【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
［発明の技術分野］
本発明は可撓性基板上に光起電力発生要素とし
て非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電池に関する
ものであり、さらに詳しくは可撓性基板として金
属繊維の布状物を使用した非晶質シリコン薄膜太
陽電池に関するものである。
［従来技術］
非晶質シリコン薄膜をガラス板などの非可撓性
基板に設けたもの、また可撓性基板としてポリイ
ミド等の樹脂薄膜を使用する太陽電池が知られて
いる。
非晶質シリコン太陽電池を製造するに際して可
撓性フイルム基板を用いる特徴は、基板上に必要
な非晶質シリコン層を連続的に設けることがで
き、製造コストおよび製造の容易性の面で非可撓
性基板に比し極めて優位に立てる点にある。さら
に可撓性基板上に形成させた非晶質シリコン太陽
電池は従来の非可撓性基板上に形成させた太陽電
池と違いフイルム状であるので、製品形状にある
程度任意性を持たせることができ、その応用が広
がることが期待されるものである。
しかるにかかる非晶質シリコンを可撓性基板上
に形成させる場合、非晶質シリコン薄膜形成温度
として少なくとも250℃〜350℃の高温が必要とな
り、高分子フイルムを用いる場合には、耐熱性の
優れたポリイミドフイルムしか適用できない。し
かし、ポリイミドフイルムは、このような高温時
における初期ヤング率があまり大きくなく非晶質
シリコン薄膜時の熱応力に耐えるに十分な膜の強
さをもつていないという問題点がある。すなわ
ち、十分な膜の強さをもつていない基板の場合に
は、非晶質シリコン薄膜を基板上に設ける際、非
晶質シリコン薄膜と基板、両方の熱膨張係数の差
異に基づく熱応力が基板の機械的強度を越え基板
がカールしてしまうことになる不都合が派生す
る。
このカールの程度が大きくなると太陽電池とし
ての効率が大幅に低下してしまうという重大な欠
陥を招来させることが確認されている。さらに従
来のポリイミドフイルムは、表面が平滑すぎるた
め一旦表面で反射した光は再び利用されることな
く太陽電池外へ放出され高い光電変換効率を得る
ことが難しい状態にあつたし、可撓性基板とはい
えまだまだ満足なフレキシビリテイを具備するも
のではなかつた。
したがつて、可撓性基板を用いて非晶質シリコ
ン太陽電池を実現するには少なくとも250℃以上
の耐熱性に加え、かかる高温時において製膜時の
熱応力に耐えることのできる膜の強さおよび入射
光の表面における多重反射を可能にし、それによ
つて光吸収率を向上せしめる適宜な表面粗さをも
つた、しかもフレキシビリテイに富む基板を供し
なければならない。
［発明の概要］
本発明の目的の１つは、250℃〜350℃といつた
高温下における製膜時にカール発生のない可撓性
基板を提供することにある。
他の目的として光電変換効率に大きな影響を及
ぼす適宜な粗面を有するフレキシビリテイに富め
る可撓性基板を提供することにある。基板の表面
粗さと太陽電池の変換効率の関連性について、変
換効率を向上せしめるには、太陽電池表面の太陽
光の反射防止をすること、すなわち太陽光の反射
率を小さくすることが重要である。
しかし、あまりに表面を粗面化することにより
非晶質シリコン薄膜中の細孔の生成および起電力
要素の短絡を多数誘起させることで、太陽電池と
しての特性そのものが悪くなつてしまえば、太陽
電池本来の目的から逸脱してしまうので好ましく
ない。したがつて反射の防止と電池特性維持等の
兼ね合いから基板について適宜な表面粗さを必要
とするのである。
本発明者等は、非晶質シリコン薄膜を光起電力
要素とする薄膜太陽電池において非晶質シリコン
薄膜を基板上に形成させる際に熱応力に十分耐え
ることができる、つまりカール発生のない、かつ
適宜な表面粗さを有する基板を選択して電池特性
を向上せしめるべく鋭意努力した結果、目付が10
〜3000ｇ／m2である金属繊維の布状物を太陽電池
用基板として使用することで本発明の目的を有利
に達成することを得、本発明に到達した。
前述したごとく本発明は可撓性基板上に光起電
力要素として非晶質シリコン薄膜を設けた太陽電
池において、優れたフレキシビリテイを有しかつ
適度の粗面を有するように目付が10〜3000ｇ／m2
である可撓性金属繊維布状物を基板として用いる
ことを特徴とするものである。
［発明の実施例］
本発明に係る非晶質シリコン薄膜を有する太陽
電池とは、シリコン系の非晶質薄膜を用いてシヨ
ツトキー型、pin型、またはタンデム型の素子構
造を形成した太陽電池である。なお、シリコン系
の非晶質薄膜としては、Si、Si−Ge、Si−Ｃ、
Si−Ｎ等の単体または化合物からなる水素化アモ
ルフアス膜を、またはフツ素化アモルフアス膜が
含まれる。
また本発明において使用する金属繊維布状物と
しては、布帛形状に成形加工できるものであれば
金属繊維の種類において特に制限を設けるもので
はない。たとえばステンレス、アルミニウム、
鉄、銅等の金属繊維が使用できる。本発明に用い
る金属繊維布状物とは、織布、ニツト、不織布を
含むものであり目付としては10〜3000ｇ／m2の範
囲のものから選択使用できる。布状物としての構
成、組織、外観を左右する因子としては糸の選択
および織布、ニツト方式の選択があるが目的とす
る布帛構造から糸の太さ、断面形状、モノあるい
はマルチフイラメントの選択を行ない、適宜な布
状物形式手段を採用して非晶質太陽電池としての
基板に形成する。金属繊維布状物の好適例として
ステンレス繊維布状物について説明する。ステン
レス繊維は通常の有機繊維（たとえばポリエステ
ル、アクリル繊維等）より布状物を作製する手段
を採用して不織布、編織布等の布状物に容易に成
形加工できる。このように成形加工したものはそ
の表面が入射光の多重反射を可能にし、それによ
つて光吸収率を高め得る適当な粗面構造を呈して
なるものである。
上述のごとく作成した基板の強度、剛性、耐熱
性に関して、特に剛性、耐熱性については金属繊
維であるがゆえに従来のポリイミドフイルムに比
し、極めて優れた特性を示す。耐熱性は400℃程
度に加熱しても全く問題なく、良質の非晶質シリ
コン薄膜を作製するには極めて有利といえる。強
度、剛性についても耐熱性と同様、金属繊維であ
るため、布状物に成形したものについては腰があ
り、非晶質シリコン薄膜時の熱応力に十分耐え得
るものである。
可撓性金属繊維布状物を用いて太陽電池を作製
するには該布状物（基板）上に直接非晶質薄膜を
形成させればよい。本発明の場合は基板そのもの
が良好な導電性を有する裏面電極の作製の必要が
ない。非晶質シリコン薄膜を形成させるにはグロ
ー放電法、スパツタリング法、イオンプレーテイ
ング法等公知の手段が採用できる。たとえばグロ
ー放電法の場合は0.1〜10Torrに維持された真空
層内でロールアツプされた可撓性基板から該基板
を引き出し200〜350℃に加熱した基板ホルダに密
着させる。
この基板ホルダを一方の電極とし、これと対向
する電極との間にたとえば13.56MHzの高周波電
力を供給する。真空層内にはシランガス
（SiH4）、ジボランガス（B2H6）、ホスフインガ
ス（PH8）、水素ガス（H2）を導入してグロー放
電を起こし、所定の薄膜になるまで原料ガスを供
給し、光起電力の要素である非晶質シリコン薄膜
を形成させる。さらに詳しくはｉ型シリコン薄膜
を作製するにはシランガス（SiH4）と水素ガス
（H2）を供給して製膜を行ない、またｐ型シリコ
ン薄膜を作製するにはシランガス（SiH4）、水素
ガス（H2）、ジボランガス（B2H6）を供給して
製膜を行なう。ｎ型シリコン薄膜の場合はシラン
ガス（SiH4）、水素ガス（H2）、ホスフインガス
（PH8）を供給して製膜する。
