JPH0474908B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0474908B2 JPH0474908B2 JP58018588A JP1858883A JPH0474908B2 JP H0474908 B2 JPH0474908 B2 JP H0474908B2 JP 58018588 A JP58018588 A JP 58018588A JP 1858883 A JP1858883 A JP 1858883A JP H0474908 B2 JPH0474908 B2 JP H0474908B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- horizontal
- vertical
- signal output
- solid
- image sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/30—Transforming light or analogous information into electric information
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、カラー・テレビカメラ用固体撮像素
子に関し、詳しくはX,Yのスイツチマトリクス
により光電変換素子を順次走査するMOS形の固
体撮像素子に関するものである。
子に関し、詳しくはX,Yのスイツチマトリクス
により光電変換素子を順次走査するMOS形の固
体撮像素子に関するものである。
固体撮像素子は、光電変換と蓄積の機能を有す
る2次元配列の画素群と、各画素に蓄積された信
号電荷を時系列で順次取り出す走査機能を有する
回路とを、一体構造として固体化したものであ
る。このうち、走査方式はX,Yのスイツチマト
リクスによるXYアドレス走査形(MOS形)と、
自己転送機能を有するCCD,BBD等を用いる電
荷転送形とに分けられる。
る2次元配列の画素群と、各画素に蓄積された信
号電荷を時系列で順次取り出す走査機能を有する
回路とを、一体構造として固体化したものであ
る。このうち、走査方式はX,Yのスイツチマト
リクスによるXYアドレス走査形(MOS形)と、
自己転送機能を有するCCD,BBD等を用いる電
荷転送形とに分けられる。
第1図は、XYアドレス走査形(MOS形)固
体撮像素子の構成図である。
体撮像素子の構成図である。
第1図の回路構成は、すでに提案されている特
願昭52−82965号明細書、あるいは
IEEETransED−29No.4PP745−750(1982,M・
Aoki etal)に詳述されている。
願昭52−82965号明細書、あるいは
IEEETransED−29No.4PP745−750(1982,M・
Aoki etal)に詳述されている。
第1図に示すMOS形固体撮像素子では、垂直
シフトレジスタ11の出力線によりインターレー
ス・スイツチ17を制御し、奇数フイールドでは
スイツチ17が端子18−1に切換え接続される
ため、水平出力線Oy1,Oyの2本が同時に順次送
出される。これによつて、最初の水平走査期間で
は1,1、1,2、1,3、1,4……と2,
1、2,2、2,3、2,4……の2行のMOS
トランジスタがすべてオン状態になるので、第1
行目の1,1、1,2、1,3、1,4……のフ
オト・ダイオード13R,13Gで得られた光信
号がそれぞれ垂直信号線14h,14gに移さ
れ、第2行目の2,1、2,2、2,3、2,4
……のフオト・ダイオード13G,13Bで得ら
れた光信号がそれぞれ垂直信号線14f,14i
に移される。
シフトレジスタ11の出力線によりインターレー
ス・スイツチ17を制御し、奇数フイールドでは
スイツチ17が端子18−1に切換え接続される
ため、水平出力線Oy1,Oyの2本が同時に順次送
出される。これによつて、最初の水平走査期間で
は1,1、1,2、1,3、1,4……と2,
1、2,2、2,3、2,4……の2行のMOS
トランジスタがすべてオン状態になるので、第1
行目の1,1、1,2、1,3、1,4……のフ
オト・ダイオード13R,13Gで得られた光信
号がそれぞれ垂直信号線14h,14gに移さ
れ、第2行目の2,1、2,2、2,3、2,4
……のフオト・ダイオード13G,13Bで得ら
れた光信号がそれぞれ垂直信号線14f,14i
に移される。
一方、水平走査期間に水平シフトレジスタ12
から出力線Ox1,Ox2,Ox3……に順次送られる出
力パルスは同時に2つの水平スイツチ・トランジ
スタ15f,15hおよび15g,15iを順次
オン状態にし、それぞれに接続された垂直信号線
14f,14iおよび14h,14g上の信号
を、信号出力線16f,16iおよび16g,1
6hから出力する。すなわち、信号出力線16
g,16hからは、第1行目のフオト・ダイオー
