JPH0478036B2 - - Google Patents
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- JPH0478036B2 JPH0478036B2 JP57190391A JP19039182A JPH0478036B2 JP H0478036 B2 JPH0478036 B2 JP H0478036B2 JP 57190391 A JP57190391 A JP 57190391A JP 19039182 A JP19039182 A JP 19039182A JP H0478036 B2 JPH0478036 B2 JP H0478036B2
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- JP
- Japan
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- light emitting
- semiconductor
- emitting region
- refractive index
- light
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18305—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] with emission through the substrate, i.e. bottom emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は半導体発光装置、特に発振モードが軸
方向及び横方向について単一化され、低閾値電
流、高効率であつて、出力の増大に適する面発光
半導体レーザに関する。
方向及び横方向について単一化され、低閾値電
流、高効率であつて、出力の増大に適する面発光
半導体レーザに関する。
(b) 技術の背景
光フアイバ通信及び各種の産業分野或いは民生
機器を対象としてレーザ光の応用が進められてい
る。これらの分野において目的に応じて各種のレ
ーザが選択使用されているが、半導体レーザはそ
の発振波長を制御することが可能であること、小
形で量産性があり、電流を流すだけで高効率が発
振するために容易に使用できることなどの特徴に
よつて最も将来性を有し、要求される波長帯域の
実現、安定した単一の横及び軸モード発振、電流
−光出力特性の向上、光ビーム発散角の減少、出
力の増大などの諸特性の向上について多くの努力
が重ねられている。
機器を対象としてレーザ光の応用が進められてい
る。これらの分野において目的に応じて各種のレ
ーザが選択使用されているが、半導体レーザはそ
の発振波長を制御することが可能であること、小
形で量産性があり、電流を流すだけで高効率が発
振するために容易に使用できることなどの特徴に
よつて最も将来性を有し、要求される波長帯域の
実現、安定した単一の横及び軸モード発振、電流
−光出力特性の向上、光ビーム発散角の減少、出
力の増大などの諸特性の向上について多くの努力
が重ねられている。
(c) 従来技術と問題点
前記の目的を達成するために現在までに数多く
の半導体レーザの構造が提案されているが、その
多くはフアブリー−ペロー光共振器を半導体結晶
の劈開等によつて形成する構造である。
の半導体レーザの構造が提案されているが、その
多くはフアブリー−ペロー光共振器を半導体結晶
の劈開等によつて形成する構造である。
この劈開による端面形成はレーザチツプの形状
寸法を制約し、共振器長の短縮、軸モード制御が
困難であり、またレーザを含む集積回路の形成も
困難である。
寸法を制約し、共振器長の短縮、軸モード制御が
困難であり、またレーザを含む集積回路の形成も
困難である。
これらの問題点に対処する半導体レーザの一つ
として、面発光レーザが知られている。面発光レ
ーザはレーザ光を半導体基体の主面に垂直な方向
に出射する半導体レーザであつて、フアブリー−
ペロー光共振器はエピタキシヤル成長させた結晶
の表面を反射面として構成される。
として、面発光レーザが知られている。面発光レ
ーザはレーザ光を半導体基体の主面に垂直な方向
に出射する半導体レーザであつて、フアブリー−
ペロー光共振器はエピタキシヤル成長させた結晶
の表面を反射面として構成される。
面発光レーザはこの様な構造であるために、(イ)
光共振器長を短くすることが容易で軸モードの単
一化が可能となる。(ロ)光放射面積を広くすること
が容易で、光出力を増大し、光出射角を狭くする
ことが可能となる。(ハ)２次元レーザアレイの構成
が容易である。(ニ)モノリシツク光集積回路の構成
に適する。などの優れた特徴を有している。
光共振器長を短くすることが容易で軸モードの単
