JPH0514629B2 - - Google Patents
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- JPH0514629B2 JPH0514629B2 JP59166417A JP16641784A JPH0514629B2 JP H0514629 B2 JPH0514629 B2 JP H0514629B2 JP 59166417 A JP59166417 A JP 59166417A JP 16641784 A JP16641784 A JP 16641784A JP H0514629 B2 JPH0514629 B2 JP H0514629B2
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- Japan
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- recording
- temperature
- transformation
- film
- martensite
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
- B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
- B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光記録方式の分野に属する記録材料
に関し、特に書き換え可能な光記録媒体である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a recording material belonging to the field of optical recording systems, and in particular to a rewritable optical recording medium.
従来の技術
記録方式には、(イ)磁気記録方式、(ロ)光磁気記録
方式、(ハ)光記録方式がある。(イ)の磁気記録方式の
分野では、磁性粉末をテープに塗布し、テープの
面内方向に記録する長手方向記録、さらに記録密
度を向上させた高密度長手記録、テープに垂直方
向に磁化する垂直磁気記録方式がある。(ロ)の光磁
気記録方式は、光力−効果を利用した方式であ
る。(ハ)の光記録方式にはa:光により穴をあけ
て、その有無により記録する。BACKGROUND ART Recording methods include (a) magnetic recording, (b) magneto-optical recording, and (c) optical recording. In the field of (a) magnetic recording methods, magnetic powder is applied to the tape and recorded in the in-plane direction of the tape (longitudinal recording), high-density longitudinal recording that further improves the recording density, and magnetization perpendicular to the tape. There is a perpendicular magnetic recording method. The magneto-optical recording method (b) is a method that utilizes the optical force effect. In the optical recording method (c), a: holes are made with light and recording is performed depending on whether or not they are formed.
b:アモルフアス相と結晶質相の光透過率の違
いを記録する。c:アモルフアス相と結晶質相の
光反射率の違いを記録するなどの方法がある。 b: Record the difference in light transmittance between the amorphous phase and the crystalline phase. c: There are methods such as recording the difference in light reflectance between the amorphous phase and the crystalline phase.
この中(ハ)光記録方式は、最初の情報社会の発展
と大量の情報を高速に処理できるシステムの開発
の必要性から注目され、高密度大容量光デイスク
メモリが開発されつつある。 The middle (c) optical recording method has attracted attention due to the development of the first information society and the need to develop systems that can process large amounts of information at high speed, and high-density, large-capacity optical disk memories are being developed.
光デイスクメモリとは、高速(450〜1800rpm)
で回転するデイスクにレーザー光を焦点をしぼつ
て照射し、そのメモリ薄膜に情報ビツトを記録
し、同じレーザーで書き込んだ記録をこわさない
ように読みとるものである。 Optical disk memory is high speed (450~1800rpm)
A laser beam is focused on a rotating disk, recording bits of information on the thin memory film, and reading the information written with the same laser without damaging it.
この光デイスクメモリは、再生専用の光学式ビ
デオデイスクとは異なり、即時記録再生高速ラン
ダムアクセスなどの機能を有し、この書き換え可
能な光デイスク方式は、将来磁気デイスクに置き
換えるものとして期待されている。 Unlike playback-only optical video disks, this optical disk memory has functions such as instant recording, playback, and high-speed random access, and this rewritable optical disk system is expected to replace magnetic disks in the future. .
しかしながら光記録にも長所とともに短所があ
る。 However, optical recording has both advantages and disadvantages.
まず長所であるが、非接触で記録や再生がで
き、多少のゴミ、傷があつても使え、取り扱いが
簡単であり、垂直磁気記録方式のように記録媒体
から離れるとS/N比が低下する方式に比べると
有利である、大きさはフロツピーブイスクの半
分で記録密度が磁気デイスクより1〜2桁高い、
価格はフロツピーデイスクと同等であり、ビツ
ト当りの価格に換算すると磁気テープ並になる、
等が挙げられる。 First, the advantages are that recording and playback can be performed without contact, it can be used even if there is some dust or scratches, it is easy to handle, and unlike perpendicular magnetic recording, the S/N ratio decreases when separated from the recording medium. The size is half that of a floppy disk, and the recording density is one to two orders of magnitude higher than that of a magnetic disk.