ド13R,13Gの信号が得られ、信号出力線1
6f,16iからは、第2行目のフオト・ダイオ
ード13G,13Bの信号が同時に得られる。
から出力線Ox1,Ox2,Ox3……に順次送られる出
力パルスは同時に2つの水平スイツチ・トランジ
スタ15f,15hおよび15g,15iを順次
オン状態にし、それぞれに接続された垂直信号線
14f,14iおよび14h,14g上の信号
を、信号出力線16f,16iおよび16g,1
6hから出力する。すなわち、信号出力線16
g,16hからは、第1行目のフオト・ダイオー
ド13R,13Gの信号が得られ、信号出力線1
6f,16iからは、第2行目のフオト・ダイオ
ード13G,13Bの信号が同時に得られる。
また、偶数フイールドでは、スイツチ17が端
子18−2に切換え接続されるため、Oy,Oy2の
2本が同時に順次送出される。これにより、垂直
シフトレジスタ11から加えられたパルスで水平
出力線Oy,Oy2の2本が同時に送出される。これ
により、最初の水平走査期間には、第2行目2,
1、2,2、2,3、2,4……のフオト・ダイ
オード13G,13Bの光信号がそれぞれ垂直信
号線14f,14iに移され、また第3行目3,
1、3,2、3,3、3,4……のフオト・ダイ
オード13R,13Gの光信号がそれぞれ垂直信
号線14h,14gに移される。この結果、水平
走査期間に信号出力線16f,16iからは第2
行目のフオト・ダイオード13G,13Bの光信
号が得られ、信号出力線16g,16hからは第
3行目のフオト・ダイオード13R,13Gの光
信号が得られる。
子18−2に切換え接続されるため、Oy,Oy2の
2本が同時に順次送出される。これにより、垂直
シフトレジスタ11から加えられたパルスで水平
出力線Oy,Oy2の2本が同時に送出される。これ
により、最初の水平走査期間には、第2行目2,
1、2,2、2,3、2,4……のフオト・ダイ
オード13G,13Bの光信号がそれぞれ垂直信
号線14f,14iに移され、また第3行目3,
1、3,2、3,3、3,4……のフオト・ダイ
オード13R,13Gの光信号がそれぞれ垂直信
号線14h,14gに移される。この結果、水平
走査期間に信号出力線16f,16iからは第2
行目のフオト・ダイオード13G,13Bの光信
号が得られ、信号出力線16g,16hからは第
3行目のフオト・ダイオード13R,13Gの光
信号が得られる。
このようにして、信号出力線16f〜16iか
ら得られる信号を加算した信号は、空間的な位置
の重みがフイールドごとにフオト・ダイオードの
1行分だけ上下に移動するので、インターレース
動作が実現される。そして、このインターレース
動作によれば、すべての行のフオト・ダイオード
で得られる光信号が、各フイールドごとに信号出
力端子から出力されるので、被写体が動いたと
き、フオト・ダイオードに残る残像の長さは1フ
イールド期間(1/60秒)に動いた距離に対応した
量となり、視覚上目ざわりな残像を防止できる。
さらに、光ダイオードに配置されたマトリクス色
フイルタとの組み合わせによつて、カラー信号再
生に適した全く独立した2種の色信号を常時同時
に引き出すことができるため、単板カラー撮像素
子としてきわめて利点が大きい。
ら得られる信号を加算した信号は、空間的な位置
の重みがフイールドごとにフオト・ダイオードの
1行分だけ上下に移動するので、インターレース
動作が実現される。そして、このインターレース
動作によれば、すべての行のフオト・ダイオード
で得られる光信号が、各フイールドごとに信号出
力端子から出力されるので、被写体が動いたと
き、フオト・ダイオードに残る残像の長さは1フ
イールド期間(1/60秒)に動いた距離に対応した
量となり、視覚上目ざわりな残像を防止できる。
さらに、光ダイオードに配置されたマトリクス色
フイルタとの組み合わせによつて、カラー信号再
生に適した全く独立した2種の色信号を常時同時
に引き出すことができるため、単板カラー撮像素
子としてきわめて利点が大きい。
しかし、従来の固体撮像素子では、画面の一部
に強い光が入射した場合、再生画面上で光点の上
下に明るい線を生ずるブルーミングおよびスメア
という偽信号が生ずる。
に強い光が入射した場合、再生画面上で光点の上
下に明るい線を生ずるブルーミングおよびスメア
という偽信号が生ずる。
第2図は、第1図における基本画素の断面構造
図である。第2図により、ブルーミングとスメア
の現象を説明する。1はフオト・ダイオードの
n+拡散層、2はP形Si基板、3はn+拡散層、4
は垂直信号線、5はゲート、6,7は光電子、8
は入射光である。
図である。第2図により、ブルーミングとスメア
の現象を説明する。1はフオト・ダイオードの
n+拡散層、2はP形Si基板、3はn+拡散層、4
は垂直信号線、5はゲート、6,7は光電子、8
は入射光である。
フオト・ダイオードを形成するn+拡散層1は、
