JPH051922B2 - - Google Patents
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- JPH051922B2 JPH051922B2 JP59122302A JP12230284A JPH051922B2 JP H051922 B2 JPH051922 B2 JP H051922B2 JP 59122302 A JP59122302 A JP 59122302A JP 12230284 A JP12230284 A JP 12230284A JP H051922 B2 JPH051922 B2 JP H051922B2
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- imaging
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
- G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
- G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
- G02B17/0663—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors off-axis or unobscured systems in which not all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry, e.g. at least one of the mirrors is warped, tilted or decentered with respect to the other elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Lenses (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は結像光学系に関し、特に2つの光学系
を互いに偏心させることによつて高解像力の結像
関係を得るようにした結像光学系に関するもので
ある。
を互いに偏心させることによつて高解像力の結像
関係を得るようにした結像光学系に関するもので
ある。
[従来の技術]
現在の半導体産業の分野では電子回路のより一
層の高密度化が要求されている。この為の一手段
として光学的な微細加工技術が極限まで追求され
ている。例えばIC,LSI等の回路パターンをシリ
コンウエハー上に焼付ける為の結像光学系は理論
的限界値に近い解像力を有するものが要求されて
いる。
層の高密度化が要求されている。この為の一手段
として光学的な微細加工技術が極限まで追求され
ている。例えばIC,LSI等の回路パターンをシリ
コンウエハー上に焼付ける為の結像光学系は理論
的限界値に近い解像力を有するものが要求されて
いる。
この中でレンズ若しくはミラーを用いて又はこ
れらの組合せを用いた高解像力の結像光学系が今
日まで数多く開発されてきた。これらの結像光学
系は今日の高精度な光学技術の代表的地位を占め
るようになつている。
れらの組合せを用いた高解像力の結像光学系が今
日まで数多く開発されてきた。これらの結像光学
系は今日の高精度な光学技術の代表的地位を占め
るようになつている。
[発明が解決しようとしている問題点]
従来より高解像力を有する結像光学系は多くの
場合、共軸即ち各々の光学素子が光軸を共有する
構成が採られていた。このことはレンズ系は勿論
ミラー系に於いても同様であつた。ただ特開昭48
−12039号公報ではミラーを同心光学系となるよ
うに構成した単位倍率の結像光学系が提案されて
いるがこれもミラーの有効径の配置まで考えれば
広義の共軸径と解釈されよう。
場合、共軸即ち各々の光学素子が光軸を共有する
構成が採られていた。このことはレンズ系は勿論
ミラー系に於いても同様であつた。ただ特開昭48
−12039号公報ではミラーを同心光学系となるよ
うに構成した単位倍率の結像光学系が提案されて
いるがこれもミラーの有効径の配置まで考えれば
広義の共軸径と解釈されよう。
又一般に結像光学系において微少な面積におい
てのみ高解像力を得ることは比較的容易であるが
広い面積において高解像力を得るのは非常に困難
である。
てのみ高解像力を得ることは比較的容易であるが
広い面積において高解像力を得るのは非常に困難
である。
本発明は高解像力の得られる結像光学系の提供
を目的とし、特に広い面積にわたり高解像力の得
られる結像光学系の提供を目的とする。
を目的とし、特に広い面積にわたり高解像力の得
られる結像光学系の提供を目的とする。
本発明の結像光学系においては従来の共軸光学
系に対して互いに光軸を共有しない複数個の光学
系を各々の光学系の有する諸収差が互いに相殺さ
れるように偏心させて配置することによつて高解
像力の結像関係を得ている。
系に対して互いに光軸を共有しない複数個の光学
系を各々の光学系の有する諸収差が互いに相殺さ
れるように偏心させて配置することによつて高解
像力の結像関係を得ている。
[問題点を解決するための手段及び作用]
上述の目的を達成するため、本発明は、偏心配
置された第1及び第2光学系を順に通して前記第
1光学系(ミラー系または屈折系)の物体面側で
