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JPH0476142B2 - - Google Patents
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JPH0476142B2 - - Google Patents

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JPH0476142B2
JPH0476142B2 JP61116457A JP11645786A JPH0476142B2 JP H0476142 B2 JPH0476142 B2 JP H0476142B2 JP 61116457 A JP61116457 A JP 61116457A JP 11645786 A JP11645786 A JP 11645786A JP H0476142 B2 JPH0476142 B2 JP H0476142B2
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JP
Japan
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data
area
power
save
evacuation
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Hajime Sugiura
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 半導体フアイル装置であつて、半導体フアイル
装置を構成する半導体メモリへの電源が切断時、
半導体メモリに記憶しているデータをマイクロデ
イスク等の退避機構に退避させ、電源投入時に退
避したデータをそのままの形式で復元していたの
に対して、退避機構に退避させた時の状態情報に
応じて、複数の復元形態で復元するように構成す
ることにより、退避データのきめこまかな管理・
復元を可能とする。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] In a semiconductor file device, when power to a semiconductor memory constituting the semiconductor file device is cut off,
Previously, data stored in semiconductor memory was evacuated to an evacuation mechanism such as a microdisk, and the evacuated data was restored in its original format when the power was turned on. Depending on the situation, you can perform detailed management and management of saved data by configuring it to be restored in multiple restoration formats.
Enables restoration.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明は、情報処理システムを構成する中央処
理装置から高速アクセスが可能な半導体フアイル
装置に関する。
The present invention relates to a semiconductor file device that can be accessed at high speed from a central processing unit constituting an information processing system.

最近、情報処理システムの外部記憶装置として
使用されるようになつて来た半導体フアイル装置
では、その記憶素子に半導体メモリを使用するこ
とによつて、従来の例えば磁気デイスク装置のよ
うに機械的な機構を有するフアイル装置に比べ
て、数十倍のアクセス速度を実現することが可能
となつている。
Semiconductor file devices, which have recently come to be used as external storage devices for information processing systems, use semiconductor memory for their storage elements, making them more mechanically efficient than conventional magnetic disk devices, for example. It has become possible to achieve access speeds several tens of times faster than file devices with this mechanism.

しかし、一方、半導体フアイル装置に使用され
る半導体メモリは、通常揮発性素子であり、これ
をデータ不揮発性を有するフアイル装置とするた
めには、装置電源切断に先立つてメモリ素子上の
データを、例えばマイクロデイスク等に相当する
不揮発性記憶素子(又は装置)に退避させる必要
がある。
However, on the other hand, semiconductor memory used in semiconductor file devices is usually a volatile element, and in order to make this a file device with data non-volatility, the data on the memory element must be saved before the device power is turned off. For example, it is necessary to save the data to a nonvolatile storage element (or device) corresponding to a microdisk or the like.

この状態で装置電源切断の間、データの不揮発
生を保証し、電源再投入時に不揮発性記憶素子
(又は装置)からデータをメモリ素子上に復元す
ることになる。
In this state, nonvolatile generation of data is guaranteed while the device power is turned off, and data is restored from the nonvolatile storage element (or device) onto the memory element when the power is turned on again.

かかる半導体フアイル装置でのデータ復元を退
避時の状態に応じて、きめこまかく処理すること
が半導体フアイル装置を効率的に使用する上で重
要とある。
It is said that it is important to perform data restoration in such a semiconductor file device in a detailed manner depending on the state at the time of saving in order to use the semiconductor file device efficiently.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第6図は従来例を説明するブロツク図を示す。
第6図はデータの入出力処理を行う情報処理シス
テムの構成概要を示し、その構成は、 プログラム等に基づき複数のチヤネル2に、そ
れぞれ接続されている半導体フアイル装置3への
データの入出力命令を発行し、処理させる中央処
理装置1と、 中央処理装置1から発行される命令に応じてそ
の制御下にある複数の半導体フアイル装置3に対
して命令の実行を指示するチヤネル2と、 チヤネル2の指示に基づきデータの入出力処理
を実行する半導体フアイル装置3等を具備して構
成されている。
FIG. 6 shows a block diagram illustrating a conventional example.
FIG. 6 shows an overview of the configuration of an information processing system that performs data input/output processing, and the configuration consists of data input/output commands to semiconductor file devices 3 connected to each of a plurality of channels 2 based on a program, etc. a central processing unit 1 that issues and processes instructions; a channel 2 that instructs a plurality of semiconductor file devices 3 under its control to execute instructions in response to instructions issued from the central processing unit 1; The semiconductor file device 3 is configured to include a semiconductor file device 3, etc., which executes data input/output processing based on instructions.

