JPH0474767B2 - - Google Patents
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- JPH0474767B2 JPH0474767B2 JP57106831A JP10683182A JPH0474767B2 JP H0474767 B2 JPH0474767 B2 JP H0474767B2 JP 57106831 A JP57106831 A JP 57106831A JP 10683182 A JP10683182 A JP 10683182A JP H0474767 B2 JPH0474767 B2 JP H0474767B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon substrate
- head
- substrate
- insulating substrate
- preamplifier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成薄膜集積ヘツドに係り、さらに詳
しくは、磁気抵抗効果素子（以下、MR素子と略
称する）を用いた退成膜集積ヘツドに関するもの
である。
しくは、磁気抵抗効果素子（以下、MR素子と略
称する）を用いた退成膜集積ヘツドに関するもの
である。
記録密度を増大させ、周波数特性の向上のため
に薄膜磁気ヘツドが広く採用されてきている。
に薄膜磁気ヘツドが広く採用されてきている。
例えば、この薄膜磁気ヘツドは、デジタルオー
デイオレコーダのように、多チヤンネル化の要望
に応えるために、ヘツド素子の数が多く、ヘツド
素子１個の集積度の高いものが要求される磁気ヘ
ツドとして最適なものとされている。
デイオレコーダのように、多チヤンネル化の要望
に応えるために、ヘツド素子の数が多く、ヘツド
素子１個の集積度の高いものが要求される磁気ヘ
ツドとして最適なものとされている。
ところが、再生ヘツドについてみると、従来多
く使用されていた磁気誘導型の薄膜磁気ヘツドの
再生電圧はヘツドと磁気記録媒体間の相対速度に
比例しているため、低速度の場合、再生出力も低
くなり、これに対応するにはコイルの巻き数を数
百〜千ターンと多くする必要があり、薄膜再生ヘ
ツドとして使用するには実用上困難であつた。
く使用されていた磁気誘導型の薄膜磁気ヘツドの
再生電圧はヘツドと磁気記録媒体間の相対速度に
比例しているため、低速度の場合、再生出力も低
くなり、これに対応するにはコイルの巻き数を数
百〜千ターンと多くする必要があり、薄膜再生ヘ
ツドとして使用するには実用上困難であつた。
一方、このような薄膜磁気ヘツドに対応するた
めに、ヘツドと磁気記録媒体間の相対速度に関係
のない磁束応答型の磁気抵抗効果素子を用いた薄
膜磁気ヘツド（以下、MRヘツドと略称）が注目
をあびてきている。
めに、ヘツドと磁気記録媒体間の相対速度に関係
のない磁束応答型の磁気抵抗効果素子を用いた薄
膜磁気ヘツド（以下、MRヘツドと略称）が注目
をあびてきている。
このようなMRヘツドの一例を、第１図に拡大
して示す。
して示す。
第１図において、符号１で示すものは基板で、
その側面には磁気記録媒体側に臨んでMR素子２
が薄膜堆積法などにより形成されており、MR素
子２の両端は同様な方法で基板上に形成された導
電部３に接続されている。
その側面には磁気記録媒体側に臨んでMR素子２
が薄膜堆積法などにより形成されており、MR素
子２の両端は同様な方法で基板上に形成された導
電部３に接続されている。
以上のような構造を有するMRヘツドのMR素
子２に導電部３を介して一定電流を供給しておく
と、外部磁界が接近した場合、MR素子２の持つ
抵抗値が変化し、電圧変化として磁界の強さを取
り出すことができる。この時の再生出力電圧ΔV
はΔV＝ΔRIで表わされる。ΔRは外部磁界により
MR素子の抵抗変化分で、ＩはMR素子に加えら
れた一定電流の値である。MR素子２が外部磁界
によつて抵抗変化を生じる変化率は、一般にNi
−Fe、Ni−Coなどから成るMR素子で１〜３％
である。
子２に導電部３を介して一定電流を供給しておく
と、外部磁界が接近した場合、MR素子２の持つ
抵抗値が変化し、電圧変化として磁界の強さを取
り出すことができる。この時の再生出力電圧ΔV
はΔV＝ΔRIで表わされる。ΔRは外部磁界により
MR素子の抵抗変化分で、ＩはMR素子に加えら