一化が可能となる。(ロ)光放射面積を広くすること
が容易で、光出力を増大し、光出射角を狭くする
ことが可能となる。(ハ)２次元レーザアレイの構成
が容易である。(ニ)モノリシツク光集積回路の構成
に適する。などの優れた特徴を有している。
しかしながら従来の面発光レーザではこの様な
構造に起因して、(イ)フアブリー−ペロー光共振器
の共振面がエピタキシヤル成長させた結晶表面で
あるために劈開面の如き鏡面にはなり難く、一様
な共振が実現し難いこと。(ロ)発振の横モードの安
定化が不可能であること。(ハ)電流が光共振器に平
行な方向に導入されるために、活性領域における
電流密度を効果的に高くすることが困難であつ
て、変換効率が低いこと。などの欠点が伴なつて
いる。
構造に起因して、(イ)フアブリー−ペロー光共振器
の共振面がエピタキシヤル成長させた結晶表面で
あるために劈開面の如き鏡面にはなり難く、一様
な共振が実現し難いこと。(ロ)発振の横モードの安
定化が不可能であること。(ハ)電流が光共振器に平
行な方向に導入されるために、活性領域における
電流密度を効果的に高くすることが困難であつ
て、変換効率が低いこと。などの欠点が伴なつて
いる。
面発光レーザの先に述べた優れた特徴は、将来
の半導体レーザとして要望されている特徴であ
り、前記の欠点が改善されることは半導体レーザ
の応用分野に大きい効果を及ぼす。
の半導体レーザとして要望されている特徴であ
り、前記の欠点が改善されることは半導体レーザ
の応用分野に大きい効果を及ぼす。
(d) 発明の目的
本発明は半導体発光装置、特に面発光レーザに
ついて、フアブリー−ペロー共振面を必要とせ
ず、かつ閾値電流の低減、量子効率の向上、並び
に軸及び横モードの単一化が達成される構造を提
供することを目的とする。
ついて、フアブリー−ペロー共振面を必要とせ
ず、かつ閾値電流の低減、量子効率の向上、並び
に軸及び横モードの単一化が達成される構造を提
供することを目的とする。
(e) 発明の構成
本発明の前記目的は、禁制帯幅がEa、屈折率
がnaかつ厚さがdaである第１導電型の第１の半導
体層と、禁制帯幅がEc、屈折率がncかつ厚さがdc
である第１導電型の第２の半導体層とが交互に積
層されてなり、該第一及び第二の半導体層の垂直
方向に光出力される発光領域と、該第１、第２の
半導体層の延在方向に隣接し、該発光領域とpn
接合を構成する第２導電型の半導体層とを有し、
前記発光領域における前記禁制帯幅及び屈折率が Ea＜Ecかつna＞nc であつて、出射光の真空中の波長λp、該発光領域
の積層構造の有効屈折率ne、正の整数ｌの関係
が、ほぼ da＋dc＝ｌ・λp／（2ne） を満たすことにより達成され、及び 前記発光領域及び該発光領域とpn接合を構成
する半導体層は、第２導電型の半導体基板上に共
通に形成されてなり、該半導体基板を貫通して該
発光領域の一端を表出する開口と、該半導体基板
及び該発光領域の他端の表面に形成された電極と
を有することにより達成される。
がnaかつ厚さがdaである第１導電型の第１の半導
体層と、禁制帯幅がEc、屈折率がncかつ厚さがdc
である第１導電型の第２の半導体層とが交互に積
層されてなり、該第一及び第二の半導体層の垂直
方向に光出力される発光領域と、該第１、第２の
半導体層の延在方向に隣接し、該発光領域とpn
接合を構成する第２導電型の半導体層とを有し、
前記発光領域における前記禁制帯幅及び屈折率が Ea＜Ecかつna＞nc であつて、出射光の真空中の波長λp、該発光領域
の積層構造の有効屈折率ne、正の整数ｌの関係
が、ほぼ da＋dc＝ｌ・λp／（2ne） を満たすことにより達成され、及び 前記発光領域及び該発光領域とpn接合を構成
する半導体層は、第２導電型の半導体基板上に共
通に形成されてなり、該半導体基板を貫通して該
発光領域の一端を表出する開口と、該半導体基板
及び該発光領域の他端の表面に形成された電極と
を有することにより達成される。
(f) 発明の実施例
以下、本発明を実施例により図面を参照して具
体的に説明する。
体的に説明する。
図は本発明の実施例を２等分した１片を示す斜
視図である。
視図である。
図において、１はｎ型ガリウム、砒素
（GaAs）基板、２はｎ型ガリウム・アルミニウ
ム・砒素（Ga0.7Al0.3As）クラツド層、３はｎ型
GaAs活性層であつて、後に詳細に説明する如く
クラツド層２と活性層３とは交互に積層して形成
されている。斜線で示した４は前記クラツド層２
と活性層３とよりなる積層構造に不純物を拡散す
ることによつて形成されたｐ型領域、５は絶縁
層、６はｎ側電極、７はｐ側電極を示す。
（GaAs）基板、２はｎ型ガリウム・アルミニウ
ム・砒素（Ga0.7Al0.3As）クラツド層、３はｎ型
GaAs活性層であつて、後に詳細に説明する如く
