JPH0525154B2 - - Google Patents
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- JPH0525154B2 JPH0525154B2 JP61017816A JP1781686A JPH0525154B2 JP H0525154 B2 JPH0525154 B2 JP H0525154B2 JP 61017816 A JP61017816 A JP 61017816A JP 1781686 A JP1781686 A JP 1781686A JP H0525154 B2 JPH0525154 B2 JP H0525154B2
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- address
- read
- data
- signal
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Description
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えばワードプロセツサ等OA(オ
フイスオートメーシヨン)機器の外部メモリとし
て使用されるメモリカードに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
近年、半導体の実装技術の高度化により、半導
体メモリ素子を内蔵するメモリカードがワードプ
ロセツサなどのOA機器に外部メモリとして使用
されるようになつてきた。
従来のメモリカードは、メモリチツプが持つ端
子をそのままデータ処理装置本体とのインタフエ
ースとして用いているものが多かつた。つまり、
アドレス信号、データ信号、書き込み信号、出力
エネーブル信号およびチツプセレクト信号をその
ままメモリカードの外部に出していた。この方法
は、メモリカードに内蔵されるメモリチツプの数
が1〜2個で比較的小容量のメモリカードの場
合、周辺回路をカードに内蔵する必要がないた
め、比較的簡単に実現できる。しかしながらメモ
リチツプ4〜8個を実装する、比較的大容量のカ
ードを実現するには不向きである。なぜならば、
メモリ容量に等しいアドレス信号線を必要とする
ために、メモリ容量の増加と相まつてアドレス信
号線の数を増さなければならないからである。最
近のメモリカードの基本サイズは54×86mmの名刺
サイズで、この中でとりうるインタフエース信号
の数には制約がある。更に、コネクタ部の実装、
接触信頼性および価格の観点からみると、インタ
フエース信号線の数はできるだけ少ないことが望
ましいからである。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
り、内蔵のメモリ容量が大きくても、インタフエ
ース信号線の数を増加させることなく、且つ高速
アクセス可能なメモリカードを提供することを目
的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、上記目的を実現するため、メモリカ
ードにアドレスカウンタならびにアドレス更新回
路を内蔵させた。このことにより、メモリチツプ
を外部インタフエースから直接アドレツシングす
る必要がなくなり、従がつてメモリカードのアド
レス信号線を減らすことが出来る。又、連続した
メモリアドレスのアクセスにおいて、データ処理
装置本体側にて、WRITE MEMORY DATAあ
るいはREAD MEMORY DATAを繰返し行な
うだけでアドレスが自動的に更新され、アドレス
を再設定する必要がなくなる。即ち、連続したメ
モリアドレスのアクセスを容易且つ高速に行なう
ことが出来る。
〔発明の実施例〕
以下、図面を使用して本発明実施例につき詳細
に説明する。第1図は、本発明の実施例を示すブ
ロツク図である。図において、1はインタフエー
スゲートアレイである。インタフエースゲートア
レイ1は、図示せぬデータ処理装置本体とメモリ
チツプ2間に位置し、本体とメモリ間のデータ転
送を制御するための制御回路が内蔵されている。
メモリチツプ2はスタテイツクランダムアクセス
メモリ(SRAM)で8K×8ビツト構成の64Kビ
ツトCMOSメモリで構成される。本発明実施例
ではSRAMが8個実装され、合計で64Kバイト
のメモリ容量となる。3は電源制御回路、4はバ
ツクアツプ用電池であり、このバツクアツプ用電
池4は、メモリカードが本体と接続されていない
とき、メモリに書き込まれている内容を保持する
ために設けられる。電源制御回路3は、メモリカ
ードが本体に接続されているときは本体から+
5Vを供給し、本体に接続されていないときはバ
ツクアツプ用電池4から電源を供給する切換回路
を有する。さらに本体から+5Vが供給されてい
ないときはインタフエース・ゲートアレイ1に対
しては一切の動作を禁止するための信号(CE)
を供給する。
第2図は第1図に示したインタフエースゲート
アレイの内部構成例を示す図である。インターフ
エースアレイ1は、カウンタ11〜13、バツフ
ア21〜32、デコーダ41,42、セレクタ5
1,52、そして制御回路61から成る。カウン
タ11〜13は、本体からのメモリアクセスに対
して、そのメモリアドレスが設定されるアドレス
カウンタである。RmA00〜RmA19はカウンタの
内容、すなわち、メモリアドレスが示される。バ
ツフア21〜27は、本体からの信号を受け、バ
ツフア28〜32は、メモリチツプへ信号を送る
際に使用される。デコーダ41は、アドレスン信
号AD0,AD1からコントロール信号を作り出し、
デコーダ42は、メモリ・アドレスからチツプセ
レクト信号0〜7を作り出す。セレクタ
51は、アドレスカウンタ11〜13の内容、メ
モリの読出しデータのうち、どの信号を本体へ送
るか選択する。セレクタ52は、メモリチツプの
容量を決める信号SZ0,SZ1によつてアドレス
カウンタ12と13のどちらの内容をデコーダ4
2に送るかを選択する。制御回路61は、上述し
た各ブロツクをコントロールする種々の信号を作
り出す。
ここで、データ処理装置本体とのインタフエー
ス信号につき簡単に付す。
まず、DT0−DT7(DATA)は、8ビツトの双
方向データ信号である。本体はこの信号を介して
メモリの読出し/書込み、および、アドレスカウ
ンタ11〜13の読出し/書込みを行なう。AD0
−AD1(ADDRESS)は、メモリカード内の入出
力ポートを選択するためのアドレス信号である。
RD(READ)はメモリカードから読出しを行
なう際に出力される信号である。
WR(WRITE)は、メモリカードに対して書込
みを行なう際に出力される信号である。
CS(CARD SELECT)は、メモリカードに対
する信号である。本体はメモリカードをアクセス
する場合、この信号を出力しなければならない。
CE(CARD ENABLE)は、メモリカードに対
して有効とする信号である。この信号は、メモリ
カード内の電源制御回路3から入力される。
WP(WRITE PROTECT)は、書込み保護信
号である。この信号は本体からのインタフエース
信号、メモリカードに付属する書込み保護スイツ
チまたはメモリカード内でのジヤンパによつて供
給することができる。この信号が書込み保護状態
を示しているときはメモリチツプ2に対する書込
み動作は禁止される。又、この信号の状態を本体
から読み出すことができる。
JP0−JP2(JUMPER OPTION)は、任意に設
定できる3ビツトのジヤンパオプシヨンである。
このジヤンパオプシヨンは本体から読み出すこと
ができる。この信号は、たとえば、同一システム
で複数種類のメモリカードを使用する場合にその
種類を識別するとき等に使用される。
SZ0−SZ1(MEMORY SIZE)は、メモリ
チツプの容量を設定するための信号である。
64KB(8KB×8),256KB(32KB×8),1MB
(128KB×8)または2MB(256KB×8)のメモ
リチツプを接続することができ、この信号によつ
てメモリチツプの容量が指定される。
次に、メモリとのインタフエース信号につき簡