入射光8によつて生成された光電子6を集める
が、入射光8が強すぎる場合には当然光電子6が
溢れる。この溢れた光電子6は、近接した垂直信
号線4につながるn+拡散層3すなわちドレイン
に流入し、垂直信号線4を共有する他の画素、つ
まり垂直に並んだ画素の信号に混入して偽信号を
発生する。これがブルーミング(Blooming)現
象である。これに対し、スメア(Smear)は、Si
基板2の内部で光電子7が熱拡散し、n+拡散層
3に流入、あるいは散乱光によりn+拡散層3が
感光することによつて、ゲート5の選択の有無に
よらず、垂直信号線4に光偽信号を生成するもの
である。
入射光8によつて生成された光電子6を集める
が、入射光8が強すぎる場合には当然光電子6が
溢れる。この溢れた光電子6は、近接した垂直信
号線4につながるn+拡散層3すなわちドレイン
に流入し、垂直信号線4を共有する他の画素、つ
まり垂直に並んだ画素の信号に混入して偽信号を
発生する。これがブルーミング(Blooming)現
象である。これに対し、スメア(Smear)は、Si
基板2の内部で光電子7が熱拡散し、n+拡散層
3に流入、あるいは散乱光によりn+拡散層3が
感光することによつて、ゲート5の選択の有無に
よらず、垂直信号線4に光偽信号を生成するもの
である。
ドレインで発生した光電子は、MOSトランジ
スタのオン・オフにかかわらず垂直信号線4に移
されるが、垂直信号線には上下に並んだ数100の
MOSトランジスタのすべてのドレインが接続さ
れているので、各MOSトランジスタ上に投影さ
れたこの種光情報は垂直信号線4に混合加算され
て蓄積される。つまり、各垂直信号線4には、投
影された被写体像の垂直方向の積分光量に対応し
た信号電流が蓄積されることになる。この信号
は、画面上に各水平走査期ごとに通常の信号に重
畳して出てくるので、一部に明るい部分の存在す
る被写体像を撮像した場合、再生画面上では、上
下方向に尾引き状の偽信号が発生する。これは、
固体撮像素子に特有の垂直スメアと呼ばれる。
スタのオン・オフにかかわらず垂直信号線4に移
されるが、垂直信号線には上下に並んだ数100の
MOSトランジスタのすべてのドレインが接続さ
れているので、各MOSトランジスタ上に投影さ
れたこの種光情報は垂直信号線4に混合加算され
て蓄積される。つまり、各垂直信号線4には、投
影された被写体像の垂直方向の積分光量に対応し
た信号電流が蓄積されることになる。この信号
は、画面上に各水平走査期ごとに通常の信号に重
畳して出てくるので、一部に明るい部分の存在す
る被写体像を撮像した場合、再生画面上では、上
下方向に尾引き状の偽信号が発生する。これは、
固体撮像素子に特有の垂直スメアと呼ばれる。
これらの現象を抑止するため、第3図に示すよ
うな画素構造が提案されている(特公昭57−
30350号公報および前記引用文献参照)。
うな画素構造が提案されている(特公昭57−
30350号公報および前記引用文献参照)。
第3図では、画素構造を、n+拡散層1と薄い
P形ウエル22と、n形Si基板24の3層構造と
し、寄生バイポーラ・トランジスタ25により余
剰光電子をn形基板24に吸い出してブルーミン
グをほぼ完全に抑止し、スメア電荷も拡散成分は
P形ウエル22とn形基板24の間の障壁のため
大幅に低下する。なおp+領域23は、信号容量
を増加するための補助手段である。
P形ウエル22と、n形Si基板24の3層構造と
し、寄生バイポーラ・トランジスタ25により余
剰光電子をn形基板24に吸い出してブルーミン
グをほぼ完全に抑止し、スメア電荷も拡散成分は
P形ウエル22とn形基板24の間の障壁のため
大幅に低下する。なおp+領域23は、信号容量
を増加するための補助手段である。
しかしながら、入射光量には際限がなく、実用
的にはさらに1桁以上のスメア抑圧が必要であ
り、前記引用文献(M.Aoki etal)の素子におい
ても、実用化に際しては、外部補助回路によりさ
らに1桁のスメア抑圧が行われている。
的にはさらに1桁以上のスメア抑圧が必要であ
り、前記引用文献(M.Aoki etal)の素子におい
ても、実用化に際しては、外部補助回路によりさ
らに1桁のスメア抑圧が行われている。
また、従来の固体撮像素子は、感度つまり信号
対雑音比の面で問題がある。
対雑音比の面で問題がある。
先ず、信号の方は、第1図に示すように画素配
列1列当り2本の垂直信号線を配置しているが、
垂直信号線14は最も高速な信号を扱うため、ア
ルミニウム(Al)等の金属を用いることが不可
欠であり、この信号線を2本設けることが画素の
光入射用開口を制限し、光感度を損つている。
列1列当り2本の垂直信号線を配置しているが、
垂直信号線14は最も高速な信号を扱うため、ア
ルミニウム(Al)等の金属を用いることが不可
欠であり、この信号線を2本設けることが画素の
光入射用開口を制限し、光感度を損つている。
また、雑音の方は、やはり前記引用文献(M.
