Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPH0512099B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPH0512099B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0512099B2
JPH0512099B2 JP24624985A JP24624985A JPH0512099B2 JP H0512099 B2 JPH0512099 B2 JP H0512099B2 JP 24624985 A JP24624985 A JP 24624985A JP 24624985 A JP24624985 A JP 24624985A JP H0512099 B2 JPH0512099 B2 JP H0512099B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
grinding
grinding wheel
workpiece
chuck
rotation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP24624985A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS62107951A (en
Inventor
Toshuki Mori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP24624985A priority Critical patent/JPS62107951A/en
Publication of JPS62107951A publication Critical patent/JPS62107951A/en
Publication of JPH0512099B2 publication Critical patent/JPH0512099B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 <技術分野> 本発明は、表面研削装置、更に詳しくは、殊に
半導体ウエーハの表面を研削するのに適する表面
研削装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Technical Field> The present invention relates to a surface grinding apparatus, and more particularly, to a surface grinding apparatus suitable for grinding the surface of a semiconductor wafer.

<従来技術> 当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工
程においては、略円板形状である半導体ウエーハ
の表面を研削して半導体ウエーハの厚さを所要値
にせしめることが必要である。そして、半導体ウ
エーハの表面を研削するための表面研削装置とし
ては、一般に特開昭56−152562号公報に開示され
ている形態の表面研削装置が好都合に使用されて
いる。かかる表面研削装置は、回転自在に装着さ
れた支持テーブルと、この支持テーブルに固定さ
れた複数個の半導体ウエーハ保持チヤツクと、上
記支持テーブルの回転方向に間隔を置いて且つ回
転自在に装着された複数個の研削砥石と、上記支
持テーブルを回転駆動するためのテーブル回転手
段と、上記研削砥石を回転せしめるための砥石回
転手段とを具備している。
<Prior Art> As is well known to those skilled in the art, in the semiconductor device manufacturing process, it is necessary to grind the surface of a substantially disk-shaped semiconductor wafer to bring the thickness of the semiconductor wafer to a desired value. As a surface grinding device for grinding the surface of a semiconductor wafer, a surface grinding device of the type disclosed in Japanese Unexamined Patent Publication No. 152562/1988 is generally conveniently used. Such a surface grinding device includes a rotatably mounted support table, a plurality of semiconductor wafer holding chucks fixed to the support table, and a plurality of semiconductor wafer holding chucks that are rotatably mounted at intervals in the rotational direction of the support table. The grinding wheel includes a plurality of grinding wheels, a table rotation means for rotationally driving the support table, and a grindstone rotation means for rotating the grinding wheel.

上記表面研削装置においては、表面を研削すべ
き半導体ウエーハは、チヤツク上に保持される。
そして、複数個の研削砥石の各々が比較的高速で
回転せしめられると共に、支持テーブルが比較的
低速で回転せしめられる。かくして、支持テーブ
ルに固定されたチヤツク上に保持された半導体ウ
エーハは、回転せしめられている複数個の研削砥
石を順次に通過せしめられ、この際に、回転せし
められている研削砥石によつて半導体ウエーハの
表面が研削される。
In the surface grinding apparatus described above, a semiconductor wafer whose surface is to be ground is held on a chuck.
Each of the plurality of grinding wheels is rotated at a relatively high speed, and the support table is rotated at a relatively low speed. In this way, the semiconductor wafer held on the chuck fixed to the support table is sequentially passed through a plurality of rotating grinding wheels, and at this time, the semiconductor wafer is The surface of the wafer is ground.

而して、上記表面研削装置は、上記特開昭56−
152562号公報の記載から首肯される如く、他の形
態の従来の表面研削装置と比べて種々の利点を有
する。しかしながら、未だ充分に満足し得るもの
ではなく、(イ)研削砥石としては全体として環形状
のものが使用されるが、かような研削砥石によつ
て半導体ウエーハの表面全体を一様に研削するに
は研削砥石の外径は研削すべき半導体ウエーハの
外径よりも充分に大きいことが必要であり、従つ
て半導体ウエーハが大径化すると、これに応じて
研削砥石も大径化することが必要であるが、一般
に天然又は合成ダイヤモンド砥粒の如き超砥粒を
適宜の方法によつて結合することによつて製造さ
れる研削砥石の大径化は、砥石製造工程における
種々の点から必ずしも容易ではない、(ロ)研削の際
の回転している研削砥石に対する半導体ウエーハ
の相対的移動は、支持テーブルの比較的低速であ
る回転に付随した半導体ウエーハの送り移動のみ
であつて、研削砥石による半導体ウエーハの研削
軌跡は回転せしめられている研削砥石の外周縁の
移動によつて規定される単純な弧状であり、従つ
て研削抵抗が比較的大きいと共に、半導体ウエー
ハの上記送り移動に応じて研削抵抗が比較的大幅
に変動し、それ故に半導体ウエーハの表面全体に
渡つて充分に均一な研削を遂行することが困難で
あり、研削精度が制限される、等の解決すべき問
題が存在する。
Therefore, the above-mentioned surface grinding device is disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No.
As can be seen from the description in Japanese Patent No. 152562, it has various advantages over other types of conventional surface grinding devices. However, it is still not completely satisfactory, and (a) a grinding wheel with a ring shape as a whole is used, but it is not possible to uniformly grind the entire surface of a semiconductor wafer with such a grinding wheel. The outer diameter of the grinding wheel must be sufficiently larger than the outer diameter of the semiconductor wafer to be ground. Therefore, as the diameter of the semiconductor wafer increases, the diameter of the grinding wheel must also increase accordingly. Although necessary, increasing the diameter of a grinding wheel, which is generally manufactured by bonding superabrasive grains such as natural or synthetic diamond abrasive grains by an appropriate method, is not always possible due to various points in the grinding wheel manufacturing process. (b) The only relative movement of the semiconductor wafer to the rotating grinding wheel during grinding is the feeding movement of the semiconductor wafer accompanying the relatively slow rotation of the support table; The grinding trajectory of a semiconductor wafer is a simple arc defined by the movement of the outer periphery of the rotating grinding wheel, and therefore the grinding resistance is relatively large, and the grinding trajectory is determined by the movement of the outer peripheral edge of the rotating grinding wheel. There are problems to be solved, such as the relatively large fluctuations in the grinding force, which makes it difficult to achieve sufficiently uniform grinding over the entire surface of the semiconductor wafer, limiting the grinding accuracy. .

<先願発明> 上記問題を解決するために、本発明者は、先
に、昭和59年特許願第226720号(発明の名称:表
面研削装置)明細書及び図面において、複数個の
チヤツクを支持テーブルに回転自在に装着すると
共に、複数個のチヤツクを回転駆動せしめるため
のチヤツク回転手段を設けた、改良された表面研
削装置を提案した。かかる表面研削装置において
は、チヤツク上に保持された被加工物の表面を研
削砥石によつて研削する際には、研削砥石を回転
せしめると共に、チヤツクを回転せしめてチヤツ
ク上に保持された半導体ウエーハも回転せしめる
ことができ、かくして上記問題(イ)及び(ロ)を解決す
ることができる。
<Prior Application Invention> In order to solve the above problem, the present inventor first supported a plurality of chucks in the specification and drawings of Patent Application No. 226720 of 1982 (title of invention: surface grinding device). An improved surface grinding device has been proposed which is rotatably mounted on a table and is provided with chuck rotation means for rotating a plurality of chucks. In such a surface grinding device, when the surface of the workpiece held on the chuck is ground by the grinding wheel, the grinding wheel is rotated and the chuck is rotated to grind the semiconductor wafer held on the chuck. can also be rotated, thus solving the above problems (a) and (b).

しかしながら、本発明者が提案した上記表面研
削装置について更に検討を重ねた結果、上記チヤ
ツク回転手段に関して、更に改良すべき問題が残
留していることが判明した。即ち、上記表面研削
装置におけるチヤツク回転手段は、1個の共通駆
動源と、この共通駆動源と複数個のチヤツクの
各々との間に夫々配設された複数個の駆動連結手
段とから構成されている。従つて、共通駆動源が
付勢されると、複数個のチヤツクの全てが回転駆
動され、共通駆動源が除勢されると、複数個のチ
ヤツクの全ての回転駆動が停止される。然るに、
研削効率の向上等の見地からして、特定のチヤツ
クにおいては、その回転駆動を停止して既に研削
された半導体ウエーハを取出すと共に次の研削す
べき半導体ウエーハをチヤツクに装着し、かかる
間にも、他のチヤツクにおいては、チヤツクを回
転駆動して半導体ウエーハの研削を遂行すること
ができるようにせしめることが望ましいことが判
明した。
However, as a result of further studies on the surface grinding device proposed by the present inventors, it has been found that there remain problems with the chuck rotating means that should be further improved. That is, the chuck rotation means in the surface grinding device is composed of one common drive source and a plurality of drive connection means respectively disposed between the common drive source and each of the plurality of chucks. ing. Therefore, when the common drive source is energized, all of the plurality of chucks are rotationally driven, and when the common drive source is deenergized, the rotation of all of the plurality of chucks is stopped. However,
From the standpoint of improving grinding efficiency, the rotation of a particular chuck is stopped, the already ground semiconductor wafer is taken out, and the next semiconductor wafer to be ground is mounted on the chuck, and during this time In other chucks, it has been found desirable to be able to drive the chuck in rotation to accomplish the grinding of semiconductor wafers.