又、半導体フアイル装置3は、中央処理装置1
又はチヤネル2からは磁気デイスク装置等と同様
な1つのフアイル装置と見倣して制御されるもの
であり、その構成は、 上位の装置(中央処理装置1やチヤネル2等)
とのデータや信号の遣り取りを制御する入出力制
御装置4と、 情報処理システムに必要な記憶容量に応じた複
数の半導体メモリ素子を持つて構成され、予め決
められた記録形式に従つてデータの読み/書きが
可能な半導体メモリ装置5と、 例えば、マイクロデイスク(MD)で構成し、
半導体メモリ装置5等に供給される電源が切断さ
れた場合、半導体メモリ装置5に記憶しているデ
ータを退避させ、電源切断の間そのデータを保証
する機能と、電源再投入時には半導体メモリ装置
5上に、そのデータを復元させる機能を有するデ
ータ退避/復元部6と、 図示していない電源装置からの電源切断信号a
及び電源投入信号bにより装置内の各機能ブロツ
ク4〜6に対して電源切断・投入に関する制御信
号を送出する電源切断・投入制御部7とから構成
されている。
Further, the semiconductor file device 3 is connected to the central processing unit 1.
Alternatively, it is controlled from channel 2 as if it were a single file device similar to a magnetic disk device, etc., and its configuration is as follows:
It is comprised of an input/output control device 4 that controls the exchange of data and signals with the information processing system, and a plurality of semiconductor memory elements corresponding to the storage capacity required for the information processing system, and stores data according to a predetermined recording format. Consisting of a readable/writable semiconductor memory device 5 and, for example, a microdisk (MD),
When the power supplied to the semiconductor memory device 5 etc. is cut off, the data stored in the semiconductor memory device 5 is saved, the data is guaranteed while the power is cut off, and the semiconductor memory device 5 is saved when the power is turned on again. At the top, there is a data save/restore unit 6 having a function of restoring the data, and a power cutoff signal a from a power supply device (not shown).
and a power-off/on control section 7 which sends control signals regarding power-off/on to each of the functional blocks 4 to 6 in the device in response to a power-on signal b.

上記のように構成される半導体フアイル装置3
は、通常電源投入信号bが入力すると、電源切
断・投入制御部7からは、それぞれに対して電源
投入完了と、処理開始可能を信号c〜eで通知さ
れる。
Semiconductor file device 3 configured as above
When the normal power-on signal b is input, the power-off/on control unit 7 notifies each of them that the power-on is complete and that processing can be started using signals c to e.

これにより、入出力制御装置4は上位のチヤネ
ル2に準備完了を報告し、チヤネル2からの処理
命令を持つ。
As a result, the input/output control device 4 reports completion of preparation to the upper channel 2 and receives a processing command from the channel 2.

次に、チヤネル2が中央処理装置1からの命令
により、例えば半導体フアイル装置3へデータの
書込み処理の命令を発行した場合、処理命令内容
(即ち、書込み処理命令)と半導体フアイル装置
5の記憶個所のアドレス及び記憶するデータを入
出力制御装置4に転送する。
Next, when the channel 2 issues a data write processing command to the semiconductor file device 3 based on a command from the central processing unit 1, the contents of the processing command (that is, the write processing command) and the storage location of the semiconductor file device 5 are transmitted. The address and data to be stored are transferred to the input/output control device 4.