単に付す。
mD0−mD7(MEMORY DATA)は、メモリ
に対する読出し/書込みデータが送られる双方向
データ信号である。mA0−mA17(MEMORY
ADDRESS)は、メモリに対するアドレス信号
である。256KBのアドレス空間をもつ。
0−7(MEMORY CHIP
SELECT)は、メモリに対するチツプセレクト
信号である。最大8メモリチツプを接続すること
ができる。
(MEMORY WRITE ENABLE)は、
メモリに対する書込み信号である。
(MEMORY OUTPUT ENABLE)
は、メモリに対する出力エネーブル信号である。
この信号はメモリ読出し動作のときに出力され
る。
第3図・第4図は本発明実施例の動作を示すタ
イミングチヤートであり、MEMORY WRITE,
MEMORY READのそれぞれを示す。第5図・
第6図は本発明実施例の動作を説明するために引
用した図であり、それぞれ、アドレスカウンタに
アクセスすべきメモリアドレスを書込む際のデー
タフオーマツト、読出す際のデータフオーマツト
を示す図である。
以下、本発明実施例の動作につき詳細に説明す
る。インタフエース・ゲートアレイ1には4つの
入出力ポートが用意されており、アドレス信号
(AD0〜1)で選択され、リード信号(RD)で読み
出し、ライト信号(WR)で書き込み動作が行な
われる。入出力ポートに対する読み出し、書き込
み動作は、カードセレクト信号(CS)およびカ
ードイネーブル信号(CE)が共に“1”の場合
のみ行なわれる。次表に入出力ポートおよびその
動作概要を示す。
[Technical Field of the Invention] The present invention relates to a memory card used as an external memory for OA (office automation) equipment, such as a word processor. [Technical background of the invention and its problems] In recent years, with the advancement of semiconductor packaging technology, memory cards with built-in semiconductor memory elements have come to be used as external memory in office equipment such as word processors. . In many conventional memory cards, the terminals of the memory chip are used as they are as an interface with the main body of the data processing device. In other words,
Address signals, data signals, write signals, output enable signals, and chip select signals were output directly to the outside of the memory card. This method can be implemented relatively easily if the memory card has one or two memory chips and has a relatively small capacity, since there is no need to incorporate peripheral circuits into the card. However, it is not suitable for realizing a relatively large capacity card mounting 4 to 8 memory chips. because,
This is because address signal lines equal to the memory capacity are required, so the number of address signal lines must be increased as the memory capacity increases. The basic size of modern memory cards is 54 x 86 mm, which is the size of a business card, and there are restrictions on the number of interface signals that can be held within this size. Furthermore, the mounting of the connector part,
This is because, from the viewpoint of contact reliability and cost, it is desirable that the number of interface signal lines be as small as possible. [Object of the Invention] The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a memory card that can be accessed at high speed without increasing the number of interface signal lines even if the built-in memory capacity is large. The purpose is to [Summary of the Invention] In order to achieve the above object, the present invention incorporates an address counter and an address update circuit in a memory card. This eliminates the need for direct addressing of the memory chip from the external interface, thereby reducing the number of address signal lines on the memory card. Furthermore, when accessing consecutive memory addresses, the addresses are automatically updated by simply repeating WRITE MEMORY DATA or READ MEMORY DATA on the data processing device main body side, eliminating the need to reset the addresses. That is, consecutive memory addresses can be accessed easily and at high speed. [Embodiments of the Invention] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail using the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is an interface gate array. The interface gate array 1 is located between the main body of the data processing device (not shown) and the memory chip 2, and has a built-in control circuit for controlling data transfer between the main body and the memory.