光軸外に配置された物体を前記第2光学系(ミラ
ー系または屈折系)の像面側に結像させる結像光
学系にあつて、前記第1光学系の光軸外の結像位
置に対して前記第1及び第2光学系のそれぞれの
光軸を異なる方向に偏心させている。
置された第1及び第2光学系を順に通して前記第
1光学系(ミラー系または屈折系)の物体面側で
光軸外に配置された物体を前記第2光学系(ミラ
ー系または屈折系)の像面側に結像させる結像光
学系にあつて、前記第1光学系の光軸外の結像位
置に対して前記第1及び第2光学系のそれぞれの
光軸を異なる方向に偏心させている。
従来、偏心光学系は例えば本出願人が特願昭57
−210911や特願昭58−223541で提案した如く、回
路パターンの焼付けの為結像光学系における観察
光学系に用いた例はあるが結像光学系における主
たる結像には用いられていない。
−210911や特願昭58−223541で提案した如く、回
路パターンの焼付けの為結像光学系における観察
光学系に用いた例はあるが結像光学系における主
たる結像には用いられていない。
本発明は特に回路パターンの焼付機等において
偏心させた結像光学系が観察光学系より大きな画
面寸法を要求される結像光学系に使用する場合に
好ましいものである。
偏心させた結像光学系が観察光学系より大きな画
面寸法を要求される結像光学系に使用する場合に
好ましいものである。
又本発明の好ましい一実施例によれば、従来ミ
ラー系で問題となつていた像面特性をうまく利用
することによつて高解像力の結像を得ている。
ラー系で問題となつていた像面特性をうまく利用
することによつて高解像力の結像を得ている。
[実施例の説明]
次に本発明の実施例を各図と共に説明する。
第1図は本発明の好ましい一実施例の具体的な
構成の説明図である。図中1は第1の光学系で物
体4の像を第1の結像位置5に結像させている。
2は第2の光学系で第1の結像位置5に結像され
ている物体4の像を更に第2の結像位置5に結像
させている。尚3は光学系1と光学系2の2つの
光学系の瞳位置を合致させ効率の良い結像関係を
行なう為の補助光学系である。
構成の説明図である。図中1は第1の光学系で物
体4の像を第1の結像位置5に結像させている。
2は第2の光学系で第1の結像位置5に結像され
ている物体4の像を更に第2の結像位置5に結像
させている。尚3は光学系1と光学系2の2つの
光学系の瞳位置を合致させ効率の良い結像関係を
行なう為の補助光学系である。
本実施例の結像光学系は物体4を2度結像させ
ている為に像の向きは物体4と同じになつてい
る。本実施例の特徴は光学系1と光学系2の光軸
を予め所定量A1だけ偏心させていることである。
ている為に像の向きは物体4と同じになつてい
る。本実施例の特徴は光学系1と光学系2の光軸
を予め所定量A1だけ偏心させていることである。
又物体4を光学系1の光軸外に配置させている
ことである。
ことである。
このような構成を採ることにより光学系1で残
存している収差を他方の光学系2の残存収差によ
り互いに打ち消し合うように構成することができ
最終的に収差の補正された良好な結像を広い面積
にわたり行うことができる。
存している収差を他方の光学系2の残存収差によ
り互いに打ち消し合うように構成することができ
最終的に収差の補正された良好な結像を広い面積
にわたり行うことができる。
これは後述する実施例で光学系1,2をミラー
系で構成したときに特に効果的である。
系で構成したときに特に効果的である。
次に、本発明の結像光学系の特徴を述べる前に
前提となる構成を収差曲線を用いて説明する。簡
単の為にある物体に対して第2図に示すような球
面収差を有する光学系71(第4図)と同じ物体
に対して第2図に示す球面収差と全く逆向きの第
3図に示す球面収差を有する光学系72(第4図)
の2つの光学系を考えこれら2つの光学系71,
72を組合わせて、第4図に示すように光学系71
の結像位置と光学系72の結像位置とが一致する
ように互いに逆向きに配置する。これにより光学
系71によつて物体73は第1の結像位置74では
球面収差のある状態で結像するが次に光学系72
によつて結像位置75では球面収差の補正された
状態で結像するようになる。
前提となる構成を収差曲線を用いて説明する。簡
単の為にある物体に対して第2図に示すような球
面収差を有する光学系71(第4図)と同じ物体
に対して第2図に示す球面収差と全く逆向きの第
3図に示す球面収差を有する光学系72(第4図)
の2つの光学系を考えこれら2つの光学系71,
72を組合わせて、第4図に示すように光学系71
の結像位置と光学系72の結像位置とが一致する
ように互いに逆向きに配置する。これにより光学
系71によつて物体73は第1の結像位置74では
球面収差のある状態で結像するが次に光学系72
によつて結像位置75では球面収差の補正された
状態で結像するようになる。
以上は光軸上一点の結像についてのみ収差のな
い状態で結像させることができるのであつて、実
際にはある所定の面積での結像状態を考えねばな
らず、このときは球面収差の他に非点収差を考慮
しなければならない。
い状態で結像させることができるのであつて、実
際にはある所定の面積での結像状態を考えねばな
らず、このときは球面収差の他に非点収差を考慮
しなければならない。
光学系の非点収差が前述の球面収差と同様に全
く逆向きとなつている2つの光学系を前述と同様