れた一定電流の値である。MR素子２が外部磁界
によつて抵抗変化を生じる変化率は、一般にNi
−Fe、Ni−Coなどから成るMR素子で１〜３％
である。
従つて、再生出力を大きく得るためにはMR素
子の絶対抵抗値を大きくすることが必要である。
MR素子の抵抗値Ｒは、一般に次の(1)式で表わさ
れる。
子の絶対抵抗値を大きくすることが必要である。
MR素子の抵抗値Ｒは、一般に次の(1)式で表わさ
れる。
Ｒ＝ρMR×ｌ／ｗ×ｔ ……(1)
(1)式においてρMRはMR素子の固有抵抗値、ｌ
はMR素子の長さ、ｗは幅、ｔは厚みを示す。第
(1)式からも明らかなように、MR素子の抵抗値を
大きくするためにはMR素子の長さを大きくし、
幅及び厚さを小さくすることが必要である。
はMR素子の長さ、ｗは幅、ｔは厚みを示す。第
(1)式からも明らかなように、MR素子の抵抗値を
大きくするためにはMR素子の長さを大きくし、
幅及び厚さを小さくすることが必要である。
しかし、MR素子の厚さは素子を薄膜技術で作
成しているため、製作上あまり薄くはできず、
MR素子の幅についてはフオトエツチング技術上
の制約があり、あまり小さくすることができな
い。
成しているため、製作上あまり薄くはできず、
MR素子の幅についてはフオトエツチング技術上
の制約があり、あまり小さくすることができな
い。
また、MR素子の長さは再生ヘツドのトラツク
幅に相当し、最近の磁気記録再生技術の高密度化
のために多チヤンネル化し、高集積度が要求さ
れ、トラツク幅を小さくすること、すなわちMR
素子の長さを小さくすることが要求されている。
この結果、第(1)式から明らかなように、再生出力
も小さくなつてしまう欠点がある。
幅に相当し、最近の磁気記録再生技術の高密度化
のために多チヤンネル化し、高集積度が要求さ
れ、トラツク幅を小さくすること、すなわちMR
素子の長さを小さくすることが要求されている。
この結果、第(1)式から明らかなように、再生出力
も小さくなつてしまう欠点がある。
さらに、MR素子を実装する場合には、導電部
をフレキシブルなリード線で接合させ、プリアン
プ回路部に接続して再生出力信号を取る必要があ
る。
をフレキシブルなリード線で接合させ、プリアン
プ回路部に接続して再生出力信号を取る必要があ
る。
この結果、導電部、リード線の抵抗値も無視で
きないものとなり、Ｓ／Ｎ比の悪い出力となつて
しまう。そして、導電部やリード線が長くなつて
しまうために、実際に再生信号を検出する場合、
周囲のノイズの誘導を受ける原因となつている。
きないものとなり、Ｓ／Ｎ比の悪い出力となつて
しまう。そして、導電部やリード線が長くなつて
しまうために、実際に再生信号を検出する場合、
周囲のノイズの誘導を受ける原因となつている。
本発明は以上のような従来の欠点を除去するた
めになされたもので、Ｓ／Ｎ比を向上させ、外部
ノイズの誘導を少なくできるように構成したMR
素子を用いた薄膜磁気ヘツドを提供することを目
的としている。
めになされたもので、Ｓ／Ｎ比を向上させ、外部
ノイズの誘導を少なくできるように構成したMR
素子を用いた薄膜磁気ヘツドを提供することを目
的としている。
上記の目的を達成するため、本発明の混成薄膜
集積ヘツドによれば、シリコン基板上に磁気抵抗
効果素子及び導電部で形成した複数のヘツド部を
配置し、前記シリコン基板よりも大きな寸法の第
１の絶縁性基板上に、該複数のヘツド部が配置さ
れているシリコン基板を固定し、該シリコン基板
上の磁気抵抗効果素子の部分は第２の絶縁性基板
で覆われると共に、前記第１の絶縁性基板上のシ
リコン基板が存在しない部分に、プリアンプ回路
及びパツド部を含む集積回路チツプを固定し、該
シリコン基板上の導電部と、前記第１の絶縁性基
板上に固定されている集積回路チツプのパツド部
がワイヤボンデイングで接続された構成を採用し
た。
集積ヘツドによれば、シリコン基板上に磁気抵抗
効果素子及び導電部で形成した複数のヘツド部を
配置し、前記シリコン基板よりも大きな寸法の第
１の絶縁性基板上に、該複数のヘツド部が配置さ
れているシリコン基板を固定し、該シリコン基板
上の磁気抵抗効果素子の部分は第２の絶縁性基板
で覆われると共に、前記第１の絶縁性基板上のシ
リコン基板が存在しない部分に、プリアンプ回路
及びパツド部を含む集積回路チツプを固定し、該
シリコン基板上の導電部と、前記第１の絶縁性基
板上に固定されている集積回路チツプのパツド部