<発明の目的> 本発明は上記事実に鑑みてなされたものであ
り、その主目的は、本発明者が先に提案した表面
研削装置に更に改良を加えて、上記要望をも充足
することができるようにせしめた改良された表面
研削装置を提供することである。
<Object of the Invention> The present invention has been made in view of the above facts, and its main purpose is to further improve the surface grinding device previously proposed by the present inventor to satisfy the above requirements. An object of the present invention is to provide an improved surface grinding device that enables the above-mentioned surface grinding.

<発明の要約> 本発明者は、鋭意検討の結果、上記複数個の駆
動連結手段の各々に、連結及び離脱を制御するた
めのクラツチ手段、好ましくは空気圧クラツチか
ら構成されたクラツチ手段、を組込むことによつ
て、製作コストの増大を必要最小限度にせしめて
上記目的を達成することができることを見出し
た。
<Summary of the Invention> As a result of extensive studies, the present inventor has incorporated into each of the plurality of drive coupling means a clutch means for controlling engagement and disengagement, preferably a clutch means constituted by a pneumatic clutch. It has been found that, by doing so, the above object can be achieved while minimizing the increase in manufacturing costs.

即ち、本発明によれば、回転自在に装着された
支持テーブルと、周方向に間隔を置いて該支持テ
ーブルに回転自在に装着された複数個の被加工物
保持チヤツクと、該チヤツク上に保持された被加
工物の表面を研削するための、回転自在に装着さ
れた研削砥石と、該テーブルを回転駆動せしめる
ためのテーブル回転手段と、該チヤツクを回転駆
動せしめるためのチヤツク回転手段と、該研削砥
石を回転せしめるための研削砥石回転手段とを具
備し、該チヤツク回転手段は、1個の共通駆動源
と、該共通駆動源と該チヤツクの各々との間に
夫々配設された複数個の駆動連結手段を含み、該
駆動連結手段の各々は、連結及び離脱を制御する
ためのクラツチ手段を有する、ことを特徴とする
表面研削装置が提供される。
That is, according to the present invention, a support table rotatably mounted, a plurality of workpiece holding chucks rotatably mounted on the support table at intervals in the circumferential direction, and a workpiece held on the chucks. a grinding wheel rotatably mounted for grinding the surface of a processed workpiece; a table rotation means for rotationally driving the table; a chuck rotation means for rotationally driving the chuck; A grinding wheel rotating means for rotating the grinding wheel is provided, and the chuck rotating means includes one common drive source and a plurality of chucks each disposed between the common drive source and each of the chucks. There is provided a surface grinding apparatus characterized in that the drive coupling means each have a clutch means for controlling engagement and disengagement.

<発明の好適具体例> 以下、添付図面を参照して、本発明に従つて構
成された表面研削装置の好適具体例について詳細
に説明する。
<Preferred Embodiments of the Invention> Hereinafter, preferred embodiments of the surface grinding apparatus constructed according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は、本発明に従つて構成された表面研削
装置の一具体例の主要構成要素を簡略に図示して
いる。図示の表面研削装置は、実質上鉛直に(第
1図において紙面に垂直な方向に)延びる中心軸
線2を中心として回転自在に装着された、比較的
大径の円盤形態である支持テーブル4を具備して
いる。そして、この支持テーブル4上には、周方
向に間隔を置いて複数個、図示の場合は4個の円
盤形態である被加工物保持チヤツク6が回転自在
に装着されている。複数個のチヤツク6は、
夫々、上記中心軸線2からの半径方向距離が相互
に同一で且つ支持テーブル4の周方向に等間隔を
置いた(即ち等角度間隔を置いた)複数個の位置
に配置されているのが好都合である。
FIG. 1 schematically illustrates the main components of one embodiment of a surface grinding apparatus constructed in accordance with the present invention. The illustrated surface grinding device includes a support table 4 in the form of a relatively large diameter disk, which is rotatably mounted around a central axis 2 that extends substantially vertically (perpendicular to the plane of the paper in FIG. 1). Equipped with On this support table 4, a plurality of workpiece holding chucks 6 (four in the illustrated case) are rotatably mounted at intervals in the circumferential direction. The plurality of chucks 6 are
It is convenient that they are arranged at a plurality of positions, each having the same radial distance from the central axis 2 and equally spaced in the circumferential direction of the support table 4 (that is, spaced at equal angular intervals). It is.

上記支持テーブル4の周方向に間隔を置いた複
数個、図示の場合は4個の位置には、夫々、作業
域A、B、C及びDが規定されている。かかる作
業域A、B、C及びDは、支持テーブル4の周方
向に等間隔を置いて(即ち等角度間隔を置いて)
位置し、作業域A、B、C及びDにおける相互角
度間隔は上記複数個のチヤツク6における相互角
度間隔と合致しているのが好都合である。作業域
Aは被加工物取出及び装着域であり、かかる被加
工物取出及び装着域Aにおいては、表面が研削さ
れた被加工物が適宜の取出手段(図示していな
い)によつてチヤツク6から取出され、そして表
面を研削すべき新たな被加工物が適宜の装着手段
(図示していない)によつてチヤツク6上に載置
される。作業域B、C及びDは、夫々、粗研削
域、中間研削域及び仕上げ研削域である。これら
の研削域B、C及びDの各々には、研削砥石8を
有する研削砥石組立体が配設されており、後に更
に言及する如く、粗研削域Bにおいてはチヤツク
6上に保持されている被加工物の表面が粗研削さ
れ、中間研削域Cにおいてはチヤツク6上に保持
されている被加工物の表面が中間研削され、そし
て仕上げ研削域Dにおいてはチヤツク6上に保持
されている被加工物の表面が仕上げ研削される。
Work areas A, B, C, and D are defined at a plurality of positions (four positions in the illustrated case) spaced apart in the circumferential direction of the support table 4, respectively. These working areas A, B, C, and D are spaced at equal intervals in the circumferential direction of the support table 4 (that is, spaced at equal angular intervals).
Advantageously, the mutual angular spacing in the working areas A, B, C and D corresponds to the mutual angular spacing in the plurality of chucks 6. The work area A is a workpiece removal and installation area, and in the workpiece removal and installation area A, the workpiece whose surface has been ground is picked up by a chuck 6 by an appropriate removal means (not shown). The new workpiece to be removed from the chuck 6 and whose surface is to be ground is placed on the chuck 6 by suitable mounting means (not shown). Working areas B, C, and D are a rough grinding area, an intermediate grinding area, and a finishing grinding area, respectively. Each of these grinding zones B, C and D is provided with a grinding wheel assembly having a grinding wheel 8, which in the rough grinding zone B is held on a chuck 6, as will be mentioned further below. The surface of the workpiece is roughly ground, the surface of the workpiece held on the chuck 6 is intermediately ground in the intermediate grinding zone C, and the surface of the workpiece held on the chuck 6 is ground in the final grinding zone D. The surface of the workpiece is finish ground.