Memory chip 2 is a static random access memory (SRAM) consisting of a 64K bit CMOS memory with an 8K x 8 bit configuration. In the embodiment of the present invention, eight SRAMs are installed, resulting in a total memory capacity of 64 Kbytes. 3 is a power supply control circuit, and 4 is a backup battery, which is provided to hold the contents written in the memory when the memory card is not connected to the main body. When the memory card is connected to the main unit, the power supply control circuit 3
It has a switching circuit that supplies 5V and supplies power from the backup battery 4 when it is not connected to the main body. Furthermore, when +5V is not supplied from the main unit, there is a signal (CE) for prohibiting all operations for the interface gate array 1 .
supply. FIG. 2 is a diagram showing an example of the internal configuration of the interface gate array shown in FIG. 1. The interface array 1 includes counters 11 to 13, buffers 21 to 32, decoders 41 and 42, and a selector 5.
1, 52, and a control circuit 61. Counters 11 to 13 are address counters whose memory addresses are set in response to memory access from the main body. RmA 00 to RmA 19 indicate counter contents, that is, memory addresses. Buffers 21-27 receive signals from the main body, and buffers 28-32 are used to send signals to the memory chip. The decoder 41 generates a control signal from the address signals AD 0 and AD 1 ,
Decoder 42 produces chip select signals 0-7 from the memory addresses. The selector 51 selects which signal is to be sent to the main body from among the contents of the address counters 11 to 13 and the data read from the memory. The selector 52 selects the contents of the address counters 12 and 13 from the decoder 4 according to signals SZ0 and SZ1 that determine the capacity of the memory chip.
Select whether to send to 2. Control circuit 61 produces various signals that control each of the blocks described above. Here, we will briefly explain the interface signals with the data processing device main body. First, DT 0 -DT 7 (DATA) are 8-bit bidirectional data signals. The main body reads/writes the memory and reads/writes the address counters 11 to 13 via this signal. AD 0
-AD 1 (ADDRESS) is an address signal for selecting an input/output port in the memory card. RD (READ) is a signal output when reading from a memory card. WR (WRITE) is a signal output when writing to a memory card. CS (CARD SELECT) is a signal to the memory card. The main unit must output this signal when accessing the memory card. CE (CARD ENABLE) is a signal that is enabled for the memory card. This signal is input from the power control circuit 3 within the memory card. WP (WRITE PROTECT) is a write protection signal. This signal can be provided by an interface signal from the main body, a write protect switch attached to the memory card, or a jumper within the memory card. When this signal indicates the write protection state, write operations to the memory chip 2 are prohibited. Additionally, the state of this signal can be read from the main body. JP 0 -JP 2 (JUMPER OPTION) are 3-bit jumper options that can be set arbitrarily.
This jumper option can be read from the main body. This signal is used, for example, to identify the type of memory card when multiple types of memory cards are used in the same system. SZ0-SZ1 (MEMORY SIZE) are signals for setting the capacity of the memory chip.