に用いれば所定の面積にわたり収差のない結像関
係が得られる。従つてこの2つの光学系を共軸に
して構成すれば高解像力の結像光学系が達成でき
る。
く逆向きとなつている2つの光学系を前述と同様
に用いれば所定の面積にわたり収差のない結像関
係が得られる。従つてこの2つの光学系を共軸に
して構成すれば高解像力の結像光学系が達成でき
る。
しかしながら実際には非点収差が全く逆になる
2つの光学系を構成することは困難な場合が多
い。
2つの光学系を構成することは困難な場合が多
い。
この場合は光学系の全画面を対象とせず軸外の
ある範囲内についてのみの結像関係を利用すれば
前述と同様に収差補正を達成した結像光学系を得
ることができる。この場合は2つの光学系を互い
に偏心させることによつて軸外収差である非点収
差を各々相殺することができる。本発明の技術的
思想の特徴は全く逆向きの収差を有する光学系が
得られないときには、偏心という手段を用いて一
方の光学系の残存収差を他方の光学系の残存収差
で相殺し、高解像力の結像関係を達成しようとす
るものである。
ある範囲内についてのみの結像関係を利用すれば
前述と同様に収差補正を達成した結像光学系を得
ることができる。この場合は2つの光学系を互い
に偏心させることによつて軸外収差である非点収
差を各々相殺することができる。本発明の技術的
思想の特徴は全く逆向きの収差を有する光学系が
得られないときには、偏心という手段を用いて一
方の光学系の残存収差を他方の光学系の残存収差
で相殺し、高解像力の結像関係を達成しようとす
るものである。
例えば第5図に示す非点収差を有する2つの光
学系81,82を第6図に示すように互いに距離A2
だけ平行偏心させて配置する。これによつてある
範囲B2内で2つの光学系81,82の各々のサジタ
ル像面曲線811,821及びメリデイオナル像面曲
線812,822を略合致させることができる。
学系81,82を第6図に示すように互いに距離A2
だけ平行偏心させて配置する。これによつてある
範囲B2内で2つの光学系81,82の各々のサジタ
ル像面曲線811,821及びメリデイオナル像面曲
線812,822を略合致させることができる。
これにより物点83上の物体の一部分を非点収
差のない状態で光学系82の結像点84に結像させ
ることができる。
差のない状態で光学系82の結像点84に結像させ
ることができる。
第6図に示す実施例の結像光学系は2つの光学
系を屈折光学系で構成した場合であるが次に2つ
の光学系をミラー系で構成した場合の実施例につ
いて述べる。
系を屈折光学系で構成した場合であるが次に2つ
の光学系をミラー系で構成した場合の実施例につ
いて述べる。
第1の光学系として特開昭52−5544号公報で示
すミラー系を採用する。このミラー系は第7図に
示すように各々1枚の凹面鏡10と凸面鏡11の
反射面を対向させて配置し、物点101が凹面鏡
10、凸面鏡11そして凹面鏡10の順に反射し
た後像点102に等倍に結像するように構成され
ている。このミラー系で最も問題となるのが像面
特性である。
すミラー系を採用する。このミラー系は第7図に
示すように各々1枚の凹面鏡10と凸面鏡11の
反射面を対向させて配置し、物点101が凹面鏡
10、凸面鏡11そして凹面鏡10の順に反射し
た後像点102に等倍に結像するように構成され
ている。このミラー系で最も問題となるのが像面
特性である。
第8図に第7図に示すミラー系を用いたときの
像面特性の概略図を示す。第8図で補正像高hと
図示してあるのが第7図で光軸上、高さhにある
物点のサジタル像面とメリデイオナル像面の結像
が一致する箇所である。像高hを離れると第8図
に示す如くサジタル像面とメリデイオナル像面が
異つてきて所謂非点収差を生じる。
像面特性の概略図を示す。第8図で補正像高hと
図示してあるのが第7図で光軸上、高さhにある
物点のサジタル像面とメリデイオナル像面の結像
が一致する箇所である。像高hを離れると第8図
に示す如くサジタル像面とメリデイオナル像面が
異つてきて所謂非点収差を生じる。
第9図に参考の為に有効Fナンバーに対する非
点隔差の発生量△を図示する。
点隔差の発生量△を図示する。
解像力を高める為に有効Fナンバー値を小さく
すると非点隔差の発生量△が加速度的に増加して
いる事がわかる。焦点深度はFナンバーの2乗に
比例するのでFナンバーを小さくすると許容でき
る深度内に入る範囲は極度に小さくなる。従つて
このミラー系は補正像高hでの性能のみが良いの
で半径hの環状領域に光学的スリツトを設定し、
外スリツトを用いて公知の走査手段により走査し
て焼きつけを行う装置に応用されている。
すると非点隔差の発生量△が加速度的に増加して
いる事がわかる。焦点深度はFナンバーの2乗に
比例するのでFナンバーを小さくすると許容でき
る深度内に入る範囲は極度に小さくなる。従つて
このミラー系は補正像高hでの性能のみが良いの
で半径hの環状領域に光学的スリツトを設定し、
外スリツトを用いて公知の走査手段により走査し
て焼きつけを行う装置に応用されている。
この事は逆に第7図に示すミラー系は第8図に
示す像面特性が制限となつて走査型の焼付モード
でしか焼付性能を出す事ができない事を示してい
る。
示す像面特性が制限となつて走査型の焼付モード
でしか焼付性能を出す事ができない事を示してい
る。
本発明に係る実施例ではこの様な結像光学系の
特性にも拘ず像面の特性を補正して平担な結像特