第1図と共に第2図を参照して、支持テーブル
4及びこの支持テーブル4に装着されたチヤツク
6の構成について詳述すると、図示の表面研削装
置においては、支持テーブル4の上記中心軸線2
に沿つて実質上鉛直に延びる静止主支持軸(図示
していない)が配設されており、かかる主支持軸
上端部に支持テーブル4が回転自在に装着されて
いる。支持テーブル4には適宜の伝動要素(図示
していない)を介して電動モータでよいテーブル
回転手段10が駆動連結されており、後に更に言
及する如く、テーブル回転手段10によつて支持
テーブル4は第1図に矢印12で示す方向に間け
つ的に或いは連続的に回転せしめる。支持テーブ
ル4の実質上水平な上面の周縁部には、周方向に
等間隔を置いて4個のチヤツク支持ブロツク14
(第2図にその1個のみを図示している)が固定
されており、かかるチヤツク支持ブロツク14の
各々に、上記チヤツク6が夫々回転自在に装着さ
れている。更に詳述すると、略円柱形状でよいチ
ヤツク支持ブロツク14には上方に開口した円形
穴16が形成されており、かかる穴16内にはベ
アリング部材18及び20が配設されている。ベ
アリング部材18の下面は上記穴16内に形成さ
れている環状肩部に当接せしめられており、ベア
リング部材18と20との間には環状スペーサ部
材22が配設されており、そしてチヤツク支持ブ
ロツク14の上面に固定された環状保持板23の
下面内周縁部がベアリング部材20の上面に当接
せしめられており、かくしてベアリング部材18
及び20は所要位置に保持されている。かかるベ
アリング部材18及び20内には、回転軸24の
下部が挿入され、かくして回転軸24がチヤツク
支持ブロツク14に回転自在に装着されている。
そして、チヤツク支持ブロツク14を越えて上方
へ突出している回転軸24の上端にチヤツク6が
固定されている。図示のチヤツク6は、円盤形状
の主部26と、主部26の下面に形成された円形
突部28と、円形突部28の中央から下方に延び
る連結ねじ部30とを有する。一方、上記回転軸
24の上面には、チヤツク6の円形突部28を受
入れる円形凹部32と、かかる円形凹部32の中
央に穿設されたねじ孔33とが形成されている。
チヤツク6の連結ねじ部30は回転軸24のねじ
孔33に螺合され、かくして回転軸24の上端に
チヤツク6が固定される。回転軸24にチヤツク
6を所要通りに固定した状態において、チヤツク
6の上記円形突部28の下面と回転軸24の上記
円形凹部32の底面との間には若干の間隔が存在
し、両者間には閉空間34が規定されている。回
転軸24には、上記円形凹部32の底面に開口し
た上端から回転軸24の下面に開口した下端まで
軸線方向に延びる流路36が形成されている。チ
ヤツク支持ブロツク14に形成されている上記穴
16の底面中央部には、中空マニホルド38が固
定されており、上記流路36の下端はこのマニホ
ルド38に連通せしめられている。チヤツク支持
ブロツク14の下端部には、上記マニホルド38
に連通せしめられた内側端からチヤツク支持ブロ
ツク14の外周面に開口した外側端まで半径方向
に延びる流路40が形成されている。流路40の
外側端は、適宜の切換弁42を有する管路44を
介して真空源46と水でよい液体の供給源48と
に接続されている。一方、チヤツク6の上記円形
突部28及び主部26には、円形突部28の下面
から主部26の上面まで延びる複数個の孔(図示
していない)が形成されている。上記被加工物取
出及び装着域Aにおいてチヤツク6の上面に半導
体ウエーハの如き被加工物が載置されると、切換
弁42が操作されて流路40が真空源46に接続
される。かくすると、チヤツク6に形成された上
記複数個の孔(図示していない)、空間34、流
路36、マニホルド38、流路40及び管路44
を介して空気が吸引され、かくして被加工物がチ
ヤツク6上に吸着保持される。上記被加工物取出
及び装着域Aにおいてチヤツク6上から被加工物
を取出す時には、切換弁42が操作されて流路4
0が供給源48に接続される。かくすると、管路
44、流路40、マニホルド38、流路36、空
間34及びチヤツク6に形成された上記複数個の
孔(図示していない)を介してチヤツク6の上面
に水の如き液体が供給され、かくしてチヤツク6
に吸着されていた被加工物が浮上せしめられる。
Referring to FIG. 2 as well as FIG. 1, the configuration of the support table 4 and the chuck 6 mounted on the support table 4 will be described in detail.
A stationary main support shaft (not shown) is disposed that extends substantially vertically along the main support shaft, and a support table 4 is rotatably mounted on the upper end of the main support shaft. A table rotation means 10, which may be an electric motor, is drivingly connected to the support table 4 via a suitable transmission element (not shown), by means of which the support table 4 is rotated, as will be mentioned further below. It is rotated intermittently or continuously in the direction indicated by arrow 12 in FIG. Four chuck support blocks 14 are arranged at equal intervals in the circumferential direction on the periphery of the substantially horizontal upper surface of the support table 4.
(only one of which is shown in FIG. 2) is fixed, and the chuck 6 is rotatably mounted on each of the chuck support blocks 14. More specifically, the chuck support block 14, which may be generally cylindrical in shape, has an upwardly opening circular hole 16 in which bearing members 18 and 20 are disposed. The lower surface of the bearing member 18 abuts an annular shoulder formed in the hole 16, and an annular spacer member 22 is disposed between the bearing members 18 and 20, and provides a chuck support. The inner peripheral edge of the lower surface of the annular holding plate 23 fixed to the upper surface of the block 14 is brought into contact with the upper surface of the bearing member 20, and thus the bearing member 18
and 20 are held in place. The lower part of the rotating shaft 24 is inserted into the bearing members 18 and 20, and the rotating shaft 24 is thus rotatably mounted on the chuck support block 14.
The chuck 6 is fixed to the upper end of a rotating shaft 24 that projects upward beyond the chuck support block 14. The illustrated chuck 6 has a disk-shaped main portion 26, a circular protrusion 28 formed on the lower surface of the main portion 26, and a connecting screw portion 30 extending downward from the center of the circular protrusion 28. On the other hand, a circular recess 32 for receiving the circular protrusion 28 of the chuck 6 and a screw hole 33 bored in the center of the circular recess 32 are formed on the upper surface of the rotating shaft 24.
The connecting screw portion 30 of the chuck 6 is screwed into the screw hole 33 of the rotating shaft 24, and the chuck 6 is thus fixed to the upper end of the rotating shaft 24. When the chuck 6 is fixed to the rotating shaft 24 as required, there is a slight gap between the lower surface of the circular protrusion 28 of the chuck 6 and the bottom surface of the circular recess 32 of the rotating shaft 24, and there is a gap between the two. A closed space 34 is defined. A flow path 36 is formed in the rotating shaft 24 and extends in the axial direction from an upper end that opens at the bottom surface of the circular recess 32 to a lower end that opens at the lower surface of the rotating shaft 24. A hollow manifold 38 is fixed to the center of the bottom surface of the hole 16 formed in the chuck support block 14, and the lower end of the flow path 36 is communicated with the manifold 38. The manifold 38 is attached to the lower end of the chuck support block 14.
A flow path 40 is formed that extends radially from an inner end communicating with the chuck support block 14 to an outer end opening to the outer peripheral surface of the chuck support block 14. The outer end of the flow path 40 is connected via a line 44 with a suitable switching valve 42 to a vacuum source 46 and a source 48 of liquid, which may be water. On the other hand, the circular protrusion 28 and main portion 26 of the chuck 6 are formed with a plurality of holes (not shown) extending from the lower surface of the circular protrusion 28 to the upper surface of the main portion 26. When a workpiece such as a semiconductor wafer is placed on the upper surface of the chuck 6 in the workpiece removal and loading area A, the switching valve 42 is operated and the flow path 40 is connected to the vacuum source 46. Thus, the plurality of holes (not shown) formed in the chuck 6, the space 34, the flow path 36, the manifold 38, the flow path 40, and the conduit 44
Air is sucked through the chuck 6, and the workpiece is thus attracted and held on the chuck 6. When taking out the workpiece from the chuck 6 in the workpiece removal and mounting area A, the switching valve 42 is operated and the flow path 4
0 is connected to source 48. In this way, liquid such as water flows onto the upper surface of the chuck 6 through the pipe 44, the flow path 40, the manifold 38, the flow path 36, the space 34, and the plurality of holes (not shown) formed in the chuck 6. is supplied, thus chuck 6
The workpiece that had been attracted to the surface is floated up.

第2図を参照してチヤツク回転手段について説
明すると、図示の具体例においては、上記支持テ
ーブル4の実質上水平な上面の中央部に中央支持
ブロツク50が固定され、この中央支持ブロツク
50に中央回転軸52が回転自在に装着されてい
る。更に詳しくは、中央支持ブロツク50は、円
盤状基部54とこの基部54の上面中央部から実
質状鉛直に上方に延びる支持円柱部56を有す
る。一方、中央回転軸52の下部には大径部58
が形成されており、この大径部58には下方に開
口した円形凹部60が形成されている。そして、
中央回転軸52の大径部58がベアリング部材6
2及び64を介して、上記中央支持ブロツク50
の支持円柱部56に回転自在に装着されている。
ベアリング部材62の下面は中央支持ブロツク5
0の基部54の上面に当接し、ベアリング部材6
2とベアリング部材64との間には環状スペーサ
部材66が配設され、ベアリング部材64の上面
は円形凹部60の底面(上面)に当接し、かくし
てベアリング部材62及び64は所要位置に保持
されている。中央回転軸52の上端部は、適宜の
伝動要素(図示していない)を介して電動モータ
でよい共通回転駆動源68に駆動連結されてい
る。回動駆動源68は、上記支持テーブル4上に
適宜の支持枠体(図示していない)を介して装
着、或いは上記支持テーブル4とは別個に適宜の
位置に装着することができる。中央回転軸52の
上記大径部58の外周面には環状フランジ70が
形成されており、この環状フランジ70上に歯車
72が固定されている。
The chuck rotating means will be explained with reference to FIG. 2. In the illustrated example, a central support block 50 is fixed to the center of the substantially horizontal upper surface of the support table 4. A rotating shaft 52 is rotatably mounted. More specifically, the central support block 50 has a disc-shaped base 54 and a support column 56 extending substantially vertically upward from the center of the upper surface of the base 54. On the other hand, a large diameter portion 58 is provided at the bottom of the central rotating shaft 52.
A circular recess 60 opening downward is formed in the large diameter portion 58 . and,
The large diameter portion 58 of the central rotating shaft 52 is the bearing member 6
2 and 64, said central support block 50
It is rotatably attached to the supporting columnar part 56 of.
The lower surface of the bearing member 62 is connected to the central support block 5.
The bearing member 6
2 and the bearing member 64, and the upper surface of the bearing member 64 abuts the bottom surface (upper surface) of the circular recess 60, thus holding the bearing members 62 and 64 in position. There is. The upper end of the central rotation shaft 52 is drivingly connected to a common rotary drive source 68, which may be an electric motor, via a suitable transmission element (not shown). The rotation drive source 68 can be mounted on the support table 4 via a suitable support frame (not shown), or can be mounted at a suitable position separately from the support table 4. An annular flange 70 is formed on the outer peripheral surface of the large diameter portion 58 of the central rotating shaft 52, and a gear 72 is fixed onto the annular flange 70.

