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JPH047532B2 - - Google Patents
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JPH047532B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH047532B2
JPH047532B2 JP58502182A JP50218283A JPH047532B2 JP H047532 B2 JPH047532 B2 JP H047532B2 JP 58502182 A JP58502182 A JP 58502182A JP 50218283 A JP50218283 A JP 50218283A JP H047532 B2 JPH047532 B2 JP H047532B2
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cathode
electron
shadow
control
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JPS60501580A (en
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Kuuto Anbosu
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Raytheon Co
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Hughes Aircraft Co
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Publication date
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Publication of JPH047532B2 publication Critical patent/JPH047532B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/02Electrodes; Magnetic control means; Screens
    • H01J23/06Electron or ion guns
    • H01J23/065Electron or ion guns producing a solid cylindrical beam

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  • Microwave Tubes (AREA)

Description

請求の範囲 1 周期状永久磁石によつて集束される進行波管
用の電子銃であつて、電子ビームが第1の空間電
荷密度を有する高出力モードと、電子ビームが第
2の空間電荷密度を有する低出力モードとを備
え、また陰極およびグリツドアセンブリを備えた
ものであつて: 縦軸方向の電子ビームを形成するための電子を
放出する放射面を有する陰極を備え; また、上記の陰極に対して軸方向に離間して取
り付けられた制御グリツドを備え; また、上記の放射面に対して縦軸方向に離間し
て取り付けられたシヤドーグリツドを備え、この
シヤドーグリツドは上記の放射面に対して機械的
に絶縁されているものにおいて: 上記の陰極、シヤドーグリツドおよび制御グリ
ツドに電位差を印加する手段を備え、この手段は
上記の低出力モードの電子ビームと高出力モード
の電子ビームとの径が等しくなるように低出力モ
ードの電子ビームまたは高出力モードの電子ビー
ムの両方に対応して選択的に電位差を印加するも
のであることを特徴とする電子銃。 2 前記のシヤドーグリツドと制御グリツドは同
じグリツドパターンを有していることを特徴とす
る前記特許請求の範囲第1項記載の電子銃。 発明の背景 1 発明の技術分野 本発明は進行波管用の電子銃に関し、さらに特
定すれば周期状永久磁石によつてビーム集束され
る電子銃のグリツド構造に関する。 2 従来の技術 進行波管(TWT)はその内部に電子ビームと
無線周波数(rf)のエネルギとが互いに好ましい
影響で相互に作用して共に搬送される。このrfエ
ネルギは外部のrf源から入力ポートを介してこの
TWT内に供給される。また、電子ビームは電子
銃によつて供給される。この進行波管(TWT)
は一般に軸方向に延長した空洞を有する略円筒状
の本体と、円筒状の電子ビーム管とから構成され
ている。これら一連の軸方向に延長された空洞は
上記電子ビーム管の周囲を囲んで径方向に配置さ
れ、各空洞内にはこれら空洞を上記ビーム管に接
続すなわち結合する装置が設けられている。これ
ら一連の空洞は一般にこのTWTの回路を形成す
る。また、このTWTの回路の周囲を囲んで磁気
ビーム集束手段が設けられ、の磁気ビーム集束手
段によつて磁界が形成され、またこの磁気ビーム
集束手段の中心軸は上記ビーム管の中心軸と一致
している。この磁気集束手段としては、ソレノイ
ド形または周期状永久磁石形(PPM)のものが
一般に用いられる。この磁界によつて電子流は圧
縮方向の力を受けて集束され層状の均一なビーム
となつて電子ビーム管内に供給される。 このTWTは、しばしば高出力モードと低出力
モードの両方の作動が可能なものが要求される。
この高出力モードと低出力モードは出力の大小に
対応する。たとえば高出力モードの電子ビーム電
流は低出力モードの電子ビーム電流の5倍のもの
が要求される。このビーム電流は電子銃の陰極か
ら放射される電子の量によつて決定される。この
陰極の表面から放射される電子の量はグリツドに
よつて制御される。図示するものはScottの米国
特許No.3812395に開示されている装置の電子銃の
グリツドである。この電子銃はたとえば、1954年
D.Van Nostrand 社発行のJ.R.Pierce著
“Theory and Design of Electron Beams”に
開示されているPierce形電子銃である。 上記のScottの米国特許に開示されている装置
は、この電子銃の制御グリツドの電圧を変化さ
せ、高出力時の高ビーム電流と低出力時の低ビー
ム電流の切換えをなす。しかし、低出力時におい
て制御グリツドの電圧を低下させた場合には、こ
れに対応して陰極から放射される電子の数が減少
する。したがつて、この電子の数の減少によりビ
ームの空間電荷密度が減少する。このビームの空
間電荷密度の減少によつてこれを磁界によつてこ
れを径方向内側に集束する力が減少し、たがつて
高出力時の層状の焦点位置から焦点がぼける。理
論的には陰極から放射されるビーム電流が係数5
で減少すれば、この低出力時のビーム電流は高出
力時のビーム電流の1/5になる。しかし、この
TWTでは、ビームの崩壊によつてこの実際のビ
ーム電流は低くなる。このビームの崩壊によつて
このビームの焦点がぼけ、その結果このビームの
電子ビーム管の壁によつて遮られる。たとえば、
PPMで集束されるTWTでは、実際に低出力時の
電子ビームの理論的な値の50%しかビーム管を介
して伝送されない。(ソレノイドで集束される
TWTでは約90%) これに対して、高出力時の伝送効率はPPM形
で約92%、ソレノイド形で約98%である。 このビームの崩壊の問題を解決するには、低出
力時の電子ビームの空間電荷密度を一定に維持す
ること、すなわち低出力時の空間電荷密度を高出
力時の空間電荷密度と同じ値に維持するようにグ
リツドを設計する必要がある。このようなことを
達成するには、制御グリツドの一部に印加する電
圧をバイアスさせ、この部分に対応した陰極の電
子放出面からの電子放出を抑制する。この径の細
いビームは空間電荷密度が高出力時の等しく、崩
壊は生じない。このような従来の技術は、
Berwick他の米国特許4023061に開示されている。
しかし、このようなものは、別の問題が生じる。 上記のBerwickの米国特許に開示されている装
置は、低出力作動時には陰極から放射されるビー
ムのうち小径のビームのみが通過するように制御
グリツドに印加する電圧を制御する。これによつ
て、低出力時の空間電荷密度は高出力時の空間電
荷密度と等しくなる。しかし、このような低出力
時の電子ビームを細くするとこのTWTの回路の
空洞内での無線周波数信号との相互作用が減少す
る。この空洞内で増幅される無線周波数信号はこ
の中空円筒状のビーム管と同心の軸方向に延長さ
れた円筒状の電界を発生する。この無線周波数信
号が増幅されるには、このビーム管内の電子がこ
の同心状の電界と相互に作用しなければならな
い。しかし、この電界はその本来の特性から、電
子ビーム管の空洞の内側内周面に集中して発生す
る。よつて、ビームの径を細くすると、この径は
ビーム管の径よりはるかに細いので、この無線周
波数信号とは相互に作用しなくなる。上記の
Berwickの米国特許に開示されているグリツド構