がワイヤボンデイングで接続された構成を採用し
た。
以下、図面に示す実施例に基づいて、本発明の
詳細を説明する。
詳細を説明する。
第２図において符号４で示すものは絶縁性基板
で、ガラス、石英、アルミナ、フエライトなどか
ら形成される。
で、ガラス、石英、アルミナ、フエライトなどか
ら形成される。
符号５で示すものはMRヘツド部で、シリコ
ン、ガラス、アルミナ、フエライト等の絶縁性基
板上にMR素子２及び電極となる導電部３が薄膜
堆積法により形成し、この上記絶縁性基板を基板
４上に固定してある。
ン、ガラス、アルミナ、フエライト等の絶縁性基
板上にMR素子２及び電極となる導電部３が薄膜
堆積法により形成し、この上記絶縁性基板を基板
４上に固定してある。
このMRヘツド部５は基板４上に固定され、そ
の先端部、すなわち磁気記録媒体側は、MR素子
部分を保護するための絶縁性基板５ａによつて覆
われている。この絶縁性基板６もガラス、石英、
アルミナ、フエライトなどから成る。
の先端部、すなわち磁気記録媒体側は、MR素子
部分を保護するための絶縁性基板５ａによつて覆
われている。この絶縁性基板６もガラス、石英、
アルミナ、フエライトなどから成る。
一方、符号７で示すものは半導体集積回路チツ
プで、シリコン基板上に磁気信号検出回路やプリ
アンプなどの回路が形成されており、基板４上に
固定されている。そして、この半導体集積回路チ
ツプ７の接続端子電極となるパツド部８と、前記
MRヘツド部５の導電部３との間はアルミニウム
や金などの細線９を用い、ワイヤボンデイング法
などにより電気的に接続されている。
プで、シリコン基板上に磁気信号検出回路やプリ
アンプなどの回路が形成されており、基板４上に
固定されている。そして、この半導体集積回路チ
ツプ７の接続端子電極となるパツド部８と、前記
MRヘツド部５の導電部３との間はアルミニウム
や金などの細線９を用い、ワイヤボンデイング法
などにより電気的に接続されている。
第４図には、その一部であるプリアンプ回路の
等価回路図が示されている。第４図において符号
１０で示す部分がMR素子部で、その両端の符号
Ａ，Ｂで示す部分はそれぞれ第３図に示すパツド
部８及び導電部３に相当する。
等価回路図が示されている。第４図において符号
１０で示す部分がMR素子部で、その両端の符号
Ａ，Ｂで示す部分はそれぞれ第３図に示すパツド
部８及び導電部３に相当する。
そして、MR素子部１１の抵抗変化によつて生
じる電圧変化はトランジスタT1、T2によつて検
出され、トランジスタT3〜T5によつて増幅され、
出力OUTとして取り出され、外部回路へと送ら
れる。
じる電圧変化はトランジスタT1、T2によつて検
出され、トランジスタT3〜T5によつて増幅され、
出力OUTとして取り出され、外部回路へと送ら
れる。
本実施例は以上のように構成されているため、
MR素子とプリアンプ集積回路部が極めて近接し
て形成されるので、両者間の距離を短縮すること
ができ、再生信号のＳ／Ｎ比を向上させることが
できる。
MR素子とプリアンプ集積回路部が極めて近接し
て形成されるので、両者間の距離を短縮すること
ができ、再生信号のＳ／Ｎ比を向上させることが
できる。
MRヘツドを使用する場合、MR素子とプリア
ンプを接続する信号線に誘導磁界が交差すること
により発生するノイズが問題となるが、このノイ
ズの大きさは信号線が形成する閉ループの断面積
に比例する。
ンプを接続する信号線に誘導磁界が交差すること
により発生するノイズが問題となるが、このノイ
ズの大きさは信号線が形成する閉ループの断面積
に比例する。
このため、従来例ではMR素子と離れた位置に
あるプリアンプとをフレキシブルリード線のよう
なリード線によつて接続していたため、前述した
閉ループの断面積が大きくなり、ノイズ量も多か
つた。
あるプリアンプとをフレキシブルリード線のよう
なリード線によつて接続していたため、前述した
閉ループの断面積が大きくなり、ノイズ量も多か
つた。
これに反し、本発明になる薄膜磁気ヘツドで
は、MR素子とプリアンプの部分が極めて近接し
て配置されるため、両者間を結ぶ信号線が形成す
る閉ループの断面積はほとんど無視でき、ノイズ
量も著しく減少させることができる。
は、MR素子とプリアンプの部分が極めて近接し
て配置されるため、両者間を結ぶ信号線が形成す
る閉ループの断面積はほとんど無視でき、ノイズ
量も著しく減少させることができる。
一方、プリアンプの出力端から次段の入力端ま