支持テーブル4の上面には、更に、被加工物保
持チヤツク6の各々の角度位置に対応して位置す
る4個の支持ブロツク74が固定されている(第
2図には1個の支持ブロツク74のみを図示して
いる)。そして、かかる支持ブロツク74の各々
に、空気圧クラツチを含む駆動連結要素が装着さ
れている。詳述すると、上記支持ブロツク74の
各々は、下部大径円柱部76と上部小径円柱部7
8を有する。そして、上部小径円柱部78には、
ベアリング部材80及び82を介して略円筒形状
の回転部材84が回転自在に装着されている。ベ
アリング部材80の下面は大径円柱部76の上面
に当接し、ベアリング部材80とベアリング部材
82との間には環状スペーサ部材86が配設さ
れ、ベアリング部材82の上面は回転部材84の
内周面に形成されている環状フランジ88の下面
に当接し、かくしてベアリング部材80及び82
は所要位置に保持されている。上部小径円柱部7
8の上面には環状部材90が固定されており、か
かる環状部材90の下面が回転部材84の上記環
状フランジ88を拘束することによつて、回転部
材84の上方への移動が阻止される。回転部材8
4の外周面には環状フランジ92が形成されてお
り、この環状フランジ92上に歯車94が固定さ
れている。この歯車94は上記歯車72に係合せ
しめられている。回転部材84の上端には、合成
ゴムの如き高摩擦係数の材料から形成されている
環状摩擦板96が固定されている。一方、支持ブ
ロツク74の下部大径円柱部76には下方に開放
された円形凹部98が形成されている。この円形
凹部98の下面は支持テーブル4によつて閉じら
れ、後の説明から明らかになる如く、円形凹部9
8は空気圧シリンダ機構のシリンダとして機能す
る。支持ブロツク74には、更に、実質上に鉛直
に延びる貫通穴100が形成されており、この貫
通穴100に軸102が鉛直方向に滑動自在に装
着されている。軸102は上部小径円柱部78の
上面を越えて上方へ延びており、軸102の上端
部には、ベアリング部材106及び止めリング1
08によつて、歯車110が軸102に対して軸
線方向には移動し得ないが回転自在に装着されて
いる。歯車110の下面には、上記摩擦板96に
対向する環状突条112が形成されている。上記
円形凹部98内に位置する軸102の下端には、
空気圧シリンダ機構のピストンとして機能する円
板114が固定されている。支持テーブル4の上
面と円板114との間には複数枚の皿ばねでよい
弾性手段116が配設されており、かかる弾性手
段116は円板114(従つて、軸102及びこ
れに装着された歯車110を上方へ弾性的に偏倚
する。一方、支持ブロツク74の下部大径円柱部
76には、上記円形凹部98の上端に開口した内
側端から下部大径円柱部76の外周面に開口した
外側端まで延びる流路118が形成されている。
そして、流路118の外側端は、適宜の切換弁1
20を有する管路122を介して圧縮空気供給源
124と大気とに選択的に連通せしめられる。流
路118が圧縮空気供給源124に連通せしめら
れると、円形凹部98に供給される圧縮空気によ
つて、弾性手段116の弾性偏倚作用に抗して円
板114が図示の位置まで下降され、従つて軸1
02及び歯車110は実線で示す連結位置まで下
降される。かかる連結位置においては、歯車11
0の下面に形成されている環状突条112が上記
摩擦板96に押圧され、かくして歯車110が回
転部材84に摩擦連結される。一方、流路118
を大気に連通せしめると、弾性手段116の弾性
偏倚作用によつて円板114が上昇せしめられ、
従つて軸102及び歯車110は2点鎖線で示す
解除位置に上昇せしめられる。かかる解除位置に
おいては、歯車110の下面に形成されている環
状突条112が上記摩擦板96から上方に離隔
し、かくして歯車110と回転部材84との連結
が解除される。更に、チヤツク6が固定されてい
る上記回転軸24には歯車126が固定されてお
り、かかる歯車126は上記歯車110に係合せ
しめられている。
Further, four support blocks 74 are fixed to the upper surface of the support table 4, and are positioned corresponding to the respective angular positions of the workpiece holding chuck 6 (one support block 74 is shown in FIG. 2). (Only shown) Each of these support blocks 74 is equipped with a drive coupling element including a pneumatic clutch. To be more specific, each of the support blocks 74 has a lower large-diameter cylindrical portion 76 and an upper small-diameter cylindrical portion 7.
It has 8. And, in the upper small diameter cylindrical part 78,
A substantially cylindrical rotating member 84 is rotatably mounted via bearing members 80 and 82. The lower surface of the bearing member 80 contacts the upper surface of the large diameter cylindrical portion 76, an annular spacer member 86 is disposed between the bearing member 80 and the bearing member 82, and the upper surface of the bearing member 82 contacts the inner periphery of the rotating member 84. abuts the lower surface of an annular flange 88 formed in the surface, thus bearing members 80 and 82
is held in place. Upper small diameter cylindrical part 7
An annular member 90 is fixed to the upper surface of the rotating member 8, and the lower surface of the annular member 90 restrains the annular flange 88 of the rotating member 84, thereby preventing the rotating member 84 from moving upward. Rotating member 8
An annular flange 92 is formed on the outer peripheral surface of 4, and a gear 94 is fixed onto this annular flange 92. This gear 94 is engaged with the gear 72. An annular friction plate 96 made of a material with a high friction coefficient such as synthetic rubber is fixed to the upper end of the rotating member 84. On the other hand, the lower large diameter cylindrical portion 76 of the support block 74 is formed with a circular recess 98 that is open downward. The lower surface of this circular recess 98 is closed by the support table 4, and as will become clear from the later description, the circular recess 98
8 functions as a cylinder of a pneumatic cylinder mechanism. The support block 74 is further formed with a through hole 100 that extends substantially vertically, and a shaft 102 is mounted in the through hole 100 so as to be slidable in the vertical direction. The shaft 102 extends upward beyond the upper surface of the upper small diameter cylindrical portion 78, and a bearing member 106 and a retaining ring 1 are attached to the upper end of the shaft 102.
08, the gear 110 is attached to the shaft 102 so that it cannot move in the axial direction but is rotatable. An annular protrusion 112 facing the friction plate 96 is formed on the lower surface of the gear 110. At the lower end of the shaft 102 located within the circular recess 98,
A disk 114 is fixed, which functions as a piston of a pneumatic cylinder mechanism. An elastic means 116, which may be a plurality of disc springs, is disposed between the upper surface of the support table 4 and the disc 114. On the other hand, the lower large-diameter cylindrical portion 76 of the support block 74 has an opening from the inner end opening at the upper end of the circular recess 98 to the outer peripheral surface of the lower large-diameter cylindrical portion 76. A channel 118 is formed that extends to the outer end.
The outer end of the flow path 118 is connected to an appropriate switching valve 1.
A compressed air source 124 is selectively connected to the atmosphere via a conduit 122 having 20 . When the flow path 118 is brought into communication with the compressed air supply source 124, the compressed air supplied to the circular recess 98 lowers the disk 114 to the illustrated position against the elastic biasing action of the elastic means 116. Therefore axis 1
02 and gear 110 are lowered to the connected position shown by the solid line. In such a connected position, the gear 11
An annular protrusion 112 formed on the lower surface of the gear 110 is pressed against the friction plate 96, and thus the gear 110 is frictionally connected to the rotating member 84. On the other hand, the flow path 118
When the disk 114 is made to communicate with the atmosphere, the disk 114 is raised by the elastic biasing action of the elastic means 116.
Therefore, the shaft 102 and the gear 110 are raised to the release position shown by the two-dot chain line. In this release position, the annular protrusion 112 formed on the lower surface of the gear 110 is separated upward from the friction plate 96, and thus the connection between the gear 110 and the rotating member 84 is released. Further, a gear 126 is fixed to the rotating shaft 24 to which the chuck 6 is fixed, and the gear 126 is engaged with the gear 110.

上述した通りのチヤツク回転手段においては、
共通の駆動源68と複数個(4個)のチヤツク6
の各々との間に配設されている駆動連結手段が、
クラツチ手段(回転部材84に固定された摩擦板
96と歯車110に形成された環状突条112
等)を含んでいる。従つて、複数個のチヤツク6
の各々の回転を別個独立に制御することができ
る。即ち、歯車110を実線で示す連結位置に下
降せしめると、駆動源68の回転が中央回転軸5
2、歯車72、歯車94、回転部材84、摩擦板
96、歯車110及び歯車126を介してチヤツ
ク6に伝動され、かくしてチヤツク6が回転され
る。歯車110を2点鎖線で示す解除位置に上昇
せしめると、摩擦板96と歯車110との間の連
結が解除され、従つてチヤツク6の回転が停止さ
れる。歯車110が2点鎖線で示す解除位置に上
昇せしめられると直ちにチヤツク6の回転が停止
せしめられるようになすために、所望ならば、歯
車110の上昇に同期してチヤツク6に作用する
ブレーキ手段(図示していない)を設けることも
できる。1個の共通駆動源68を使用しているに
もかかわらず、複数個のチヤツク6の各々の回転
を別個独立に制御することができる故に、例え
ば、研削域B、C及びD(第1図)に夫々存在す
る3個のチヤツク6は回転せしめて研削域B、C
及びDにおいて夫々研削作業を遂行し、一方被加
工物取出及び装着域A(第1図)に存在するチヤ
ツク6は停止せしめて被加工物取出及び装着域A
において被加工物取出及び装着作業を遂行し、か
くして作業能率を向上せしめることができる。所
望ならば、チヤツク6の各々に位置検出器(図示
していない)を付設せしめてクラツチ手段の連結
及び解除を自動的に制御し、チヤツク6の各々が
少なくとも研削域B、C及びDに存在する間はチ
ヤツク6を回転せしめ、チヤツク6の各々が少な
くとも被加工物装着及び取出域Aに存在する間は
チヤツク6を停止せしめることもできる。
In the chuck rotating means as described above,
Common drive source 68 and multiple (4) chucks 6
A driving connection means disposed between each of the
Clutch means (friction plate 96 fixed to rotating member 84 and annular protrusion 112 formed on gear 110)
etc.). Therefore, a plurality of chucks 6
The rotation of each can be controlled separately and independently. That is, when the gear 110 is lowered to the connection position shown by the solid line, the rotation of the drive source 68 is caused by the central rotation shaft 5.
2. It is transmitted to the chuck 6 via the gear 72, the gear 94, the rotating member 84, the friction plate 96, the gear 110, and the gear 126, and thus the chuck 6 is rotated. When the gear 110 is raised to the release position shown by the two-dot chain line, the connection between the friction plate 96 and the gear 110 is released, and therefore the rotation of the chuck 6 is stopped. In order to stop the rotation of the chuck 6 as soon as the gear 110 is raised to the release position shown by the chain double-dashed line, if desired, braking means ( (not shown) may also be provided. Even though one common drive source 68 is used, the rotation of each of the plurality of chucks 6 can be controlled separately and independently. ), the three chucks 6 are rotated to grind in the grinding areas B and C.
Grinding work is carried out in the workpiece removal and mounting area A (FIG. 1), while the chuck 6 located in the workpiece removal and mounting area A (FIG. 1) is stopped and the grinding operation is carried out in the workpiece removal and mounting area A.
The workpiece removal and mounting work can be carried out in the machine, thus improving work efficiency. If desired, each of the chucks 6 can be provided with a position detector (not shown) to automatically control the engagement and disengagement of the clutch means, so that each of the chucks 6 is present at least in the grinding zones B, C and D. It is also possible to rotate the chucks 6 during this process, and to stop the chucks 6 at least while each of the chucks 6 is in the workpiece loading and unloading area A.

図示の具体例においては、更に、支持テーブル
4上には、適宜の支持手段(図示していない)に
よつて保護カバー128,130及び132も配
設されている。かかる保護カバー128,130
及び132は、後述する通りにしてチヤツク6上
に保持された被加工物を研削砥石8によつて研削
する際に使用される水でもよい冷却液或いは生成
される研削屑が、支持テーブル4上に配設された
上述した通りの種々の回転支持構造及び伝動要素
内に進入するのを防止する。
In the illustrated embodiment, protective covers 128, 130 and 132 are also arranged on the support table 4 by suitable support means (not shown). Such protective covers 128, 130
and 132, a cooling liquid, which may be water, used when the workpiece held on the chuck 6 is ground by the grinding wheel 8, as will be described later, or generated grinding debris is placed on the support table 4. and into the various rotational support structures and transmission elements as described above disposed therein.

第1図に符号B、C及びDで示す研削域の各々
においては、支持テーブル4に隣接せしめて研削
砥石組立体が配設されている(第1図において
は、図面の明瞭下のために研削砥石組立体におけ
る研削砥石8のみを2点鎖線で簡略に図示してい
る)。研削域B、C及びDに配設されている研削
砥石組立体の構成は実質上同一でよく、第2図に
は1個の研削砥石組立体が図示されている。第2
図を参照して説明すると、全体を番号134で示
す図示の研削砥石組立体は、支持テーブル4の周
縁に隣接して位置せしめられた静止支持基台13
6を有する。この基台136上には、適宜の支持
手段(図示していない)によつて第2図において
左右方向に実質上水平に移動自在に水平動ブロツ
ク138が装着されている。水平動ブロツク13
8の移動方向は、支持テーブル4の半径方向と実
質上合致しているのが好ましい。基台136と水
平動ブロツク138との間には、電動モータでよ
い駆動源を含む第1の砥石移動手段140が介在
せしめられており、かかる第1の砥石移動手段1
40によつて水平動ブロツク138が移動せしめ
られる。水平動ブロツク138には、適宜の支持
手段(図示していない)を介して鉛直動ブロツク
142が実質上鉛直に昇降動自在に装着されてい
る。そして、水平動ブロツク138と鉛直動ブロ
ツク142との間には、電動モータでよい駆動源
を含む第2の砥石移動手段144が介在せしめら
れており、かかる第2の砥石移動手段144によ
つて鉛直動ブロツク142が昇降動せしめられ
る。鉛直動ブロツク142には、回転軸146が
回転自在に装着されている。そして、鉛直動ブロ
ツク142から下方に突出している回転軸146
の下端に、所謂カツプ型研削ホイールであるのが
好ましい研削ホイール148が固定されている。
図示の研削ホイール148は、上記回転軸146
の下端に固定された逆カツプ形状の支持体150
と、この支持体150の円環状開口端に固定され
た研削砥石8とから構成されている。研削砥石8
は全体として円環状であるのが好ましいが、図示
の如く環状に連続して延びるものに限られず、複
数個の弧状片を周方向に間隔を置いて支持体15
0の環状開口端に固定することによつて全体とし
て円環状にせしめられたものも好都合に使用する
ことができる。上記回転軸146は、鉛直動ブロ
ツク142に装着されている電動モータでよい砥
石回転手段152に駆動連結されており、この砥
石回転手段152によつて回転軸146及びこれ
に固定された研削ホイール148が、回転軸14
6の中心軸線154を中心として回転せしめられ
る。中心軸線154は、実質上鉛直に延びること
ができる。所望ならば、中心軸線154を所定の
方向、例えば第2図において下方に向つて右方に
若干の角度(例えば0.004度乃至0.01度程度)傾
斜せしめることもできる。研削砥石8自体は、天
然又は合成ダイヤモンド粒或いは立方晶窒化硼素
粒の如き超砥粒を適宜の方式によつて結合するこ
とによつて形成されたものであるのが好都合であ
る。粗研削域Bにおいて使用される研削砥石8の
砥粒粒度は比較的大きく、中間研削域Cにおいて
使用される研削砥石8の砥粒粒度は中間の大きさ
で、仕上げ研削域Dにおいて使用される研削砥石
8の砥粒粒度は比較的小さいのが好ましい。
In each of the grinding zones designated B, C and D in FIG. 1, a grinding wheel assembly is arranged adjacent to the support table 4 (in FIG. Only the grinding wheel 8 in the grinding wheel assembly is simply illustrated with a two-dot chain line). The construction of the grinding wheel assemblies disposed in grinding zones B, C and D may be substantially the same, with one grinding wheel assembly being shown in FIG. Second
Referring to the figures, the illustrated grinding wheel assembly, generally designated by the numeral 134, includes a stationary support base 13 positioned adjacent the periphery of the support table 4.
It has 6. A horizontally movable block 138 is mounted on the base 136 so as to be movable substantially horizontally in the left-right direction in FIG. 2 by suitable support means (not shown). Horizontal movement block 13
Preferably, the direction of movement of 8 substantially coincides with the radial direction of the support table 4. A first grindstone moving means 140 including a drive source, which may be an electric motor, is interposed between the base 136 and the horizontal moving block 138.
40 causes the horizontal movement block 138 to move. A vertically movable block 142 is attached to the horizontally movable block 138 via suitable support means (not shown) so as to be able to move up and down substantially vertically. A second grindstone moving means 144 including a drive source, which may be an electric motor, is interposed between the horizontal moving block 138 and the vertical moving block 142. The vertically moving block 142 is moved up and down. A rotating shaft 146 is rotatably mounted on the vertically moving block 142. A rotating shaft 146 protrudes downward from the vertical motion block 142.
A grinding wheel 148, preferably a so-called cup-shaped grinding wheel, is fixed to the lower end of the grinding wheel.
The illustrated grinding wheel 148 is connected to the rotating shaft 146.
An inverted cup-shaped support 150 fixed to the lower end of the
and a grinding wheel 8 fixed to the annular open end of this support 150. Grinding wheel 8
It is preferable that the support body 15 has an annular shape as a whole, but it is not limited to the shape that extends continuously in an annular shape as shown in the figure.
It is also possible to conveniently use a device which is made into an annular shape as a whole by being fixed to the annular opening end of the 0. The rotating shaft 146 is drivingly connected to a grinding wheel rotating means 152, which may be an electric motor, mounted on the vertical motion block 142, and the rotating shaft 146 and the grinding wheel 148 fixed thereto are driven by the grinding wheel rotating means 152. However, the rotating shaft 14
6 and is rotated about the central axis 154 of 6. Central axis 154 can extend substantially vertically. If desired, the central axis 154 can be inclined in a predetermined direction, for example, downward and to the right in FIG. 2 by a slight angle (for example, about 0.004 degrees to 0.01 degrees). The grinding wheel 8 itself is conveniently formed by bonding superabrasive grains, such as natural or synthetic diamond grains or cubic boron nitride grains, in any suitable manner. The abrasive grain size of the grinding wheel 8 used in the rough grinding zone B is relatively large, and the abrasive grain size of the grinding wheel 8 used in the intermediate grinding zone C is intermediate in size, and is used in the finish grinding zone D. It is preferable that the abrasive grain size of the grinding wheel 8 is relatively small.

次に、上述した通りの表面研削装置による半導
体ウエーハの表面研削様式について説明する。
Next, a method of surface grinding a semiconductor wafer using the surface grinding apparatus as described above will be explained.