性を示すミラー系を用いた結像光学系を達成して
いる。その為に2つのミラー系を第1図に示すよ
うに偏心させて構成している。
特性にも拘ず像面の特性を補正して平担な結像特
性を示すミラー系を用いた結像光学系を達成して
いる。その為に2つのミラー系を第1図に示すよ
うに偏心させて構成している。
第10図に本発明の結像光学系にミラー系を用
いた場合の一実施例の光学的な概略図を示す。本
実施例の2つのミラー系1,2は第7図に示すミ
ラー系と同じものである。
いた場合の一実施例の光学的な概略図を示す。本
実施例の2つのミラー系1,2は第7図に示すミ
ラー系と同じものである。
第1図に示した光学系1,2の瞳を合致させる
為の補助光学系3はミラー系1,2が共に略テレ
セントリツクな光学系となつている為に特に設け
る必要はない。すなわち本実施例の結像光学系は
瞳合致の為の補助光学系3の不要な特殊な場合で
ある。
為の補助光学系3はミラー系1,2が共に略テレ
セントリツクな光学系となつている為に特に設け
る必要はない。すなわち本実施例の結像光学系は
瞳合致の為の補助光学系3の不要な特殊な場合で
ある。
本実施例の結像関係は次の如くである。
すなわち物点Pは凹面鏡R11、凸面鏡R12そし
て凹面鏡R11で反射した後第1の結像点Lに等倍
に結像する。そして結像点Lに結像した像は更に
凹面鏡R21、凸面鏡R22そして凹面鏡R21で反射し
た後第2の結像点Qに等倍に再結像する。
て凹面鏡R11で反射した後第1の結像点Lに等倍
に結像する。そして結像点Lに結像した像は更に
凹面鏡R21、凸面鏡R22そして凹面鏡R21で反射し
た後第2の結像点Qに等倍に再結像する。
ここで第1の結像点L近傍の結像状態が本実施
例の特徴となつている。結像点Lはミラー系1の
結像においては物点Pの結像点であり、ミラー系
2の結像においては物点Qの結像点となるように
2つのミラー系1,2が構成されている。物点P
はミラー系1に関しては前述のとおり像面特性が
補正された像高hにある為、結像点Lでは非点収
差が補正されている。物点Qについても同様でミ
ラー系2に関しては像面特性が補正された像高h
にある為、結像点Lでは非点収差が補正されてい
る。従つて物点Pから結像点Lそして物点Qに到
る結像関係はステイグマテツクな結像となつてい
る。
例の特徴となつている。結像点Lはミラー系1の
結像においては物点Pの結像点であり、ミラー系
2の結像においては物点Qの結像点となるように
2つのミラー系1,2が構成されている。物点P
はミラー系1に関しては前述のとおり像面特性が
補正された像高hにある為、結像点Lでは非点収
差が補正されている。物点Qについても同様でミ
ラー系2に関しては像面特性が補正された像高h
にある為、結像点Lでは非点収差が補正されてい
る。従つて物点Pから結像点Lそして物点Qに到
る結像関係はステイグマテツクな結像となつてい
る。
第10図の結像点L近傍の円形L1で囲んだ部
分の結像状態の拡大図を第11図に示す。第11
図に示す如くミラー系1とミラー系2を偏心させ
て構成している為(本実施例では光軸X1とX2を
距離2h程平行偏心させている。)結像点L近傍で
ミラー系1のサジタル像面とミラー系2のサジタ
ル像面を略一致させることができる。同様にミラ
ー系1のメリデイオナル像面とミラー系2のメリ
デイオナル像面とを一致させることができる。
分の結像状態の拡大図を第11図に示す。第11
図に示す如くミラー系1とミラー系2を偏心させ
て構成している為(本実施例では光軸X1とX2を
距離2h程平行偏心させている。)結像点L近傍で
ミラー系1のサジタル像面とミラー系2のサジタ
ル像面を略一致させることができる。同様にミラ
ー系1のメリデイオナル像面とミラー系2のメリ
デイオナル像面とを一致させることができる。
従つて物点Pより距離aだけ離れた物点P′は第
1の結像点L近傍でサジタル像点はLs′、メリデ
イオナル像点は点Ln′に非点収差を生じて結像す
る。一方点Ls′と点Ln′はミラー系2では物点Q
からやはり距離aだけ離れた点Q′と共軛になつ
ている。従つて点P′から点Q′への結像は途中の結
像位置では非点収差のある結像をしているのにも
拘ず最終的には非点収差の補正された状態ですな
わちステイグマテツクな関係で行うことができ
る。
1の結像点L近傍でサジタル像点はLs′、メリデ
イオナル像点は点Ln′に非点収差を生じて結像す
る。一方点Ls′と点Ln′はミラー系2では物点Q
からやはり距離aだけ離れた点Q′と共軛になつ
ている。従つて点P′から点Q′への結像は途中の結
像位置では非点収差のある結像をしているのにも
拘ず最終的には非点収差の補正された状態ですな
わちステイグマテツクな関係で行うことができ
る。
次に第10図に示す結像光学系の収差的補正状
態を第12図に示す。結像光学系が共軸形である
と光軸に対して回転対称に良像域の結像特性が現
われるが、本実施例の如く偏心系を採用している
と良像域の結像特性の分布は独特の形状を示すよ
うになる。第12図において個々の構成要素とな
つている光学系の光軸を中心とする同心円の重な
り具合が2つのミラー系1,2を組合わせたとき
の結像光学系の収差の補正状態である。
態を第12図に示す。結像光学系が共軸形である
と光軸に対して回転対称に良像域の結像特性が現
われるが、本実施例の如く偏心系を採用している