Aoki etal)に詳述されているように、大きく分
ければ、水平走査において大きな寄生容量(第1
図の19)を有する垂直信号線14をサンプリン
グすることにより発生する内部雑音I2 N1、および
水平信号線16の寄生容量、パツケージのピン容
量を含めた容量Coとプリアンプ入力容量Ciの和
とプリアンプ入力部の等価抵抗Reで定まるプリ
アンプ雑音I2 N2がある。
Aoki etal)に詳述されているように、大きく分
ければ、水平走査において大きな寄生容量(第1
図の19)を有する垂直信号線14をサンプリン
グすることにより発生する内部雑音I2 N1、および
水平信号線16の寄生容量、パツケージのピン容
量を含めた容量Coとプリアンプ入力容量Ciの和
とプリアンプ入力部の等価抵抗Reで定まるプリ
アンプ雑音I2 N2がある。
ちなみに、上記各雑音I2 N1,I2 N2は次式で表わさ
れる。
れる。
I2 N1=2kTCvfsB ……(1)
I2 N2=
16/3π2(Co+Ci)2kTReB3 ……(2)
ここで、kはボルツマン定数、Tは絶対温度、
fsは水平走査周波数、Bは信号帯域である。これ
らが固体撮像素子の感度を制限しているわけであ
るが、内部雑音I2 N1は素子固有の成分であつて、
どのように優れたプリアンプを用いても改良され
ず、また雑音の周波数スペクトラムが平坦であ
り、低周波の成分は同じ雑音エネルギでも再生画
像で目立ち易い性質があるため、感度を制限する
支配的要素となつている。
fsは水平走査周波数、Bは信号帯域である。これ
らが固体撮像素子の感度を制限しているわけであ
るが、内部雑音I2 N1は素子固有の成分であつて、
どのように優れたプリアンプを用いても改良され
ず、また雑音の周波数スペクトラムが平坦であ
り、低周波の成分は同じ雑音エネルギでも再生画
像で目立ち易い性質があるため、感度を制限する
支配的要素となつている。
第4図は、従来の改良形固体撮像素子の回路構
成図である。
成図である。
例えば、テレビジヨン学会誌Vol.26、No.1PP33
〜46(1972安藤他)等の文献に、第4図の構成に
ついて報告されている。これは、画素に、垂直、
水平の2つのMOSトランジスタ・スイツチ31,
32を配設したもので、信号は垂直走査線33で
選択された水平信号線36、垂直走査線34を介
して引き出される。第4図から明らかなように、
この素子では、映像期間内に大きな寄生容量を有
する信号線のサンプリングは行われないため、上
記の内部雑音I2/N1は発生しない。また、ブルーミ
ングおよびスメアについては、偽信号が水平信号
線36に流入した場合に限られるわけであるが、
連続した画素の読み取りの度に偽信号がクリアさ
れる形になり、その時間が最も短い水平走査1画
素分の読み取り時間に限られるため、例えば標準
の垂直500画素、水平400画素の素子の場合、単純
には第1図に示す素子に比べて1/400程度に低下
する。
〜46(1972安藤他)等の文献に、第4図の構成に
ついて報告されている。これは、画素に、垂直、
水平の2つのMOSトランジスタ・スイツチ31,
32を配設したもので、信号は垂直走査線33で
選択された水平信号線36、垂直走査線34を介
して引き出される。第4図から明らかなように、
この素子では、映像期間内に大きな寄生容量を有
する信号線のサンプリングは行われないため、上
記の内部雑音I2/N1は発生しない。また、ブルーミ
ングおよびスメアについては、偽信号が水平信号
線36に流入した場合に限られるわけであるが、
連続した画素の読み取りの度に偽信号がクリアさ
れる形になり、その時間が最も短い水平走査1画
素分の読み取り時間に限られるため、例えば標準
の垂直500画素、水平400画素の素子の場合、単純
には第1図に示す素子に比べて1/400程度に低下
する。
しかし、第4図の素子においては、光ダイオー
ド13に接続されたMOSトランジスタ31は、
その画素が選択されていない間いたずらにスイツ
チ動作を続けるわけであるが、この場合、MOS
トランジスタ共通の現象として、フオト・ダイオ
ード13から電子を引き出し基板に叩き込むチヤ
ージ・ポンプ現象が生ずる。この量が各画素ごと
にばらつくために、画素ごとに固有の固定雑音を
生じ、画面上では場所によつて固定した大きなば
らつきとなり、一様性が悪くなるため、結局は感
度が高くならない。
ド13に接続されたMOSトランジスタ31は、
その画素が選択されていない間いたずらにスイツ
チ動作を続けるわけであるが、この場合、MOS
トランジスタ共通の現象として、フオト・ダイオ
ード13から電子を引き出し基板に叩き込むチヤ
ージ・ポンプ現象が生ずる。この量が各画素ごと
にばらつくために、画素ごとに固有の固定雑音を
生じ、画面上では場所によつて固定した大きなば
らつきとなり、一様性が悪くなるため、結局は感
度が高くならない。
さらに、水平信号線36は、非選択期間、つま
り(1フイールド期間)マイナス(1水平走査期
間)の長い間、ブルーミング電荷およびスメア電
荷を1水平ライン分だけ貯え続けるわけである
が、この量は第1図の素子に比べて250倍にも及
び、これが各水平走査の第1画素読み出し時に読
み出されることになるため、光量が大きくなると
短時間では読み出しきれず、画面が不安定になつ
てしまう。
り(1フイールド期間)マイナス(1水平走査期
間)の長い間、ブルーミング電荷およびスメア電
荷を1水平ライン分だけ貯え続けるわけである
が、この量は第1図の素子に比べて250倍にも及
び、これが各水平走査の第1画素読み出し時に読
み出されることになるため、光量が大きくなると
短時間では読み出しきれず、画面が不安定になつ
てしまう。
さらに垂直MOSトランジスタ・スイツチ32
は水平信号線36に接続されているが、MOSト
ランジスタはオン状態においてゲートとドレイン
の結合容量が非常に大きく、この接続では信号読
み出し時に1行のMOSトランジスタが全てこの
状態になり、垂直走査線33と水平信号線36の
間に大きな寄生容量を生じ、この結果プリアンプ
雑音が大きくなり、感度低下をきたす。
は水平信号線36に接続されているが、MOSト
ランジスタはオン状態においてゲートとドレイン
の結合容量が非常に大きく、この接続では信号読
み出し時に1行のMOSトランジスタが全てこの
状態になり、垂直走査線33と水平信号線36の
間に大きな寄生容量を生じ、この結果プリアンプ
雑音が大きくなり、感度低下をきたす。
さらに、第4図のままの構成では、複数の色信
号を常時読み出すことができないので、カラー素
子に適さず、またインターレース方式にも合わせ
ることができない。
号を常時読み出すことができないので、カラー素
子に適さず、またインターレース方式にも合わせ
ることができない。
本発明の目的は、このような従来の問題を改善
するため、感度を高めるとともに、ブルーミン
グ、スメアを大幅に低下させることができる固体
撮像素子を提供することにある。
するため、感度を高めるとともに、ブルーミン
グ、スメアを大幅に低下させることができる固体
撮像素子を提供することにある。
本発明の固体撮像素子は、光電変換素子および
スイツチ素子からなる画素のアレーと、これら画
素のアレーを順次選択走査する水平および垂直走
査回路を有する固体撮像素子において、上記画素
内では、上記光電変換素子と、垂直走査回路で駆
動されるスイツチ素子と、水平信号出力線に接続
され、かつ水平走査回路で駆動されるスイツチ素
子とが、この接続順序で直列に接続され、さらに
上記水平信号出力線が上記垂直走査回路によつて
駆動されるスイツチ素子を介して垂直信号線に接
続されることに特徴がある。
スイツチ素子からなる画素のアレーと、これら画
素のアレーを順次選択走査する水平および垂直走
査回路を有する固体撮像素子において、上記画素
内では、上記光電変換素子と、垂直走査回路で駆
動されるスイツチ素子と、水平信号出力線に接続
され、かつ水平走査回路で駆動されるスイツチ素
子とが、この接続順序で直列に接続され、さらに
上記水平信号出力線が上記垂直走査回路によつて
駆動されるスイツチ素子を介して垂直信号線に接
続されることに特徴がある。
第5図は、本発明の実施例を示す固体撮像素子
の回路構成図である。
の回路構成図である。
第5図に示す本発明の構成は、第4図、第1図
の従来の構成に比較して、次の点で異なつてお
り、それによる利点も下記のとおりである。
の従来の構成に比較して、次の点で異なつてお
り、それによる利点も下記のとおりである。
先ず()画素に2個のMOSトランジスタ・
スイツチ31,32を直列接続するが、その接続
順序を第4図の場合と逆にして、フオト・トラン
ジスタ13からMOSトランジスタ32,31の
順序で接続し、水平信号線36に光信号を送出し
ている。これにより、水平走査においてチヤー
ジ・ポンプ現象がフオト・ダイオード13に影響
を及ぼさないようにしている。()リセツト・
ライン47を設けて、スメア信号、チヤージ・ポ
ンプ電流を排除し、かつフイールドごとに全画素
の信号を読み出すようにして、残像をなくしてい
る。()スイツチ17を設けてインターレース
方式を可能にしている。()複数本の信号出力
線49,50を設け、単板カラー撮像に適した水
平2行の同時走査を可能にしている。
スイツチ31,32を直列接続するが、その接続
順序を第4図の場合と逆にして、フオト・トラン
ジスタ13からMOSトランジスタ32,31の
順序で接続し、水平信号線36に光信号を送出し
ている。これにより、水平走査においてチヤー
ジ・ポンプ現象がフオト・ダイオード13に影響
を及ぼさないようにしている。()リセツト・
ライン47を設けて、スメア信号、チヤージ・ポ
ンプ電流を排除し、かつフイールドごとに全画素
の信号を読み出すようにして、残像をなくしてい
る。()スイツチ17を設けてインターレース
方式を可能にしている。()複数本の信号出力
線49,50を設け、単板カラー撮像に適した水
平2行の同時走査を可能にしている。
これらの動作について、さらに詳しく説明す
る。
る。
すなわち、画素においては、フオト・ダイオー
ド13に垂直MOSトランジスタ・スイツチ32
を接続し、このトランジスタ32と水平信号線3
6の間に水平MOSトランジスタ・スイツチ31
を接続する。これによつて、非選択時のチヤージ
ポンプは水平信号線36に対して生ずるのみであ
り、フオト・ダイオード13の信号に影響を及ぼ
さない。周知のように、水平走査の周期、つまり
水平シフト・レジスタ12からの出力の周期は非
常に短時間であり、高速走査が行われるのに対し
て、垂直走査の周期、つまり垂直シフト・レジス
タ11からの出力の周期は非常に長く、画面1枚
に1回、すなわち光信号の読み取り時に1回出力
されるのみである。したがつて、第5図では、フ
オト・ダイオード13から電荷を引き出して基板
に叩き込むチヤージ・ポンプ現象が垂直走査時に
だけ(1フイールドに1回のみ)起るため、水平
走査時ごとに起る第4図の場合より固定雑音が著
しく少なくなり、画面上での一様性は良好となつ
て、感度が高くなる。
ド13に垂直MOSトランジスタ・スイツチ32
を接続し、このトランジスタ32と水平信号線3
6の間に水平MOSトランジスタ・スイツチ31
を接続する。これによつて、非選択時のチヤージ
ポンプは水平信号線36に対して生ずるのみであ
り、フオト・ダイオード13の信号に影響を及ぼ
さない。周知のように、水平走査の周期、つまり
水平シフト・レジスタ12からの出力の周期は非
常に短時間であり、高速走査が行われるのに対し
て、垂直走査の周期、つまり垂直シフト・レジス
タ11からの出力の周期は非常に長く、画面1枚
に1回、すなわち光信号の読み取り時に1回出力
されるのみである。したがつて、第5図では、フ
オト・ダイオード13から電荷を引き出して基板
に叩き込むチヤージ・ポンプ現象が垂直走査時に
だけ(1フイールドに1回のみ)起るため、水平
走査時ごとに起る第4図の場合より固定雑音が著
しく少なくなり、画面上での一様性は良好となつ
て、感度が高くなる。
次に、走査については、第1図の素子の場合と
同じく、インターレース・スイツチ17により2
行同時に行う。すなわち、インターレース・スイ
ツチ17が上方に切換え接続されると、垂直シフ
トレジスタ11の出力により、最初の水平走査期
間には2行の垂直MOSトランジスタ32がすべ
てオン状態になり、さらに短かい周期で水平走査
期間に移つて、水平シフト・レジスタ12からの
出力により2行の水平MOSトランジスタ31が
次々にオン状態となる。これにより、フオト・ダ
イオード13R,13Gの光信号が水平信号線3
6に移され、垂直シフト・レジスタ11の出力に
よつて垂直スイツチMOSトランジスタ37がオ
ン状態となるので、2行分の水平信号線36に送
出された光信号は、それぞれ別個の垂直信号線4
1,42に移される。これによつて、水平2行の
光信号を独立した信号出力線49,50に同時に
出力することができる。
同じく、インターレース・スイツチ17により2
行同時に行う。すなわち、インターレース・スイ
ツチ17が上方に切換え接続されると、垂直シフ
トレジスタ11の出力により、最初の水平走査期
間には2行の垂直MOSトランジスタ32がすべ
てオン状態になり、さらに短かい周期で水平走査
期間に移つて、水平シフト・レジスタ12からの
出力により2行の水平MOSトランジスタ31が
次々にオン状態となる。これにより、フオト・ダ
イオード13R,13Gの光信号が水平信号線3
6に移され、垂直シフト・レジスタ11の出力に
よつて垂直スイツチMOSトランジスタ37がオ
ン状態となるので、2行分の水平信号線36に送
出された光信号は、それぞれ別個の垂直信号線4
1,42に移される。これによつて、水平2行の
光信号を独立した信号出力線49,50に同時に
出力することができる。
インターレース方式が実現できるので、各フイ
ールドごとに全画素の信号を読み出すことがで
き、視覚上目ざわりな等価残像は生じない。ま
た、カラー現像では、複数の色信号を同時に出力
しなければならないが、第5図では、垂直信号線
を複数本設けているため、カラー化が可能であ
り、特に単板カラー化に適したものとなる。な
お、モノクロ素子として用いる場合には、垂直信
号線41,42を1本にまとめてもよい。
ールドごとに全画素の信号を読み出すことがで
き、視覚上目ざわりな等価残像は生じない。ま
た、カラー現像では、複数の色信号を同時に出力
しなければならないが、第5図では、垂直信号線
を複数本設けているため、カラー化が可能であ
り、特に単板カラー化に適したものとなる。な
お、モノクロ素子として用いる場合には、垂直信
号線41,42を1本にまとめてもよい。
次に、リセツト用MOSトランジスタ48には、
各水平走査のブランキング期間ごとにリセツト・
ライン47を介して正のパルスが印加され、全水
平信号線36をビデオ電源40の電圧にリセツト
する。この手段により、水平信号線36の受け取
るブルーミング電荷、スメア電荷、およびチヤー
ジ・ポンプ電荷は、水平走査期間ごとに排出さ
れ、全く問題とならなくなる。すなわち、水平信
号線36には大きな寄生容量が存在し、ここにブ
ルーミング電荷およびスメア電荷が1水平走査期
間の長い間蓄積されるが、リセツト用MOSトラ
ンジスタ48によりこれらをすべて放電させるの
で、スメアは第4図の場合の1/400に低下する。
また、このリセツト用MOSトランジスタ48は、
水平信号線36に接続しているために、放電過程
で発生するサンプリング雑音は垂直スイツチ
MOSトランジスタ37の起動により、信号読み
出し前に一掃されてしまい、信号に混入すること
はない。これは、例えば第1図に示す従来例にお
いて、垂直信号線14を上記と同じように放電す
るような場合と比べ、ランダム雑音(サンプリン
グ雑音)の発生量を著しく低減できることを意味
し、低雑音化にも極めて効果が大きい。なお、水
平走査線36はアルミニウム(AL)等の金属を
用い、垂直走査線33は多結晶シリコン(Si)等
のゲート配線材料を用いるが、殆んどの部分を重
畳して形成することができる。この結果として、
フオト・ダイオード13の開口を増加させること
ができ、しかも前述のように内部雑音がなくなる
ので、感度が大幅に向上する。
各水平走査のブランキング期間ごとにリセツト・
ライン47を介して正のパルスが印加され、全水
平信号線36をビデオ電源40の電圧にリセツト
する。この手段により、水平信号線36の受け取
るブルーミング電荷、スメア電荷、およびチヤー
ジ・ポンプ電荷は、水平走査期間ごとに排出さ
れ、全く問題とならなくなる。すなわち、水平信
号線36には大きな寄生容量が存在し、ここにブ
ルーミング電荷およびスメア電荷が1水平走査期
間の長い間蓄積されるが、リセツト用MOSトラ
ンジスタ48によりこれらをすべて放電させるの
で、スメアは第4図の場合の1/400に低下する。
また、このリセツト用MOSトランジスタ48は、
水平信号線36に接続しているために、放電過程
で発生するサンプリング雑音は垂直スイツチ
MOSトランジスタ37の起動により、信号読み
出し前に一掃されてしまい、信号に混入すること
はない。これは、例えば第1図に示す従来例にお
いて、垂直信号線14を上記と同じように放電す
るような場合と比べ、ランダム雑音(サンプリン
グ雑音)の発生量を著しく低減できることを意味
し、低雑音化にも極めて効果が大きい。なお、水
平走査線36はアルミニウム(AL)等の金属を
用い、垂直走査線33は多結晶シリコン(Si)等
のゲート配線材料を用いるが、殆んどの部分を重
畳して形成することができる。この結果として、
フオト・ダイオード13の開口を増加させること
ができ、しかも前述のように内部雑音がなくなる
ので、感度が大幅に向上する。
なお、第5図における画素構造に対して、フオ
ト・ダイオードをフオト・トランジスタに変更し
たり、あるいは第3図に示す改良された画素構造
を適用することができ、これによつてさらに高性
能の素子を実現することができる。また、水平走
査線36の各水平ブランキング期間におけるリセ
ツト方法、出力方法等は、最も簡単な方法を実施
例で説明したが、リセツト動作および複数信号の
独立な出力動作という基本概念が同一であれば、
これに限定されることなく、他の方法も適用可能
である。さらに、実施例では、nチヤネル素子で
説明したが、pチヤネル素子に対しても極性を逆
に接続することにより、全く同じように適用する
ことができる。
ト・ダイオードをフオト・トランジスタに変更し
たり、あるいは第3図に示す改良された画素構造
を適用することができ、これによつてさらに高性
能の素子を実現することができる。また、水平走
査線36の各水平ブランキング期間におけるリセ
ツト方法、出力方法等は、最も簡単な方法を実施
例で説明したが、リセツト動作および複数信号の
独立な出力動作という基本概念が同一であれば、
これに限定されることなく、他の方法も適用可能
である。さらに、実施例では、nチヤネル素子で
説明したが、pチヤネル素子に対しても極性を逆
に接続することにより、全く同じように適用する
ことができる。
以上説明したように、本発明によれば、光電変
換素子と水平信号線の間に、垂直走査回路により
駆動されるスイツチ素子、および水平走査回路に
より駆動されるスイツチ素子の直列接続を、光電
変換素子よりこの接続順序で挿入したので、ブル
ーミングやスメア等の光偽信号が発生することな
く、かつ高感度の固体撮像素子を実現することが
できる。
換素子と水平信号線の間に、垂直走査回路により
駆動されるスイツチ素子、および水平走査回路に
より駆動されるスイツチ素子の直列接続を、光電
変換素子よりこの接続順序で挿入したので、ブル
ーミングやスメア等の光偽信号が発生することな
く、かつ高感度の固体撮像素子を実現することが
できる。
第1図は従来のMOS形固体撮像素子の構成図、
第2図は第1図における基本画素の断面構造図、
第3図は従来の改良形基本画素の断面構造図、第
4図は従来の改良形固体撮像素子の回路構成図、
第5図は本発明の実施例を示す固体撮像素子の回
路構成図である。 1,3……n+拡散層、2……P形Si基板、4…
…垂直信号線、5……ゲート、11……垂直走査
回路(シフト・レジスタ)、12……水平走査回
路(シフト・レジスタ)、13……フオト・ダイ
オード、17……インターレース・スイツチ、3
3……垂直走査線、36……水平信号線、34,
41,42……垂直信号線、31……水平MOS
トランジスタ・スイツチ、32……垂直MOSト
ランジスタ・スイツチ、37……垂直スイツチ
MOSトランジスタ、48……リセツト・トラン
ジスタ、38,45,46……プリアンプ。
第2図は第1図における基本画素の断面構造図、
第3図は従来の改良形基本画素の断面構造図、第
4図は従来の改良形固体撮像素子の回路構成図、
第5図は本発明の実施例を示す固体撮像素子の回
路構成図である。 1,3……n+拡散層、2……P形Si基板、4…
…垂直信号線、5……ゲート、11……垂直走査
回路(シフト・レジスタ)、12……水平走査回
路(シフト・レジスタ)、13……フオト・ダイ
オード、17……インターレース・スイツチ、3
3……垂直走査線、36……水平信号線、34,
41,42……垂直信号線、31……水平MOS
トランジスタ・スイツチ、32……垂直MOSト
ランジスタ・スイツチ、37……垂直スイツチ
MOSトランジスタ、48……リセツト・トラン
ジスタ、38,45,46……プリアンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 光電変換素子およびスイツチ素子からなる画
素のアレーと、該画素のアレーを順次選択走査す
る水平および垂直走査回路を有する固体撮像素子
において、上記画素内では、上記光電変換素子
と、垂直走査回路で駆動されるスイツチ素子と、
水平信号出力線に接続され、かつ水平走査回路で
駆動されるスイツチ素子とが、この接続順序で直
列に接続され、さらに上記水平信号出力線は上記
垂直走査回路で駆動される別のスイツチ素子を介
して垂直信号出力線に接続されることを特徴とす
る固体撮像素子。 2 前記水平信号出力線に対し、水平走査のブラ
ンキング期間ごとに所定の電圧にリセツトする機
構を有することを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載の固体撮像素子。 3 前記水平信号出力線は、フイールドごとに組
合わせの変わる水平2行が同時に選択走査され、
光信号が送出されることを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載の固体撮像素子。 4 前記水平信号出力線は、それぞれ独立した垂
直信号出力線に接続されることを特徴とする特許
請求の範囲第1項、第2項または第3項記載の固
体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018588A JPS59144278A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58018588A JPS59144278A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144278A JPS59144278A (ja) | 1984-08-18 |
| JPH0474908B2 true JPH0474908B2 (ja) | 1992-11-27 |
Family
ID=11975787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58018588A Granted JPS59144278A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144278A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276547A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-08 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
| JPH0789655B2 (ja) * | 1985-10-17 | 1995-09-27 | 株式会社日立製作所 | 固体撮像装置 |
| JP4552240B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2010-09-29 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP4670386B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-04-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および撮像装置 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP58018588A patent/JPS59144278A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59144278A (ja) | 1984-08-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7209166B2 (en) | Wide dynamic range operation for CMOS sensor with freeze-frame shutter | |
| JP5233828B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 | |
| US7586487B2 (en) | Solid state imaging apparatus and method for driving the same | |
| US20090180015A1 (en) | Wide dynamic range pinned photodiode active pixel sensor (aps) | |
| EP0757476A2 (en) | Solid state image pickup apparatus | |
| WO1997023999A1 (en) | Solid-state image sensor, method for driving the same, and solid-state camera device and camera system | |
| JPS63100879A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH11103420A (ja) | 固体撮像素子およびその駆動方法 | |
| JPH04262679A (ja) | 固体撮像素子の駆動方法 | |
| JPH0824352B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2695824B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3173851B2 (ja) | Csd方式の固体撮像装置 | |
| JPH0474908B2 (ja) | ||
| JP5553121B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 | |
| JPS59144169A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2002198505A (ja) | 固体撮像装置 | |
| Villani et al. | Performance of generation III 640 x 480 PtSi MOS array | |
| JPH0150156B2 (ja) | ||
| JPS6373658A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS604379A (ja) | 固体カメラ | |
| KR890006330Y1 (ko) | 고체 촬상 장치 | |
| JPH0720215B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS5943035B2 (ja) | カラ−固体撮像装置 | |
| JPS6374275A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6316908B2 (ja) |