入出力制御装置4はチヤネル2から転送して来
た情報に基づき、半導体フアイル装置5の指定ア
ドレスへ転送データの書込み処理を制御する。
Based on the information transferred from the channel 2, the input/output control device 4 controls the writing process of the transfer data to the designated address of the semiconductor file device 5.

このような処理中に、もし電源が何らかの理由
により切断(POWEWR Off)された場合は、電
源切断信号aに基づく電源切断・投入制御部7か
らの通知を、信号c〜eで入出力制御装置4及び
データ退避/復元部6が受ける。
During such processing, if the power is turned off (POWEWR Off) for some reason, a notification from the power-off/on control unit 7 based on the power-off signal a is sent to the input/output control device using signals c to e. 4 and the data save/restore unit 6 receive the data.

これにより、データ退避/復元部6は半導体フ
アイル装置5に記憶しているデータの退避処理
(データセーブ(DATA SAVE)処理)を入出
力制御装置4の制御のもとに実行する。
As a result, the data save/restore unit 6 executes a process to save data stored in the semiconductor file device 5 (data save process) under the control of the input/output control device 4.

即ち、データ退避/復元部6は半導体フアイル
装置5に記憶されている全てのデータを信号線f
を通じて所定時間内にセーブ(SAVE)処理し、
それらのデータを電源断の間保持する。
That is, the data save/restore unit 6 transfers all data stored in the semiconductor file device 5 to the signal line f.
Save (SAVE) processing within a predetermined time through
The data is retained during power-off.

次に、電源投入信号bにより、データ退避/復
元部6は入出力制御装置4の制御のもとに半導体
フアイル装置5へのデータ復元処理(リストア
(Restore)処理)を実行する。
Next, in response to the power-on signal b, the data save/restore unit 6 executes data restoration processing (restore processing) to the semiconductor file device 5 under the control of the input/output control device 4.

即ち、データ退避/復元部6にセーブされたま
まの状態で半導体フアイル装置5へセーブデータ
を移送し、半導体フアイル装置5上へリストアす
る。
That is, the saved data is transferred to the semiconductor file device 5 while being saved in the data save/restore unit 6, and is restored onto the semiconductor file device 5.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上述のように、データ退避/復元部6にセーブ
されたデータを半導体フアイル装置5上へ復元リ
ストアする場合は、セーブされたままの状態でリ
ストアするため、セーブする前にどうような状態
で半導体フアイル装置5へデータが書込まれてお
り、又どのようなセーブ状態であつたかが一切不
明となる。
As mentioned above, when restoring the data saved in the data evacuation/restoration unit 6 onto the semiconductor file device 5, the data is restored in the same state as it was saved. The data has been written to the file device 5, and it is completely unclear what kind of save state it was in.

従つて、半導体フアイル装置5上へリストアし
たデータが読取られ、所定処理を行つた結果でそ
のデータのセーブ時の状態を知ることになり、そ
れだけ情報処理システムの処理効率を低下させる
要因となつていた。
Therefore, the data restored on the semiconductor file device 5 is read and the state of the data at the time of saving is known as a result of predetermined processing, which becomes a factor that reduces the processing efficiency of the information processing system. Ta.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

第1図は本発明の原理を説明するブロツク図を
示す。
FIG. 1 shows a block diagram illustrating the principle of the invention.