と良像域の結像特性の分布は独特の形状を示すよ
うになる。第12図において個々の構成要素とな
つている光学系の光軸を中心とする同心円の重な
り具合が2つのミラー系1,2を組合わせたとき
の結像光学系の収差の補正状態である。
図中+1,+2等の数字で示す曲線はサジタル
像面とメリデイオナル像面をある所定値を基準に
表わしたときの非点隔差量を示す。
像面とメリデイオナル像面をある所定値を基準に
表わしたときの非点隔差量を示す。
曲線0はサジタル像面とメリデイオナル像面が
合致した補正像高hに相当する部分である。
合致した補正像高hに相当する部分である。
この結像光学系は各要素光学系の軸上からある
範囲までは凸面鏡による光束のケラレがある為使
用できない。説明を簡単にする為、例えば光束の
ケラレの生じなくなる像高を同図の曲線−2の所
とし、それ以上の像高が使用できると仮定する。
範囲までは凸面鏡による光束のケラレがある為使
用できない。説明を簡単にする為、例えば光束の
ケラレの生じなくなる像高を同図の曲線−2の所
とし、それ以上の像高が使用できると仮定する。
ミラー系1,2の像面特性は同心円状に既に示
されているので全体としての像面特性は結局図中
の点線で示された如くなる。
されているので全体としての像面特性は結局図中
の点線で示された如くなる。
点線0の位置が2つのミラー系1,2による像
面特性の補正された位置、点線1,2の数値は前
述と同様にある所定値を基準に採つた場合、各々
非点隔差量が数値程存在する部分である。
面特性の補正された位置、点線1,2の数値は前
述と同様にある所定値を基準に採つた場合、各々
非点隔差量が数値程存在する部分である。
同図より明らかのようにミラー系1とミラー系
2の像面特性が互いに打ち消し合つて図面斜線で
示すような形で像面特性が得られる。
2の像面特性が互いに打ち消し合つて図面斜線で
示すような形で像面特性が得られる。
第12図においては曲線+2,+1,0,−1,
−2等を同心円に一定間隔で示してある。これは
サジタル像面とメリデイオナル像面の非点収差が
像高の変化に対して直線的に生じていることを示
すがこのとき全系を通しての特性で非点収差が一
定となる位置は同図中点線で示すように直線にな
る。例えば許容できる非点収差量の幅を前述の非
点収差量で1とすれば2つの点線1が横方向の使
用可能範囲の限界となり、又、上下方向は凹面鏡
と凸面鏡による光線のケラレによつて使用可能範
囲の限界が決められる。
−2等を同心円に一定間隔で示してある。これは
サジタル像面とメリデイオナル像面の非点収差が
像高の変化に対して直線的に生じていることを示
すがこのとき全系を通しての特性で非点収差が一
定となる位置は同図中点線で示すように直線にな
る。例えば許容できる非点収差量の幅を前述の非
点収差量で1とすれば2つの点線1が横方向の使
用可能範囲の限界となり、又、上下方向は凹面鏡
と凸面鏡による光線のケラレによつて使用可能範
囲の限界が決められる。
尚サジタル像面とメリデイオナル像面の非点収
差が像高の変化に対して直線的でないときは曲線
+2,+1,0,−1,−2は不等間隔となり又点
線0,1,2は曲線となるが本実施例の考え方は
本質的に同じである。
差が像高の変化に対して直線的でないときは曲線
+2,+1,0,−1,−2は不等間隔となり又点
線0,1,2は曲線となるが本実施例の考え方は
本質的に同じである。
本実施例と同様に良像域を非点収差量で1とす
ると第7図に示すミラー系を単独で用いたときの
良像域が曲線0と曲線1との間の狭い同心円状の
帯領域となる事を考えると本実施例による良像域
が格段に増加しているのが理解できよう。
ると第7図に示すミラー系を単独で用いたときの
良像域が曲線0と曲線1との間の狭い同心円状の
帯領域となる事を考えると本実施例による良像域
が格段に増加しているのが理解できよう。
尚第12図で示すように本実施例では2つのミ
ラー系1,2を曲線0、即ち非点収差のなくなる
領域が接するように配置したがこれは必ずしも必
須要件ではない。例えば第13図に示すようにミ
ラー系1の非点収差のない曲線0とミラー系2の
非点収差量が1ある曲線−1に相当する個所で接
するようにしてもよい。
ラー系1,2を曲線0、即ち非点収差のなくなる
領域が接するように配置したがこれは必ずしも必
須要件ではない。例えば第13図に示すようにミ
ラー系1の非点収差のない曲線0とミラー系2の
非点収差量が1ある曲線−1に相当する個所で接
するようにしてもよい。
この場合像面特性は平行移動するだけである。
但し第10図の結像光学系のように光束のケラレ
により良像域が制限される場合は第12図に示す
ようにミラー系の非点収差が補正される曲線0で
双方のミラー系が接するように構成するのが好ま
しい。
但し第10図の結像光学系のように光束のケラレ
により良像域が制限される場合は第12図に示す
ようにミラー系の非点収差が補正される曲線0で
双方のミラー系が接するように構成するのが好ま
しい。
尚本実施例では全系の結像倍率は等倍である
が、縮小として用いるときは1,2をミラー系に
限らず異つた光学系で構成しても良く、例えば一
方のミラー系の光路中に屈折系を挿入して構成す
るようにしても良い。
が、縮小として用いるときは1,2をミラー系に
限らず異つた光学系で構成しても良く、例えば一
方のミラー系の光路中に屈折系を挿入して構成す
るようにしても良い。
参考の為に第10図の結像光学系の数値例を表