The price is the same as a floppy disk, and the price per bit is comparable to magnetic tape.
etc.
そして、短所であるが、書き換え可能な半デ
イスクにはTeOx、FeGe系のカルコゲナイドの
アモルフアス相と結晶相の変態による光反射率の
違いを読みとるものであるが、カルコゲン薄膜は
温度に弱く、酸化を受け易く、長期間の温度の昇
降による黒化によつて透過率が経時変化する、
アクセス時間とデータ転送速度が磁気デイスクと
比較すると劣つている。これは記録媒体の感度と
半導体レーザー出力の関係から回転スピードを磁
気デイスク並に上げられないためである、ビツ
ト誤り率が磁気デイスクの10-7〜10-8(訂正前)
に比べて光デイスクでは10-6前後であり、1〜2
桁低い、などである。ただし、は光デイスクを
作製する際の品質(異物、ピンホールなどの欠
陥、製造工程での微小な傷)の低下によるもので
あり、これは誤り訂正することによつて10-10〜
10となり磁気テープ並になつている。 On the other hand, rewritable half-discs can read the difference in light reflectance due to the transformation of the amorphous phase and crystalline phase of TeOx and FeGe-based chalcogenide, but chalcogen thin films are sensitive to temperature and oxidation-resistant. The transmittance changes over time due to blackening due to long-term temperature rises and falls.
Access time and data transfer speed are inferior to magnetic disks. This is because the rotation speed cannot be increased to the same level as that of a magnetic disk due to the relationship between the sensitivity of the recording medium and the output of the semiconductor laser.The bit error rate is 10 -7 to 10 -8 of that of a magnetic disk (before correction).
Compared to that, it is around 10 -6 for optical disks, which is 1 to 2
An order of magnitude lower. However, this is due to deterioration in quality when manufacturing optical disks (defects such as foreign objects, pinholes , and minute scratches during the manufacturing process), and this can be improved by correcting errors.
10, which is comparable to magnetic tape.
発明が解決しようとする問題点
本発明は上記従来の光記録方式における短所、
すなわち、透過率の経時変化、アクセス時間とデ
ータ転送速度の遅さ、ビツト誤り率の大きさ等の
点について改善しようとするものである。Problems to be Solved by the Invention The present invention solves the disadvantages of the conventional optical recording system described above.
That is, it attempts to improve such points as changes in transmittance over time, slow access time and data transfer rate, and high bit error rate.
問題点を解決するための手段
本発明は、温度および応力によりオーステナイ
ト相とマルテンサイト相が可逆的に変態して、表
面形状の起伏により光の反射率が変化する形状記
憶金属材料よりなる薄膜層を有することを特徴と
する光による記録材料である。Means for Solving the Problems The present invention provides a thin film layer made of a shape memory metal material whose austenite phase and martensite phase are reversibly transformed by temperature and stress, and whose light reflectance changes depending on the undulations of the surface shape. An optical recording material characterized by having:
本発明で利用するオーステナイト相とマルテン
サイト相が可逆的に変態する最も基本的な特徴は
“原子の連携運動にもとづくせん断変形的な格子
変態である”ということである。この変態が可逆
的に発生する代表的な金属は形状記憶金属であ
る。形状記憶効果とは、一旦合金にある形状を記
憶させると、これを変形しても一定の温度以上に
加熱するだけで記憶した元の形に戻つてしまう現
象と一般に言われている。 The most fundamental feature of the reversible transformation of the austenite phase and martensitic phase used in the present invention is that it is a "shear deformation lattice transformation based on the coordinated movement of atoms." A typical metal in which this transformation occurs reversibly is a shape memory metal. The shape memory effect is generally said to be a phenomenon in which once an alloy is made to memorize a certain shape, even if it is deformed, it will return to its original memorized shape simply by heating it above a certain temperature.