造のものは、低出力時には上記の相互作用、一般
には電気的な効率は50%程度に低下する。 また、このBerwickの米国特許に開示されてい
るものはグリツド構造の物理的な構成に不具合が
あつた。この制御グリツドは2個の同心状のグリ
ツドから構成されている。この内側のグリツドは
より小径であり、低出力時の制御をなす。また、
これら2個のグリツドは大きな面積をカバーし、
高出力時の制御をなす。これら2個のグリツドは
物理的および電気的に絶縁されており、内側のグ
リツドの支持部材は高出力時に放射される電子の
流れを横切るように配置されている。したがつ
て、この支持部材によつて高出力時において電子
の流れを妨げ、この高出力時の電子の放射パター
ンを乱す。 これらの従来のものは、低出力時のビームの径
が高出力時のビームの径より細く、低出力時の電
子的な効率が低下する。また、この電子銃のグリ
ツド構造は第1の制御グリツドが第2の制御グリ
ツドに対して同心に支持されており、この外側の
制御グリツドが作動している場合には電子の放射
パターンを乱す不具合があつた。 発明の概要 本発明の目的は、低出力時の電子ビームの直径
が高出力時の電子ビームの直径と略等しく、低出
力時のビームとrfエネルギとの相互作用が高出力
時の電子ビームとrfエネルギとの相互作用と同等
の効率を有する電子銃を提供することにある。 また、本発明の別の目的は、高出力時において
電子ビームの流れの中の支持部材によつて電子の
放射パターンか乱されることがない電子銃を提供
することにある。 上記およびその他の目的のため、電子銃用の新
規なグリツド構造によつて特徴および長所が達成
される。この新規なグリツド構造は、従来のシヤ
ドーグリツトとは異なるシヤドーグリツドがこの
電子銃の陰極とは電気的および物理的に絶縁して
設けられている。本発明のシヤドーグリツドは、
この電子銃が高出力状態にあるか低出力状態にあ
るかに対応して陰極の電位より電位が高くあるい
は低くなるように構成されている。この制御グリ
ツドは電圧を調整できる電源に接続され、高出力
モードと低出力モードの切換えがなされる。ま
た、本発明では上記2個のグリツドはその電圧の
バイアスが別々に独立して調整できる。この電圧
が調整され、またこの制御グリツドは高出力モー
ドおよび低出力モードの両方において等しい実効
面積を有しているので、高出力モードおよび低出
力モードの両方の場合においてその電子ビームの
径が略等しくなる。また、上記Berwickの米国特
許に開示されている2個の制御グリツドを備えた
ものと異なり、1個の制御グリツドしか設けられ
ていないので、このビームの流れの中にある支持
部材等によつて電子の流れが乱されることがな
い。
Claim 1: An electron gun for a traveling wave tube focused by a periodic permanent magnet, which has a high output mode in which the electron beam has a first space charge density, and a high power mode in which the electron beam has a second space charge density. and a cathode and grid assembly comprising: a cathode having an emitting surface for emitting electrons to form a longitudinal electron beam; and a cathode as described above; a control grid mounted axially spaced relative to the radiation surface; and a shadow grid mounted longitudinally spaced relative to the radiation surface; Mechanically insulated: means for applying a potential difference across said cathode, shadow grid and control grid, said means being such that said low power mode electron beam and high power mode electron beam have equal diameters; 1. An electron gun that selectively applies a potential difference to both a low-output mode electron beam and a high-output mode electron beam so that the electron beam becomes 2. The electron gun according to claim 1, wherein the shadow grid and the control grid have the same grid pattern. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Technical Field of the Invention The present invention relates to electron guns for traveling wave tubes, and more particularly to the grid structure of electron guns whose beam is focused by periodic permanent magnets. 2. Prior Art A traveling wave tube (TWT) carries an electron beam and a radio frequency (RF) energy inside the tube, interacting with each other in a favorable manner. This rf energy is transmitted from an external rf source through the input port to this
Supplied within TWT. Further, the electron beam is supplied by an electron gun. This traveling wave tube (TWT)
Generally, it consists of a generally cylindrical body having an axially extending cavity and a cylindrical electron beam tube. A series of axially extending cavities are disposed radially around the electron beam tube, and a device is provided within each cavity for connecting or coupling the cavities to the beam tube. These series of cavities generally form the circuit of this TWT. Further, a magnetic beam focusing means is provided surrounding the TWT circuit, a magnetic field is formed by the magnetic beam focusing means, and the central axis of the magnetic beam focusing means is aligned with the central axis of the beam tube. We are doing so. This magnetic focusing means is generally of the solenoid type or periodic permanent magnet type (PPM). Due to this magnetic field, the electron stream is subjected to a force in a compressive direction, is focused, becomes a layered uniform beam, and is supplied into the electron beam tube. This TWT is often required to be capable of operating in both high-power mode and low-power mode.