第1の表面研削様式においては、支持テーブル
4は、第1図に図示する角度位置から90度毎間け
つ的に矢印12で示す方向に回転せしめられる。
従つて、支持テーブル4に装着されている4個の
チヤツク6の各々は、順次に、被加工物取出及び
装着域A、粗研削域B、中間研削域C及び仕上げ
研削域Dに位置付けられる。チヤツク6が被加工
物取出及び装着域Aに位置せしめられている間に
は、上述した如く既に表面が研削された半導体ウ
エーハWが適宜の取出手段(図示していない)に
よつてチヤツク6上から取出される。次いで、表
面を研削すべき新たな半導体ウエーハWが、第1
図及び第2図に2点鎖線で図示する如く、適宜の
装着手段(図示していない)によつてチヤツク6
上に載置され、上述した如くしてチヤツク6上に
吸着保持される。かような半導体ウエーハWの取
出及び装着の際には、上記クラツチ手段(回転部
材84に固定された摩擦板96と歯車110に形
成された環状突条112等)が離脱状態にせしめ
られ、チヤツク6の回転が停止せしめられる。
In the first surface grinding mode, the support table 4 is rotated in the direction indicated by arrow 12 in increments of 90 degrees from the angular position shown in FIG.
Therefore, each of the four chucks 6 mounted on the support table 4 is sequentially positioned in the workpiece removal and mounting area A, the rough grinding area B, the intermediate grinding area C, and the finish grinding area D. While the chuck 6 is positioned in the workpiece removal and mounting area A, the semiconductor wafer W whose surface has already been ground as described above is placed on the chuck 6 by an appropriate removal means (not shown). taken from. Next, a new semiconductor wafer W whose surface is to be ground is placed in the first
As shown in FIG.
It is placed on top of the chuck 6 and held by suction on the chuck 6 as described above. When such a semiconductor wafer W is taken out and mounted, the clutch means (the friction plate 96 fixed to the rotating member 84, the annular protrusion 112 formed on the gear 110, etc.) is brought into the disengaged state, and the chuck is removed. 6 is stopped.

研削域B、C及びDの各々における研削は、次
の通りにして遂行することができる。主として第
1図を参照して説明すると、支持テーブル4の回
転が停止されて支持テーブル4が特定角度位置に
停止せしめられると、研削域B、C及びDの各々
においては、チヤツク6上に保持された半導体ウ
エーハWの上方に研削砥石8が位置する。半導体
ウエーハWに対する研削砥石8の相対的位置は、
第1図及び第2図に図示する如く、略円板形状の
半導体ウエーハW(半導体ウエーハWは、一般に、
オリエンテーシヨンフラツトと称される直線状周
縁を除き実質上円形である)の表面の実質上中心
を、研削砥石8の研削縁が通るようにせしめるの
が好ましい。かような要件を充足するために、第
1図及び第2図においては、半導体ウエーハWの
中心軸線(第1図において紙面に垂直な方向に延
び、第2図において上下方向に延びる)に対して
研削砥石8の中心軸線154(第2図)を、支持
テーブル4の半径方向外方に変位せしめている
が、所望ならば他の方向、例えば第3図に図示す
る如く支持テーブル4の周方向に変位せしめるこ
ともできる。半導体ウエーハWの表面を研削する
際には、上記クラツチ手段を連結状態にせしめて
チヤツク6及びその上に保持された半導体ウエー
ハWを矢印156で示す方向(或いは逆方向)
に、例えば1乃至100rpm程度で回転せしめる。
同時に、砥石回転手段152(第2図)によつて
研削砥石8を矢印158で示す方向(或いは逆方
向)に比較的高速、例えば500乃至5000rpm程度
で回転せしめる。そして、第2の砥石移動手段1
44によつて鉛直動ブロツク142を比較的低
速、例えば0.001乃至1.0mm/分で下降せしめ(第
2図)、かくして研削砥石8を半導体ウエーハW
に向けて下降せしめる。かくすると、回転せしめ
られている研削砥石8が回転せしめられている半
導体ウエーハWに作用し、これよつて研削深さを
漸次増大せしめながら半導体ウエーハWの表面が
研削される。半導体ウエーハWの表面の研削深さ
は、研削砥石8の下降量によつて規定される。か
ような表面研削様式において、研削砥石8の研削
縁と半導体ウエーハWの表面の実質上中心との間
に若干のずれが存在すると、容易に理解される如
く、半導体ウエーハWの表面の中心領域に幾分か
の非研削突起が残留する。かかる場合には、研削
砥石8を所定量下降せしめた後に、水平動ブロツ
ク138を幾分かの範囲に渡つて往復動せしめる
ことによつて、半導体ウエーハWの表面に対して
研削砥石8を幾分かの範囲に渡つて往復動せし
め、これによつて上記非研削突起を研削して消失
せしめることができる。半導体ウエーハWの表面
が所要通りに研削されると、研削砥石8が上昇せ
しめられ、そして研削砥石8の回転が停止され
る。しかる後に、支持テーブル4を90度回転せし
める。
Grinding in each of grinding zones B, C and D can be accomplished as follows. Mainly referring to FIG. 1, when the rotation of the support table 4 is stopped and the support table 4 is stopped at a specific angular position, in each of the grinding areas B, C, and D, A grinding wheel 8 is located above the semiconductor wafer W that has been polished. The relative position of the grinding wheel 8 with respect to the semiconductor wafer W is
As shown in FIGS. 1 and 2, a substantially disk-shaped semiconductor wafer W (semiconductor wafer W is generally
Preferably, the grinding edge of the grinding wheel 8 passes through substantially the center of the surface of the grinding wheel (which is substantially circular except for a straight peripheral edge called an orientation flat). In order to satisfy such requirements, in FIGS. 1 and 2, the central axis of the semiconductor wafer W (extending in the direction perpendicular to the plane of the paper in FIG. 1, and extending in the vertical direction in FIG. 2) is The center axis 154 (FIG. 2) of the grinding wheel 8 is displaced radially outward of the support table 4, but if desired, it can be displaced in other directions, for example around the circumference of the support table 4 as shown in FIG. It can also be displaced in the direction. When grinding the surface of the semiconductor wafer W, the clutch means is connected and the chuck 6 and the semiconductor wafer W held thereon are moved in the direction indicated by the arrow 156 (or in the opposite direction).
For example, it is rotated at about 1 to 100 rpm.
At the same time, the grinding wheel 8 is rotated by the grinding wheel rotation means 152 (FIG. 2) in the direction indicated by the arrow 158 (or in the opposite direction) at a relatively high speed, for example, about 500 to 5000 rpm. Then, the second grindstone moving means 1
44 lowers the vertically movable block 142 at a relatively low speed, for example, 0.001 to 1.0 mm/min (FIG. 2), thus moving the grinding wheel 8 onto the semiconductor wafer W.
lower it towards. In this way, the rotating grinding wheel 8 acts on the rotating semiconductor wafer W, thereby grinding the surface of the semiconductor wafer W while gradually increasing the grinding depth. The depth of grinding of the surface of the semiconductor wafer W is defined by the amount by which the grinding wheel 8 is lowered. In such a surface grinding mode, if there is a slight deviation between the grinding edge of the grinding wheel 8 and the substantially center of the surface of the semiconductor wafer W, as is easily understood, the central region of the surface of the semiconductor wafer W Some unground protrusions remain. In such a case, by lowering the grinding wheel 8 by a predetermined amount and then reciprocating the horizontal movement block 138 over a certain range, the grinding wheel 8 can be moved a certain distance against the surface of the semiconductor wafer W. A reciprocating motion can be made over a range of minutes, thereby grinding away the non-grinding protrusions. When the surface of the semiconductor wafer W is ground as required, the grinding wheel 8 is raised and the rotation of the grinding wheel 8 is stopped. After that, the support table 4 is rotated 90 degrees.

上記の通りの第1の表面研削様式に代えて、次
の通りの第2の表面研削様式を遂行することもで
きる。この第2の表面研削様式においては、研削
開始時には、第4図に2点鎖線8Aで示す如く、
研削砥石8はチヤツク6上に保持されている半導
体ウエーハWの外側に位置せしめられる。そし
て、研削砥石8の上下方向位置は、所要研削深さ
に設定、即ち研削砥石8の下端が所要研削深さだ
け半導体ウエーハWの表面よりも下方になるよう
に設定される。そして、上記第1の表面研削様式
の場合と同様に、チヤツク6及びその上に保持さ
れている半導体ウエーハWを矢印156で示す方
向(或いは逆方向)に比較的高速で回転せしめる
と共に、研削砥石8を矢印158で示す方向(或
いは逆方向)に比較的高速で回転せしめる。そし
て更に、第1の砥石移動手段140によつて水平
動ブロツク138を第2図において左方に比較的
低速、例えば100乃至500mm/移動せしめ、かくし
て研削砥石8を第4図において2点鎖線8Aで示
す位置から2点鎖線8Bで示す位置まで矢印16
0で示す方向に移動せしめる。第4図に2点鎖線
8Bで示すところの研削砥石8の位置は、第1図
に2点鎖線で示すところの研削砥石8の位置と同
一でよい。かくすると、回転せしめられている研
削砥石8が、矢印160で示す方向への移動に応
じて半導体ウエーハWの周縁から中心に向けて漸
次作用して半導体ウエーハWの表面を研削する。
半導体ウエーハWの表面の研削深さは、研削砥石
8の初期設定研削深さによつて規定される。
Instead of the first surface grinding mode as described above, a second surface grinding mode as follows can also be performed. In this second surface grinding mode, at the start of grinding, as shown by the two-dot chain line 8A in FIG.
The grinding wheel 8 is positioned outside the semiconductor wafer W held on the chuck 6. The vertical position of the grinding wheel 8 is set to a required grinding depth, that is, the lower end of the grinding wheel 8 is set below the surface of the semiconductor wafer W by the required grinding depth. Then, as in the case of the first surface grinding method, the chuck 6 and the semiconductor wafer W held thereon are rotated at a relatively high speed in the direction indicated by the arrow 156 (or in the opposite direction), and the grinding wheel is rotated at a relatively high speed. 8 is rotated at a relatively high speed in the direction shown by arrow 158 (or in the opposite direction). Further, the first grinding wheel moving means 140 moves the horizontal moving block 138 to the left in FIG. 2 at a relatively low speed, for example, 100 to 500 mm/, thus moving the grinding wheel 8 to the dashed line 8A in FIG. From the position shown by arrow 16 to the position shown by two-dot chain line 8B
Move it in the direction indicated by 0. The position of the grinding wheel 8 shown by the chain double-dashed line 8B in FIG. 4 may be the same as the position of the grinding wheel 8 shown by the chain double-dashed line in FIG. In this way, the rotating grinding wheel 8 gradually acts from the periphery toward the center of the semiconductor wafer W as it moves in the direction indicated by the arrow 160, thereby grinding the surface of the semiconductor wafer W.
The grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W is defined by the initial setting grinding depth of the grinding wheel 8.