形状記憶効果の原因としては、応力によつて
誘起されるマルテンサイトとその逆変態過程、
結晶学的に同等なマルテンサイトの兄弟相の応力
下における食い合いとその逆変態過程、マルテ
ンサイト結晶内の双晶界面の移動、などが主なも
のである。合金系によつて主因が異なり、温度や
応力の条件によつても違つてくる。 The cause of the shape memory effect is stress-induced martensite and its reverse transformation process,
The main causes include the interdigitation of crystallographically equivalent sibling phases of martensite under stress and its reverse transformation process, and the movement of twin interfaces within martensite crystals. The main cause differs depending on the alloy system, and also varies depending on the temperature and stress conditions.
NiTiの場合は高温度で存在する母相CsCl型結
晶(bcc)構造は、変態温度以下に冷却すると他
の単斜晶系のマルテンサイト相に変態する。マル
テンサイト変態の発生により、現象としては表面
組織に笹の葉(レンズ)状は、ヌラス状、バタフ
ライ状、短柵状などの表面起伏を伴なう模様が現
われる。 In the case of NiTi, the matrix CsCl type crystal (bcc) structure that exists at high temperatures transforms into another monoclinic martensitic phase when cooled below the transformation temperature. As a result of the martensitic transformation, a pattern with surface undulations appears on the surface tissue, such as a bamboo leaf (lens) shape, a nullus shape, a butterfly shape, and a short fence shape.
同様の変態が観察される他の系としては、Au
−Cd、In−Tl、Cu−Al−Ni、Cu−Zn、Ni−
Al、Cu−Al−Znと多いが、現在実際に使用され
ているのはNi−Ti系とCu−Al−Zn系のみであ
る。中でもCu−Al−Zn系はNi−Tiよりもかなり
安価で加工製造がはるかに容易で圧延、線引加工
ができるので、広い用途が考えられているが、結
晶粒界が大きため、粒界からの破壊を防止できな
い欠点がある。 Other systems in which similar transformations are observed include Au
−Cd, In−Tl, Cu−Al−Ni, Cu−Zn, Ni−
There are many types such as Al and Cu-Al-Zn, but currently only the Ni-Ti and Cu-Al-Zn systems are actually used. Among them, the Cu-Al-Zn system is considered to have a wide range of uses because it is much cheaper than Ni-Ti, is much easier to process and manufacture, and can be rolled and wire-drawn. It has the disadvantage that it cannot prevent damage from damage.
本発明は、以上のようなオーステナイト−マル
テンサイト可逆的変態をする材料の薄膜の表面起
伏による光の反射率の変化を信号として記録し、
それを読取り、再生し、さらに可逆的な変態を利
用して、表面起伏を平坦化することにより、信号
を消去するものである。 The present invention records changes in light reflectance as a signal due to surface undulations of a thin film of a material that undergoes austenite-martensite reversible transformation as described above,
The signal is then erased by reading it, regenerating it, and flattening the surface undulations using reversible transformation.
上記薄膜を形成するには、スパツタリング法、
イオンプレーテイング法として真空蒸着、化学蒸
着、分子線エピタキシーさらにプラズマスプレイ
ング法、クラスターイオンビーム法等各種成膜法
が用いられる。 To form the above thin film, sputtering method,
Various film forming methods such as vacuum evaporation, chemical vapor deposition, molecular beam epitaxy, plasma spraying, cluster ion beam method, etc. are used as the ion plating method.
以下に薄膜作成法について、代表的なRfスパ
ツタ装置を使用した場合をもつて説明する。 The thin film production method will be explained below using a typical Rf sputtering device.
第1図に示すように、容器1内のArガス圧を
1〜5×10-2Torrとし、ターゲツト2とサブス
トレート3とを40〜50mm間隔で固定した。 As shown in FIG. 1, the Ar gas pressure in the container 1 was set to 1 to 5 x 10 -2 Torr, and the target 2 and the substrate 3 were fixed at an interval of 40 to 50 mm.
ターゲツト2としては、組成調節されたNiTi
インゴツト母材をアーク溶解炉で再度精製し、適
当な形状を有する銅製鋳型に鋳込んで成型したも
のを用いた。 As target 2, NiTi with adjusted composition is used.
The ingot base material was refined in an arc melting furnace and cast into a copper mold having an appropriate shape.
スパツタ膜を堆積するサブストレート3には、
ガラス、石英、アクリル基板、Al、Cu薄膜、
SiO2など各種の材質が使用される。そして、タ
ーゲツトの熱膨脹係数に近いもので密着性の向上
のため、ターゲツトの含有成分同一の元素が入つ
てるものが適当である。 The substrate 3 on which the sputtered film is deposited includes:
Glass, quartz, acrylic substrate, Al, Cu thin film,
Various materials such as SiO 2 are used. In order to improve adhesion, it is suitable that the material has a coefficient of thermal expansion close to that of the target and contains the same elements as the target.
サブストレート3の加熱は、スパツター膜の結
晶化に必要であり、高周波電源4により下部より
加熱する。 Heating of the substrate 3 is necessary for crystallization of the sputtered film, and is heated from the bottom by a high frequency power source 4.
勿論、アモルフアス構造を有する膜をスパツタ
堆積後、真空熱処理することにより、結晶化させ
ることは可能であるが、その際の問題点として
は、NiTi、Cu−Al−Zn系合金を例にとると、
Ti、Zn、Alの酸化、炭化による組成ズレがあり、
オーステナイト、マルテンサイト変態温度(Ms
温度)が数10℃変化することが挙げられる。 Of course, it is possible to crystallize a film with an amorphous structure by sputter-depositing it and then subjecting it to vacuum heat treatment. ,
There is a compositional deviation due to oxidation and carbonization of Ti, Zn, and Al.
Austenite, martensitic transformation temperature (Ms
Temperature) changes by several tens of degrees Celsius.
第2図に145φのNiTi(50:50)ターゲツトを
使用し出力0.8kWにおける堆積膜厚の時間依存性
を示すが、膜の堆積率は時間と直線関係を有す
る。 Figure 2 shows the time dependence of the deposited film thickness using a 145φ NiTi (50:50) target at an output of 0.8kW, and the film deposition rate has a linear relationship with time.
第3図は出力当りの面積比を下げて80φNiTi
(50:50)ターゲツトの出力と結晶構造と堆積率
との関係をスパツタ時間5時間について示したも
のである。80φターゲツトの場合は0.6KWで非晶
質構造から結晶質に変化する。 Figure 3 shows 80φNiTi with a lower area ratio per output.
(50:50) The relationship between target output, crystal structure, and deposition rate is shown for a sputtering time of 5 hours. In the case of an 80φ target, the structure changes from amorphous to crystalline at 0.6KW.
次に得られた薄膜の変態温度を調べた。第4図
は80φターゲツトで0.8KW×10hrのスパツタリン
グにより作成された膜の低温DSC測定の結果で
ある。膜自体はオーステナイトマルテンサイト変
態を行なうが、DSCの結果からはマルテンサイ
ト変態とその逆変態は明瞭なピークとして出てお
らず、非常に小さな巾の広いピークとして見出せ
る。勿論測定上一体のバルクは作り得ず、50μm
程度の膜を何層にも積層して測定に供している。
そのため、温度の追従性が悪いこともあるが、
DSCのピークを明瞭に持たないことが、スパツ
ター膜の特徴とも言える。さらに昇温、降温のピ
ーク温度差は50℃以上あり、通常のNiTiとは異
なる。つまりNiTiターゲツトからNi、Tiの原子
がバラバラにサブストレートに堆積する際、コラ
ムが成長するが、コラム間には、C、O、Arが
侵入し、Tiと結合する。そのためマルテンサイ
ト開始温度(Ms)を左右する有効金属Ti量がコ
ラム付近と中心部では異なつている場合、明瞭な
ピークとして現われないで、分散したピークとし
て現われる。それに伴なつてマルテンサイトとそ
の逆変態温度差が50℃以上開いてくる。 Next, the transformation temperature of the obtained thin film was investigated. Figure 4 shows the results of low-temperature DSC measurements of a film created by sputtering at 0.8 KW x 10 hours using an 80φ target. The film itself undergoes an austenite-martensitic transformation, but the DSC results do not show clear peaks for martensitic transformation and its reverse transformation, but rather a broad peak with a very small width. Of course, it is not possible to create an integral bulk for measurement purposes, and the diameter is 50 μm.
A number of layers of approximately 100% of the film are stacked and used for measurement.
Therefore, temperature followability may be poor,
One of the characteristics of sputtered film is that it does not have a clear DSC peak. Furthermore, the peak temperature difference between heating and cooling is more than 50°C, which is different from normal NiTi. In other words, when Ni and Ti atoms are deposited separately on the substrate from the NiTi target, columns grow, but C, O, and Ar enter between the columns and bond with Ti. Therefore, if the effective amount of metallic Ti, which influences the martensite initiation temperature (Ms), is different in the vicinity of the column and in the center, it will not appear as a clear peak, but as a dispersed peak. Along with this, the difference in temperature between martensite and its reverse transformation increases by more than 50°C.
第5図はスパツタ膜全体を温度変化させたとき
の熱サイクルによる光学的反射率の変化を示し
た。スパツタ膜厚は3μmで膜自体は結晶化して
いる。反射率が最大を100%として、最低の反射
率は0%とすると、そのヒステリシス温度差は
100℃位有する。 FIG. 5 shows the change in optical reflectance due to thermal cycles when the temperature of the entire sputtered film was changed. The sputtered film thickness was 3 μm, and the film itself was crystallized. If the maximum reflectance is 100% and the minimum reflectance is 0%, the hysteresis temperature difference is
It has a temperature of about 100℃.
本発明は、以上のようなオーステナイト、マル
テンサイト変態の表面起伏による光の反射率の変
化を表面起伏の信号として記録し、それを光で読
み取り、再生し、さらに可逆的な変態を利用し
て、表面起伏を平坦化することにより、信号を消
去する。 The present invention records changes in light reflectance due to surface undulations of austenite and martensitic transformations as signals of surface undulations, reads and reproduces them with light, and further utilizes reversible transformation. , canceling the signal by flattening the surface undulations.
この記録、再生、消去の方法を具体的に示す
と、記録媒体と同程度の熱膨脹率を有するサブス
トレートの記録面を0.1μmの面精度で表面を整え
る。その後、記録媒体を1〜2μm成膜し、それ
を結晶化してオーステナイト←→マルテンサイト
変態が生ずる膜とする。 Specifically, this method of recording, reproducing, and erasing is performed by preparing the recording surface of a substrate having a coefficient of thermal expansion similar to that of the recording medium with a surface accuracy of 0.1 μm. Thereafter, a recording medium is deposited to a thickness of 1 to 2 μm and crystallized to form a film in which austenite←→martensite transformation occurs.
情報の書き込みは熱応力を利用し、膜面に0.5
〜1μmの集束されたレーザービームを当てると
膜面で変態し、表面起伏を生じる。この記録は熱
又は応力を加えない限り安定である。つぎに、読
み出しは低出力の光源を利用し、膜の温度が上昇
しない程度にし、光の反射率の変化で情報を読み
取る。消去の際は、表面状態が変化しない程度
に、温度を上昇させ、マルテンサイト→オーステ
ナイト変態、さらに転移の消去も行なうことで繰
返し可能な記録媒体となつている。 Information is written using thermal stress, and 0.5
When irradiated with a focused laser beam of ~1 μm, the film undergoes transformation and surface undulations occur. This record is stable unless heat or stress is applied. Next, a low-output light source is used to read out the information, keeping the temperature of the film at a level that does not rise, and reading information based on changes in light reflectance. During erasing, the temperature is raised to such an extent that the surface state does not change, the martensite → austenite transformation occurs, and the transition is also erased, thereby making the recording medium repeatable.
実施例
基板には外径100mm、1.0mm厚の耐熱性樹脂を使
用し、光ガイドトラツクを設け、その上に記録媒
体と同一の熱膨脹係数を有する透明な窒化物をス
パツタリングで形成し、さらに重ねて記録媒体を
堆積する。さらにこの記録媒体を保護するため、
上記窒化物をさらにスパツタリングで形成する。Example A heat-resistant resin with an outer diameter of 100 mm and a thickness of 1.0 mm is used for the substrate, a light guide track is provided, a transparent nitride having the same coefficient of thermal expansion as that of the recording medium is formed by sputtering, and then layered. and deposit the recording medium. Furthermore, to protect this recording medium,
The above nitride is further formed by sputtering.