第1図に示す本発明は、上位装置から位置情報
(アドレス)を任意に指定されることによつて、
予め決められた記録形式に従つてデータを読み/
書きする半導体メモリ装置5を備え、且つ前記半
導体メモリ装置5の電源切断の間、記憶している
データの不揮発性を保証するためのデータ退避機
構6を備えてなる半導体フアイル装置であつて、 前記データ退避機構6へ該データを退避させた
時の状態情報として、現退避処理時点の該状態情
報を不揮発化して記憶するカーレント領域と、旧
処理時点の状態情報を不揮発化して記憶するプレ
ビアス領域とを含み、該カーレント領域及びプレ
ビアス領域の状態情報に応じて該データの復元時
の処理を制御する制御記憶手段80を設け、 電源投入の際、前記カーレント領域に“退避デ
ータ無し”を書込んだ後に前記半導体メモリ装置
5に対するデータのアクセスを行い、前記半導体
メモリ装置5への電源切断の際、前記データ退避
機構6へ該データの退避開始に先立つて前記カー
レント領域及びプレビアス領域に“退避中断終
了”を書込み、前記データが完全に退避された時
は前記カーレント領域及びプレビアス領域を“退
避完全終了”に書き変え、該データの退避途中で
中断した時は前記カーレント領域及びプレビアス
領域を“退避中断終了”のままとし、更に該デー
タの退避が全く行なわれなかつた時は前記カーレ
ント領域及びプレビアス領域は電源投入時の状態
情報のままとし、 電源投入によるデータ復元の際、前記制御記憶
手段80は前記カーレント領域及びプレビアス領
域に“退避完全終了”が書込まれていれば前記デ
ータ退避機構6に退避された前記データを前記半
導体メモリ装置5に復元し、“退避中断終了”が
書込まれている場合及び前記カーレント領域“退
避データ無し”が書込まれている場合はその状態
を前記上位装置へ通知するよう構成されている。
The present invention shown in FIG.
Read/read data according to a predetermined recording format
A semiconductor file device comprising a semiconductor memory device 5 for writing, and a data saving mechanism 6 for guaranteeing non-volatility of stored data while the semiconductor memory device 5 is powered off, the semiconductor file device comprising: As the status information when the data is saved to the data saving mechanism 6, there is a current area where the status information at the time of the current saving process is stored in a non-volatile manner, and a previous area where the status information at the time of the previous process is stored in a non-volatile manner. and a control storage means 80 for controlling processing at the time of restoring the data according to status information of the current area and the previous area, and writes "no save data" in the current area when the power is turned on. Afterwards, data is accessed to the semiconductor memory device 5, and when the power to the semiconductor memory device 5 is turned off, the data is saved in the current area and the previous area before starting to save the data to the data save mechanism 6. ” is written, and when the data is completely saved, the current area and previous area are rewritten as “evacuation complete”, and when the data is interrupted in the middle of saving, the current area and previous area are changed to “evacuation interrupted”. If the data is not saved at all, the current area and the previous area are left with the state information at the time of power-on, and when data is restored by power-on, the control storage means 80 is If "evacuation complete completion" is written in the current area and previous area, the data saved in the data evacuation mechanism 6 is restored to the semiconductor memory device 5, and "evacuation interruption complete" is written. If the current area "no save data" is written in the current area, the host device is configured to notify the state of the current area to the host device.

〔作用〕[Effect]

データ退避/復元部に半導体メモリ装置のデー
タをセーブさせた時の状態情報、即ち例えばアド
レス単位にエラーによるデータの有効/無効の表
示、セーブした時セーブデータ無しの状態か、セ
ーブ中断で終了した状態か、セーブが完全に終了
した状態か等に応じた各種の復元形態でリストア
する。
Status information when the data save/restore unit saves data in the semiconductor memory device, i.e. display of valid/invalid data due to an error in each address, whether there is no saved data at the time of saving, or whether the save ended due to interruption. It is restored in various restoration forms depending on the current state and whether the save has been completely completed.

このように、セーブデータ処理時の状態情報に
応じたきめこまかなリストア処理により情報処理
システムの効率的な処理が可能となる。
In this way, efficient processing of the information processing system is enabled by fine-grained restoration processing according to the status information at the time of save data processing.

〔実施例〕〔Example〕

以下本発明の要旨を第2図〜第5図に示す実施
例により具体的に説明する。
The gist of the present invention will be specifically explained below with reference to embodiments shown in FIGS. 2 to 5.

