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JPH0511660B2 - - Google Patents
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JPH0511660B2 - - Google Patents

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JPH0511660B2
JPH0511660B2 JP62078550A JP7855087A JPH0511660B2 JP H0511660 B2 JPH0511660 B2 JP H0511660B2 JP 62078550 A JP62078550 A JP 62078550A JP 7855087 A JP7855087 A JP 7855087A JP H0511660 B2 JPH0511660 B2 JP H0511660B2
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island
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) この発明はリードフレームのアイランド上に固
定された集積回路を樹脂封止して成る樹脂封止型
集積回路装置及びその製造方法に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) This invention relates to a resin-sealed integrated circuit device in which an integrated circuit fixed on an island of a lead frame is sealed with a resin, and its manufacture. Regarding the method.

(従来の技術) リードフレームのアイランド上に集積回路を固
定して成る集積回路装置においては、半導体チツ
プをじんあいから保護する目的等のために、一般
に、上記集積回路を封止するようになつている。
この封止の方法として、気密封止方法や樹脂封止
方法がある。
(Prior Art) In integrated circuit devices in which an integrated circuit is fixed on an island of a lead frame, the integrated circuit is generally sealed in order to protect the semiconductor chip from dust. ing.
This sealing method includes an airtight sealing method and a resin sealing method.

第3図に樹脂封止型の集積回路装置の一例を示
す。図において、11はリードフレームのアイラ
ンドであり、12は同じくリードである。13は
上記アイランド11上に固定された集積回路であ
る。14は、アイランド11、リード12の基端
部並びに集積回路13を一体的に封止する樹脂で
ある。
FIG. 3 shows an example of a resin-sealed integrated circuit device. In the figure, 11 is an island of the lead frame, and 12 is also a lead. 13 is an integrated circuit fixed on the island 11. 14 is a resin that integrally seals the island 11, the base end portion of the lead 12, and the integrated circuit 13.

上記集積回路13は例えばハイブリツド型の集
積回路である。すなわち、この集積回路13は、
アイランド11上に接着剤等により固定された絶
縁基板131と、この絶縁基板131上に接着剤
等により固定された複数の半導体チツプ132を
有する。絶縁基板131上には、導体配線133
が形成されている。この導体配線133、半導体
チツプ132の電極、リード12は適宜ワイヤ1
34によつて接続されている。
The integrated circuit 13 is, for example, a hybrid integrated circuit. That is, this integrated circuit 13 is
It has an insulating substrate 131 fixed on the island 11 with an adhesive or the like, and a plurality of semiconductor chips 132 fixed on the insulating substrate 131 with an adhesive or the like. Conductive wiring 133 is provided on the insulating substrate 131.
is formed. The conductor wiring 133, the electrodes of the semiconductor chip 132, and the leads 12 are wires 1 as appropriate.
34.

第4図は、樹脂封止型集積回路の他の例の構成
を示す断面図である。この樹脂封止型集積回路装
置は、絶縁基板131に孔135を形成し、一部
の半導体チツプ132をこの孔135を介して接
着剤等によりアイランド12に直接固定した点を
除けば、先の第2図に示す装置とほぼ同じ構成を
有する。したがつて、第4図において、先の第3
図とほぼ同一機能を果す部分には同一符号を付
す。
FIG. 4 is a sectional view showing the structure of another example of the resin-sealed integrated circuit. This resin-sealed integrated circuit device is different from the previous one except that a hole 135 is formed in an insulating substrate 131 and a part of the semiconductor chip 132 is directly fixed to the island 12 through the hole 135 with an adhesive or the like. It has almost the same configuration as the device shown in FIG. Therefore, in Figure 4, the previous third
Parts that perform almost the same functions as those in the figures are given the same reference numerals.

以上樹脂封止型集積回路装置の構成を2つ程説
明したが、この樹脂封止型集積回路装置において
は、集積回路13をじんあい等から保護できる反
面、次のような問題を有していた。
Two configurations of the resin-sealed integrated circuit device have been described above. Although this resin-sealed integrated circuit device can protect the integrated circuit 13 from dust and the like, it has the following problems. Ta.

