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JPH0477556B2 - - Google Patents
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JPH0477556B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0477556B2
JPH0477556B2 JP61183640A JP18364086A JPH0477556B2 JP H0477556 B2 JPH0477556 B2 JP H0477556B2 JP 61183640 A JP61183640 A JP 61183640A JP 18364086 A JP18364086 A JP 18364086A JP H0477556 B2 JPH0477556 B2 JP H0477556B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
collector
emitter
lab
layer
thermionic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61183640A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6339479A (ja
Inventor
Kazuhiro Isogai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd filed Critical Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd
Priority to JP61183640A priority Critical patent/JPS6339479A/ja
Publication of JPS6339479A publication Critical patent/JPS6339479A/ja
Publication of JPH0477556B2 publication Critical patent/JPH0477556B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Solid Thermionic Cathode (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Microwave Tubes (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〓発明の利用分野〓 本発明は熱電子素子の材質に関する。
〓従来の技術〓 熱電子発電は高温に加熱された物体から放出さ
れる電子の持つエネルギーを電力として取り出す
発電技術である。
一般に熱電子発電装置は、熱源により高温
(1000〜1500℃程度)に加熱されて電子を放出す
る電極であるエミツタと、放出された電子を集め
る電極であるコレクタ(温度はエミツタ温度の約
1/2程度)と、エミツタとコレクタの間に金属セ
シウム蒸気の存在する電極間空間とから構成され
ている。
熱電子素子の構造は大別すると、エミツタとコ
レクタとが平行な板として設けられる平行平板形
と、前記エミツタとコレクタが同心円上に配置さ
れた同軸円筒形とがある。後者の代表的な例を図
に示す。この図に示す従来技術は以下の刊行物に
記載されている。
刊行物 Inter soc、Energy Convers Eng
Conf、19th、1984. 題名 COMBUSTION CONVER THR
DESIGN EVOLUTION. 著者名 D.B.Goodale etal. この従来技術の素子を概説すると、先端が半球
状になつた同軸円筒形熱電子素子であり、その外
殻を形成するホツトシエル1は外側から順にシリ
コンカーバイド(SiC)2、グラフアイト(C)3お
よびタングステン(W)4の3層構造からなり、
最も内側のW層はエミツタとして機能する。エミ
ツタ4の内側には間隙5を介して半球状のNiコ
レクタ6が設けられている。コレクタ6は、コレ
クタシステム6′によりコレクタフランジ15に
一体化している。コレクタ6内部には、コレクタ
6を冷却するための空気を送る送気管7が設けら
れ、先端部分で吹き出された空気8はコレクタ6
内面を冷却したのち後方に排気される。間〓5に
はセシウムガスが充填されるが、このセシウムガ
スを送り込むためのセシウムガス管9は、セシウ
ムリザーバ10に連絡している。
また、ホツトシエル1は、モリブデン(Mo)
からなるエミツタフランジ部11に一体化されて
いる。この一体化部分において、エミツタ4はエ
ミツタフランジ部11に電気的に接続している。
エミツタフランジ部11はさらに後方のエミツタ
円筒部12に接続し、エミツタ円筒部12の後端
は取付フランジ12′に一体的に連続している。
取付フランジ12′にはさらにエミツタ側のリー
ド板13が電気的に接続されているので、エミツ
タ4への電気はこのリード板13を介して流れる
ことになる。
次にコレクタ6は、コレクタステム6′及び送
気管7に電気的に接続している。送気管7はその
後端部においてコレクタ側のリード板14に一体
化されている。したがつてコレクタ6からの電気
はこのリード板14を介して流れることになる。
なお、コレクタステム6′の軸方向における後
端には、コレクタフランジ部15が接続されてい
る。このコレクタフランジ部15は、空気8の流
れに向つて突出しコレクタフランジ15、セラミ
ツクスペーサ16の部分が空気8によつて冷却さ
れやすい構造となつている。コレクタフランジ1
5は前記エミツタフランジ11の内側に対してセ
ラミツクスペーサ16を介し接触している。セラ
ミツクスペーサ16は両フランジ11,15の構
内に嵌合して接触しており、前記間〓5の大きさ