第2図は本発明の実施例を説明するブロツク
図、第3図は本発明の実施例における状態情報記
憶状況を説明する図、第4図は本発明例における
状態情報を説明する図、第5図は本発明の実施例
における電源切断/投入に伴う状態遷移を説明す
る図をそれぞれ示す。尚、全図を通じて同一符号
は同一対象物を示す。
FIG. 2 is a block diagram for explaining an embodiment of the present invention, FIG. 3 is a diagram for explaining the state information storage situation in the embodiment of the present invention, FIG. 4 is a diagram for explaining state information in the example of the present invention, and FIG. FIG. 5 shows diagrams each illustrating state transitions associated with power-off/power-on in the embodiment of the present invention. Note that the same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.

本実施例における制御記憶部80は、エラーリ
スト部80aと、MDステイタス部80bとを具
備し、更に電源切断時にも、これらのデータの不
揮発性を保証する電源(例えば、乾電池等)を具
備し構成されている。
The control storage unit 80 in this embodiment includes an error list unit 80a and an MD status unit 80b, and is further equipped with a power source (such as a dry battery) that guarantees the non-volatility of these data even when the power is turned off. It is configured.

又、エラーリスト部80aは第3図に示す如
く、管理フラグ領域jとアドレス領域kを有し、
半導体メモリ装置5のアドレス単位にデータの有
効/無効を管理フラグ領域jで表示している。
Further, as shown in FIG. 3, the error list section 80a has a management flag area j and an address area k.
Validity/invalidity of data is displayed for each address of the semiconductor memory device 5 in a management flag area j.

一方、MDステイタス部80bはカーレント
MDステイタス領域mとプレビアスMDステイタ
ス領域nを有し、カーレントMDステイタス領域
mには第4図で定義している状態情報の内、現在
のデータ退避/復元部6上のデータの状態を表示
し、プレビアスMDステイタス領域nは直前のデ
ータ退避/復元部6上のデータの状態を表示して
いる。
On the other hand, the MD status section 80b is the current
It has an MD status area m and a previous MD status area n, and the current MD status area m displays the current state of data on the data save/restore unit 6 among the state information defined in FIG. , the previous MD status area n displays the previous state of data on the data save/restore unit 6.

即ち、もし電源切断によつて起動されたデータ
退避/復元部6へのデータセーブ処理の結果は、
MDステイタス部80bのカーレントMDステイ
タス領域mとプレビアスMDステイタス領域nと
で記憶され、半導体メモリ装置5の局所的なエラ
ーは、そのエラーアドレスをエラーリスト部80
a内に格納して行く。
That is, if the data save processing to the data save/restore unit 6 is started due to a power cut, the result is as follows.
A local error in the semiconductor memory device 5 is stored in the current MD status area m and previous MD status area n of the MD status section 80b, and the error address is stored in the error list section 80b.
Store it in a.

本実施例でのデータセーブ/リストア処理の契
機としては、次のものがある。即ち、データ退
避/復元部6へのデータセーブとしては、例えば
外部の電源装置(図示してない)からの電源切断
信号aを電源切断・投入制御部7が受信し、これ
を信号線dでデータ退避/復元部6へ通知するこ
とで開始される。
The triggers for data save/restore processing in this embodiment include the following. That is, to save data to the data evacuation/restoration unit 6, the power off/on control unit 7 receives a power off signal a from, for example, an external power supply device (not shown), and transmits this through the signal line d. The process is started by notifying the data saving/restoring unit 6.

又、データリスト処理は、同じく電源投入信号
bを電源切断・投入制御部7が受信し、これを信
号線dでデータ退避/復元部6へ通知することで
開始される。
Further, the data list processing is started by similarly receiving the power-on signal b by the power-off/on control section 7 and notifying it to the data saving/restoring section 6 through the signal line d.

上記によるデータセーブ/リスト処理の結果に
もとずく半導体メモリ装置5の状態としては、大
別して2つの状況での状態がある。
The states of the semiconductor memory device 5 based on the results of the data save/list processing described above can be broadly classified into two states.