(1) まず、1つは、パツケージ内への水分の侵入
による集積回路装置の機能破壊時間が短かいこ
とである。
(1) First, the time required for the integrated circuit device to break down due to moisture intrusion into the package is short.

すなわち、水分がパツケージ内に侵入する
と、樹脂14と絶縁基板131との境界面にお
いて、導体配線133間にリーク電流が流れる
ことがあるが、このリーク電流が多いと、集積
回路装置の機能が破壊される。樹脂封止型集積
回路装置の場合、水分の侵入量が多いため、上
記機能破壊が短時間に起きる可能性が高いわけ
である。この問題は、高集積化に伴なつて、導
体配線133の間隔が狭くなつた場合、特に顕
著に現れる。
That is, when moisture enters the package, leakage current may flow between the conductor wiring 133 at the interface between the resin 14 and the insulating substrate 131, but if this leakage current is large, the function of the integrated circuit device may be destroyed. be done. In the case of a resin-sealed integrated circuit device, since a large amount of moisture enters the device, there is a high possibility that the above-mentioned functional breakdown will occur in a short period of time. This problem becomes particularly noticeable when the spacing between the conductor wirings 133 becomes narrower as the integration becomes higher.

例えば、デユアルインラインパツケージ
(DIP)型の樹脂封止型集積回路装置の場合、
配線間隔0.2mm〜1.0mm、配線間印加電圧約30V
という条件で、蒸気加圧処理による長期信頼性
試験を行なつてみると、100時間前後でリーク
電流が10μAオーダに達し、機能破壊が生ずる
ことが確かめられている。この破壊時間は、表
面実装の薄型タイプの樹脂封止型集積回路装置
においては、市場での信頼性において問題とな
る時間である。したがつて、樹脂封止型集積回
路装置の進展、拡大を図るには、破壊時間を伸
ばすことが必須の要件となる。
For example, in the case of a dual inline package (DIP) type resin-sealed integrated circuit device,
Wire spacing 0.2mm to 1.0mm, applied voltage between wires approximately 30V
When conducting a long-term reliability test using steam pressurization under these conditions, it was confirmed that the leakage current reached the order of 10 μA after about 100 hours, causing functional breakdown. This breakdown time is a time that poses a problem in terms of reliability on the market in surface-mounted thin type resin-sealed integrated circuit devices. Therefore, in order to advance and expand resin-sealed integrated circuit devices, it is essential to extend the breakage time.

(2) また、1つは、熱ストレスにより、導体配線
133が断線したり、よじれたり(ひどい場合
はシヨートする)して、機能破壊が生じる可能
性が高いことである。この問題は、導体配線1
33の幅が細かつたり、間隔が狭い場合、さら
には導体配線133が柔らかい材料でできてい
る場合に、特に顕著に現れる。例えば、線幅が
100μm以下の場合、−65゜/200℃の温度サイク
ルを30分ごとに繰り返すことにより、断線やよ
じれが生じることが確かめられている。
(2) Also, one of the problems is that there is a high possibility that the conductor wiring 133 will be disconnected or twisted (or shot in severe cases) due to thermal stress, resulting in functional destruction. This problem is caused by conductor wiring 1
This phenomenon is particularly noticeable when the width of the conductor wiring 133 is narrow or the interval is narrow, or when the conductor wiring 133 is made of a soft material. For example, if the line width is
It has been confirmed that if the wire is 100 μm or less, repeating the -65°/200°C temperature cycle every 30 minutes will cause wire breakage or kinking.

(3) また、1つは導体配線133の横切るワイヤ
134に垂れ下がり等の変形が生じて、シヨー
トが生ずる危険性が高いということである。
(3) Another problem is that there is a high risk that the wire 134 that the conductor wiring 133 crosses will be deformed, such as sagging, and that a shoot will occur.

(4) さらに、1つは絶縁基板131上での導体配
線133の面積比率が高くなると、絶縁基板1
31と樹脂14との密着率が低下するというこ
とである。そして、密着率が低下すると、上述
した(1)の問題等が生じることになる。
(4) Furthermore, one reason is that when the area ratio of the conductor wiring 133 on the insulating substrate 131 increases, the insulating substrate 1
This means that the adhesion rate between 31 and resin 14 decreases. If the adhesion rate decreases, problems such as the above-mentioned (1) will occur.