次いでｐ、ｉ、ｎ層を積層させた可撓性基板を
真空層内に装着し、たとえばシヨツトキー接合セ
ルの場合はシヨツトキー障壁金属として白金、
金、パラジウム等をスパツタ法、真空蒸着法、イ
オンプレーテイング法等で100Å程度の薄膜で堆
積させる。またヘテロフエイス接合セルの場合は
酸化インジウム、酸化錫、酸化錫−酸化インジウ
ム膜を200〜5000Å程度の薄膜になるようにスパ
ツタ法、真空蒸着法、イオンプレーテイング法等
で堆積させ、表面電極を形成させる。次いで収集
電極をシヨツトキー障壁金属、ヘテロフエイス電
極表面上に設けて非晶質シリコン太陽電池デバイ
スとする。このように本発明に係る非晶質シリコ
ン薄膜太陽電池は、可撓性金属繊維布状物基板上
に多層の非晶質シリコン膜を設け、その上にシヨ
ツトキー障壁金属またはヘテロフエイス電極を設
け、さらにその上に収集電極を設けた基本構造を
もつている。
以下実施例を挙げ、本発明を説明するが本発明
はかかる実施例によつて何ら限定されるものでは
ない。
実施例 １
ステンレス繊維を不織布状に成形し、厚さ３
mm、目付600ｇ／m2の可撓性を有するステンレス
繊維不織布を得た。
この不織布を10-2Torrの真空下で150℃、２時
間の乾燥を行なつた。非晶質シリコン薄膜は容量
結合方式の高周波（13.56MHz）グロー放電装置
を用いて、該基板をグロー放電装置のアノード側
の電極上に緊張下で装着し８×10-6Torrに排気
しながら300℃に該基板を加熱する。その後窒素
ガス（N2）を500c.c.／min導入し、1.0Torrの窒
素ガス（N2）雰囲気で200Wの高周波電力を印加
し基板のイオンボンバードを20分行ない、基板を
クリーニングする、次に水素ガス（H2）で希釈
した10％のシランガス（SiH4）と水素ガス（H2）
で0.1％に希釈したホスフインガス（PH8）をグ
ロー放電装置内に導入し、0.6Torrのガス雰囲気
で100Wの高周波電力を印加し200Åのｎ型の非晶
質シリコン薄膜を設ける。次いで水素ガス（H2）
とシランガス（SiH4）で前記と同様にしてｎ型
の薄膜層上にｉ型の非晶質薄膜を3000Åの厚みで
形成させる。次いで水素ガス（H2）で10％のシ
ランガス（SiH4）と水素ガス（H2）で0.1％に希
釈したジボランガス（B2H6）をグロー放電装置
内に導入し、ｉ型の薄膜層上にｐ型の非晶質薄膜
を300Åの厚みで形成させる。このようにして得
られたpin型薄膜をスパツタ装置に装着し酸化錫
−酸化インジウム薄膜を1000Å堆積させ、ヘテロ
フエイス層とした。最後にこのヘテロフエイス層
上に収集電極としてパラジウムを1000Å＜ｉ型に
堆積させ、可撓性ステンレス繊維不織布基板上に
pinヘテロフエイス型太陽電池デバイスを得た。
実施例 ２
ステンレス繊維を綾織り織布に成形し、目付
700ｇ／m2の可撓性を有するステンレス繊維織布
を得た。pinヘテロフエイス型太陽電池デバイス
は実施例１と同様な条件で作製した。
上述のごとく得られた２種の太陽電池デバイス
の初期特性をAM＝１に調整したオリエル社製ソ
ーラシユミレータで測定した。その結果を第１表
に示す。
なお、比較例としてポリイミドフイルムを選
び、このフイルム上に実施例１と同様の方法pin
型の太陽電池デバイスを形成させたものを採用し
た。その結果も第１表に併記する。初期特性測定
に際しては、太陽電池デバイス形成工程を通して
一度もサンプルの緊張状態を解かずに行なつた。
[Technical Field of the Invention] The present invention relates to a solar cell in which an amorphous silicon thin film is provided as a photovoltaic force generating element on a flexible substrate, and more specifically, a metal fiber cloth-like material is used as the flexible substrate. The present invention relates to an amorphous silicon thin film solar cell using . [Prior Art] Solar cells are known in which an amorphous silicon thin film is provided on a non-flexible substrate such as a glass plate, and a solar cell in which a resin thin film such as polyimide is used as a flexible substrate. The feature of using a flexible film substrate when manufacturing amorphous silicon solar cells is that the necessary amorphous silicon layer can be continuously provided on the substrate, which is a non-trivial feature in terms of manufacturing cost and ease of manufacturing. This is an extremely advantageous point compared to flexible substrates. Furthermore, unlike solar cells formed on conventional non-flexible substrates, amorphous silicon solar cells formed on flexible substrates are film-like, so it is possible to have some degree of flexibility in the product shape. It is expected that its application will expand. However, when forming such amorphous silicon on a flexible substrate, a high temperature of at least 250°C to 350°C is required for forming the amorphous silicon thin film, and when using a polymer film, it is necessary to use a high temperature film with excellent heat resistance. Can only be applied to polyimide film. However, the polyimide film has a problem in that the initial Young's modulus at such high temperatures is not very large and the film does not have sufficient film strength to withstand the thermal stress of an amorphous silicon thin film. In other words, in the case of a substrate that does not have sufficient film strength, when an amorphous silicon