では従来通りにリード線で接続することになり、
この部分において誘導磁界によるノイズを発生す
るが、本発明構造においては信号成分がプリアン
プにより増幅された後であるため、この部分にお
いて従来と同量のノイズ量が発生しても、あらか
じめ信号が増幅されている分だけＳ／Ｎ比の向上
がはかれる。
では従来通りにリード線で接続することになり、
この部分において誘導磁界によるノイズを発生す
るが、本発明構造においては信号成分がプリアン
プにより増幅された後であるため、この部分にお
いて従来と同量のノイズ量が発生しても、あらか
じめ信号が増幅されている分だけＳ／Ｎ比の向上
がはかれる。
また、MR素子から信号を取り出す導電部及び
リード線の抵抗はノイズ発生源となるが、このノ
イズについても従来構造ではプリアンプの前段の
信号電圧の小さい段階で発生していたため、Ｓ／
Ｎ比の低下を招いていた。
リード線の抵抗はノイズ発生源となるが、このノ
イズについても従来構造ではプリアンプの前段の
信号電圧の小さい段階で発生していたため、Ｓ／
Ｎ比の低下を招いていた。
ところが、本発明構造においては、リード線部
分の抵抗がプリンアンプの後段に位置するため、
これによるノイズを無視して考えることができ
る。
分の抵抗がプリンアンプの後段に位置するため、
これによるノイズを無視して考えることができ
る。
さらに、従来構造においては、ｎ個のMR素子
を用いた場合、接続端子数は2n個必要であり、
MR素子からプリアンプ部ヘフレキシブルリード
線で接続する場合にも、2n本のリード線が必要
である。
を用いた場合、接続端子数は2n個必要であり、
MR素子からプリアンプ部ヘフレキシブルリード
線で接続する場合にも、2n本のリード線が必要
である。
これに対し、本発明構造ではプリアンプ回路の
共通の駆動電圧印加端子１本、共通アース端子１
本、出力端子ｎ本の合計ｎ＋２本の端子数です
む。この結果、実装されるMR素子の数が２個以
上に増大するほど端子数は少なくてすむため、本
発明構造のほうが有利になり、上述したＳ／Ｎ比
の改善ばかりでなく、小型化もはかれる。
共通の駆動電圧印加端子１本、共通アース端子１
本、出力端子ｎ本の合計ｎ＋２本の端子数です
む。この結果、実装されるMR素子の数が２個以
上に増大するほど端子数は少なくてすむため、本
発明構造のほうが有利になり、上述したＳ／Ｎ比
の改善ばかりでなく、小型化もはかれる。
以上の説明から明らかなように、本発明の混成
薄膜集積ヘツドによれば、シリコン基板上に磁気
抵抗効果素子及び導電部で形成した複数のヘツド
部を配置し、前記シリコン基板よりも大きな寸法
の第１の絶縁性基板上に、該複数のヘツド部が配
置されているシリコン基板を固定し、該シリコン
基板上の磁気抵抗効果素子の部分は第２の絶縁性
基板で覆われると共に、前記第１の絶縁性基板上
のシリコン基板が存在しない部分に、プリアンプ
回路及びパツド部を含む集積回路チツプを固定
し、該シリコン基板上の導電部と、前記第１の絶
縁性基板上に固定されている集積回路チツプのパ
ツド部がワイヤボンデイングで接続された構成を
採用したので、ノイズの誘導を少なくでき、Ｓ／
Ｎ比を向上させることができると共に、小型化が
可能で複数チヤンネルの高密度実装を実現するこ
とができる。
薄膜集積ヘツドによれば、シリコン基板上に磁気
抵抗効果素子及び導電部で形成した複数のヘツド
部を配置し、前記シリコン基板よりも大きな寸法
の第１の絶縁性基板上に、該複数のヘツド部が配
置されているシリコン基板を固定し、該シリコン
基板上の磁気抵抗効果素子の部分は第２の絶縁性
基板で覆われると共に、前記第１の絶縁性基板上
のシリコン基板が存在しない部分に、プリアンプ
回路及びパツド部を含む集積回路チツプを固定
し、該シリコン基板上の導電部と、前記第１の絶
縁性基板上に固定されている集積回路チツプのパ
ツド部がワイヤボンデイングで接続された構成を
採用したので、ノイズの誘導を少なくでき、Ｓ／
Ｎ比を向上させることができると共に、小型化が
可能で複数チヤンネルの高密度実装を実現するこ
とができる。
第１図は従来構造を説明する一部拡大平面図、
第２図〜第４図は本発明の一実施例を説明するも
ので、第２図は薄膜磁気ヘツドの側面図、第３図
は薄膜磁気ヘツドの一部拡大平面図、第４図は集
積回路部のプリアンプ部分の等価回路図である。 ２……MR素子、３……導電部、５……MRヘ
ツド部、７……半導体集積回路チツプ、８……パ