1に示す。表1においてRは反射面の曲率半径、
Lは同図に示す距離を示す。
1に示す。表1においてRは反射面の曲率半径、
Lは同図に示す距離を示す。
表1;本発明の数値実施例
R11=−600 L11=604.075
R12=−300 L12=295.745
R13=600 L13=604.075
R14=300 L22=295.745
h=100.16
2つの凸面鏡の有効径;95
2つの凹面鏡の有効径;400
以上述べた実施例は結像光学系の光路中で一度
実像が形成される場合であるが、本発明は必ずし
もそれに限られる必要はなく、光路中に虚像を形
成し、この虚像に対して第2の光学系を配置する
ようにしても良い。
実像が形成される場合であるが、本発明は必ずし
もそれに限られる必要はなく、光路中に虚像を形
成し、この虚像に対して第2の光学系を配置する
ようにしても良い。
具体的な原理図を第14図に示す。
第14図においては第1の光学系23によつて
物点21上にある物体は第1の結像点22上に結
像する。今ここで光学系23に対して光軸から距
離△だけ離れた位置を光軸とする第2の光学系2
4を配置すると光学系24は第1の結像点22を
物点とした結像をするので結局第2の結像点25
に物体を結像させる。
物点21上にある物体は第1の結像点22上に結
像する。今ここで光学系23に対して光軸から距
離△だけ離れた位置を光軸とする第2の光学系2
4を配置すると光学系24は第1の結像点22を
物点とした結像をするので結局第2の結像点25
に物体を結像させる。
この際光学系24の光軸は光学系23がテレセ
ントリツクであると第14図に示すよう主光線が
光軸と平行となるような結像関係が得られ高解像
力の結像が容易に得られるので好ましい。ただし
第15図に示すように光学系33がテレセントリ
ツクでなくても第14図と同様に結像光学系を構
成することができることは勿論である。
ントリツクであると第14図に示すよう主光線が
光軸と平行となるような結像関係が得られ高解像
力の結像が容易に得られるので好ましい。ただし
第15図に示すように光学系33がテレセントリ
ツクでなくても第14図と同様に結像光学系を構
成することができることは勿論である。
このように第14図又は第15図に示すように
収斂光束中に屈折系を挿入することは良好なる収
差補正を達成するのに非常に有利となる。この有
利さは例えばアプラナテイツク面の作用を考えれ
ば容易に理解されよう。
収斂光束中に屈折系を挿入することは良好なる収
差補正を達成するのに非常に有利となる。この有
利さは例えばアプラナテイツク面の作用を考えれ
ば容易に理解されよう。
次に第16図に第1図に示す結像光学系に第1
4図に示す光学系を適用したときの光学系の概略
図を示す。同図において各要素に付してある番号
は第1図、第14図で示したものと同様である。
4図に示す光学系を適用したときの光学系の概略
図を示す。同図において各要素に付してある番号
は第1図、第14図で示したものと同様である。
尚第16図において光学系1と光学系2は必ず
しも同一でなくてもよい。全系の結像倍率に応じ
て各々異つた光学系で構成させるのが好ましい。
しも同一でなくてもよい。全系の結像倍率に応じ
て各々異つた光学系で構成させるのが好ましい。
[発明の効果]
以上のように、本発明によれば、個々の光学系
の残存収差を互いに相殺するようにして結像光学
系を構成する事によつて回折限界に近い高性能な
結像関係を得ることができる。この為例えばIC,
LSI等の焼付け光学系等の高性能が要求される結
像光学系に本発明は有効に適用させることができ
る。特に所謂ステツパーと呼ばれるステツプアン
ドリピート方式の光学系に本発明を適用すれば広
い面積にわたり高解像力が得られるので非常に効
果的である。
の残存収差を互いに相殺するようにして結像光学
系を構成する事によつて回折限界に近い高性能な
結像関係を得ることができる。この為例えばIC,
LSI等の焼付け光学系等の高性能が要求される結
像光学系に本発明は有効に適用させることができ
る。特に所謂ステツパーと呼ばれるステツプアン
ドリピート方式の光学系に本発明を適用すれば広
い面積にわたり高解像力が得られるので非常に効
果的である。
又本発明の結像光学系は微細加工用に限られる
ものではなく広汎な応用範囲を持つており高性能
な結像を得ようとする光学系には全て適用するこ
とができる。
ものではなく広汎な応用範囲を持つており高性能
な結像を得ようとする光学系には全て適用するこ
とができる。
第1図は本発明の一実施例の具体的構成の説明
図、第2、第3図は互いに特性が逆の球面収差の
説明図、第4図は2つの光学系を共軸系として用
いたときの光学系の説明図、第5図は非点収差の
説明図、第6図は本発明の一実施例の説明図、第
7図は従来のミラー系の光学系の概略図、第8図
は収差補正の説明図、第9図は一般の有効Fナン
バーと非点隔差との関係を示す説明図、第10図
は本発明の一実施例の光学系の説明図、第11
図、第12図、第13図は第10図の実施例の収
差補正の説明図、第14、第15、第16図は
各々本発明の一実施例の説明図である。図中、
1,2,71,72,81,82は光学系、3は補助
光学系、4は物点、5,6は結像点、A1,A2は
偏心量、Pは物点、Qは結像点である。
図、第2、第3図は互いに特性が逆の球面収差の
説明図、第4図は2つの光学系を共軸系として用