(発明が解決しようとする問題点) 以上述べたように樹脂封止型集積回路装置は、
従来、水分の侵入による機能破壊時間が短いとい
う問題、熱ストレスにより断線やシヨートが生じ
やすいという問題、ワイヤの変形によるシヨート
が生じやすいという問題、導体配線の面積比率の
増大に伴ない樹脂の密着率が低下するという問題
を有していた。
(Problems to be Solved by the Invention) As stated above, the resin-encapsulated integrated circuit device
Conventionally, there have been problems such as a short time for functional breakdown due to moisture intrusion, a problem in which wire breakage or shortening is likely to occur due to thermal stress, a problem in which shortening is likely to occur due to wire deformation, and a problem in which resin adhesion occurs due to an increase in the area ratio of conductor wiring. The problem was that the rate decreased.

そこで、この発明は、上記問題を解決し、高い
信頼性を得ることができる樹脂封止型集積回路装
置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to provide a resin-sealed integrated circuit device and a method for manufacturing the same, which can solve the above problems and provide high reliability.

[発明の構成] (問題点を解決するための手段) 上記目的を達成するためにこの発明は、リード
フレームにおけるアイランドの表面上に設けられ
た第1の孔を有する絶縁基板と、前記第1の孔に
より露出された前記アイランドの上に設けられた
半導体チツプと、前記絶縁基板の上に設けられた
導体層と、前記導体層を被覆し、前記導体層の電
極取り出し部に対応する部分に第2の孔を有する
ポリイミドからなる絶縁被覆と、前記第2の孔に
より露出された前記導体層の前記電極取り出し部
と前記半導体チツプとを接続するワイヤと、前記
ワイヤ、前記絶縁被膜、前記半導体チツプおよび
前記アイランドを封止する樹脂とを具備するよう
な構成を有するものである。
[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention provides an insulating substrate having a first hole provided on the surface of an island in a lead frame; a semiconductor chip provided on the island exposed through the hole; a conductor layer provided on the insulating substrate; and a portion covering the conductor layer and corresponding to the electrode extraction portion of the conductor layer. an insulating coating made of polyimide having a second hole; a wire connecting the electrode lead-out portion of the conductor layer exposed by the second hole to the semiconductor chip; the wire, the insulating coating, and the semiconductor chip; It has a structure comprising a chip and a resin for sealing the island.

また、この発明は、上述したような構成を得る
ために、まず、リードフレームにおけるアイラン
ドの上に第1の孔を有する絶縁基板を設け、前記
第1の孔により露出された前記アイランドの上に
半導体チツプを設ける。次に、前記絶縁基板の上
に導体層を設け、前記導体層の電極取り出し部に
対応する部分に予じめ第2の孔が形成されたポリ
イミドからなる絶縁被膜により前記導体層を覆
う。この後、前記第2の孔により露出された前記
導体層の前記電極取り出し部と前記半導体チツプ
とをワイヤにより接続し、前記ワイヤ、前記絶縁
被膜、前記半導体チツプおよび前記アイランドを
樹脂により封止するようにしたものである。
In addition, in order to obtain the above-described structure, the present invention first provides an insulating substrate having a first hole on the island in the lead frame, and then provides an insulating substrate having a first hole on the island exposed by the first hole. A semiconductor chip is provided. Next, a conductor layer is provided on the insulating substrate, and the conductor layer is covered with an insulating film made of polyimide in which second holes are previously formed in portions of the conductor layer corresponding to the electrode extraction portions. Thereafter, the electrode extraction portion of the conductor layer exposed through the second hole and the semiconductor chip are connected by a wire, and the wire, the insulating coating, the semiconductor chip, and the island are sealed with a resin. This is how it was done.