即ち、電源切断時の状態としては、退避したセ
ーブデータが有効の場合で、(1)セーブ完全終了状
態、(2)セーブウイズエラー(セーブデータにエラ
ーを含む状態)状態があり、セーブデータが無効
の場合で、(3)セーブ無効中断状態、(4)セーブデー
タ無し状態等がある。
In other words, when the power is turned off, the evacuated save data is valid, and there are (1) a save complete state, and (2) a save with error state (a state where the save data contains an error), and the save data is In the case of invalidity, there are (3) save invalid suspended state, (4) no save data state, etc.

一方、電源投入時の半導体メモリ装置5のレデ
イ状態としては、(5)完全レデイ状態、(6)レデイウ
イズデータエラー状態、(7)レデイウイズ装置チエ
ツク状態(以下レデイウイズEQC状態と称する)
等がある。
On the other hand, the ready states of the semiconductor memory device 5 when the power is turned on include (5) fully ready state, (6) ready with data error state, and (7) ready with device check state (hereinafter referred to as ready with EQC state).
etc.

上記のように電源断時及び電源投入時の半導体
メモリ装置5の状態(厳密には、半導体メモリ装
置5を構成する各半導体メモリ素子毎の状態)を
制御記憶部80に記憶させる。
As described above, the state of the semiconductor memory device 5 when the power is turned off and when the power is turned on (strictly speaking, the state of each semiconductor memory element constituting the semiconductor memory device 5) is stored in the control storage section 80.

尚、MDステイタス部80bに記憶させてデー
タセーブ処理時の状態情報としては、第4図に示
すように定義し、セツト、リセツト条件で記憶す
る。例えば、第4図Aに示す(4)セーブデータ無し
の状態を例に取ると、次のように定義される。
The status information stored in the MD status section 80b during data save processing is defined as shown in FIG. 4 and is stored under set and reset conditions. For example, taking the state (4) with no save data shown in FIG. 4A as an example, it is defined as follows.

即ち、これは電源切断時にセーブが行われてな
いことを示す。従つて、データ退避/復元部6の
データは古い世代のもである。
In other words, this indicates that no saving was performed when the power was turned off. Therefore, the data in the data save/restore unit 6 is of an old generation.

この状態のセツト条件としては、電源投入時
のデータリストアが完全終了か、一部データエラ
ーを含む状態で完了した時、ノンセーブモード
(NON SAVE MODE)で電源投入(Power
ON)した時、レデイウイズEQC状態で“CE
リセツト(CE RE SET)”を押下した時等で
ある。
The conditions for setting this state are that when the data restoration at power-on is complete or complete with some data errors, the power is turned on in non-save mode (NON SAVE MODE).
ON), “CE
For example, when you press "CE RE SET".

又、電源投入時の半導体メモリ装置5の状態と
して、第4図Bに示す(5)完全レデイ状態を例にな
ると以下となる。
Further, as an example of the state of the semiconductor memory device 5 when the power is turned on, the fully ready state (5) shown in FIG. 4B is as follows.

即ち、ノンセーブモード(NON SAVE
MODE)で立上げ、データリストアはイニシヤ
ルライズが完了した状態、セーブモード
(SAVE MODE)で立上げてデータリストアが
正しく終了する場合、レデイウイズEQC状態
から“CE リセツト(CE RESET)”を押下し、
データリストアはイニシヤライズが完了した状態
でリストアされる場合等である。
In other words, non-save mode (NON SAVE
MODE), and data restoration is performed after the initialization is completed.If data restoration is completed correctly after startup in save mode (SAVE MODE), press "CE RESET" from the Ready with EQC state. ,
Data restoration is performed when initialization is completed.

第5図には上述の状態を基にして、半導体メモ
リ装置5における電源切断(Power Off)時の
状態から電源投入(Power On)時にデータリス
トア処理の状態遷移状況(これを電源投入シーケ
ンと称する)及び、電源投入(Power On)状態
に半導体メモリ装置5における記憶処理状態から
電源切断(Power Off)時の状態への状態遷移
状況(これを電源切断シーケンスと称する)を示
す。
Based on the above-mentioned states, FIG. 5 shows a state transition state of data restoration processing in the semiconductor memory device 5 from the state at power off (power off) to the state at power on (power on) (this is referred to as the power on sequence). ) and a state transition situation (this is referred to as a power-off sequence) from the storage processing state in the semiconductor memory device 5 to the power-off state in the power-on state.