上記第1及び第2の表面研削様式に代えて、次
の通りの第3の表面研削様式を遂行することもで
きる。主として第1図を参照して説明すると、上
記第1及び第2の表面研削様式においては、研削
の際には支持テーブル4は特定角度位置に停止せ
しめられていたが、第3の表面研削様式において
は、チヤツク6上に保持された半導体ウエーハW
が研削域B、C及びDを矢印12で示す方向に連
続的に移動して研削砥石8を通過するように、支
持テーブル4が矢印12で示す方向に連続的に比
較的低速、例えばチヤツク6上に保持された半導
体ウエーハWの矢印12で示す方向への移動速度
で100mm/分乃至500mm/分程度の速度で回転せし
められる。一方、研削砥石8は、第3図に2点鎖
線で示す位置(或いは第1図に2点鎖線で示す位
置乃至それより幾分半径方向内側の位置)におい
て、所要研削深さに設定、即ち研削砥石8の下端
が所要深さだけ半導体ウエーハWの表面よりも下
方になるように設定される。そして、上記第1及
び第2の表面研削様式の場合と同様に、少なくと
も研削域B、C及びDにおいてはチヤツク6上に
保持された半導体ウエーハWが矢印156で示す
方向(或いは逆方向)に比較的高速で回転せしめ
られると共に、研削砥石8が矢印158で示す方
向(或いは逆方向)に比較的高速で回転せしめら
れる。かくして、支持テーブル4の連続的回転に
よつてチヤツク6上に保持されたウエーハWが研
削砥石8を通過する際に、回転せしめられている
研削砥石8が回転せしめられている半導体ウエー
ハWの表面に作用して研削する。半導体ウエーハ
Wの表面の研削深さは、研削砥石8の初期設定研
削深さによつて規定される。
Instead of the first and second surface grinding modes described above, a third surface grinding mode as follows can also be performed. Explaining mainly with reference to FIG. 1, in the first and second surface grinding modes, the support table 4 was stopped at a specific angle position during grinding, but in the third surface grinding mode, the support table 4 was stopped at a specific angle position. , the semiconductor wafer W held on the chuck 6
The support table 4 is moved continuously at a relatively low speed in the direction indicated by arrow 12, e.g. The semiconductor wafer W held above is rotated at a moving speed of about 100 mm/min to 500 mm/min in the direction shown by arrow 12. On the other hand, the grinding wheel 8 is set to the required grinding depth at the position shown by the two-dot chain line in FIG. 3 (or at the position shown by the two-dot chain line in FIG. The lower end of the grinding wheel 8 is set to be below the surface of the semiconductor wafer W by a required depth. As in the case of the first and second surface grinding modes, at least in the grinding areas B, C, and D, the semiconductor wafer W held on the chuck 6 is moved in the direction indicated by the arrow 156 (or in the opposite direction). At the same time, the grinding wheel 8 is rotated at a relatively high speed in the direction shown by the arrow 158 (or in the opposite direction). Thus, when the wafer W held on the chuck 6 passes the grinding wheel 8 by the continuous rotation of the support table 4, the surface of the semiconductor wafer W being rotated is It acts on and grinds. The grinding depth of the surface of the semiconductor wafer W is defined by the initial setting grinding depth of the grinding wheel 8.

以上、添付図面を参照して本発明に従つて構成
された表面研削装置の一具体例について詳細に説
明したが、本発明はかかる具体例に限定されるも
のではなく、本発明の範囲を逸脱することなく
種々の変形乃至修正が可能であることは勿論であ
る。
Although a specific example of a surface grinding device configured according to the present invention has been described above in detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not limited to such specific example, and does not depart from the scope of the present invention. Of course, various modifications and modifications can be made without doing so.

<発明の効果> 本発明に従つて構成された表面研削装置の一具
体例についての上記説明から明らかな如く、本発
明に従つて構成された表面研削装置においては、
半導体ウエーハWの如き被加工物の表面の研削の
際には、研削砥石8が回転せしめられると共に、
被加工物も回転せしめられる。それ故に、図示の
具体例においては被加工物の外径よりも相当大き
な外径を有する研削砥石8を使用しているが、研
削砥石8の外径が被加工物の外径と略同一或いは
それよりも幾分小さい場合でも、被加工物の表面
全体を一様に研削することができる。従つて、例
えば半導体ウエーハWが大径化しても、これに応
じて研削砥石8を大径化することが必ずしも必要
でない。また、研削の際の被加工物と研削砥石8
との相対的移動は、少なくとも研削砥石8の回転
と被加工物の回転との双方によつて規定され、従
つて、研削砥石8による被加工物の表面の研削軌
跡は、被加工物の表面全体に渡つて種々の方向に
延在する著しく複雑なものになる。それ故に、研
削抵抗が比較的小さく且つ研削抵抗の変動が充分
に小さく、被加工物の表面全体に渡つて充分に均
一な研削を遂行することができる。加えて、複数
個のチヤツク6を回転せしめるのに1個の共通駆
動源68を使用しているにもかかわらず、共通駆
動源68と複数個のチヤツク6の各々との間の駆
動連結手段に各々にクラツチ手段を組込んでいる
故に、製作コストの増大を必要最小限度にせしめ
て、複数個のチヤツク6の各々の回転を別個独立
に制御することが可能化せしめられており、それ
故に、特定のチヤツクにおいてはその回転を停止
せしめて被加工物の取出及び装着を遂行し、かか
る間にも他のチヤツクにおいてはチヤツクを回転
せしめて被加工物の研削を遂行し、かくして研削
効率を向上せしめることができる。
<Effects of the Invention> As is clear from the above description of a specific example of the surface grinding device constructed according to the present invention, the surface grinding device constructed according to the present invention has the following effects:
When grinding the surface of a workpiece such as a semiconductor wafer W, the grinding wheel 8 is rotated and
The workpiece is also rotated. Therefore, in the illustrated example, a grinding wheel 8 having an outer diameter considerably larger than the outer diameter of the workpiece is used, but the outer diameter of the grinding wheel 8 is approximately the same as the outer diameter of the workpiece Even if it is somewhat smaller than that, the entire surface of the workpiece can be ground uniformly. Therefore, even if the diameter of the semiconductor wafer W increases, for example, it is not necessarily necessary to increase the diameter of the grinding wheel 8 accordingly. In addition, the workpiece and grinding wheel 8 during grinding
The relative movement between the grinding wheel 8 and the workpiece is defined by at least both the rotation of the grinding wheel 8 and the rotation of the workpiece. Therefore, the grinding locus of the surface of the workpiece by the grinding wheel 8 is It becomes extremely complex, extending in various directions throughout. Therefore, the grinding resistance is relatively small, the fluctuations in the grinding resistance are sufficiently small, and sufficiently uniform grinding can be performed over the entire surface of the workpiece. In addition, although one common drive source 68 is used to rotate the plurality of chucks 6, the drive coupling means between the common drive source 68 and each of the plurality of chucks 6 is Since a clutch means is incorporated in each chuck, it is possible to control the rotation of each of the plurality of chucks 6 separately and independently, while minimizing the increase in production cost. The rotation of a particular chuck is stopped to perform removal and loading of the workpiece, and during this time, the chucks are rotated in other chucks to perform grinding of the workpiece, thus improving grinding efficiency. You can force it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明に従つて構成された表面研削
装置の一具体例の主要構成要素を示す簡略平面
図。第2図は、第1図の表面研削装置の一部を示
す断面図。第3図及び第4図は、第1図の表面研
削装置による表面研削様式の変形例を説明するた
めの簡略部分平面図。 4……支持テーブル(支持台)、6……被加工
物保持チヤツク、8……研削砥石。
FIG. 1 is a simplified plan view showing the main components of a specific example of a surface grinding device constructed in accordance with the present invention. FIG. 2 is a sectional view showing a part of the surface grinding device shown in FIG. 1. 3 and 4 are simplified partial plan views for explaining a modification of the surface grinding style by the surface grinding device shown in FIG. 1. FIG. 4... Support table (support stand), 6... Workpiece holding chuck, 8... Grinding wheel.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 回転自在に装着された支持テーブルと、周方
向に間隔を置いて該支持テーブルに回転自在に装
置された複数個の被加工物保持チヤツクと、該チ
ヤツク上に保持された被加工物の表面を研削する
ための、回転自在に装着された研削砥石と、該テ
ーブルを回転駆動せしめるためのテーブル回転手
段と、該チヤツクを回転駆動せしめるためのチヤ
ツク回転手段と、該研削砥石を回転せしめるため
の研削砥石回転手段とを具備し、該チヤツク回転
手段は、1個の共通駆動源と、該共通駆動源と該
チヤツクの各々との間に夫々配設された複数個の
駆動連結手段を含み、該駆動連結手段の各々は、
連結及び離脱を制御するためのクラツチ手段を有
する、ことを特徴とする表面研削装置。 2 該クラツチ手段は圧力空気によつて制御され
る空気圧クラツチである、特許請求の範囲第1項
記載の表面研削装置。 3 該テーブルの周方向に間隔を置いて、1個の
被加工物取出及び装着域と複数個の研削域が規定
されており、該研削域の各々に該研削砥石が設け
られている、特許請求の範囲第1項又は第2項記
載の表面研削装置。 4 該チヤツクの各々が少なくとも該研削域のい
ずれかに存在する間は、対応する該クラツチ手段
が連結状態にせしめられ、該チヤツクの各々が少
なくとも該被加工物取出及び装着域に存在する間
は、対応する該クラツチ手段が離脱状態にせしめ
られる、特許請求の範囲第3項記載の表面研削装
置。 5 該研削砥石は全体として円環形状であり、該
研削砥石の回転中心軸線は該チヤツクの回転中心
軸線と略平行に配置されている、特許請求の範囲
第1項乃至第4項のいずれかに記載の表面研削装
置。 6 該研削砥石はその回転中心軸線方向に移動自
在に装着されていて、該研削砥石をその回転中心
軸線方向に移動せしめるための砥石移動手段が設
けられており、該チヤツク上に保持された被加工
物の表面を該研削砥石によつて研削する際には、
該テーブルは該研削砥石に対して該チヤツク上に
保持された被加工物が所定関係になる所定角度位
置に停止せしめられ、該研削砥石は該砥石移動手
段によつて該チヤツクに向けて移動せしめられ、
かくして被加工物の表面の研削深さが漸次増大せ
しめられる、特許請求の範囲第5項記載の表面研
削装置。 7 該被加工物は略円板形状であり、該テーブル
が該所定角度位置に停止せしめられると、該研削
砥石の外周縁が被加工物の表面の実質上中心を通
るように該研削砥石に対して被加工物が位置付け
られる、特許請求の範囲第6項記載の表面研削装
置。 8 該チヤツク上に保持された被加工物の表面を
該研削砥石によつて研削する際には、該テーブル
は該テーブル回転手段によつて連続的に回転せし
められ、かくして該チヤツク上に保持された被加
工物が該研削砥石を通過せしめられる、特許請求
の範囲第5項記載の表面研削装置。 9 該研削砥石はその回転中心軸線に対して略垂
直な方向に移動自在に装着されていて、該研削砥
石をその回転中心軸線に対して略垂直な方向に移
動せしめられるための砥石移動手段が設けられて
おり、該チヤツク上に保持された被加工物の表面
を該研削砥石によつて研削する際には、該テーブ
ルは所定角度位置に停止せしめられ、該研削砥石
は該チヤツク上に保持された被加工物の周縁から
中心に向けて該砥石移動手段によつて移動せしめ
られ、かくして被加工物の表面がその周縁から中
心に向けて漸次研削せしめられる、特許請求の範
囲第5項記載の表面研削装置。 10 該被加工物の略円板形状であり、該研削砥
石はその外周縁が被加工物の表面の実質上中心を
通る位置まで該砥石移動手段によつて移動せしめ
られる、特許請求の範囲第9項記載の表面研削装
置。 11 被加工物は半導体ウエーハである、特許請
求の範囲第1項乃至第10項のいずれかに記載の
表面研削装置。
[Scope of Claims] 1. A support table rotatably mounted, a plurality of workpiece holding chucks rotatably mounted on the support table at intervals in the circumferential direction, and a workpiece held on the chucks. a grinding wheel rotatably mounted for grinding the surface of a workpiece, a table rotation means for rotationally driving the table, a chuck rotation means for rotationally driving the chuck, and the grinding wheel. A grinding wheel rotating means for rotating the grinding wheel is provided, and the chuck rotating means includes a common driving source and a plurality of grinding wheels respectively disposed between the common driving source and each of the chucks. drive coupling means, each drive coupling means comprising:
A surface grinding device characterized in that it has a clutch means for controlling engagement and disengagement. 2. A surface grinding device according to claim 1, wherein said clutch means is a pneumatic clutch controlled by pressurized air. 3. A patent in which one workpiece removal and loading area and a plurality of grinding areas are defined at intervals in the circumferential direction of the table, and each of the grinding areas is provided with the grinding wheel. A surface grinding device according to claim 1 or 2. 4. while each of said chucks is present at least in any of said grinding zones, said corresponding said clutch means is brought into a connected state; and while each said chuck is present at least in said workpiece removal and loading zone; 4. A surface grinding device according to claim 3, wherein the corresponding clutch means are placed in a disengaged condition. 5. Any one of claims 1 to 4, wherein the grinding wheel has an annular shape as a whole, and the center axis of rotation of the grinding wheel is arranged substantially parallel to the center axis of rotation of the chuck. The surface grinding device described in . 6. The grinding wheel is mounted so as to be movable in the direction of its rotation center axis, and is provided with a grindstone moving means for moving the grinding wheel in the direction of its rotation center axis. When grinding the surface of the workpiece with the grinding wheel,
The table is stopped at a predetermined angular position where the workpiece held on the chuck is in a predetermined relationship with the grinding wheel, and the grinding wheel is moved toward the chuck by the grinding wheel moving means. is,
6. The surface grinding apparatus according to claim 5, wherein the depth of grinding of the surface of the workpiece is gradually increased. 7. The workpiece is approximately disk-shaped, and when the table is stopped at the predetermined angular position, the grinding wheel is moved so that the outer peripheral edge of the grinding wheel passes through substantially the center of the surface of the workpiece. 7. The surface grinding device according to claim 6, wherein the workpiece is positioned against. 8. When the surface of the workpiece held on the chuck is ground by the grinding wheel, the table is continuously rotated by the table rotation means, and thus the workpiece held on the chuck is 6. The surface grinding apparatus according to claim 5, wherein a processed workpiece is passed through the grinding wheel. 9. The grinding wheel is mounted so as to be movable in a direction substantially perpendicular to its rotational center axis, and a grindstone moving means is provided for moving the grinding wheel in a direction substantially perpendicular to its rotational center axis. When the surface of the workpiece held on the chuck is ground by the grinding wheel, the table is stopped at a predetermined angular position, and the grinding wheel is held on the chuck. The grindstone is moved by the grinding wheel moving means from the periphery of the processed workpiece toward the center, and thus the surface of the workpiece is gradually ground from the periphery toward the center. surface grinding equipment. 10. The workpiece has a substantially disk shape, and the grinding wheel is moved by the grindstone moving means to a position where the outer peripheral edge of the grinding wheel passes through substantially the center of the surface of the workpiece. The surface grinding device according to item 9. 11. The surface grinding apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the workpiece is a semiconductor wafer.
JP24624985A 1985-11-05 1985-11-05 surface grinding equipment Granted JPS62107951A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24624985A JPS62107951A (en) 1985-11-05 1985-11-05 surface grinding equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24624985A JPS62107951A (en) 1985-11-05 1985-11-05 surface grinding equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62107951A JPS62107951A (en) 1987-05-19
JPH0512099B2 true JPH0512099B2 (en) 1993-02-17

Family

ID=17145717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24624985A Granted JPS62107951A (en) 1985-11-05 1985-11-05 surface grinding equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62107951A (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0732252A (en) * 1993-07-22 1995-02-03 Hitachi Ltd Work rotation type grinding method, work rotation type grinding machine, silicon wafer and ceramic substrate
JP4455750B2 (en) * 2000-12-27 2010-04-21 株式会社ディスコ Grinding equipment
JP5254539B2 (en) * 2006-08-09 2013-08-07 株式会社ディスコ Wafer grinding equipment
JP6846176B2 (en) * 2016-11-24 2021-03-24 株式会社ディスコ Grinding device

Also Published As

Publication number Publication date
JPS62107951A (en) 1987-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6042459A (en) Surface machining method and apparatus
US20150024662A1 (en) Flexible diaphragm post-type floating and rigid abrading workholder
JP2564214B2 (en) Uniform speed double-side polishing machine and method of using the same
JPS643620B2 (en)
US9233452B2 (en) Vacuum-grooved membrane abrasive polishing wafer workholder
KR920003211B1 (en) Surface grinding device
JP2000015557A (en) Polishing device
US5016399A (en) Planetary lap
KR20100115819A (en) Polishing apparatus, polishing auxiliary apparatus and polishing method
JP7620380B2 (en) Grinding Method
JP3138205B2 (en) High brittleness double-side grinding machine
JP2001298006A (en) Polishing device
KR100807046B1 (en) Chemical mechanical polishing equipment
JPH0512099B2 (en)
JP3173041B2 (en) Wafer polishing apparatus with dresser and method for dressing polishing cloth surface
KR100338404B1 (en) cup-wheel-shaped grindstone and plane grinding machine having the same
JP3795198B2 (en) Substrate holding device and polishing apparatus provided with the substrate holding device
JP3365425B2 (en) Processing device with inner and outer diameter grinding wheels and its processing method
JP3327378B2 (en) Wafer polishing equipment
JP2002009022A (en) Ground substrate, substrate grinding device and grinding method
US6217419B1 (en) Chemical-mechanical polisher
JP2003170338A (en) Grinding method and apparatus
JPH11854A (en) Wafer processing method and surface grinder
JPH03104567A (en) Grinding wheel and grinding method
US3540158A (en) Automatic polishing machine