(作用) 上記構成によれば、パツケージ内に侵入した水
分が導体層に到達するのを、この導体層を被覆す
る絶縁被膜によつて阻止することができるので、
侵入水分による機能破壊を極力抑えることができ
る。
(Function) According to the above configuration, the insulating film covering the conductor layer can prevent moisture that has entered the package from reaching the conductor layer.
Functional damage caused by intruding moisture can be minimized.

また、上記絶縁被膜により熱ストレスが導体層
に直接伝わるのを防ぐことができるので、熱スト
レスによる導体配線の断線やシヨートを極力抑え
ることができる。
Further, since the insulating film can prevent thermal stress from being directly transmitted to the conductor layer, disconnection or shorting of the conductor wiring due to thermal stress can be suppressed to the utmost.

また、上記絶縁被膜により、ワイヤが導体層等
に接触するのを防ぐことができるので、ワイヤの
変形によるシヨートを極力抑えることができる。
Further, the insulating coating can prevent the wire from coming into contact with the conductor layer, etc., so that shortening due to deformation of the wire can be suppressed as much as possible.

さらに、絶縁被膜は金属等より成る導体層に比
べ、樹脂との密着性が良いので、導体層の面積比
率が高くなつても、樹脂との密着率の低下を抑え
ることができる。
Furthermore, since the insulating coating has better adhesion to the resin than a conductor layer made of metal or the like, a decrease in the adhesion rate to the resin can be suppressed even if the area ratio of the conductor layer increases.

(実施例) 以下、図面を参照してこの発明の実施例を詳細
に説明する。
(Embodiments) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す断面
図である。図において、21はリードフレームの
アイランドであり、22は同じくリードである。
23は上記アイランド21上に固定された集積回
路である。24は、アイランド21、リード22
の基端部並びに集積回路23の一体的に封止する
樹脂である。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of an embodiment of the present invention. In the figure, 21 is an island of the lead frame, and 22 is also a lead.
23 is an integrated circuit fixed on the island 21. 24 is island 21, lead 22
This is a resin that integrally seals the base end portion of the integrated circuit 23 and the integrated circuit 23.

上記集積回路23は例えばハイプリツド型の集
積回路である。すなわち、集積回路23は、アイ
ランド21上に接着剤等により固定された絶縁基
板231と複数の半導体チツプ232を有する。
これら複数の半導体チツプ232の一部は接着剤
等により絶縁基板231上に固定されている。ま
た、一部は、絶縁基板232に形成された孔23
3を介して接着剤等によりアイランド21に直接
固定されている。絶縁基板231の上には、導体
配線234が形成されている。この導体配線23
4、半導体チツプ232の電極、リード22はワ
イヤ235によつて適宜接続されている。
The integrated circuit 23 is, for example, a hybrid integrated circuit. That is, the integrated circuit 23 includes an insulating substrate 231 and a plurality of semiconductor chips 232 fixed on the island 21 with an adhesive or the like.
Some of these semiconductor chips 232 are fixed onto the insulating substrate 231 with adhesive or the like. In addition, some of the holes 23 formed in the insulating substrate 232
3 and is directly fixed to the island 21 with an adhesive or the like. Conductive wiring 234 is formed on the insulating substrate 231. This conductor wiring 23
4. The electrodes of the semiconductor chip 232 and the leads 22 are appropriately connected by wires 235.

次にこの発明の特徴を成す部分について説明す
る。
Next, the features of this invention will be explained.

第1図において、25は導体配線234を被覆
する絶縁被膜である。この絶縁被膜25は、導体
配線234の電極取出し部に対応する部分に孔2
6を有する。そして、この孔26を介して導体配
線234の電極取出し部にワイヤ235が接続さ
れている。
In FIG. 1, 25 is an insulating film that covers the conductor wiring 234. In FIG. This insulating coating 25 has holes 2 in the portions corresponding to the electrode extraction portions of the conductor wiring 234.
It has 6. A wire 235 is connected to the electrode lead-out portion of the conductor wiring 234 through the hole 26.

なお、上記絶縁被膜25は例えばポリイミド等
の絶縁物によつて50μm〜100μm程度の膜厚を有
するように形成されている。
The insulating film 25 is formed of an insulating material such as polyimide and has a thickness of about 50 μm to 100 μm.

上記絶縁被膜25による上記導体配線234の
被覆及びワイヤ235の接続は次のような方法で
なされる。
Covering the conductor wiring 234 with the insulating film 25 and connecting the wire 235 are performed in the following manner.

まず、上記絶縁被膜25は、導体配線234の
電極取り出し部に対応する部分に孔26を形成さ
れたフイルムとして予じめ用意される。そして、
この絶縁フイルムを、上記電極取り出し部と孔2
6との位置合わせをしながら、絶縁基板234に
被せ、接着剤等により固着することにより、導体
配線234の被覆が終了する。この後、上記孔2
6を介してワイヤ235を導体配線234の電極
取り出し部に接続する。
First, the insulating coating 25 is prepared in advance as a film in which holes 26 are formed in portions corresponding to the electrode extraction portions of the conductive wiring 234. and,
This insulating film is attached to the electrode extraction part and hole 2.
Covering of the conductor wiring 234 is completed by placing it on the insulating substrate 234 while aligning with the conductor wiring 234 and fixing it with an adhesive or the like. After this, the hole 2
The wire 235 is connected to the electrode lead-out portion of the conductor wiring 234 via the wire 6.

以上により、導体配線234の被覆及びワイヤ
235の接続が終了する。
With the above steps, the covering of the conductor wiring 234 and the connection of the wire 235 are completed.

なお、絶縁フイルムへの孔26の形成には、例
えば、薬品によるエツチング処理、機械的なプレ
ス処理、光反応を利用した処理を用いることがで
きる。
Note that, for forming the holes 26 in the insulating film, for example, chemical etching treatment, mechanical pressing treatment, or treatment using photoreaction can be used.

また、絶縁フイルムを導体配線234に固着す
るための接着剤は、例えば、予じめ絶縁フイルム
に塗布しておけばよい。
Further, the adhesive for fixing the insulating film to the conductor wiring 234 may be applied to the insulating film in advance, for example.

以上説明したようなこの実施例によれば、次の
ような効果を得ることができる。
According to this embodiment as described above, the following effects can be obtained.

(1) まず、絶縁被膜25によつて、パツケージ内
に侵入した水分が導体配線234に到達するの
を極力阻止することができる。これにより、導
体配線234間のリーク電流を小さくすること
ができ、侵入水分による機能破壊を抑えること
ができる。実験の結果、現在、リーク電流が
μAオーダであるのに対し、この実施例では、
これをnAオーダさらにはPAオーダまで抑えら
れることが確められた。これにより、樹脂封止
型集積回路装置の適用範囲、応用範囲を大幅に
拡大することができる。また、水分の阻止はリ
ーク電流の減少だけでなく、印加電圧の高圧化
も現実することができ、この意味においても、
樹脂封止型集積回路装置の適用範囲、応用範囲
を拡大することができる。
(1) First, the insulating coating 25 can prevent moisture that has entered the package from reaching the conductor wiring 234 as much as possible. Thereby, leakage current between the conductor wirings 234 can be reduced, and functional breakdown due to intruding moisture can be suppressed. As a result of experiments, current leakage current is on the order of μA, whereas in this example,
It was confirmed that this could be suppressed to nA order and even PA order. As a result, the range of application and application of the resin-sealed integrated circuit device can be greatly expanded. In addition, blocking moisture not only reduces leakage current, but also increases the applied voltage, and in this sense,
The range of application and application of the resin-sealed integrated circuit device can be expanded.

(2) また、上記絶縁被膜25により熱ストレスが
導体配線234に直接伝わるのを防ぐことがで
きるので、熱ストレスによる導体配線234の
断線やシヨートを極力抑えることができる。
(2) Furthermore, since the insulating film 25 can prevent thermal stress from being directly transmitted to the conductor wiring 234, it is possible to minimize disconnection and shorting of the conductor wiring 234 due to thermal stress.

また、上記絶縁被膜25により、ワイヤ23
5か導体配線234に接触するのを防ぐことが
できるので、ワイヤ235の変形によるシヨー
トを極力抑えることができる。
Furthermore, the insulating coating 25 allows the wire 23 to
Since the wire 235 can be prevented from coming into contact with the conductor wiring 234, shortening due to deformation of the wire 235 can be suppressed as much as possible.

(3) さらに、絶縁被膜25は金属等より成る導体
配線234に比べ、樹脂24との密着性の方が
良いので、導体配線234の面積比率が高くな
つても、樹脂24の密着率の低下を抑えること
ができる。
(3) Furthermore, since the insulating coating 25 has better adhesion to the resin 24 than the conductor wiring 234 made of metal or the like, even if the area ratio of the conductor wiring 234 increases, the adhesion rate of the resin 24 will decrease. can be suppressed.

(4) また、絶縁物によつて導体配線234を被覆
し、絶縁被膜25を形成することは、通常の被
膜形成処理で簡単に行なうことができるので、
何ら生産性を落すことなく、樹脂封止型集積回
路を製造することができる。
(4) Furthermore, since covering the conductor wiring 234 with an insulating material and forming the insulating film 25 can be easily performed using a normal film forming process,
Resin-sealed integrated circuits can be manufactured without any reduction in productivity.

(5) また、導体配線234を孔26のあいた絶縁
被膜25で被覆するのに、予じめ孔26のあい
た絶縁フイルムを用意し、これを導体配線23
4に被せるようにしたので、導体配線234を
傷つけたり、複雑なエツチングコントロールを
必要としない利点がある。すなわち、孔26の
あいた絶縁被膜25で導体配線234を被覆す
る方法としては、この他にも、例えば絶縁被膜
25で導体配線234を被覆した後、孔26を
形成する方法が考えられる。しかし、この方法
では、孔26を形成する際導体配線234を傷
つけたり、エツチングで孔26を形成する場合
には、導体配線234を傷つけないようにする
ためのエツチングレートのコントロールが困難
となる。これに対し、この実施例では、予じめ
孔26の形成された絶縁フイルムを被せるの
で、このような問題が生じないわけである。
(5) Also, in order to cover the conductor wiring 234 with the insulating film 25 having holes 26, an insulating film with holes 26 is prepared in advance, and this is coated on the conductor wiring 234.
4, there is an advantage that the conductor wiring 234 is not damaged and complicated etching control is not required. That is, as a method for covering the conductor wiring 234 with the insulating coating 25 having the holes 26, there is another method, for example, in which the conductor wiring 234 is covered with the insulating coating 25 and then the holes 26 are formed. However, in this method, the conductor wiring 234 is damaged when forming the hole 26, and when the hole 26 is formed by etching, it is difficult to control the etching rate to avoid damaging the conductor wiring 234. On the other hand, in this embodiment, since the insulating film in which the holes 26 are formed in advance is covered, such a problem does not occur.

(6) また、ワイヤ235を導体配線234の電極
取り出し部に接続するのに、孔26が形成され
た絶縁被膜25により導体配線234を被覆し
てから接続するようにしたので、ワイヤ235
の断線等を防止することができる。すなわち、
絶縁被膜で被覆された導体配線234を得るの
に、まず、ワイヤ235を導体配線234の電
極取り出し部に接続してから、導体配線234
に絶縁物を塗布する方法が考えられる。しか
し、この方法では、絶縁物を塗布する際、ワイ
ヤ235の断線等が生じる危険性が高い。これ
に対し、この実施例では、孔26を有する絶縁
被膜25で導体配線234を被覆してから、ワ
イヤ235を接続するようにしたので、このよ
うな問題は生じない。
(6) Furthermore, in order to connect the wire 235 to the electrode extraction portion of the conductor wiring 234, the conductor wiring 234 is covered with the insulating coating 25 in which the hole 26 is formed, and then the wire 235
It is possible to prevent wire breakage, etc. That is,
To obtain the conductor wiring 234 covered with an insulating film, first connect the wire 235 to the electrode extraction part of the conductor wiring 234, and then connect the conductor wiring 234.
One possible method is to apply an insulating material to the surface. However, with this method, there is a high risk that the wire 235 will break when applying the insulator. In contrast, in this embodiment, the wire 235 is connected after the conductor wiring 234 is covered with the insulating coating 25 having the hole 26, so such a problem does not occur.