尚、図中Power Off状態におけるMD
STATUS(MDステイタス)部80bの上段がカー
レントMDステイタス要領m、下段がプレビアス
MDステイタス領域nを示す。
In addition, the MD in the Power Off state in the figure
The upper row of the STATUS (MD status) section 80b is the current MD status information m, and the lower row is the previous one.
MD status area n is shown.

例えば、電源投入シーケン(Power On シー
ケン)時のPower Off状態(第5図中差側)、即
ちMD STATUS(MDステイタス)部80bが
セーブ完全終了状態であれば、Power Onシーケ
ンにおけるPower On Restore(Power Onリス
トア)処理により、半導体メモリ装置5のレデイ
装置5のレデイ状態としては、完全レデイ状態
か、レデイウイズEQC状態となる。
For example, if the Power Off state (shown in the middle of Figure 5) during the Power On sequence, that is, the MD STATUS section 80b is in the complete save state, the Power On Restore (in the Power On sequence) As a result of the Power On Restore) process, the ready state of the ready device 5 of the semiconductor memory device 5 becomes either a completely ready state or a ready with EQC state.

又、電源切断シーケン(Power Offシーケン)
時の半導体メモリ装置5のレデイ状態(Power
On時の状態)が、完全レデイ状態でしかもMD
STATUS(MDステイタス)部80bがセーブデー
タなしの場合、セーブモード(SAVE MODE)
でセーブ処理がなされ、STATUS(MDステイタ
ス)部80bにはセーブ中断終了状態、セーブ完
全終了状態、セーブウイズエラー状態のいずれか
が記憶される。
Also, power off sequence (Power Off sequence)
When the semiconductor memory device 5 is in the ready state (Power
(on state) is completely ready state and MD
If STATUS (MD status) section 80b indicates no save data, save mode (SAVE MODE)
The save process is performed, and the STATUS (MD status) section 80b stores any one of the save interruption end state, the save complete end state, and the save with error state.

以上のように処理により、電源切断時の各記憶
素子の状態に応じて各種の復元形態でデータを復
元することが可能となる。
Through the processing described above, data can be restored in various restoration forms depending on the state of each storage element at the time of power-off.

