JPH0476238B2 - - Google Patents
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- JPH0476238B2 JPH0476238B2 JP1493785A JP1493785A JPH0476238B2 JP H0476238 B2 JPH0476238 B2 JP H0476238B2 JP 1493785 A JP1493785 A JP 1493785A JP 1493785 A JP1493785 A JP 1493785A JP H0476238 B2 JPH0476238 B2 JP H0476238B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、発光性半導体チツプを用いてレーザ
光を発生させるモニタ用フオトダイオード内蔵型
半導体レーザにおいて、その発光性半導体チツプ
をブロツクにダイボンデングする場合に、そのダ
イボンデング位置を設定するための方法に関する
ものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a semiconductor laser with a built-in monitor photodiode that generates laser light using a light-emitting semiconductor chip, in which the light-emitting semiconductor chip is die-bonded into a block. The present invention relates to a method for setting a die bonding position in a case where the die bonding position is set.
一般に、発光性半導体チツプを用いてレーザ光
を発生させるモニタ用フオトダイオード内蔵型半
導体レーザにおいて、第2図及び第3図に示すよ
うにこのモニタ用フオトダイオード内蔵型半導体
レーザ1を電気機器に取付けるためのステム2か
ら突出するブロツク3の上面に、発光性半導体チ
ツプ4をサブマウント5を介してダイボンデング
する場合、当該発光性半導体チツプからのレーザ
光が、前記ステム2における基準定点(O)を通
る軸線(C)に沿つて発信されるように正確に位
置を設定することが必要である。
Generally, in a semiconductor laser with a built-in monitor photodiode that uses a light-emitting semiconductor chip to generate laser light, the semiconductor laser with a built-in monitor photodiode 1 is attached to an electrical device as shown in FIGS. 2 and 3. When a luminescent semiconductor chip 4 is die-bonded via a submount 5 to the upper surface of the block 3 protruding from the stem 2 for the It is necessary to set the position accurately so that it is transmitted along the axis (C) through which it passes.
すなわち、発光性半導体チツプから発信される
レーザ光の光軸線が、前記ステム2における基準
定点(O)を通る軸線(C)に対してずれている
と、電気機器に取付く半導体レーザを交換した場
合にレーザ光の出射位置がずれることになるか
ら、半導体レーザの交換に際しては、レーザ光の
出射位置が元の位置になるように位置調整するこ
とを、交換の都度行なわねばならないことにな
る。 That is, if the optical axis of the laser beam emitted from the light-emitting semiconductor chip is deviated from the axis (C) passing through the reference fixed point (O) in the stem 2, the semiconductor laser attached to the electrical equipment may be replaced. In this case, the emission position of the laser beam will shift, so when replacing the semiconductor laser, it is necessary to adjust the position so that the emission position of the laser beam returns to the original position each time the semiconductor laser is replaced.
なお、前記半導体レーザ1における発光性半導
体チツプ4付きブロツク3の外側は、二点鎖線で
示すようにガラス窓6付きキヤツプ7にてカバー
され、また、前記フレーム2の他側面からは、
PN端子1a,1bが突出すると共に、モニタ用
フオトダイオード8に対する端子1cが突出して
いる。 The outside of the block 3 with the light-emitting semiconductor chip 4 in the semiconductor laser 1 is covered with a cap 7 with a glass window 6 as shown by the two-dot chain line, and from the other side of the frame 2,
The PN terminals 1a and 1b protrude, and the terminal 1c for the monitor photodiode 8 also protrudes.
そこで、従来は、ステム3の上面に発光性半導
体チツプ4をダイボンデングする場合において、
当該発光性半導体チツプ4から発信されるレーザ
光の光軸線がステム2における基準定点(O)を
通る軸線(C)に一致するように発光性半導体チ
ツプ4のブロツク3に対するダイボンデング位置
を設定するには次のような方法を採用していた。 Therefore, conventionally, when die-bonding the luminescent semiconductor chip 4 on the upper surface of the stem 3,
The die bonding position of the light-emitting semiconductor chip 4 with respect to the block 3 is set so that the optical axis of the laser beam emitted from the light-emitting semiconductor chip 4 coincides with the axis (C) passing through the reference fixed point (O) in the stem 2. adopted the following method.
すなわち、第5図に示すように前記ブロツク3
付きのステム2を保持用治具9に固定する一方、
前記ブロツク3の上面に載置した半導体チツプ4
の前端面を、作業者が顕微鏡10で拡大して目視
し、半導体チツプ4を、当該半導体チツプ4の前
端面における外形輪郭が所定の基準線の中に入る
ところまで真空チヤツクキヤピラリー11にて移
動することによつて、ダイボンデング位置を設定
し、その設定位置の状態でダイボンデングを行う
ようにしていた。 That is, as shown in FIG.