次に、第2図の断面図を用いてこの発明の他の
実施例を説明する。
Next, another embodiment of the present invention will be described using the sectional view of FIG.

先の実施例では、ハイブリツト型の集積回路を
備えた樹脂封止型集積回路装置にこの発明を適用
する場合を説明したが、この実施例は、モノリシ
ツク型の集積回路を備えた樹脂封止型集積回路装
置にこの発明を適用したものである。
In the previous embodiment, the case where the present invention is applied to a resin-sealed integrated circuit device having a hybrid type integrated circuit has been described, but this embodiment applies to a resin-sealed type integrated circuit device having a monolithic type integrated circuit. This invention is applied to an integrated circuit device.

第2図において、31はリードフレームのアイ
ランドであり、32は同じくリードである。33
はアイランド31上に接着剤等により固定された
半導体チツプである。
In FIG. 2, 31 is an island of the lead frame, and 32 is also a lead. 33
is a semiconductor chip fixed on the island 31 with adhesive or the like.

半導体チツプ33の電極はリード32と電気的
に接続される。この場合、一般には、半導体チツ
プ33の電極とリード32との距離が長いため
に、両者は直接接続されることはなく、アイラン
ド31とリード32との間に設けられたパツド3
4を介して接続される。このパツト34は例えば
絶縁物から成る支持台35上に形成され、ワイヤ
36を介してリード32及び半導体チツプ33の
電極に接続されている。そして、このパツド34
は、半導体チツプ33等とともに、樹脂37によ
つて一体的に封止されている。
The electrodes of the semiconductor chip 33 are electrically connected to the leads 32. In this case, generally, since the distance between the electrodes of the semiconductor chip 33 and the leads 32 is long, the two are not directly connected, but the pads 3 provided between the island 31 and the leads 32 are
Connected via 4. This pad 34 is formed on a support base 35 made of, for example, an insulator, and is connected to the leads 32 and the electrodes of the semiconductor chip 33 via wires 36. And this pad 34
is integrally sealed with a resin 37 along with the semiconductor chip 33 and the like.

このような構成において、この実施例では、パ
ツド34を電極取出し部38を残して絶縁被膜3
9で被覆するようにしたものである。
In such a configuration, in this embodiment, the pad 34 is connected to the insulating coating 3 while leaving the electrode extraction portion 38.
9.

このような構成によれば、水分による隣接パツ
ド38間のシヨートの防止等、先の実施例と同様
な効果を得ることができる。
According to this configuration, it is possible to obtain the same effects as in the previous embodiment, such as prevention of shortening between adjacent pads 38 due to moisture.

このようにこの発明の特徴を成す絶縁被膜によ
る被覆は、絶縁着板上の導体配線だけでなく、上
述したパツド等、樹脂封止される導体層一般に適
用可能なものである。
As described above, the coating with the insulating film, which is a feature of the present invention, is applicable not only to the conductor wiring on the insulating bonded board, but also to general conductor layers sealed with resin, such as the above-mentioned pads.

また、以上の説明では、導体層において、電極
取出し部を除く全ての部分を絶縁被膜により被覆
する場合を説明したが、発明の目的を達成するこ
とができる範囲で、被覆部分を少なくするように
してもよい。
In addition, in the above explanation, the case where all parts of the conductor layer except the electrode extraction part are covered with an insulating film is explained, but the covered part should be reduced to the extent that the purpose of the invention can be achieved. It's okay.

また、この発明は、複数の絶縁着板を一体的に
樹脂封止してなる装置にも適用可能なことは勿論
である。
Moreover, the present invention is of course applicable to a device formed by integrally resin-sealing a plurality of insulating bonded plates.

この他にもこの発明は、発明の要旨を逸脱しな
い範囲で種々様々変形実施可能なことは勿論であ
る。
It goes without saying that this invention can be modified in various other ways without departing from the gist of the invention.

[発明の効果] 以上述べたようにこの発明によれば、樹脂封止
型集積回路装置の耐湿特性、熱ストレス特性並び
に樹脂密着率の向上を図ることができるととも
に、ワイヤの変形によるシヨートを防止すること
ができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, it is possible to improve the moisture resistance characteristics, thermal stress characteristics, and resin adhesion rate of a resin-sealed integrated circuit device, and to prevent shortening due to wire deformation. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例の構成を示す断面
図、第2図は同じく他の実施例の構成を示す断面
図、第3図及び第4図はそれぞれ従来の樹脂封止
型集積回路装置の異なる構成を示す断面図であ
る。 21,31……アイランド、22,32……リ
ード、23……集積回路、24,37……樹脂、
25,39……絶縁被膜、26,38……電極取
出し部、23,232……半導体チツプ、34…
…パツド、35……支持台、36,235……ワ
イヤ、231……絶縁基板、233……孔、23
4……導体配線。
FIG. 1 is a sectional view showing the structure of one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a sectional view showing the structure of another embodiment, and FIGS. 3 and 4 are respectively conventional resin-sealed integrated circuits. FIG. 3 is a cross-sectional view showing different configurations of the device. 21, 31... Island, 22, 32... Lead, 23... Integrated circuit, 24, 37... Resin,
25, 39... Insulating coating, 26, 38... Electrode extraction portion, 23, 232... Semiconductor chip, 34...
... Pad, 35 ... Support stand, 36, 235 ... Wire, 231 ... Insulating board, 233 ... Hole, 23
4... Conductor wiring.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 リードフレームにおけるアイランドの表面上
に設けられた第1の孔を有する絶縁基板と、 前記第1の孔により露出された前記アイランド
の上に設けられた半導体チツプと、 前記絶縁基板の上に設けられた導体層と、 前記導体層を被覆し、前記導体層の電極取り出
し部に対応する部分に第2の孔を有するポリイミ
ドからなる絶縁被膜と、 前記第2の孔により露出された前記導体層の前
記電極取り出し部と前記半導体チツプとを接続す
るワイヤと、 前記ワイヤ、前記絶縁被膜、前記半導体チツプ
および前記アイランドを封止する樹脂と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型集積回路
装置。 2 リードフレームにおけるアイランドの上に第
1の孔を有する絶縁基板を設ける工程と、 前記第1の孔により露出された前記アイランド
の上に半導体チツプを設ける工程と、 前記絶縁基板の上に導体層を設ける工程と、 前記導体層の電極取り出し部に対応する部分に
予じめ第2の孔が形成されたポリイミドからなる
絶縁被膜により前記導体層を覆う工程と、 前記第2の孔により露出された前記導体層の前
記電極取り出し部と前記半導体チツプとをワイヤ
により接続する工程と、 前記ワイヤ、前記絶縁被膜、前記半導体チツプ
および前記アイランドを樹脂により封止する工程
と、 を具備することを特徴とする樹脂封止型集積回路
装置の製造方法。
[Scope of Claims] 1. An insulating substrate having a first hole provided on the surface of an island in a lead frame, a semiconductor chip provided on the island exposed by the first hole, and the semiconductor chip provided on the island exposed by the first hole. a conductor layer provided on an insulating substrate; an insulating coating made of polyimide that covers the conductor layer and has a second hole in a portion of the conductor layer corresponding to the electrode extraction portion; A wire connecting the exposed electrode lead-out portion of the conductor layer and the semiconductor chip; and a resin sealing the wire, the insulating film, the semiconductor chip, and the island. Resin-encapsulated integrated circuit device. 2. Providing an insulating substrate having a first hole on the island in the lead frame; Providing a semiconductor chip on the island exposed by the first hole; and Providing a conductor layer on the insulating substrate. a step of covering the conductor layer with an insulating film made of polyimide in which a second hole is previously formed in a portion of the conductor layer corresponding to the electrode extraction portion; connecting the electrode lead-out portion of the conductor layer and the semiconductor chip with a wire; and sealing the wire, the insulating film, the semiconductor chip, and the island with a resin. A method for manufacturing a resin-sealed integrated circuit device.
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