〔発明の効果〕 以上のような本発明によれば、情報処理サブシ
ステムのデータ保全性の観点から、サブシステム
のより効率的でしかもきめ細かな運用が出来ると
言う効果がある。
[Effects of the Invention] According to the present invention as described above, from the viewpoint of data integrity of the information processing subsystem, there is an effect that the subsystem can be operated more efficiently and in a more detailed manner.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の原理を説明するブロツク図、
第2図は本発明の実施例を説明するブロツク図、
第3図は本発明の実施例における状態情報記憶状
況を説明する図、第4図は本発明の実施例におけ
る状態情報を説明する図、第5図は本発明の実施
例における電源切断/投入に伴う状態遷移を説明
する図、第6図は従来例を説明するブロツク図、
をそれぞれ示す。 図において、1は中央処理装置、2はチヤネ
ル、3,30は半導体フアイル装置、4は入出力
制御装置、5は半導体メモリ装置、6はデータ退
避/復元部、7は電源切断・投入制御部、80は
制御記憶部、80aはエラーリスト部、80bは
MDステイタス部、をそれぞれ示す。
FIG. 1 is a block diagram explaining the principle of the present invention.
FIG. 2 is a block diagram explaining an embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a diagram for explaining the state information storage situation in the embodiment of the present invention, FIG. 4 is a diagram for explaining the state information in the embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a diagram for explaining the power supply turning off/on in the embodiment of the present invention. Figure 6 is a block diagram explaining the conventional example.
are shown respectively. In the figure, 1 is a central processing unit, 2 is a channel, 3 and 30 are semiconductor file devices, 4 is an input/output control device, 5 is a semiconductor memory device, 6 is a data save/restore section, and 7 is a power cut/on control section. , 80 is a control storage section, 80a is an error list section, and 80b is a control storage section.
The MD status section is shown respectively.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 上位装置から位置情報(アドレス)を任意に
指定されることによつて、予め決められた記録形
式に従つてデータを読み/書きする半導体メモリ
装置5を備え、且つ前記半導体メモリ装置5の電
源切断の間、記憶しているデータの不揮発性を保
証するためのデータ退避機構6を備えてなる半導
体フアイル装置であつて、 前記データ退避機構6へ該データを退避させた
時の状態情報として、現退避処理時点の該状態情
報を不揮発化して記憶するカーレント領域と、旧
処理時点の状態情報を不揮発化して記憶するプレ
ビアス領域とを含み、該カーレント領域及びプレ
ビアス領域の状態情報に応じて該データの復元時
の処理を制御する制御記憶手段80を設け、 電源投入の際、前記カーレント領域に“退避デ
ータ無し”を書込んだ後に前記半導体メモリ装置
5に対するデータのアクセスを行い、前記半導体
メモリ装置5への電源切断の際、前記データ退避
機構6へ該データの退避開始に先立つて前記カー
レント領域及びプレビアス領域に“退避中断終
了”を書込み、前記データが完全に退避された時
は前記カーレント領域及びプレビアス領域を“退
避完全終了”に書き変え、該データの退避途中で
中断した時は前記カーレント領域及びプレビアス
領域を“退避中断終了”のままとし、更に該デー
タの退避が全く行なわれなかつた時は前記カーレ
ント領域及びプレビアス領域は電源投入時の状態
情報のままとし、 電源再投入によるデータ復元の際、前記制御記
憶手段80は前記カーレント領域及びプレビアス
領域に“退避完全終了”が書込まれていれば前記
データ退避機構6に退避された前記データを前記
半導体メモリ装置5に復元し、“退避中断終了”
が書込まれている場合及び前記カーレント領域に
“退避データ無し”が書込まれている場合はその
状態を前記上位装置へ通知することを特徴とする
半導体フアイル装置。
[Scope of Claims] 1. A semiconductor memory device 5 that reads/writes data according to a predetermined recording format by arbitrarily specifying location information (address) from a host device, and A semiconductor file device comprising a data evacuation mechanism 6 for guaranteeing non-volatility of stored data during power-off of the semiconductor memory device 5, wherein the data is evacuated to the data evacuation mechanism 6. The current state information includes a current area that stores non-volatile state information at the time of the current save process, and a previous area that stores non-volatile state information at the time of previous processing, and the state of the current area and previous area. A control storage means 80 is provided to control the processing at the time of restoring the data according to the information, and when the power is turned on, after writing "no save data" in the current area, accessing the data to the semiconductor memory device 5 is disabled. When the power to the semiconductor memory device 5 is turned off, "Evacuation interruption end" is written in the current area and the previous area in the data evacuation mechanism 6 before the data evacuation starts, so that the data is completely evacuated. When the data has been saved, the current area and previous area are rewritten to "Evacuation Completely Completed", and when the data is interrupted in the middle of saving, the current area and previous area are left as "Evacuation Interrupted Completed", and further the data is saved. When the current area and the previous area are not performed at all, the current area and the previous area remain as the state information at the time the power was turned on, and when data is restored by turning the power on again, the control storage means 80 performs a "complete evacuation" in the current area and the previous area. If “end” is written, the data saved in the data saving mechanism 6 is restored to the semiconductor memory device 5, and “saving interruption ends”.
2. A semiconductor file device, characterized in that when the current area is written with "no save data" written in the current area, the state is notified to the host device.
JP61116457A 1986-05-20 1986-05-20 Semiconductor filing device Granted JPS62271163A (en)

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