が調整される。コレクタフランジ部15の後方に
は、コレクタ側ベローズ板とエミツタ側ベローズ
板とがセラミツク部材を挾んで、いわゆる3層構
造をなしている。すなわち、前記コレクタフラン
ジ15の後方からは内側へL字状に曲がる断面を
有するコレクタ側弾性部(ベローズ)17が延び
ている。一方、エミツタ円筒部12の内側からも
L字状に曲がる断面を有するエミツタ側弾性部
(ベローズ18)が延びている。これら二つの弾
性部17,18は中央のセラミツク部材19及び
両端のセラミツク部材20により3層構造をなし
ている。3層構造はエミツタ及びコレクタ電極の
電気的絶縁とコレクタ側部材とエミツタ側部材と
の熱膨張差が大きくなり過ぎたときに、熱膨張差
を吸収するためである。
〓発明が解決しようとする問題点〓 そして、このような従来の熱電子素子において
エミツタとして機能するWの層は、Cの層に化学
蒸着法により蒸着させて形成されるが、Wのエミ
ツタはエミツタとしての作動温度が高く、より低
い温度で作動するエミツタの素材が求められてい
る。LaB6(ランタンブライド)はそのような素材
の一候補である。しかしながら従来はLaB6の使
用は、焼結体としての利用しか考えられていなか
つたため緻密性に欠け、LaB6のエミツタは燃焼
炉内で用いられる熱電子素子には適さないもので
あつた。
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたもの
であり、燃焼炉内でも用いられ得るLaB6エミツ
タの熱電子素子を提供することを目的とする。
〓問題点を解決するための手段〓 本発明はLaB6の層を化学蒸着法によつてCの
層に蒸着させて形成するものである。この化学蒸
着は LaCl3+6BCl3→LaB6+21HCl 21/2H2Carrier 温度1100〜1350℃ によつて生ずる。
このLaB6の層は化学蒸着法によるため緻密性
にすぐれ、燃焼炉内でも用いることができる。
〓実施例〓 従来例を示す図を例にして本発明を説明する
と、従来のW(タングステン)4の層がLaB6(ラ
ンタンボライド)の層に置き換えられるものとな
り、このLaB6は化学蒸着法によつてC(グラフア
イト)3の層に対して蒸着される。
尚、熱電子素子の構造は同軸円筒形のみならず
平行平板形であつても本発明は実施できる。
〓発明の効果〓 本発明の熱電子素子によれば、緻密性にすぐれ
たLaB6の層から成るエミツタが得られ、燃焼炉
用の熱電子素子として低い温度でも作動する熱電
子素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
図は代表的な熱電子素子の一部切欠き斜視図で
ある。 1……ホツトシエル、2……シリコンカーバイ
ド(SiC)、3……グラフアイト(C)、4……タン
グステン(W)、5……間〓、6……コレクタ、
6′……コレクタステム、7……送気管、8……
空気、9……セシウムガス管、10……セシウム
リザーバ、11……エミツタフランジ、12……
エミツタ円筒部、13,14……リード板、15
……コレクタフランジ部、16……セラミツクス
ペーサ、17,18……弾性部(ベローズ)、1
9,20……セラミツク部材。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 外殻を形成するホツトシエル1と、コレクタ
    6とを有する燃焼炉用熱電子素子であつて、ホツ
    トシエル1は、外側から順にシリコンカーバイド
    2、グラフアイト3及びランタンブライド
    (LaB6)の3層構造から成り、該ランタンブライ
    ド(LaB6)の層がグラフアイト3の層の内側に
    蒸着されて、エミツタとして機能し、 コレクタ6は、ランタンブライド(LaB6)の
    内側に空〓5を介して配設され、該空〓5にはセ
    シウムガスが充填される 燃焼炉用熱電子素子。
JP61183640A 1986-08-05 1986-08-05 燃焼炉用熱電子素子 Granted JPS6339479A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61183640A JPS6339479A (ja) 1986-08-05 1986-08-05 燃焼炉用熱電子素子

Applications Claiming Priority (1)

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JP61183640A JPS6339479A (ja) 1986-08-05 1986-08-05 燃焼炉用熱電子素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6339479A JPS6339479A (ja) 1988-02-19
JPH0477556B2 true JPH0477556B2 (ja) 1992-12-08

Family

ID=16139321

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JP61183640A Granted JPS6339479A (ja) 1986-08-05 1986-08-05 燃焼炉用熱電子素子

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JP (1) JPS6339479A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6174288U (ja) * 1984-10-19 1986-05-20

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JPS6339479A (ja) 1988-02-19

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