thin film is provided on the substrate, thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient between the amorphous silicon thin film and the substrate may be generated. This results in the inconvenience that the mechanical strength of the substrate is exceeded and the substrate curls. It has been confirmed that when the degree of curl increases, a serious defect occurs in that the efficiency as a solar cell is significantly reduced. Furthermore, because the surface of conventional polyimide films is too smooth, the light that is reflected on the surface is emitted outside the solar cell without being used again, making it difficult to obtain high photoelectric conversion efficiency. However, it still did not have sufficient flexibility. Therefore, in order to realize an amorphous silicon solar cell using a flexible substrate, in addition to heat resistance of at least 250°C, the film must be strong enough to withstand the thermal stress during film formation at such high temperatures. It is necessary to provide a highly flexible substrate that has an appropriate surface roughness that allows for multiple reflections of incident light on the surface and thereby improves light absorption. [Summary of the Invention] One of the objects of the present invention is to provide a flexible substrate that does not cause curling during film formation at high temperatures such as 250°C to 350°C. Another object of the present invention is to provide a highly flexible flexible substrate having an appropriately rough surface that greatly affects photoelectric conversion efficiency. Regarding the relationship between the surface roughness of the substrate and the conversion efficiency of solar cells, in order to improve the conversion efficiency, it is important to prevent the reflection of sunlight on the surface of the solar cell, that is, to reduce the reflectance of sunlight. . However, if the surface is too roughened, it will cause the formation of pores in the amorphous silicon thin film and many short circuits of the electromotive force elements, which will deteriorate the characteristics of the solar cell itself. This is not desirable because it deviates from the original purpose. Therefore, the substrate needs to have an appropriate surface roughness in order to prevent reflection and maintain battery characteristics. The present inventors have discovered that in a thin film solar cell using an amorphous silicon thin film as a photovoltaic element, the amorphous silicon thin film can sufficiently withstand thermal stress when formed on a substrate, that is, without curling. As a result of our diligent efforts to improve battery characteristics by selecting a substrate with appropriate surface roughness, we achieved a fabric weight of 10.
By using a cloth-like material of metal fibers having a weight of ~3000 g/m 2 as a substrate for solar cells, the objects of the present invention can be advantageously achieved, and the present invention has been achieved. As mentioned above, the present invention is directed to a solar cell in which an amorphous silicon thin film is provided as a photovoltaic element on a flexible substrate, and the fabrication weight is 10 to 10% so as to have excellent flexibility and a moderately rough surface. 3000g/ m2
It is characterized by using a flexible metal fiber cloth-like material as a substrate. [Embodiments of the Invention] A solar cell having an amorphous silicon thin film according to the present invention is a solar cell in which a Schottky-type, pin-type, or tandem-type element structure is formed using a silicon-based amorphous thin film. be. Note that silicon-based amorphous thin films include Si, Si-Ge, Si-C,
A hydrogenated amorphous assemblage film made of a simple substance or a compound such as Si-N, or a fluorinated amorphous assemblage film is included. Further, there are no particular restrictions on the type of metal fiber cloth used in the present invention as long as it can be formed into a cloth shape. For example, stainless steel, aluminum,
Metal fibers such as iron and copper can be used. The metal fiber cloth material used in the present invention includes woven fabrics, knitted fabrics, and nonwoven fabrics, and can be selected from those having a basis weight of 10 to 3000 g/m 2 . The factors that influence the composition, structure, and appearance of a cloth-like article include the selection of yarn, woven fabric, and knitting method, but depending on the desired fabric structure, the thickness of the yarn, cross-sectional shape, and selection of monofilament or multifilament are important factors. Then, an appropriate cloth-forming means is employed to form an amorphous solar cell on a substrate. A stainless steel fiber cloth will be described as a preferred example of the metal fiber cloth. Stainless steel fibers can be easily molded into cloth-like products such as non-woven fabrics and knitted fabrics by employing means for producing cloth-like products from ordinary organic fibers (eg, polyester, acrylic fibers, etc.). The surface of the thus-molded material exhibits an appropriate rough surface structure that enables multiple reflections of incident light and thereby increases the light absorption rate. Regarding the strength, rigidity, and heat resistance of the substrate prepared as described above, in particular, since it is made of metal fiber, it exhibits extremely superior properties compared to conventional polyimide films. It has no problem with heat resistance even when heated to about 400°C, and can be said to be extremely advantageous for producing high-quality amorphous silicon thin films. In terms of strength and rigidity, as well as heat resistance, since it is a metal fiber, it is stiff when molded into a cloth-like material, and can sufficiently withstand the thermal stress of an amorphous silicon thin film. In order to produce a solar cell using a flexible metal fiber cloth, an amorphous thin film may be formed directly on the cloth (substrate). In the case of the present invention, there is no need to manufacture a back electrode in which the substrate itself has good conductivity. In order to form the amorphous silicon thin film, known means such as glow discharge method, sputtering method, ion plating method, etc. can be employed. For example, in the case of the glow discharge method, a flexible substrate is rolled up in a vacuum layer maintained at 0.1 to 10 Torr, and then the substrate is pulled out and brought into close contact with a substrate holder heated to 200 to 350°C. This substrate holder is used as one electrode, and high frequency power of, for example, 13.56 MHz is supplied between this and the opposing electrode. Silane gas (SiH 4 ), diborane gas (B 2 H 6 ), phosphine gas (PH 8 ), and hydrogen gas (H 2 ) are introduced into the vacuum layer to cause glow discharge, and source gas is supplied until the desired thin film is formed. Then, an amorphous silicon thin film, which is an element of photovoltaic power, is formed. More specifically, to create an i-type silicon thin film, silane gas (SiH 4 ) and hydrogen gas (H 2 ) are supplied, and to create a p-type silicon thin film, silane gas (SiH 4 ) and hydrogen gas are supplied. Film formation is performed by supplying gas (H 2 ) and diborane gas (B 2 H 6 ). In the case of an n-type silicon thin film, silane gas (SiH 4 ), hydrogen gas (H 2 ), and phosphine gas (PH 8 ) are supplied to form the film. A flexible substrate with stacked p, i, and n layers is then mounted in the vacuum layer, for example platinum as a Schottky barrier metal in the case of a Schottky junction cell.
Gold, palladium, etc. are deposited in a thin film of about 100 Å by sputtering, vacuum evaporation, ion plating, etc. In the case of a heteroface junction cell, indium oxide, tin oxide, and tin oxide-indium oxide films are deposited to a thin film of approximately 200 to 5000 Å by sputtering, vacuum evaporation, ion plating, etc., and surface electrodes are formed. Let it form. A collection electrode is then provided on the Schottky barrier metal, heteroface electrode surface to form an amorphous silicon solar cell device. As described above, the amorphous silicon thin film solar cell according to the present invention includes a multilayer amorphous silicon film provided on a flexible metal fiber cloth substrate, and a Schottky barrier metal or heteroface electrode provided thereon. Furthermore, it has a basic structure with a collection electrode provided on top of it. The present invention will be described below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples in any way. Example 1 Stainless fiber was molded into a non-woven fabric with a thickness of 3
A flexible stainless steel fiber nonwoven fabric with a fabric weight of 600 g/m 2 was obtained. This nonwoven fabric was dried at 150° C. for 2 hours under a vacuum of 10 −2 Torr. Using a capacitively coupled high frequency (13.56 MHz) glow discharge device, the amorphous silicon thin film was mounted under tension on the anode side electrode of the glow discharge device, while being evacuated to 8×10 -6 Torr. Heat the substrate to 300°C. After that, nitrogen gas (N 2 ) was introduced at 500 c.c./min, and 200 W of high-frequency power was applied in a 1.0 Torr nitrogen gas (N 2 ) atmosphere to ion bombard the substrate for 20 minutes to clean the substrate. 10% silane gas (SiH 4 ) diluted with hydrogen gas (H 2 ) and hydrogen gas (H 2 )
A phosphine gas (PH 8 ) diluted to 0.1% is introduced into the glow discharge device, and a high frequency power of 100 W is applied in a gas atmosphere of 0.6 Torr to form an n-type amorphous silicon thin film of 200 Å. Then hydrogen gas (H 2 )
An i-type amorphous thin film with a thickness of 3000 Å is formed on the n-type thin film layer using silane gas (SiH 4 ) and silane gas (SiH 4 ) in the same manner as described above. Next, 10% silane gas (SiH 4 ) diluted with hydrogen gas (H 2 ) and diborane gas (B 2 H 6 ) diluted with hydrogen gas (H 2 ) to 0.1% are introduced into the glow discharge device to form an i-type thin film layer. A p-type amorphous thin film with a thickness of 300 Å is formed on top. The pin-type thin film thus obtained was mounted on a sputtering device, and a tin oxide-indium oxide thin film of 1000 Å was deposited to form a heteroface layer. Finally, palladium was deposited on this heteroface layer as a collecting electrode in a 1000 Å