クラツド層２と活性層３とは交互に積層して形成
されている。斜線で示した４は前記クラツド層２
と活性層３とよりなる積層構造に不純物を拡散す
ることによつて形成されたｐ型領域、５は絶縁
層、６はｎ側電極、７はｐ側電極を示す。
本実施例においては、活性層を構成するGaAs
層３は禁制帯幅Ea＝1.42〔eV〕、フオトルミネセ
ンスのピーク波長λp＝0.87〔μm〕に対する屈折率
na＝3.60であり、クラツド層を構成するGa0.7
Al0.3As層２は禁制帯幅Ec＝1.8〔eV〕、前記波長
0.87〔μm〕の光に対する屈折率nc＝3.39であつて、
Ea＜Ec、na＞ncなる関係が満足されている。
層３は禁制帯幅Ea＝1.42〔eV〕、フオトルミネセ
ンスのピーク波長λp＝0.87〔μm〕に対する屈折率
na＝3.60であり、クラツド層を構成するGa0.7
Al0.3As層２は禁制帯幅Ec＝1.8〔eV〕、前記波長
0.87〔μm〕の光に対する屈折率nc＝3.39であつて、
Ea＜Ec、na＞ncなる関係が満足されている。
また、GaAs活性層３は各層の厚さをda＝0.15
〔μm〕、Ga0.7Al0.3Asクラツド層２は活性層３に
挟まれた各層の厚さをde＝0.225〔μm〕に形成す
ることによつて、da＋de＝0.375〔μm〕とし、か
つ出射光の真空中の波長λp＝λp＝0.87〔μm〕に対
するGaAs活性層３とGa0.7Al0.3Asクラツド層２
とよりなる半導体積層構造の有効屈折率（半導体
積層構造内の伝播定数βと真空中の伝播定数kpと
の比β／kO）ne＝3.48ならしめて、Braggの反射
条件 da＋de＝ｌλp／2ne をｌ＝３について満足させて、GaAs活性層３を
20層、Ga0.7Al0.3Asクラツド層２を最初と最後の
厚さが制約されない２層を含めて21層交互に分子
線エピタキシヤル成長法によつて形成している。
なお、GaAs活性層３の層数Ｎは10程度以上とす
ることが望ましく、これらの層の成長方法は金属
有機化学気相成長法などを採用してもよい。
〔μm〕、Ga0.7Al0.3Asクラツド層２は活性層３に
挟まれた各層の厚さをde＝0.225〔μm〕に形成す
ることによつて、da＋de＝0.375〔μm〕とし、か
つ出射光の真空中の波長λp＝λp＝0.87〔μm〕に対
するGaAs活性層３とGa0.7Al0.3Asクラツド層２
とよりなる半導体積層構造の有効屈折率（半導体
積層構造内の伝播定数βと真空中の伝播定数kpと
の比β／kO）ne＝3.48ならしめて、Braggの反射
条件 da＋de＝ｌλp／2ne をｌ＝３について満足させて、GaAs活性層３を
20層、Ga0.7Al0.3Asクラツド層２を最初と最後の
厚さが制約されない２層を含めて21層交互に分子
線エピタキシヤル成長法によつて形成している。
なお、GaAs活性層３の層数Ｎは10程度以上とす
ることが望ましく、これらの層の成長方法は金属
有機化学気相成長法などを採用してもよい。
以上説明した構成よりなるクラツド層２と活性
層３との積層構造体に、本実施例においては図に
示す如く基板１に接するクラツド層２から絶縁層
５に接するクラツド層２を貫通する円筒状のｐ型
領域４を例えば亜鉛（Zn）の拡散によつて形成
する。
層３との積層構造体に、本実施例においては図に
示す如く基板１に接するクラツド層２から絶縁層
５に接するクラツド層２を貫通する円筒状のｐ型
領域４を例えば亜鉛（Zn）の拡散によつて形成
する。
次いで基板１上にｎ側電極６とする例えば金・
ゲルマニウム／金（AuGe／Au）膜を被着した
後に該AuGe／Au膜及び基板１を貫通して最初
のクラツド層２を表出する開口を設け、また最後
のクラツド層２に接して選択的にｐ型領域４に表
出する絶縁膜５及び例えば金・亜鉛（AuZn）よ
りなるｐ側電極７を形成する。
ゲルマニウム／金（AuGe／Au）膜を被着した
後に該AuGe／Au膜及び基板１を貫通して最初
のクラツド層２を表出する開口を設け、また最後
のクラツド層２に接して選択的にｐ型領域４に表
出する絶縁膜５及び例えば金・亜鉛（AuZn）よ
りなるｐ側電極７を形成する。
以上説明した構造を有する本実施例のレーザに
おいては、ｐ側電極７よりｎ側電極６に到る電流
は、ビルトインポテンシヤルの低いGaAs層３に
おいてｎ型領域３からｐ型領域４に電子によつて
注入されて、電子の拡散幅（数μm程度）の範囲
において発光再結合が行なわれる。
おいては、ｐ側電極７よりｎ側電極６に到る電流
は、ビルトインポテンシヤルの低いGaAs層３に
おいてｎ型領域３からｐ型領域４に電子によつて
注入されて、電子の拡散幅（数μm程度）の範囲
において発光再結合が行なわれる。
ここで発生した光のうち、真空中の波長がλpで
あるピーク成分は、Braggの反射条件を満足する
半導体積層構造によつて縦モードが界面に整合す
る供振状態となり、基板１に設けられた前記開口
より、図中矢印をもつて模式的に示す如くレーザ
光として出射する。
あるピーク成分は、Braggの反射条件を満足する
半導体積層構造によつて縦モードが界面に整合す
る供振状態となり、基板１に設けられた前記開口
より、図中矢印をもつて模式的に示す如くレーザ
光として出射する。
特に本実施例のpn接合が無終端の環状をなす
構造において、例えばｎ型領域の電子濃度を５×
1018〔cm-3〕以上とし、ｐ型領域の正孔濃度を８
×1018〔cm-3〕以下とするなど、両領域の不純物
濃度を選択することによつて、ｐ型領域４の屈折
率をその周囲のｎ型領域の屈折率より大きくして
光の閉じ込めを行なうことが可能であつて、横モ
ードについても安定化が実現され、単一モードも
可能である。
構造において、例えばｎ型領域の電子濃度を５×
1018〔cm-3〕以上とし、ｐ型領域の正孔濃度を８
×1018〔cm-3〕以下とするなど、両領域の不純物
濃度を選択することによつて、ｐ型領域４の屈折
率をその周囲のｎ型領域の屈折率より大きくして
光の閉じ込めを行なうことが可能であつて、横モ
ードについても安定化が実現され、単一モードも
可能である。
ただし横モードの安定化は、例えばトランスバ
ースジヤンクシヨンストライプ構造の半導体レー
ザ等について既に行なわれている如く、ｎ側半導
体積層構造にアクセプタ不純物を拡散せしめて１
×1020〔cm-3〕程度の高濃度のp+型領域を形成し
次いで不純物の再拡散を行なつて高屈折率のｐ型
領域を形成して屈折率ガイデイングを構成するこ
とによつても可能である。この種の屈折率ガイデ
イングを設けるならばpn接合が無終端の環状を
なすことは光のガイデイングのためには不必要で
あるが、実用に適し更に光放出面の拡大及び集積
化に適する面発光レーザとしては、例えば前記実
施例の如く、pn接合が環状をなしてこの接合界
面内に光が閉じ込められる構造が有利である。
ースジヤンクシヨンストライプ構造の半導体レー
ザ等について既に行なわれている如く、ｎ側半導
体積層構造にアクセプタ不純物を拡散せしめて１
×1020〔cm-3〕程度の高濃度のp+型領域を形成し
次いで不純物の再拡散を行なつて高屈折率のｐ型
領域を形成して屈折率ガイデイングを構成するこ
とによつても可能である。この種の屈折率ガイデ
イングを設けるならばpn接合が無終端の環状を
なすことは光のガイデイングのためには不必要で
あるが、実用に適し更に光放出面の拡大及び集積
化に適する面発光レーザとしては、例えば前記実
施例の如く、pn接合が環状をなしてこの接合界
面内に光が閉じ込められる構造が有利である。
本発明の面発光レーザは従来の面発光レーザと
異なつて発光領域がBraggの反射条件を満たして
多層重畳されているために閾値電流が低減され、
かつ量子効率が向上する。
異なつて発光領域がBraggの反射条件を満たして
多層重畳されているために閾値電流が低減され、
かつ量子効率が向上する。
なお、前記実施例においてはpn接合はホモ接
合であるが、例えば前記半導体積層構造をその導
電型をｐ型として成長形成させ、所要のｐ型領域
を残置する選択的エツチング後に、ｎ型GaAlAs
層を選択成長させることによつて、活性層のpn
接合をヘテロ接合とすることができてキヤリア注
入効率が改善される。
合であるが、例えば前記半導体積層構造をその導
電型をｐ型として成長形成させ、所要のｐ型領域
を残置する選択的エツチング後に、ｎ型GaAlAs
層を選択成長させることによつて、活性層のpn
接合をヘテロ接合とすることができてキヤリア注
入効率が改善される。
また前記実施例においては、活性層の厚さdaを
クラツド層の厚さdcとの和をλ0／2ne整数倍に合
致させて共振条件を満足させているが、活性層の
厚さdaをクラツド層の厚さdcに比較して充分に薄
くし、クラツド層の厚さdeをλp／2neの整数倍に
合致させることによつても、ほぼ同様の効果を得
ることが可能である。
クラツド層の厚さdcとの和をλ0／2ne整数倍に合
致させて共振条件を満足させているが、活性層の
厚さdaをクラツド層の厚さdcに比較して充分に薄
くし、クラツド層の厚さdeをλp／2neの整数倍に
合致させることによつても、ほぼ同様の効果を得
ることが可能である。
(g) 発明の効果
以上説明した如く本発明によれば、面発光レー
ザの軸モードの安定性が従来より更に向上し、光
放射面積を更に拡大して光出力を増大することが
容易となるのみならず、横モードの安定化、閾値
電流の低減、量子効率の向上がなされて、半導体
レーザに対する強い要求に応えるのみならず、２
次元レーザアレイは勿論モノリシツク光集積回路
の実現に大きい寄与を及ぼす。
ザの軸モードの安定性が従来より更に向上し、光
放射面積を更に拡大して光出力を増大することが
容易となるのみならず、横モードの安定化、閾値
電流の低減、量子効率の向上がなされて、半導体
レーザに対する強い要求に応えるのみならず、２
次元レーザアレイは勿論モノリシツク光集積回路
の実現に大きい寄与を及ぼす。
図面は本発明の実施例の半導体発光装置を２分
した１片の断面を含む斜視図である。 図において、１はｎ型GaAs基板、２はｎ型
GaAlAsクラツド層、３はｎ型GaAs活性層、４
はｐ型領域、５は絶縁層、６はｎ側電極、７はｐ
側電極を示す。
した１片の断面を含む斜視図である。 図において、１はｎ型GaAs基板、２はｎ型
GaAlAsクラツド層、３はｎ型GaAs活性層、４
はｐ型領域、５は絶縁層、６はｎ側電極、７はｐ
側電極を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 禁制帯幅がEa、屈折率がnaかつ厚さがdaで
ある第１導電型の第１の半導体層と、禁制帯幅が
Ec、屈折率がncかつ厚さがdcである第１導電型の
第２の半導体層とが交互に積層されてなり、該第
一及び第二の半導体層の垂直方向に光出力される
発光領域と、 該第１、第２の半導体層の延在方向に隣接し、
該発光領域とpn接合を構成する第２導電型の半
導体層とを有し、 前記発光領域における前記禁制帯幅及び屈折率
がEa＜Ecかつna＞ncであつて、出射光の真空中
の波長λp、該発光領域の積層構造の有効屈折率
ne、正の整数ｌの関係が、ほぼ da＋dc＝ｌ・λp／（2ne） を満たすことを特徴とする半導体発光装置。 ２ 前記発光領域及び該発光領域とpn接合を構
成する半導体層は、第２導電型の半導体基板上に
共通に形成されてなり、 該半導体基板を貫通して該発光領域の一端を表
出する開口と、 該半導体基板及び該発光領域の他端の表面に形
成された電極とを有する特許請求の範囲第１項記
載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19039182A JPS5979591A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19039182A JPS5979591A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5979591A JPS5979591A (ja) | 1984-05-08 |
| JPH0478036B2 true JPH0478036B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=16257375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19039182A Granted JPS5979591A (ja) | 1982-10-29 | 1982-10-29 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5979591A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60223706A (ja) * | 1984-04-20 | 1985-11-08 | Central Conveyor Kk | ブラシベルト駆動パレツトコンベヤ−のパレツト停止位置決め装置 |
| JPH0513021Y2 (ja) * | 1986-02-20 | 1993-04-06 | ||
| JPH0521899Y2 (ja) * | 1986-09-19 | 1993-06-04 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4309670A (en) * | 1979-09-13 | 1982-01-05 | Xerox Corporation | Transverse light emitting electroluminescent devices |
| JPS56164588A (en) * | 1980-05-23 | 1981-12-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light amplifier |
-
1982
- 1982-10-29 JP JP19039182A patent/JPS5979591A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5979591A (ja) | 1984-05-08 |
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