いたときの光学系の説明図、第5図は非点収差の
説明図、第6図は本発明の一実施例の説明図、第
7図は従来のミラー系の光学系の概略図、第8図
は収差補正の説明図、第9図は一般の有効Fナン
バーと非点隔差との関係を示す説明図、第10図
は本発明の一実施例の光学系の説明図、第11
図、第12図、第13図は第10図の実施例の収
差補正の説明図、第14、第15、第16図は
各々本発明の一実施例の説明図である。図中、
1,2,71,72,81,82は光学系、3は補助
光学系、4は物点、5,6は結像点、A1,A2は
偏心量、Pは物点、Qは結像点である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 偏心配置された第1及び第2光学系を順に通
して前記第1光学系の物体面側で光軸外に配置さ
れた物体を前記第2光学系の像面側に結像させる
結像光学系であつて、前記第1光学系の光軸外の
結像位置に対して前記第1及び第2光学系のそれ
ぞれの光軸が異なる方向に偏心していることを特
徴とする結像光学系。 2 前記第1光学系の射出瞳位置が前記第2光学
系の入射瞳位置に光学的に略合致することを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の結像光学系。 3 前記第1及び第2光学系が実質的に同一であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
結像光学系。 4 前記第1及び第2光学系のそれぞれは、少な
くとも1枚づつの凹面鏡と凸面鏡を有することを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載の結像光学
系。 5 前記第1及び第2光学系のそれぞれの光軸は
前記結像位置に対して逆方向に偏心していること
を特徴とする特許請求の範囲第4項記載の結像光
学系。 6 前記第1及び第2光学系の少なくとも一方の
光路中には屈折系が配置されていることを特徴と
する特許請求の範囲第4項記載の結像光学系。 7 全系の結像倍率が縮小であることを特徴とす
る特許請求の範囲第6項記載の結像光学系。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122302A JPS612124A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 結像光学系 |
| US07/144,645 US4798450A (en) | 1984-06-14 | 1988-01-11 | Imaging optical system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59122302A JPS612124A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 結像光学系 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS612124A JPS612124A (ja) | 1986-01-08 |
| JPH051922B2 true JPH051922B2 (ja) | 1993-01-11 |
Family
ID=14832591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59122302A Granted JPS612124A (ja) | 1984-06-14 | 1984-06-14 | 結像光学系 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4798450A (ja) |
| JP (1) | JPS612124A (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0252734B1 (en) * | 1986-07-11 | 2000-05-03 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
| JPH0789537B2 (ja) * | 1986-09-02 | 1995-09-27 | 日本電信電話株式会社 | X線縮小投影露光装置 |
| US4989928A (en) * | 1989-01-19 | 1991-02-05 | Fantozzi Louis R | Compact infrared lens arrangement including at least three reflections |
| US5063586A (en) * | 1989-10-13 | 1991-11-05 | At&T Bell Laboratories | Apparatus for semiconductor lithography |
| US5052763A (en) * | 1990-08-28 | 1991-10-01 | International Business Machines Corporation | Optical system with two subsystems separately correcting odd aberrations and together correcting even aberrations |