A pin heteroface type solar cell device was obtained. Example 2 Stainless fibers were formed into a twill fabric, and the fabric weight was
A stainless fiber woven fabric having a flexibility of 700 g/m 2 was obtained. A pin heteroface type solar cell device was produced under the same conditions as in Example 1. The initial characteristics of the two types of solar cell devices obtained as described above were measured using a solar simulator manufactured by Oriel, which was adjusted to AM=1. The results are shown in Table 1. In addition, a polyimide film was selected as a comparative example, and a pin was applied on this film in the same manner as in Example 1.
A type of solar cell device was adopted. The results are also listed in Table 1. Initial characteristic measurements were carried out without releasing the sample from tension even once throughout the solar cell device formation process.
【表】
［発明の効果］
本発明の非晶質シリコン太陽電池は、可撓性基
板として金属繊維の布状物を用いることに大きな
特徴を有するものであるが、この可撓性基板が金
属繊維より構成されるものであることに起因する
メリツトは次の点にある。
強度、剛性が大きく製膜中の熱応力に十分耐
え得る。
耐熱性に優れていること、すなわち400℃に
加熱しても全く問題がないので従来のグロー放
電法により非晶質シリコン薄膜が基板上に形成
できる。
適宜な表面粗度をもつているため、良好な光
電変換効率を得ることができる。
フレキシビリテイに富んでいる。
従来ポリイミドフイルムが可撓性基板として用
いられているがフイルムのフレキシビリテイは言
わば一方向的であり、２次局面（たとえば球面）
に沿わせようとすれば固い折れ皺が発生して好ま
しくない。すなわち、電気的に断線したりする。
また本発明の金属繊維布状物を基板として作成し
た太陽電池は十分なるドレープ性を有しており上
記ポリイミドフイルムのものに比し大きなフレキ
シビリテイを呈したとえば衣服分野に利用でき
る。このように可撓性基板として金属繊維の布状
物を用いることにより、ロール形状による連続的
太陽電池の作成が可能であることに加え製膜中の
熱応力に耐え得る剛性を有し、かつ適宜な表面粗
さをもつていることに起因する光電変換効率の優
れたフレキシビリテイ性太陽電池を実現すること
が初めて可能となつた。[Table] [Effects of the Invention] The amorphous silicon solar cell of the present invention is characterized in that a metal fiber cloth-like material is used as a flexible substrate. The advantages of being composed of fibers are as follows. It has high strength and rigidity and can withstand thermal stress during film formation. It has excellent heat resistance, that is, there is no problem even when heated to 400°C, so an amorphous silicon thin film can be formed on a substrate using the conventional glow discharge method. Since it has an appropriate surface roughness, good photoelectric conversion efficiency can be obtained. Full of flexibility. Conventionally, polyimide film has been used as a flexible substrate, but the flexibility of the film is unidirectional, so to speak, and has a secondary curve (for example, a spherical surface).
If you try to make it conform to the curve, hard creases will occur, which is undesirable. In other words, the wire may be electrically disconnected.
Furthermore, a solar cell prepared using the metal fiber cloth-like material of the present invention as a substrate has sufficient drape properties and exhibits greater flexibility than those made of the polyimide film, and can be used, for example, in the field of clothing. By using metal fiber cloth as a flexible substrate in this way, it is possible to create continuous solar cells in the form of a roll, and it also has the rigidity to withstand thermal stress during film formation. For the first time, it has become possible to realize a flexible solar cell with excellent photoelectric conversion efficiency due to the appropriate surface roughness.