While fixing the stem 2 with attached to the holding jig 9,
Semiconductor chip 4 placed on the top surface of the block 3
An operator magnifies and visually inspects the front end surface of the semiconductor chip 4 using a microscope 10, and places the semiconductor chip 4 into the vacuum chuck capillary 11 until the outer contour of the front end surface of the semiconductor chip 4 falls within a predetermined reference line. By moving the die bonding position, the die bonding position is set, and the die bonding is performed at the set position.
しかし、半導体レーザに使用される発光性半導
体チツプ4は、例えば第4図に示すように中間に
活性層4aを有する多層結晶体に形成し、その上
面にストライプ4bを形成することにより、前記
活性層4aのうち前記ストライプ4bの箇所にお
ける発光部分4a′からレーザ光を、ストライプ4
bの長手方向に延びる光軸線に沿つて矢印(A),
(A′)のように発信するものであつて、この半導
体チツプ4における幅寸法(S)の中心に対する
前記ストライプ4bの位置のずれ、つまりへき開
位置精度、及び半導体チツプ4の底面から前記発
光部分4a′までの高さ寸法(H)の精度には、半
導体チツプ4の製造に際して可成りのバラ付きが
存在するし、また、ステム2に対するブロツク3
の取付位置にバラ付き誤差が存在する。
However, a light-emitting semiconductor chip 4 used in a semiconductor laser is formed into a multilayer crystal body having an active layer 4a in the middle, as shown in FIG. Laser light is emitted from the light emitting portion 4a' at the stripe 4b in the layer 4a, and
Arrow (A) along the optical axis line extending in the longitudinal direction of b.
(A'), and the deviation of the position of the stripe 4b with respect to the center of the width dimension (S) in the semiconductor chip 4, that is, the cleavage position accuracy, and the light emitting portion from the bottom surface of the semiconductor chip 4. There is considerable variation in the accuracy of the height dimension (H) up to 4a' during the manufacturing of the semiconductor chip 4, and there is also considerable variation in the accuracy of the height dimension (H) up to 4a'
There are variations in the mounting position.
従つて、半導体チツプ4のブロツク3に対する
ダイボンデング位置を、前記従来のように半導体
チツプ4の前端面を作業者が顕微鏡10で拡大し
て目視、半導体チツプ4の前端面における外形輪
郭が所定の基準線の中に入るようにして設定した
としても、半導体チツプ4から発信されるレーザ
光の光軸線と、ステム2における基準定点(O)
を通る軸線(C)との間には、前記ブロツク3の
ステム2に対する位置精度と、前記半導体チツプ
4の製造時におけるへき開位置精度及び高さ寸法
(H)精度のバラ付きのために、ずれが必然的に
発生するのであり、従来の実績では、前記軸線
(C)に対する光軸線のずれは、各製品について
50ミクロン程度のバラ付きがあり、製品について
のバラ付きをこれ以下にすることは極めて困難で
あつて、電気機器に取付く半導体レーザを交換す
る度毎における取付け位置の調整が必要であつ
た。 Therefore, the die bonding position of the semiconductor chip 4 with respect to the block 3 can be determined by visually inspecting the front end surface of the semiconductor chip 4 by an operator by magnifying it with a microscope 10 as in the conventional method, and by checking the external contour of the front end surface of the semiconductor chip 4 according to a predetermined standard. Even if it is set so that it falls within the line, the optical axis line of the laser beam emitted from the semiconductor chip 4 and the reference fixed point (O) on the stem 2
There is a deviation between the block 3 and the axis (C) passing through the stem 2 due to variations in the positional accuracy of the block 3 with respect to the stem 2 and the cleavage position accuracy and height dimension (H) accuracy during the manufacturing of the semiconductor chip 4. This inevitably occurs, and according to past results, the deviation of the optical axis from the axis (C) is
There is a variation of about 50 microns, and it is extremely difficult to reduce the variation in products to less than this, and it is necessary to adjust the mounting position every time the semiconductor laser attached to an electrical device is replaced.
本発明は、前記半導体レーザにおける発光性半
導体チツプのブロツクに対するダイボンデング位
置を、ブロツクのステムに対する取り付け精度及
び当該半導体チツプの製造時におけるへき開位置
精度及び高さ寸法(H)精度のバラ付きとは無関
係に正確に設定できる方法を提供するものであ
る。 The present invention allows the die bonding position of the light-emitting semiconductor chip to the block in the semiconductor laser to be independent of the mounting accuracy of the block to the stem and variations in the cleavage position accuracy and height dimension (H) accuracy during the manufacturing of the semiconductor chip. This provides a method that allows accurate settings.
このため本発明は、モニタ用フオトダイオード
内蔵型半導体レーザにおけるステムから突出する
ブロツクの上面に載置した発光性半導体チツプの
前端面に対して、当該発光性半導体チツプにおけ
る活性層に吸収されない波長のレーザ光を、前記
半導体レーザにおけるステムの基準定点を通る軸
線に沿つて照射する一方、前記発光性半導体チツ
プを、前記半導体レーザにおけるモニタ用フオト
ダイオードの出力が最大となる位置まで移動させ
るようにしたものである。
For this reason, the present invention provides a method for detecting wavelengths that are not absorbed by the active layer of the light-emitting semiconductor chip with respect to the front end surface of the light-emitting semiconductor chip placed on the top surface of the block protruding from the stem of a semiconductor laser with a built-in photodiode for monitoring. Laser light is irradiated along an axis passing through a reference fixed point of a stem in the semiconductor laser, while the light-emitting semiconductor chip is moved to a position where the output of a monitoring photodiode in the semiconductor laser is maximized. It is something.
このようにすると、発光性半導体チツプの活性
層における発光部分が、半導体レーザにおけるス
テムの基準定点を通る軸線に一致していないとき
は、当該半導体チツプの前端面に照射したレーザ
光は、半導体チツプによつて遮られることによ
り、当該モニタ用フオトダイオードによる光出力
の検出はないが、半導体チツプの移動に伴つて、
発光性半導体チツプの活性層における発光部分
が、半導体レーザにおけるステムの基準定点を通
る軸線に一致すると、当該半導体チツプの前端面
に照射したレーザ光が発光性半導体チツプの活性
層における発光部分を透過してモニタ用フオトダ
イオードに届き、当該モニタ用フオトダイオード
における出力が最大となるので、このときをもつ
て、発光性半導体チツプのブロツクに対するダイ
ボンデング位置を、当該発光性半導体チツプから
発信されるレーザ光の光軸線がステムの基準定点
を通る軸線に一致した位置に正確に設定すること
ができるのである。
In this way, when the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip does not coincide with the axis passing through the reference fixed point of the stem of the semiconductor laser, the laser light irradiated onto the front end face of the semiconductor chip will However, as the semiconductor chip moves, the light output is not detected by the monitor photodiode.
When the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip coincides with the axis passing through the reference fixed point of the stem of the semiconductor laser, the laser light irradiated onto the front end face of the semiconductor chip passes through the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip. The laser beam transmitted from the luminescent semiconductor chip reaches the monitor photodiode, and the output at the monitor photodiode reaches its maximum. The optical axis of the stem can be accurately set at a position that coincides with the axis passing through the reference fixed point of the stem.
このように本発明は、発光性半導体チツプの前
端面に照射したレーザ光が、発光性半導体チツプ
の活性層における発光部分を透過してモニタ用フ
オトダイオードに届くことを利用して、半導体チ
ツプのダイボンデング位置を設定するもので、そ
のダイボンデング位置の設定には、前記従来のよ
うに半導体チツプを製作するときにおけるへき開
位置精度及び高さ寸法(H)精度のバラ付き及び
ブロツクのステムに対する取り付け精度のバラ付
きが入ることはないから、半導体チツプのダイボ
ンデング位置のバラ付きを、数ミクロンの範囲に
して、製品の互換性を、電気機器に取付く半導体
レーザの交換に際しての取付け位置の調整が殆ど
必要でなくなるところまで向上できると共に、半
導体チツプのダイボンデング位置を、モニタ用フ
オトダイオードにおける出力が最大となることに
よつて瞬間的に設定できるから、設定に要する時
間を短縮できる効果を有する。 In this way, the present invention utilizes the fact that the laser light irradiated onto the front end face of the light-emitting semiconductor chip passes through the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip and reaches the monitoring photodiode. This is to set the die bonding position, and the setting of the die bonding position takes into account variations in cleavage position accuracy and height dimension (H) accuracy when manufacturing semiconductor chips as in the conventional method, and the mounting accuracy of the block to the stem. Since there is no variation in the die bonding position of the semiconductor chip, it is necessary to limit the variation in the die bonding position of the semiconductor chip to a range of several microns, and to ensure product compatibility, it is almost necessary to adjust the mounting position when replacing the semiconductor laser attached to electrical equipment. In addition, since the die bonding position of the semiconductor chip can be instantaneously set by maximizing the output of the monitor photodiode, it has the effect of shortening the time required for setting.
以下本発明の実施例を、図面(第1図)につい
て説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings (FIG. 1).
第1図において2は、モニタ用フオトダイオー
ド内蔵型半導体レーザ1を電気機器に対して取付
けるための金属製のステムで、該ステム2は、保
持用治具9に取付いており、且つその前面には発
光性半導体チツプ4をダイボンデングするための
金属製のブロツク3が突出し、該ブロツク3の上
面には、シリコン製のサブマウント5を介して発
光性半導体チツプ4が載置され、また、前記ステ
ム2には、前記発光性半導体チツプ4の後端面に
対応する位置にモニタ用フオトダイオード8が予
めダイボンデングされ、このモニタ用フオトダイ
オード8に結線された端子1cには、電流計又は
電圧計等の出力検出器12が接続されている。 In FIG. 1, reference numeral 2 denotes a metal stem for attaching the semiconductor laser 1 with a built-in monitor photodiode to an electrical device.The stem 2 is attached to a holding jig 9, and a A metal block 3 for die-bonding the light-emitting semiconductor chip 4 protrudes, and the light-emitting semiconductor chip 4 is placed on the upper surface of the block 3 via a silicon submount 5. 2, a monitor photodiode 8 is die-bonded in advance at a position corresponding to the rear end surface of the light-emitting semiconductor chip 4, and a terminal 1c connected to the monitor photodiode 8 is connected to an ammeter, voltmeter, etc. An output detector 12 is connected.
13は、前記発光性半導体チツプ4の前端面に
対して、当該発光性半導体チツプ4における活性
層に吸収されない波長のレーザ光を収束レンズ1
4を介して照射するための位置設定用半導体レー
ザを示し、該位置設定用半導体レーザ13は、当
該設置設定用半導体レーザ13から発信されるレ
ーザ光の光軸線が前記ステム2における基準定点
(O)を通る軸線(C)上に位置するように配設
されている。なお15は、前記位置設定用半導体
レーザ13におけるPN端子に電流を印加するた
めのAPC電源回路である。 13 is a converging lens 1 that directs a laser beam of a wavelength that is not absorbed by the active layer of the luminescent semiconductor chip 4 onto the front end surface of the luminescent semiconductor chip 4.
4, the position setting semiconductor laser 13 is such that the optical axis of the laser beam emitted from the installation setting semiconductor laser 13 is located at a reference fixed point (O ) is arranged so as to be located on the axis (C) passing through the axis (C). Note that 15 is an APC power supply circuit for applying a current to the PN terminal of the position setting semiconductor laser 13.
前記位置設定用半導体レーザ13から発光性半
導体チツプ4の前端面に対して照射されたレーザ
光は、ブロツク3上面の発光性半導体チツプ4活
性層における発光部分が、ステム2の基準定点
(O)を通る軸線(C)に一致していないときは、
半導体チツプ4によつて遮られることにより、当
該モニタ用フオトダイオード8に届かないから、
その出力検出器12によつて検出される出力は小
さい値であるが、前記ステム3上面における半導
体チツプ4を、真空チヤツクキヤピラリー11に
より吸着して、軸線(C)に対して上下及び左右
方向に移動すると、発光性半導体チツプ4の活性
層における発光部分が、ステム2の基準定点
(O)を通る軸線(C)に一致したとき、当該半
導体チツプ4の前端面に照射したレーザ光が発光
性半導体チツプ4の活性層における発光部分を透
過してモニタ用フオトダイオード8に届き、その
出力検出器12によつて最高出力が検出される。 The laser beam irradiated from the position setting semiconductor laser 13 onto the front end face of the light emitting semiconductor chip 4 causes the light emitting portion of the active layer of the light emitting semiconductor chip 4 on the upper surface of the block 3 to reach the reference fixed point (O) of the stem 2. If it does not match the axis (C) passing through,
Because it is blocked by the semiconductor chip 4, it cannot reach the monitor photodiode 8.
Although the output detected by the output detector 12 is a small value, the semiconductor chip 4 on the upper surface of the stem 3 is attracted by the vacuum chuck capillary 11, and When the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip 4 coincides with the axis (C) passing through the reference fixed point (O) of the stem 2, the laser beam irradiated onto the front end face of the semiconductor chip 4 The light passes through the light-emitting portion of the active layer of the light-emitting semiconductor chip 4 and reaches the monitor photodiode 8, where its output detector 12 detects the highest output.
従つて、発光半導体チツプ4を、出力検出器1
2に最高出力が検出されるところまで移動するこ
とにより、発光性半導体チツプ4のダイボンデン
グ位置を、当該発光性半導体チツプ4から発信さ
れるレーザ光の光軸線がフレーム2の基準定点
(O)を通る軸線(C)に一致した位置に正確に
設定することができるから、この状態で、発光性
半導体チツプ4をブロツク3に対してダイボンデ
ングすれば良いのである。 Therefore, the light emitting semiconductor chip 4 is connected to the output detector 1.
By moving the die-bonding position of the light-emitting semiconductor chip 4 to the point where the maximum output is detected in the light-emitting semiconductor chip 2, the optical axis of the laser beam emitted from the light-emitting semiconductor chip 4 aligns with the reference fixed point (O) of the frame 2. Since the light-emitting semiconductor chip 4 can be accurately set at a position that coincides with the passing axis (C), the light-emitting semiconductor chip 4 can be die-bonded to the block 3 in this state.
なお、前記実施例は、位置設定用半導体レーザ
13によつて発光性半導体チツプ4にレーザ光を
照射する場合であつたが、この位置設定用半導体
レーザ13に代えて他のレーザ光発信手段を使用
しても良いことは言うまでもない。 In the above embodiment, the light-emitting semiconductor chip 4 is irradiated with laser light by the position setting semiconductor laser 13, but other laser beam transmitting means may be used instead of the position setting semiconductor laser 13. Needless to say, you can use it.
第1図は本発明の実施例を示す図、第2図はモ
ニタ用フオトダイオード内蔵型半導体レーザの拡
大縦断正面図、第3図は第2図の−視側面
図、第4図は発光性半導体チツプの拡大斜視図、
第5図は従来の方法を示す図である。
1……モニタ用フオトダイオード内蔵型半導体
レーザ、2……ステム、3……ブロツク、4……
発光性半導体チツプ、9……保持用治具、8……
モニタ用フオトダイオード、12……出力検出
器、13……位置設定用半導体レーザ。
Fig. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an enlarged longitudinal sectional front view of a semiconductor laser with a built-in photodiode for monitoring, Fig. 3 is a side view from - side of Fig. 2, and Fig. 4 is a luminescent An enlarged perspective view of a semiconductor chip,
FIG. 5 is a diagram showing a conventional method. 1... Semiconductor laser with built-in monitor photodiode, 2... Stem, 3... Block, 4...
Luminescent semiconductor chip, 9... Holding jig, 8...
Monitor photodiode, 12... Output detector, 13... Semiconductor laser for position setting.
Claims (1)
ザにおけるステムから突出するブロツクの上面に
載置した発光性半導体チツプの前端面に対して、
当該発光性半導体チツプにおける活性層に吸収さ
れない波長のレーザ光を、前記半導体レーザにお
けるステムの基準定点を通る軸線に沿つて照射す
る一方、前記発光性半導体チツプを、前記半導体
レーザにおけるモニタ用フオトダイオードの出力
が最大となる位置まで移動させるようにしたこと
を特徴とする半導体レーザ用発光性半導体チツプ
のダイボンデング位置設定方法。1. With respect to the front end surface of the light-emitting semiconductor chip placed on the top surface of the block protruding from the stem of the semiconductor laser with built-in photodiode for monitoring,
Laser light of a wavelength that is not absorbed by the active layer of the light-emitting semiconductor chip is irradiated along an axis passing through a reference fixed point of the stem of the semiconductor laser, while the light-emitting semiconductor chip is exposed to a monitoring photodiode of the semiconductor laser. 1. A die bonding position setting method for a light-emitting semiconductor chip for a semiconductor laser, characterized in that the die bonding position is moved to a position where the output of the chip is maximized.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1493785A JPS61174688A (en) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1493785A JPS61174688A (en) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174688A JPS61174688A (en) | 1986-08-06 |
| JPH0476238B2 true JPH0476238B2 (en) | 1992-12-03 |
Family
ID=11874878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1493785A Granted JPS61174688A (en) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | Setting method of die-bonding position of luminant semiconductor chip for semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174688A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340387A (en) * | 1986-08-05 | 1988-02-20 | Sharp Corp | Semiconductor laser device |
| JPH0746747B2 (en) * | 1986-09-09 | 1995-05-17 | 松下電器産業株式会社 | Semiconductor laser bonding method |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP1493785A patent/JPS61174688A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61174688A (en) | 1986-08-06 |
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