| US5331371A (en) * | 1990-09-26 | 1994-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure method |
| US5212588A (en) * | 1991-04-09 | 1993-05-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Reflective optical imaging system for extreme ultraviolet wavelengths |
| US5345333A (en) * | 1991-04-19 | 1994-09-06 | Unimat (Usa) Corporation | Illumination system and method for a high definition light microscope |
| JP3624048B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-02-23 | キヤノン株式会社 | 照度測定方法 |
| DE69728126T2 (de) * | 1996-12-28 | 2005-01-20 | Canon K.K. | Projektionsbelichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
| US6577443B2 (en) * | 1998-05-30 | 2003-06-10 | Carl-Zeiss Stiftung | Reduction objective for extreme ultraviolet lithography |
| DE50313254D1 (de) * | 2002-05-10 | 2010-12-23 | Zeiss Carl Smt Ag | Reflektives roentgenmikroskop zur untersuchung von objekten mit wellenlaengen = 100nm in reflexion |
| US7158215B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-01-02 | Asml Holding N.V. | Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays |
| US20060198018A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-09-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system |
| DE102007033967A1 (de) * | 2007-07-19 | 2009-01-29 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv |
| US8531750B2 (en) | 2009-02-15 | 2013-09-10 | Kessler Optics & Photonics Solutions, Ltd. | Afocal beam relay |
| US8274720B2 (en) * | 2009-02-15 | 2012-09-25 | Kessler Optics and Photonics Solutions, Ltd. | Concentric afocal beam relay |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3821763A (en) * | 1971-06-21 | 1974-06-28 | Perkin Elmer Corp | Annular field optical imaging system |
| US3748015A (en) * | 1971-06-21 | 1973-07-24 | Perkin Elmer Corp | Unit power imaging catoptric anastigmat |
| JPS6039205B2 (ja) * | 1975-07-02 | 1985-09-05 | キヤノン株式会社 | 反射光学系 |
| US4293186A (en) * | 1977-02-11 | 1981-10-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Restricted off-axis field optical system |
-
1984
- 1984-06-14 JP JP59122302A patent/JPS612124A/ja active Granted
-
1988
- 1988-01-11 US US07/144,645 patent/US4798450A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4798450A (en) | 1989-01-17 |
| JPS612124A (ja) | 1986-01-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |