部フランジ、２……カーボ
ンルツボ、３……石英ルツボ、４……シリコン溶
融体、５……種子結晶、６……単結晶、７……引
上シヤフト、８……ルツボ受台、９−１……ガス
の導入口、９−２……ガスの排出口、１０……ヒ
ーターの電極、１１……観測用窓、１２……冷却
用水パイプの水出入口、１３……発熱抵抗体（又
は高周波コイル）、１４……保温筒、１５……ル
ツボ支持筒、１６……原料多結晶、１７……高周
波コイル、１８……高周波コイル電極、１９−
１，１９−２，１９−３，２０……反射層。
Claims (1)
- １ 金属製の結晶成長装置に於て、装置内の高温
の結晶成長室を取巻き且つ冷却水にて強制冷却さ
れる金属壁の内面に、輻射熱反射率の高い反射層
を直接ライニングし、これを前記金属壁により強
制冷却するようにしたことを特徴とする結晶成長
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7457783A JPS59199598A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7457783A JPS59199598A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59199598A JPS59199598A (ja) | 1984-11-12 |
| JPH0471871B2 true JPH0471871B2 (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=13551171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7457783A Granted JPS59199598A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59199598A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100450866B1 (ko) * | 2001-11-30 | 2004-10-01 | 주식회사 실트론 | 잉곳 성장용 챔버의 커버 |
| KR100964356B1 (ko) * | 2009-09-28 | 2010-06-17 | 퀄리플로나라테크 주식회사 | 실리콘 잉곳 성장 장치 및 실리콘 잉곳 성장 장치에 구비되는 진공 챔버용 몸체 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3650701A (en) * | 1970-07-22 | 1972-03-21 | Commissariat Energie Atomique | Apparatus for growing crystalline bodies |
| GB1579276A (en) * | 1976-08-23 | 1980-11-19 | Borg Warner | Heat exchanger for cooling exhaust gas |
| JPS5595319A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-19 | Wacker Chemitronic | Pure semiconductor material* specially silicon precipitating device and method |
| DE3007377A1 (de) * | 1980-02-27 | 1981-09-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines siliciumstabes |
| JPS5836998A (ja) * | 1981-08-26 | 1983-03-04 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 単結晶シリコン引上装置 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP7457783A patent/JPS59199598A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59199598A (ja) | 1984-11-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20100113510A (ko) | 단결정 제조장치 | |
| US20220106703A1 (en) | Semiconductor crystal growth device | |
| JP2009155131A (ja) | 単結晶製造装置および製造方法 | |
| TWI413711B (zh) | Single crystal manufacturing device | |
| JPH0639351B2 (ja) | 単結晶棒の製造装置及び方法 | |
| JPH0471871B2 (ja) | ||
| JP7821840B2 (ja) | 結晶成長方法および結晶成長装置 | |
| JP5392040B2 (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
| JPH0733307B2 (ja) | 単結晶成長装置 | |
| JPH0761889A (ja) | 半導体単結晶引き上げ装置および引き上げ方法 | |
| JP7115592B1 (ja) | 単結晶製造装置 | |
| TW202424292A (zh) | 單晶爐和晶棒生長方法 | |
| JPH0315550Y2 (ja) | ||
| JP2704032B2 (ja) | 化合物半導体単結晶の製造方法 | |
| JP2558171Y2 (ja) | 単結晶引き上げ用熱遮蔽体 | |
| JP2001002490A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2024167510A (ja) | 製造装置 | |
| JPH05238874A (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| JPS63319293A (ja) | シリコン単結晶引上成長炉 | |
| JPH06340493A (ja) | 単結晶育成装置および育成方法 | |
| EP0648867B1 (en) | Apparatus for producing silicon single crystal grown by the Czochralski method | |
| JP2024167891A (ja) | 断熱材及び製造装置 | |
| JP3247829B2 (ja) | 結晶成長炉および結晶成長方法 | |
| JP3151327B2 (ja) | 単結晶体製造装置 | |
| JPH07118088A (ja) | シリコン単結晶製造装置 |