The high output mode and low output mode correspond to the magnitude of the output. For example, the electron beam current in high power mode is required to be five times the electron beam current in low power mode. This beam current is determined by the amount of electrons emitted from the cathode of the electron gun. The amount of electrons emitted from the surface of this cathode is controlled by the grid. Illustrated is the electron gun grid of the device disclosed in Scott US Pat. No. 3,812,395. This electron gun was developed in 1954, for example.
Written by JRPierce, published by D. Van Nostrand.
This is a Pierce-type electron gun disclosed in “Theory and Design of Electron Beams.” The device disclosed in the Scott patent changes the voltage on the electron gun's control grid to switch between a high beam current at high power and a low beam current at low power. However, if the voltage of the control grid is reduced at low power, the number of electrons emitted from the cathode will be correspondingly reduced. This reduction in the number of electrons therefore reduces the space charge density of the beam. The reduction in the space charge density of this beam reduces the force with which it is focused radially inward by the magnetic field, thus defocusing it from its laminar focus position at high power. Theoretically, the beam current emitted from the cathode has a factor of 5.
If the beam current at low power is reduced by , the beam current at low power becomes 1/5 of the beam current at high power. However, this
In TWT, this actual beam current is lower due to beam collapse. The beam collapse defocuses the beam so that it is blocked by the electron beam tube wall. for example,
In a PPM focused TWT, only 50% of the theoretical value of the electron beam at low power is actually transmitted through the beam tube. (Focused by solenoid
(TWT is approximately 90%) In contrast, the transmission efficiency at high output is approximately 92% for the PPM type and approximately 98% for the solenoid type. The solution to this beam collapse problem is to keep the space charge density of the electron beam constant at low power, i.e., to keep the space charge density at low power the same as the space charge density at high power. The grid must be designed to do so. This is achieved by biasing the voltage applied to a portion of the control grid to suppress electron emission from the electron emitting surface of the cathode corresponding to this portion. A beam with this narrow diameter has the same space charge density as at high power, and no collapse occurs. Such conventional technology is
As disclosed in Berwick et al. US Pat. No. 4,023,061.
However, something like this poses another problem. The device disclosed in the above-mentioned Berwick patent controls the voltage applied to the control grid such that during low power operation only a small diameter beam of the beam emitted from the cathode passes. This makes the space charge density at low output equal to the space charge density at high output. However, narrowing the electron beam at these low powers reduces interaction with radio frequency signals within the TWT's circuit cavity. Radio frequency signals amplified within the cavity generate an axially extended cylindrical electric field concentric with the hollow cylindrical beam tube. For the radio frequency signal to be amplified, electrons within the beam tube must interact with the concentric electric field. However, due to its inherent characteristics, this electric field is concentrated on the inner peripheral surface of the cavity of the electron beam tube. Therefore, if the diameter of the beam is reduced, it will no longer interact with this radio frequency signal since it is much smaller than the diameter of the beam tube. above
The grid structure disclosed in the Berwick patent suffers from these interactions, typically reducing electrical efficiency by as much as 50% at low power. Additionally, the structure disclosed in Berwick's US patent had a flaw in the physical configuration of the grid structure. This control grid consists of two concentric grids. This inner grid has a smaller diameter and provides control at low power. Also,
These two grids cover a large area and
Provides control during high output. The two grids are physically and electrically isolated, with the support members of the inner grid positioned across the flow of electrons emitted at high power. Therefore, this support member obstructs the flow of electrons at high outputs and disturbs the electron radiation pattern at high outputs. In these conventional devices, the beam diameter at low output is smaller than the beam diameter at high output, resulting in lower electronic efficiency at low output. In addition, the grid structure of this electron gun has a problem in that the first control grid is supported concentrically with respect to the second control grid, which disturbs the electron radiation pattern when the outer control grid is activated. It was hot. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to ensure that the diameter of the electron beam at low power is approximately equal to the diameter of the electron beam at high power, and the interaction between the beam at low power and RF energy is different from that of the electron beam at high power. The object of the present invention is to provide an electron gun having an efficiency comparable to that of interaction with RF energy. Another object of the present invention is to provide an electron gun in which the electron emission pattern is not disturbed by a support member in the electron beam stream at high output. For these and other purposes, features and advantages are achieved by a novel grid structure for an electron gun. This new grid structure has a shadow grid that is different from conventional shadow grids and is electrically and physically insulated from the cathode of the electron gun. The shadow grid of the present invention is
The electron gun is configured to have a potential higher or lower than the potential of the cathode depending on whether the electron gun is in a high output state or a low output state. This control grid is connected to a voltage adjustable power supply to switch between high and low power modes. Further, in the present invention, the voltage biases of the two grids can be adjusted separately and independently. Since this voltage is regulated and the control grid has an equal effective area in both high and low power modes, the diameter of the electron beam in both high and low power modes is approximately be equal. Also, unlike the two control grids disclosed in the Berwick patent mentioned above, only one control grid is provided, so that support members etc. in the flow of the beam are provided. The flow of electrons is not disturbed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の電子銃とグリツドの構造を示
す概略図で、高出力時と低出力時のビームを特に
示してある; 第2図は一般的な陰極の斜視図; 第3図は低出力時のTWTの制御をなす従来の
制御グリツドを示す図; 第4図は高出力時のTWTの制御をなす制御グ
リツドを示す第3図に対応した図; 第5図は本発明の電子銃とグリツド構造の部分
的な断面図; 第6図は本発明のシヤドーグリツドとこれに対
応する制御グリツドの端面図である。 発明の詳細な説明 本発明の特徴をより理解するため、まず始めに
第1図ないし第4図に概略的に示す従来の複モー
ドTWTおよび関連する電子銃の構造および作用
を説明する。 この典型的な複モード電子銃は電気加熱形の陰
極要素100を備え、この陰極要素はその凹面状
の放射面102から電子を放射するように構成さ
れ、この放射面は球面、回転放物面または回転双
曲面から形成されている。この陰極要素100は
たとえばバリウムを含浸させたタングステン材料
から形成されている。また、グリツド構造体は、
接続部材112を会して陰極102に接続された
シヤドーグリツド110と、径方向外側制御グリ
ツド120および径方向内側制御グリツド130
とから構成されており、これらは上記放射面10
2からの電子の放出を制御する。この放射面から
電子が放射され、上記のグリツド構造体を通過し
た後、この電子は集束電極140によつてビーム
状に集束され、また加速陽極150によつて加速
される。そして、この後このビームは第1図に示
すTWT回路160内に入射する。 このTWT回路内に入射する電子ビームの物理
的特性は、上記のグリツド構造体の形状と、この
グリツド要素すなわちシヤドーグリツド110お
よび制御グリツド120,130に印加するバイ
アス電圧によつて略決定される。第1図に示すよ
うに、低出力時の電子ビームの直径DLは高出力
時の電子ビームの直径DLよりはるかに小さい。
この直径の差は第3図および第4図にそれぞれ示
す制御グリツド120,130の形状、寸法の差
によるものである。 上記の制御グリツド130は、外側に配置され
た環状の取付け部材132と中央の円形のグリツ
ド部材134と、これを上記の取付け部材132
に支持接続する放射状部材136とから構成され
ている。また、上記の制御グリツド120は外側
に設けられた環状の取付け部材122と、中央の
円形の開口124とから構成されている。こ取付
け部材122の内側には環状のグリツド部材12
6が設けられ、上記の開口124を形成してい
る。この開口124は上記のグリツド部材134
より僅かに大きく、またこのグリツド部材126
とグリツド部材134は上記陰性100の放射面
102全体の面積と略等しい面積を占めている。
このグリツド部材134の面積は上記陰極100
の中央部分104の面積に略対応し、また上記環
状のグリツド部材126の面積は陰極100の環
状部分106と略等しく構成されている。 この第1図に示す電子銃を低出力モードで作動
させる場合には、まず陰極100を加熱して電子
を放射させる。また上記の制御グリツド130を
この陰極100に対して正電圧にバイアスする。
これによつて、陰極100の中央部分104から
放射された電子は引付けられる。また、上記の制
御グリツド120は陰極100に対して負の電圧
にバイアスされる。よつてこの陰極の環状部分1
06から放出された電子がこのグリツド構造体を
通過して流れるのを抑制する。したがつて、低出
力モードではこの陰極100の中央部分104か
ら放出された電子のみで電子ビームが形成され
る。よつて、この電子ビームの直径DLは第1図
に示すように比較的小さい。このため、このビー
ムの直径DLはTWT回路160の壁によつて形成
されるビーム管の直径よりはるかに小さく、この
電子ビームとrfエネルギ(主として壁の近傍に集
中する)との相互作用が減少し、高出力モード時
の相互作用の効率の50%程度まで低下する。 また、高出力モードで作動させる場合には、両
方の制御グリツド120,130をいずれも陰極
100に対して正のバイアス電圧を印加する。し
たがつて、グリツド部材134は陰極100の中
央部分104から放出される電子を引付け、また
グリツド部材126は陰極100の環状部分10
6から放出される電子を引き付ける。したがつ
て、高出力モード時には、これらグリツド部材1
34,126の両方によつて陰極100の放出面
102全体から放出された電子が引付けられる。
この高出力モード時の電子ビームの直径DLは第
1図に示す如く充分に大きい。このように直径の
大きな電子ビームはTWT回路160の壁の近傍
に集中しているrfエネルギとより効率的に相互作
用する。しかし、この高出力時には、陰極100
の環状部分106から放出された電子は制御グリ
ツド120の環状グリツド134に引付けられて
これを通過したのち、制御グリツド130の支持
部材136を通過しなければならない。この支持
部材136は制御グリツド120に引寄せられた
電子の経路内にあるので、この電子の流れと干渉
してこれを乱し、高出力時の電子ビームのパター
ンを乱す。 また、この従来のシヤドーグリツド110は高
出力作動時に制御グリツド120,130を過熱
や溶融から保護する。 このシヤドーグリツド110は、上記の制御グ
リツド120,130の形状と合致する形状に形
成されている。したがつて、このシヤドーグリツ
ド110は外側に配置された環状の取付け部材
と、上記グリツド134,126と合致する形
状、寸法のグリツドを備えている。このシヤドー
グリツド110の径方向に延長されたグリツド部
材は上記制御グリツド130の径方向グリツド部
材137および制御グリツド120の径方向グリ
ツド部材127にそれぞれ合致するように構成さ
れている。また、同様に、このシヤドーグリツド
110の周方向に延長されている部材は上記制御
グリツド130,120の周方向に延長されてい
る部材138,128とそれぞれ合致するように
構成されている。このシヤドーグリツド110は
陰極100と同じ電位となるようにこれに接続さ
れている。 高出力モードで作動する場合には、この電子ビ
ーム電流は約4アンペアである。この制御グリツ
ド120,130の周方向および放射状のグリツ
ド部材の面積は電子放射面102の約10%であ
る。したがつて、このビーム電流の10%すなわち
0.4アンペアはこの2個の制御グリツドに遮られ
る。この高出力モード時には、この制御グリツド
は陰極より300ボルト高い電圧が印加されている
ので、この制御グリツドで消費される電力は約
120ワツトである。この電力はこの制御グリツド
でただちに発散されるものではなく、この制御グ
リツドが過熱したり溶融したりする。しかし、こ
の電子放射面102と制御グリツド120,13
0との間にはシヤドークリツド110が配置され
ているので、この電子放射面102から放射され
た電子はこのシヤドーグリツドの周方向グリツド
部材および放射状グリツド部材に衝突しこの電位
の低いシヤドーグリツド110によつて消滅され
る。したがつて、この制御グリツドの周方向グリ
ツド部材および放射状グリツド部材の対応した最
少限の電子が遮られる。このシヤドーグリツド1
10は電子ビームの10%(すなわち0.4アンペア)
を遮り、制御グリツト120,130をシールド
する。このシヤドーグリツド110は電子放射面
102に対して零電位であるので、電力を消費し
ない。 以上、従来の電子銃およびそのグリツド構造の
作動と特性について説明したが、以下、第5図お
よび第6図を参照して本発明のグリツド構造の特
徴と長所について説明する。 この第5図に示す電子銃は陰極とグリツドの構
造が異なる他は前記の第1図の電子銃と同様な構
成である。第5図に示した電子銃には電子放射面
102を有する過熱された陰極が設けられてい
る。そして、放射された電子は制御グリツドによ
つて制御され、集束電極140および加速電極1
50に移動する。そして、この電子ビームは
TWT回路内に入射する。本発明のグリツド構造
は従来の複モードTWTに使用されるグリツド構
造とは数々の点で相違している。 本発明のシヤドーグリツド210を第6図に示
す。このグリツドは環状の取付け部材212およ
び導電性の内側グリツド構造体213から構成さ
れている。このグリツド構造体213は互いに交
差する複数の放射状部材214と周方向部材21
6とから構成されている。これらの部材214お
よび216はモリブデン材料で形成され、互いに
交差して複数の0.100インチ×0.060インチの開口
218を形成している。このシヤドーグリツド2
10は陰極100とは電気的および機械的に絶縁
して設けられている。したがつて、このシヤドー
グリツド210は電気的にバイアスをかけること
が可能であり、可変電圧電源によつて上記の陰極
100とは異なる電位でかつTWTのモードに対
応してこの陰極100の電位に対して高くまたは
低い電圧を印加することができるように構成され
ている。このシヤドーグリツト210は第1図の
シヤドーグリツド110と同様に制御グリツド
(第5図の220)のシードルの作用をなす。こ
のシヤドーグリツド210の特徴は陰極100と
は電気的および機械的に絶縁して設けられ、この
陰極とは別の電位で作動する点にある。このシヤ
ドーグリツド110は一般には電子放射面102
から軸方向に約0.003インチ(0.0762mm)離れて
いる。 制御グリツド220はその取付け部材がシヤド
ーグリツド210のそれより幅広の点をのぞいて
このシヤドーグリツド210と同様な構成であ
る。この制御グリツド220のグリツド面積はシ
ヤドーグリツド210のグリツド面積と等しい。
また、この制御グリツド220の放射状グリツド
部材および周方向グリツド部材はシヤドーグリツ
ド210の放射状グリツド部材214と周方向グ
リツド部材216に合致するように整列されてい
る。したがつて、前記シヤドーグリツド110が
制御グリツド120,130をシールドしたよう
に、このシヤドーグリツド210も制御グリツド
220をシールドして保護する作用をなす。シヤ
ドーグリツド210と制御グリツド220の放射
状グリツド部材および周方向グリツド部材につい
て「整列」なる語を使用した場合には、これら部
材がビーム内の電子の流れ方向に対して平行な方
向に配列され、この制御グリツド220が電子に
さらされないように配置されていることを意味す
る。 グリツドが電気ビームの等電位面にその位置お
よび電位が一致した場合には、このグリツドによ
つてこの電子の軌跡が乱されないことは知られて
いる(このグリツドに衝突した電子は除く)。こ
のグリツドは電子ビームに対して「透明」となる
(“An Ultra−Laminar Terode Gun for High
Duty Cycle Applications”Richard True著、
IEEE IEDM、286〜289頁、1979年 参照)。作
動中のシヤドーグリツド210は僅かに正電位に
維持され、上記の原理に従つた位置に位置され、
高い品質のビームが得られる。このシヤドーグリ
ツド210および制御グリツド220は共にビー
ムに対しては透明である。この電子銃はグリツド
の無い電子銃と同様に作動する。よつて、この高
出力作動時には良好に集束された層状のビームが
得られる。また、このシヤドーグリツドは低い電
圧で作動するので、このビーム電流を遮ることに
よる加熱が少ない。 また、低出力モードの場合には、このシヤドー
グリツド210は陰極100に対して僅かに負の
電位に維持される。この陰極100に対すねシヤ
ドーグリツドの位置は変化しない。このシヤドー
グリツドはもはや「透明」な位置にはない。この
シヤドーグリツドは僅かに負のバイアス電圧が印
加されているので、放出された電子電流は減少す
る。よつて、このグリツドの直径を減少させずに
このビームの空間電荷密度を減少できる。しか
し、この僅かに負バイアスのかかつたこのシヤド
ーグリツド210によつてこのグリツドを通過す
る電子の軌跡は乱される。以後の高度の層状の軌
跡の代りに、この負にバイアスされたシヤドーグ
リツド210によつて上記放射された電子に大き
な横断方向の速度成分が与えられる。このビーム
の横断方向の運動エネルギの増加によつて“ビー
ム横断温度”が上昇する。このビーム横断温度の
上昇によつて空間電荷密度が減少し、これによつ
て反対にこのビームを圧縮する磁界が生じる。ま
た、この低出力時のビーム横断温度の上昇によつ
て、この空間電荷密度の減少に対抗し、この低出
力時のビームの直径を高出力時のビームの直径と
略等しく維持することが可能となる。このような
現象は、”Optical Theory of Thermal
Velocity Effects in Cylindrical Beams”、G.
Herrmann著、1958年の「Journal of Appliud
Physics」のVol.29、127頁に開示されている
Hermannのoptical theoryとして知られている。 磁界中の熱ビームの釣合い半径R(Hermannの
半径)はBrillouin半径RBR、ビーム温度T、集束
磁界B、および極の位置におけるこの集束磁界を
BCとすると: =RBR[1/2+1/2(B2Cr4
C/B2R4BR+2kmTr2C/e2B2R4BR1/21/2……
(1) となる。ここで、K、eおよびmはそれぞれ
Boltzman定数、電子の電荷、質量である。ま
た、この電子銃の陰極の半径はrCである。 また、上記のRBRは空間電荷効果に関連し、よ
つて: B2R2 BR=√2PΦ/πεO(e/m)3/2 ……(2) となる。ここでPは空間電荷制限電流、εOは自由
空間の絶対誘電率(8.855×10 フアラツド/m)
およびΦはビーム電圧である。上記(1)および(2)式
は“Verfication and use of Harmann′s
Optical Theory of Thermal Verocity Effects
in Electron Beams in the Low Perveance
Rqgin”、K.Amboss著、IEEE Trans.ED、
Vol.11、479頁(1964年)に開示されている。 典型的な複モードXバンドTWTでは、空間電
荷制限電流は高出力モード時のP=1.0μPから低
出力モード時のP=0.2μPまでの範囲で変化する。
この他の高出力モード時および低出力モード時の
変数は第1表に示す。
Figure 1 is a schematic diagram showing the structure of a conventional electron gun and grid, with particular attention to the beams at high and low powers; Figure 2 is a perspective view of a typical cathode; A diagram showing a conventional control grid that controls the TWT during output; Figure 4 is a diagram corresponding to Figure 3 showing a control grid that controls the TWT during high output; Figure 5 shows the electron gun of the present invention. and a partial cross-sectional view of the grid structure; FIG. 6 is an end view of the shadow grid and corresponding control grid of the present invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In order to better understand the features of the present invention, the structure and operation of a conventional multi-mode TWT and associated electron gun, schematically shown in FIGS. 1-4, will first be described. This typical multimode electron gun includes an electrically heated cathode element 100 configured to emit electrons from its concave emitting surface 102, which may be spherical, paraboloid of revolution, etc. or formed from a hyperboloid of revolution. The cathode element 100 is made of tungsten material impregnated with barium, for example. Also, the grid structure is
A shadow grid 110 connected to the cathode 102 through a connecting member 112, a radially outer control grid 120 and a radially inner control grid 130.
These are composed of the radiation surface 10
Controls the emission of electrons from 2. Electrons are emitted from this emitting surface and, after passing through the grid structure described above, are focused into a beam by a focusing electrode 140 and accelerated by an accelerating anode 150. After this, this beam enters the TWT circuit 160 shown in FIG. The physical characteristics of the electron beam incident on the TWT circuit are determined approximately by the geometry of the grid structure and the bias voltages applied to the grid elements, shadow grid 110 and control grids 120, 130. As shown in FIG. 1, the diameter D L of the electron beam at low power is much smaller than the diameter D L of the electron beam at high power.
This difference in diameter is due to the difference in shape and size of control grids 120 and 130 shown in FIGS. 3 and 4, respectively. The control grid 130 includes an outer annular mounting member 132 and a central circular grid member 134, which is connected to the mounting member 132.
and a radial member 136 supporting and connecting to the radial member 136. The control grid 120 also includes an outer annular mounting member 122 and a central circular opening 124. An annular grid member 12 is provided inside the mounting member 122.
6 is provided to form the opening 124 described above. This opening 124 is connected to the grid member 134 described above.
This grid member 126 is slightly larger than
The grid member 134 occupies an area approximately equal to the entire area of the radiation surface 102 of the negative 100.
The area of this grid member 134 is the area of the cathode 100.
The area of the annular grid member 126 is approximately equal to the area of the annular portion 106 of the cathode 100. When the electron gun shown in FIG. 1 is operated in a low output mode, the cathode 100 is first heated to emit electrons. The control grid 130 is also biased to a positive voltage with respect to the cathode 100.
This attracts electrons emitted from the central portion 104 of the cathode 100. Also, the control grid 120 described above is biased to a negative voltage with respect to the cathode 100. Therefore, the annular part 1 of this cathode
Electrons emitted from 06 are inhibited from flowing through this grid structure. Therefore, in the low power mode, only the electrons emitted from the central portion 104 of the cathode 100 form an electron beam. Therefore, the diameter D L of this electron beam is relatively small as shown in FIG. Therefore, the diameter D L of this beam is much smaller than the diameter of the beam tube formed by the walls of the TWT circuit 160, and the interaction of this electron beam with the rf energy (mainly concentrated near the walls) is The interaction efficiency decreases to about 50% of that in high power mode. Also, when operating in high power mode, both control grids 120 and 130 apply a positive bias voltage to the cathode 100. Thus, grid member 134 attracts electrons emitted from central portion 104 of cathode 100, and grid member 126 attracts electrons emitted from central portion 104 of cathode 100.
Attracts electrons emitted from 6. Therefore, in high output mode, these grid members 1
Electrons emitted from the entire emission surface 102 of the cathode 100 are attracted by both 34 and 126.
The diameter D L of the electron beam in this high power mode is sufficiently large as shown in FIG. This larger diameter electron beam interacts more efficiently with the rf energy concentrated near the walls of the TWT circuit 160. However, at this high output, the cathode 100
The electrons emitted from the annular portion 106 of the control grid 120 are attracted to and must pass through the annular grid 134 of the control grid 120 before passing through the support member 136 of the control grid 130. Since the support member 136 is in the path of the electrons attracted to the control grid 120, it interferes with and disrupts the flow of electrons, thereby disrupting the electron beam pattern at high power. This conventional shadow grid 110 also protects the control grids 120, 130 from overheating and melting during high power operation. The shadow grid 110 is shaped to match the shape of the control grids 120, 130 described above. Accordingly, the shadow grid 110 includes an externally disposed annular mounting member and a grid shaped and dimensioned to match the grids 134 and 126 described above. The radially extending grid members of shadow grid 110 are configured to mate with radial grid members 137 of control grid 130 and radial grid members 127 of control grid 120, respectively. Similarly, the circumferentially extending members of shadow grid 110 are configured to mate with circumferentially extending members 138 and 128 of control grids 130 and 120, respectively. This shadow grid 110 is connected to the cathode 100 so that it is at the same potential. When operating in high power mode, this electron beam current is approximately 4 Amps. The area of the circumferential and radial grid members of the control grids 120, 130 is approximately 10% of the electron emitting surface 102. Therefore, 10% of this beam current i.e.
0.4 amps are intercepted by these two control grids. In this high power mode, the control grid is powered 300 volts higher than the cathode, so the power dissipated by the control grid is approximately
It is 120 watts. This power is not immediately dissipated in the control grid, causing it to overheat and melt. However, this electron emitting surface 102 and control grids 120, 13
Since a shadow grid 110 is disposed between the electron emission surface 102 and the electron emitting surface 102, the electrons collide with the circumferential grid members and radial grid members of this shadow grid and are annihilated by the shadow grid 110, which has a low potential. be done. A corresponding minimum number of electrons in the circumferential and radial grid members of this control grid is therefore blocked. This shadow grid 1
10 is 10% of the electron beam (i.e. 0.4 amps)
and shield control grits 120 and 130. Since this shadow grid 110 is at zero potential with respect to the electron emitting surface 102, no power is consumed. The operation and characteristics of the conventional electron gun and its grid structure have been described above.The features and advantages of the grid structure of the present invention will now be described with reference to FIGS. 5 and 6. The electron gun shown in FIG. 5 has the same structure as the electron gun shown in FIG. 1 above, except that the cathode and grid structures are different. The electron gun shown in FIG. 5 is equipped with a heated cathode having an electron emitting surface 102. The electron gun shown in FIG. The emitted electrons are then controlled by the control grid, focusing electrode 140 and accelerating electrode 1.
Move to 50. And this electron beam
Inject into the TWT circuit. The grid structure of the present invention differs from grid structures used in conventional multimode TWTs in a number of ways. A shadow grid 210 of the present invention is shown in FIG. The grid consists of an annular mounting member 212 and an electrically conductive inner grid structure 213. This grid structure 213 includes a plurality of radial members 214 and circumferential members 21 that intersect with each other.
It consists of 6. These members 214 and 216 are formed of molybdenum material and intersect each other to form a plurality of 0.100 inch by 0.060 inch openings 218. This shadow grid 2
10 is provided electrically and mechanically insulated from the cathode 100. This shadow grid 210 can therefore be electrically biased and set to a potential different from that of the cathode 100 by means of a variable voltage power supply and corresponding to the mode of TWT. The structure is such that a high or low voltage can be applied. This shadow grid 210 acts as a seed for a control grid (220 in FIG. 5) similar to shadow grid 110 in FIG. 1. The feature of this shadow grid 210 is that it is provided electrically and mechanically insulated from the cathode 100 and operates at a different potential from the cathode. This shadow grid 110 generally includes an electron emitting surface 102.
approximately 0.003 inch (0.0762 mm) axially away from the Control grid 220 is of similar construction to shadow grid 210 except that its mounting member is wider than that of shadow grid 210. The grid area of control grid 220 is equal to the grid area of shadow grid 210.
The radial and circumferential grid members of the control grid 220 are also aligned to match the radial and circumferential grid members 214 and 216 of the shadow grid 210. Therefore, just as the shadow grid 110 shields the control grids 120 and 130, the shadow grid 210 also serves to shield and protect the control grid 220. When we use the term "aligned" to refer to the radial and circumferential grid members of shadow grid 210 and control grid 220, we mean that these members are aligned in a direction parallel to the direction of flow of electrons in the beam; This means that the grid 220 is arranged so that it is not exposed to electrons. It is known that if the grid matches its position and potential to the equipotential surface of the electric beam, the trajectory of the electrons will not be disturbed by the grid (except for the electrons that collide with the grid). This grid becomes “transparent” to the electron beam (“An Ultra-Laminar Terode Gun for High
Duty Cycle Applications” by Richard True
IEEE IEDM, pp. 286-289, 1979). During operation, the shadow grid 210 is maintained at a slightly positive potential and positioned according to the principles described above,
A high quality beam can be obtained. Both the shadow grid 210 and the control grid 220 are transparent to the beam. This electron gun operates like a gridless electron gun. Therefore, a well-focused layered beam is obtained during this high power operation. Also, because the shadow grid operates at a lower voltage, there is less heating due to blocking the beam current. Also, in the low power mode, the shadow grid 210 is maintained at a slightly negative potential with respect to the cathode 100. The position of the shadow grid relative to this cathode 100 does not change. This shadow grid is no longer in a "transparent" position. Since a slightly negative bias voltage is applied to this shadow grid, the emitted electron current is reduced. Thus, the space charge density of the beam can be reduced without reducing the diameter of the grid. However, this slightly negatively biased shadow grid 210 disturbs the trajectory of electrons passing through the grid. Instead of a subsequent highly laminar trajectory, this negatively biased shadow grid 210 imparts a large transverse velocity component to the emitted electrons. This increase in transverse kinetic energy of the beam increases the "beam transverse temperature." This increase in cross-beam temperature reduces the space charge density, which in turn creates a magnetic field that compresses the beam. Additionally, this increase in cross-beam temperature at low power counteracts this decrease in space charge density, making it possible to maintain the beam diameter at low power approximately equal to the beam diameter at high power. becomes. This phenomenon is explained by “Optical Theory of Thermal
“Velocity Effects in Cylindrical Beams”, G.
Herrmann, 1958, Journal of Appliud
Physics” Vol. 29, page 127.
It is known as Hermann's optical theory. The balance radius R (Hermann's radius) of a thermal beam in a magnetic field is the Brillouin radius R BR , the beam temperature T, the focusing field B, and this focusing field at the position of the pole.
If B C : =R BR [1/2 + 1/2 (B 2 / C r 4
/ C / B 2 R 4 / BR +2kmT r2 / C / e 2 B 2 R 4 / BR ) 1/2 ] 1/2 ...
(1) becomes. Here, K, e and m are respectively
Boltzman constant, electron charge, and mass. Also, the radius of the cathode of this electron gun is r C. Moreover, the above R BR is related to the space charge effect, and therefore: B 2 R 2 BR =√2PΦ/πε O (e/m) 3/2 ...(2). where P is the space charge limited current and ε O is the absolute permittivity of free space (8.855×10 farads/m)
and Φ is the beam voltage. Equations (1) and (2) above are “Verfication and use of Harmann′s
Optical Theory of Thermal Velocity Effects
in Electron Beams in the Low Perveance
Rqgin”, K.Amboss, IEEE Trans.ED,
Vol. 11, page 479 (1964). In a typical multimode X-band TWT, the space charge limited current varies from P=1.0 μ P in high power mode to P=0.2 μ P in low power mode.
Other variables in the high output mode and in the low output mode are shown in Table 1.

【表】【table】

【表】 この第1表の値を用いて前記(1)、(2)式を解いた
結果を第2表に示す。この第2表中、Tを零とし
たときに制限半径をRとし、またBCを零とした
ときに温度半径をRとしてある。
[Table] Table 2 shows the results of solving equations (1) and (2) above using the values in Table 1. In Table 2, when T is zero, the limit radius is R, and when BC is zero, the temperature radius is R.

【表】 この第2表から明らかなように、P=1.0、T
=1400°Kの高出力モード時およびP=0.2、T=
18000°Kの低出力モード時の両方においてビーム
半径が略等しくなる。この分析結果は、#162
CGH−P形の標準電子銃を改造し、シヤドーグ
リツド210に陰極100に対して僅かな(±
50V)の正または負の電圧が印加されるようにし
たものである。また、この改造した電子銃は
Hughes Aircraft社製の8725形標準TWTに装着
した。 高出力モード時にはこのTWTは−25000Vの陰
極に対して10ボルトの正電圧が印加される。ま
た、制御グリツド220は−24699ボルトに設定
され(すなわち陰極に対して301Vの正電圧)、4
アンペアの通常作動電流が流れる。最上のビーム
伝達は82.5%が達成される。この伝達効率はシヤ
ドーグリツドが陰極に電気的に接続された改造前
の電子銃の伝達効率に匹敵する。また、9.7から
9.9GHZの帯域でRFパワーは15KWが達成され
る。 また、低出力モード時には、ビーム電流が1ア
ンペアに減少され、またシヤドーグリツド210
の電位が−25040ボルト(すなわち陰極に対して
115Vの正電圧)に設定される。ビーム伝達は90
%、rfの伝達は88%が達成される。これに対し
て、図示する従来のPPM形TWTでは、高出力時
のビーム伝達が92%に対し、低出力時のビーム伝
達が50%である。 したがつて、シヤドーグリツドと制御グリツド
の2個のグリツドを備えた複モード電子銃が得ら
れる。のシヤドーグリツドは可変電圧電源に接続
され、陰極に対して僅かに正または負の電圧に維
持される。低出力モード時には、このシヤドーグ
リツドは陰極に対して僅かに負の電圧(40ボルト
の負電圧)に維持され、これによつてビーム横断
温度を増加させ、空間電荷密度の減少を補償す
る。よつて、この電子ビームは磁界の集束力に抗
してその直径を維持できる。また、本発明の特徴
は、既在の電子銃(すなわち単モード電子銃)を
複モード電子銃に改造できることにある。まず、
このシヤドーグリツドを陰極から切離し、この陰
極とは異なる電圧すなわち可変電圧電源によつて
供給される電圧に維持できるようにする。次に、
このシヤドーグリツドおよび制御グリツドの電圧
をビーム横断温度が上昇するように制御する。ま
た、印加電圧が調整でき、互いに離間した複数の
“シヤドーグリツド”を設ければ、複数の出力モ
ード(すなわち3個の出力モード)形の電子銃が
達成できる。 以上、本発明を第1図ないし第6図を参照して
説明したが、これらの図および実施例は本発明の
説明だけのものである。当業者であれば、本発明
の要旨を逸脱しない範囲で構造、材料等を変更で
きる。本発明の特徴は以下の請求の範囲によつて
限定される。
[Table] As is clear from this second table, P = 1.0, T
= 1400°K high output mode and P = 0.2, T =
The beam radius is approximately the same in both low power modes at 18000°K. This analysis result is #162
A CGH-P type standard electron gun was modified, and the shadow grid 210 had a slight (±)
A positive or negative voltage (50V) can be applied. Also, this modified electron gun
It was installed on the 8725 standard TWT made by Hughes Aircraft. In high power mode, this TWT has a positive voltage of 10 volts applied to the -25000 volt cathode. Control grid 220 is also set to -24699 volts (i.e. 301 V positive voltage with respect to the cathode) and 4
A normal operating current of amperes flows. The best beam transmission is achieved at 82.5%. This transfer efficiency is comparable to that of an unmodified electron gun in which the shadow grid was electrically connected to the cathode. Also, from 9.7
RF power of 15KW is achieved in the 9.9GHZ band. Also, in low power mode, the beam current is reduced to 1 amp and the shadow grid 210 is
potential of -25040 volts (i.e. with respect to the cathode)
115V positive voltage). Beam transmission is 90
%, RF transmission is achieved by 88%. On the other hand, in the conventional PPM type TWT shown in the figure, beam transmission is 92% at high output, and 50% at low output. A multimode electron gun is thus obtained with two grids, a shadow grid and a control grid. The shadow grid is connected to a variable voltage power supply and maintained at a slightly positive or negative voltage with respect to the cathode. In low power mode, this shadow grid is maintained at a slightly negative voltage (40 volts negative) with respect to the cathode, thereby increasing the beam cross temperature and compensating for the reduction in space charge density. Therefore, this electron beam can maintain its diameter against the focusing force of the magnetic field. Another feature of the present invention is that an existing electron gun (ie, a single-mode electron gun) can be modified into a multi-mode electron gun. first,
The shadow grid is decoupled from the cathode so that it can be maintained at a different voltage than the cathode, ie, at a voltage supplied by a variable voltage power supply. next,
The voltages on the shadow grid and the control grid are controlled such that the cross-beam temperature increases. Also, by providing a plurality of spaced apart "shadow grids" with adjustable applied voltages, a multi-output mode (ie three output mode) type electron gun can be achieved. Although the present invention has been described above with reference to FIGS. 1 to 6, these figures and embodiments are only for illustrating the present invention. Those skilled in the art can change the structure, materials, etc. without departing from the gist of the present invention. The features of the invention are limited by the scope of the following claims.

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