記録用ヘツドは波長1.2μm位の比較的長波長の
レーザーを用いて直径0.6μm位のスポツトに絞り
込み、電気信号にて強度を変えて記録薄膜に照射
する。 The recording head uses a laser with a relatively long wavelength of about 1.2 μm, focused on a spot with a diameter of about 0.6 μm, and irradiates the recording thin film with an electric signal of varying intensity.
以上の様な方法で、デイスク回転数2500rpm、
記録計80mmとし、記録用8mW、消去用20mmWの
レーザーパワーで繰返し記録・消去を行なつた結
果、初期C/N57dB以上、10万回以上の繰返し
が可能であつた。 By the above method, the disc rotation speed is 2500 rpm,
As a result of repeated recording and erasing with a recorder of 80 mm and a laser power of 8 mW for recording and 20 mmW for erasing, it was possible to repeat over 100,000 times with an initial C/N of 57 dB or more.
発明の効果
本発明は金属材料であるためと、結晶質相同
士のマルテンサイトとオーステナイト相の変態で
あり、温度の上昇、降下による酸化に強いことで
ある。勿論変態における転移の集積により光の反
射率は幾分変化する。マルテンサイト オース
テナイト変態のスピードが速いので書き込みスピ
ードを上げることができる。アクセス時間、転送
速度は光記録と同等でおり、半導体レーザーを使
用すると、熱のため記録が変化することがあり、
レーザー以外の低熱量の再生装置の場合は、再生
スピードを上げることが可能である。ビツト誤
り率は製造方法が光記録と同様であるので、ほぼ
同じレベルにある。Effects of the Invention The present invention is resistant to oxidation due to temperature rises and falls because it is a metallic material and is a transformation of martensite and austenite phases between crystalline phases. Of course, the light reflectance changes somewhat due to the accumulation of dislocations during metamorphosis. The speed of martensite-austenite transformation is fast, so writing speed can be increased. Access time and transfer speed are equivalent to optical recording, but when using a semiconductor laser, recording may change due to heat.
In the case of a reproducing device other than a laser that uses a low amount of heat, it is possible to increase the reproducing speed. Since the manufacturing method is similar to that of optical recording, the bit error rate is at approximately the same level.
第1図は本発明で薄膜形成に用いるRfスパツ
タ装置の概略図、第2図は堆積膜厚と時間との関
係を示すグラフ、第3図は出力と結晶構造と堆積
率との関係を示すグラフ、第4図は薄膜の低温
DSC測定の結果を示すグラフ、第5図は薄膜の
温度と反射強度との関係を示すグラフである。
1……容器、2……ターゲツト、3……サブス
トレート、4……高周波電源。
Figure 1 is a schematic diagram of the Rf sputtering device used in the present invention to form thin films, Figure 2 is a graph showing the relationship between deposited film thickness and time, and Figure 3 is a graph showing the relationship between output, crystal structure, and deposition rate. Graph, Figure 4 shows the low temperature of thin film.
A graph showing the results of DSC measurement, and FIG. 5 is a graph showing the relationship between the temperature of the thin film and the reflection intensity. 1... Container, 2... Target, 3... Substrate, 4... High frequency power supply.
Claims (1)
ルテンサイト相が可逆的に変態して表面形状の起
伏により光の反射率が変化する形状記憶金属材料
よりなる薄膜層を有することを特徴とする光によ
る記録材料。1. An optical recording material characterized by having a thin film layer made of a shape memory metal material whose austenite phase and martensite phase are reversibly transformed by temperature and stress and whose light reflectance changes depending on the undulations of the surface shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166417A JPS6144690A (en) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | Photo-recording material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59166417A JPS6144690A (en) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | Photo-recording material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144690A JPS6144690A (en) | 1986-03-04 |
| JPH0514629B2 true JPH0514629B2 (en) | 1993-02-25 |
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ID=15831034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59166417A Granted JPS6144690A (en) | 1984-08-10 | 1984-08-10 | Photo-recording material |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPS6144690A (en) |
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-
1984
- 1984-08-10 JP JP59166417A patent/JPS6144690A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPS6144690A (en) | 1986-03-04 |
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