JPH0478212B2 - - Google Patents
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- JPH0478212B2 JPH0478212B2 JP2981687A JP2981687A JPH0478212B2 JP H0478212 B2 JPH0478212 B2 JP H0478212B2 JP 2981687 A JP2981687 A JP 2981687A JP 2981687 A JP2981687 A JP 2981687A JP H0478212 B2 JPH0478212 B2 JP H0478212B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔対象技術分野〕
この発明は高周波発振形の近接スイツチの改良
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical field of interest] This invention relates to an improvement in a high frequency oscillation type proximity switch.
一般にこの種の近接スイツチとして第２図のブ
ロツク回路図に示すようにバイポーラモノリシツ
クICを用いて構成したものがある。この回路に
おいて検出コイル２とコンデンサ３により並列共
振回路１が構成され、さらにこの並列共振回路と
ともに発振回路４が構成され、この発振回路は被
検出体８の検出コイル２への接近により発振振幅
が変化するように設定されている。そしてこの発
振振幅の変化を次段の振幅比較回路５によつて平
均値化し、かつ基準電圧と比較してこの振幅比較
回路の出力を検出信号として出力回路６より出力
する。なお電源回路７は発振回路４と振幅比較回
路５に一定の電圧Vregを供給している。またａ
は電源端子、ｂは出力端子である。
Generally, this type of proximity switch is constructed using a bipolar monolithic IC, as shown in the block circuit diagram of FIG. In this circuit, a parallel resonant circuit 1 is constituted by a detection coil 2 and a capacitor 3, and an oscillation circuit 4 is constituted together with this parallel resonant circuit. It is set to change. The changes in the oscillation amplitude are then averaged by the amplitude comparison circuit 5 at the next stage, and compared with a reference voltage, and the output of the amplitude comparison circuit is outputted from the output circuit 6 as a detection signal. Note that the power supply circuit 7 supplies a constant voltage Vreg to the oscillation circuit 4 and the amplitude comparison circuit 5. Also a
is a power supply terminal, and b is an output terminal.
また第３図には第２図における発振回路４が示
され、この回路において符号２０で示される部分
はバイポーラモノリシツクICである。この回路
図において、並列共振回路１は定電流回路９によ
つて電流を供給され、その発振電圧はトランジス
タ１０，１１を伝わつて抵抗１５によつて電流に
変換され、その電流はトランジスタ１２，１３と
抵抗１４からなるカレントミラー回路によつて並
列共振回路１に帰還される。 Further, FIG. 3 shows the oscillation circuit 4 in FIG. 2, and the portion designated by the reference numeral 20 in this circuit is a bipolar monolithic IC. In this circuit diagram, a parallel resonant circuit 1 is supplied with current by a constant current circuit 9, and its oscillation voltage is transmitted through transistors 10 and 11 and converted into a current by a resistor 15, and the current is transmitted through transistors 12 and 13. and is fed back to the parallel resonant circuit 1 by a current mirror circuit consisting of a resistor 14.
そしてこの従来の発振回路４において第３図に
示すカレントミラーの基準電流I1とミラー電流I2
の関係は第４図に示す特性を有し、また被検出体
８および検出コイル２の距離Ｓ・Ｄと、並列共振
回路１の共振インピーダンスQωLの関係は第６
図のようになり、さらに被検出体８と検出コイル
２の距離Ｓ・Ｄと発振振幅Voscとの関係は第７
図に示すように軟発振となる。この軟発振の傾き
は抵抗１４の値を変えることによつて変えること
ができるが、硬発振にすることはできなかつた。
したがつてノイズに対して強くするために硬発振
としたくても、バイポーラモノリシツクICを変
えない限りそれは不可能であつた。 In this conventional oscillation circuit 4, the reference current I 1 and the mirror current I 2 of the current mirror shown in FIG.
The relationship has the characteristics shown in FIG.
The relationship between the distance S/D between the detected object 8 and the detection coil 2 and the oscillation amplitude Vosc is as shown in the figure.
As shown in the figure, soft oscillation occurs. Although the slope of this soft oscillation can be changed by changing the value of the resistor 14, hard oscillation cannot be achieved.
Therefore, even if one wanted to use hard oscillation to make the device more resistant to noise, it would not be possible without changing the bipolar monolithic IC.
この発明はこのような問題点にかんがみ、バイ
ポーラモノリシツクICを変えないで発振形態を
自由に変えられるようにすることを目的とする。
In view of these problems, the present invention aims to make it possible to freely change the oscillation form without changing the bipolar monolithic IC.
発振回路において並列共振回路に電流を帰還し
ているカレントミラー回路の２つのトランジスタ
のエミツタをバイポーラモノリシツクIC外に端
子として導出することにより、基準電圧側のトラ
ンジスタのエミツタに抵抗を付ければ硬発振を、
またミラー電流側のトランジスタのエミツタに抵
抗を付ければ軟発振にすることができるようにさ
れている。
In the oscillation circuit, by leading out the emitters of the two transistors of the current mirror circuit that feeds back current to the parallel resonant circuit as terminals outside the bipolar monolithic IC, hard oscillation can be achieved by attaching a resistor to the emitter of the transistor on the reference voltage side. of,
Furthermore, by attaching a resistor to the emitter of the transistor on the mirror current side, soft oscillation can be achieved.
以下図によつてこの発明の一実施例について説
明する。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
すなわち第１図において符号２０で示す一点鎖
線内はバイポーラモノリシツクICで、この回路
図は第３図に示すトランジスタ１２のエミツタを
バイポーラモノリシツクIC２０の外に端子とし
て導出し、一定の電圧Vregを与える電源回路７
とその端子Ｔとの間に抵抗１６を接続し、かつ第
３図に示す抵抗１４を取り去つたもので、基本的
な動作は第３図に示すものと同様であるのでその
説明は省略する。 That is, in FIG. 1, the part within the dashed line 20 is a bipolar monolithic IC, and in this circuit diagram, the emitter of the transistor 12 shown in FIG. 3 is led out as a terminal outside the bipolar monolithic IC 20, and a constant voltage Vreg is applied Power supply circuit 7
A resistor 16 is connected between the terminal T and the resistor 14 shown in Fig. 3 is removed, and the basic operation is the same as that shown in Fig. 3, so the explanation thereof will be omitted. .
ところでこの回路図においてカレントミラー回
路の電流I1とI2の関係は第５図に示す特性を有す
るため、被検出体８と検出コイル２の距離Ｓ・Ｄ
と発振振幅Voscの関係は第８図に示すように硬
発振となる。すなわちカレントミラー回路の２つ
のトランジスタ１２，１３をバイポーラモノリシ
ツクIC２０の外に端子として導出することによ
つて一方のトランジスタ１２のエミツタに抵抗を
接続すれば硬発振に、他方のトランジスタ１３の
エミツタに抵抗を接続すれば軟発振となる。 By the way, in this circuit diagram, the relationship between the currents I 1 and I 2 of the current mirror circuit has the characteristics shown in FIG.
The relationship between the oscillation amplitude Vosc and the oscillation amplitude Vosc results in hard oscillation as shown in FIG. That is, by leading out the two transistors 12 and 13 of the current mirror circuit as terminals outside the bipolar monolithic IC 20, and connecting a resistor to the emitter of one transistor 12, hard oscillation can be achieved; If a resistor is connected, soft oscillation will occur.
この発明は上述のようにカレントミラー回路の
２つのトランジスタのエミツタをバイポーラモノ
リシツクICの外部に端子として導出し、その２
つのトランジスタに抵抗を選択的に外付けするこ
とにより硬発振または軟発振にすることができ、
したがつてバイポーラモノリシツクICを変える
ことなく発振形態を変えることができる。すなわ
ち近接スイツチの設計に柔軟性をもたせ、その近
接スイツチが重視する特性によつて発振形態を変
えることができる。
As described above, this invention leads out the emitters of the two transistors of the current mirror circuit to the outside of the bipolar monolithic IC as terminals, and
Hard oscillation or soft oscillation can be achieved by selectively externally attaching a resistor to two transistors.
Therefore, the oscillation form can be changed without changing the bipolar monolithic IC. In other words, flexibility is provided in the design of the proximity switch, and the oscillation form can be changed depending on the characteristics that are important to the proximity switch.
第１図はこの発明における近接スイツチの発振
回路を示す回路図、第２図は近接スイツチ全体の
ブロツク図、第３図は従来の近接スイツチの発振
回路を示す回路図、第４図は第３図に示すI1とI2
との関係を示す特性図、第５図は第１図に示すI1
とI2との関係を示す特性図、第６図は第３図の
Ｓ・ＤとQωLとの関係を示す特性図、第７図は
軟発振のＳ・ＤとVoscとの関係を示す特性図、
第８図は硬発振のＳ・ＤとVoscとの関係を示す
特性図である。
１……共振回路、２……検出コイル、３……コ
ンデンサ、４……発振回路、５……振幅比較回
路、６……出力回路、７……電源回路、８……被
検出体、９……定電流回路、１０……トランジス
タ、１１……トランジスタ、１２……トランジス
タ、１３……トランジスタ、１４……抵抗、１５
……抵抗、１６……抵抗。
1 is a circuit diagram showing the oscillation circuit of the proximity switch according to the present invention, FIG. 2 is a block diagram of the entire proximity switch, FIG. 3 is a circuit diagram showing the oscillation circuit of a conventional proximity switch, and FIG. I 1 and I 2 shown in the figure
Figure 5 is a characteristic diagram showing the relationship between I 1 shown in Figure 1 .
Figure 6 is a characteristic diagram showing the relationship between S/D and QωL in Figure 3. Figure 7 is a characteristic diagram showing the relationship between S/D and Vosc of soft oscillation. figure,
FIG. 8 is a characteristic diagram showing the relationship between S/D and Vosc of hard oscillation. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Resonance circuit, 2... Detection coil, 3... Capacitor, 4... Oscillation circuit, 5... Amplitude comparison circuit, 6... Output circuit, 7... Power supply circuit, 8... Object to be detected, 9 ... Constant current circuit, 10 ... Transistor, 11 ... Transistor, 12 ... Transistor, 13 ... Transistor, 14 ... Resistor, 15
...Resistance, 16...Resistance.
Claims (1)
回路を含み、カレントミラー回路によつて上記並
列共振回路に電流を帰還する発振回路を備え、か
つバイポーラモノリシツクICを使つて回路を構
成しているものにおいて、上記カレントミラー回
路の２つのトランジスタのエミツタを上記バイポ
ーラモノリシツクIC外に端子として導出すると
ともに上記２つのトランジスタに抵抗を選択的に
外付けすることにより硬発振または軟発振の２つ
の発振形態を選択するようにしたことを特徴とす
る近接スイツチ。1 In a device that includes a parallel resonant circuit consisting of a detection coil and a capacitor, is equipped with an oscillation circuit that feeds back current to the parallel resonant circuit using a current mirror circuit, and is configured using a bipolar monolithic IC. By leading out the emitters of the two transistors of the current mirror circuit as terminals outside the bipolar monolithic IC and selectively externally attaching resistors to the two transistors, two oscillation forms, hard oscillation and soft oscillation, are achieved. Proximity switch characterized by allowing selection.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2981687A JPS63198413A (en) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | Proximity switch |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2981687A JPS63198413A (en) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | Proximity switch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198413A JPS63198413A (en) | 1988-08-17 |
| JPH0478212B2 true JPH0478212B2 (en) | 1992-12-10 |
Family
ID=12286544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2981687A Granted JPS63198413A (en) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | Proximity switch |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63198413A (en) |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP2981687A patent/JPS63198413A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63198413A (en) | 1988-08-17 |
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