ツド部、９……細線。
第２図〜第４図は本発明の一実施例を説明するも
ので、第２図は薄膜磁気ヘツドの側面図、第３図
は薄膜磁気ヘツドの一部拡大平面図、第４図は集
積回路部のプリアンプ部分の等価回路図である。 ２……MR素子、３……導電部、５……MRヘ
ツド部、７……半導体集積回路チツプ、８……パ
ツド部、９……細線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン基板上に磁気抵抗効果素子及び導電
部で形成した複数のヘツド部を配置し、 前記シリコン基板よりも大きな寸法の第１の絶
縁性基板上に、該複数のヘツド部が配置されてい
るシリコン基板を固定し、 該シリコン基板上の磁気抵抗効果素子の部分は
第２の絶縁性基板で覆われると共に、 前記第１の絶縁性基板上のシリコン基板が存在
しない部分に、プリアンプ回路及びパツド部を含
む集積回路チツプを固定し、 該シリコン基板上の導電部と、前記第１の絶縁
性基板上に固定されている集積回路チツプのパツ
ド部がワイヤボンデイングで接続された構成を特
徴とする混成薄膜集積ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10683182A JPS58224430A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 混成薄膜集積ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10683182A JPS58224430A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 混成薄膜集積ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58224430A JPS58224430A (ja) | 1983-12-26 |
| JPH0474767B2 true JPH0474767B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=14443685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10683182A Granted JPS58224430A (ja) | 1982-06-23 | 1982-06-23 | 混成薄膜集積ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58224430A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH071528B2 (ja) * | 1983-12-29 | 1995-01-11 | ソニー株式会社 | 磁気ヘツド装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3800193A (en) * | 1972-09-05 | 1974-03-26 | Ibm | Magnetic sensing device |
| JPS4968716A (ja) * | 1972-10-31 | 1974-07-03 | ||
| JPS49112610A (ja) * | 1973-02-26 | 1974-10-26 | ||
| JPS5150498U (ja) * | 1974-10-16 | 1976-04-16 | ||
| JPS51134615A (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-22 | Seiko Epson Corp | Integrated magnetic head |
| JPS52138711U (ja) * | 1976-04-16 | 1977-10-21 | ||
| JPS5552620U (ja) * | 1978-10-02 | 1980-04-08 |
-
1982
- 1982-06-23 JP JP10683182A patent/JPS58224430A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58224430A (ja) | 1983-12-26 |
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