64KB (8KB x 8), 256KB (32KB x 8), 1MB
(128 KB x 8) or 2 MB (256 KB x 8) memory chips can be connected, and the capacity of the memory chip is specified by this signal. Next, we will briefly explain the interface signals with the memory. mD 0 -mD 7 (MEMORY DATA) are bidirectional data signals through which read/write data to memory is sent. mA 0 −mA 17 (MEMORY
ADDRESS) is an address signal for memory. It has an address space of 256KB. 0-7 (MEMORY CHIP
SELECT) is the chip select signal for the memory. Up to 8 memory chips can be connected. (MEMORY WRITE ENABLE)
This is a write signal to memory. (MEMORY OUTPUT ENABLE)
is the output enable signal for the memory.
This signal is output during a memory read operation. Figures 3 and 4 are timing charts showing the operation of the embodiment of the present invention.
MEMORY READ each. Figure 5・
FIG. 6 is a diagram cited to explain the operation of the embodiment of the present invention, and is a diagram showing a data format when writing a memory address to be accessed to the address counter, and a data format when reading it, respectively. It is. Hereinafter, the operation of the embodiment of the present invention will be explained in detail. The interface gate array 1 has four input/output ports, which are selected by the address signal (AD 0 to 1 ), read by the read signal (RD), and written by the write signal (WR). . Read and write operations to the input/output port are performed only when the card select signal (CS) and card enable signal (CE) are both "1". The following table shows the input/output ports and an overview of their operations.
【表】【table】
以上説明の様に本発明に従えば、メモリカード
にアドレスアウンタを内蔵することにより、メモ
リチツプを、外部インタフエースから直接アドレ
シングする必要がないため、メモリカードのアド
レス信号線を減らすことができる。また、メモ
リ・カードの連続したメモリ・アドレスのアクセ
スにおいて、本体側ではWRITE MEMORY
DATA又はREAD MEMORY DATAを繰り返
し行うだけでアドレスが自動的にインクリメント
され、アドレスを再設定する必要がない。すなわ
ち、連続したメモリ・アドレスのアクセスを容易
かつ高速に行なうことができる。
As described above, according to the present invention, by incorporating an address counter into the memory card, there is no need to address the memory chip directly from an external interface, and the number of address signal lines of the memory card can be reduced. In addition, when accessing consecutive memory addresses on a memory card, the main unit uses WRITE MEMORY.
The address is automatically incremented by simply repeating DATA or READ MEMORY DATA, and there is no need to reset the address. That is, consecutive memory addresses can be accessed easily and at high speed.
第1図は本発明の実施例を示すブロツク図、第
2図は第1図におけるインターフエースゲートア
レイの内部構成を示すブロツク図、第3図・第4
図は本発明実施例の動作を示すタイミングチヤー
トであり、MEMORY WRITE,MEMORY
READのそれぞれを示す。第5図・第6図は本
発明実施例の動作を説明するために引用した図で
あり、それぞれ、アドレスカウンタにアクセスす
べきメモリアドレスを書込む際のデータフオーマ
ツトを、読出す際のデータフオーマツトを示す図
である。
1……インタフエースゲートアレイ、2……メ
モリチツプ、3……電源制御回路、4……バツク
アツプ用電池、11〜13……アドレスカウン
タ、21〜32……バツフア、41,42……デ
コーダ、51,52……セレクタ、61……制御
回路。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing the internal configuration of the interface gate array in FIG. 1, and FIGS.
The figure is a timing chart showing the operation of the embodiment of the present invention.
Indicates each READ. 5 and 6 are diagrams cited to explain the operation of the embodiment of the present invention, and respectively show the data format when writing a memory address to be accessed to the address counter and the data format when reading. FIG. 3 is a diagram showing a format. 1 ... Interface gate array, 2... Memory chip, 3... Power supply control circuit, 4... Backup battery, 11-13... Address counter, 21-32... Buffer, 41, 42... Decoder, 51 , 52...Selector, 61...Control circuit.
Claims (1)
データ処理本体に着脱自在に装着されるメモリカ
ードにおいて、 リード/ライトデータの入出力およびアドレス
データの入力に共用されるデータ入出力端子と、 前記メモリチツプをリード/ライトアクセスす
るためのメモリアドレスを出力するアドレスカウ
ンタと、 前記データ処理装置本体からのアドレス設定指
令に応じて、前記データ処理装置本体によつて前
記データ入出力端子に供給されるメモリアドレス
を前記アドレスカウンタに設定するアドレス設定
手段とを具備することを特徴とするメモリカー
ド。 2 リード/ライト可能なメモリチツプを内蔵し
データ処理本体に着脱自在に装着されるメモリカ
ードにおいて、 リード/ライトデータの入出力およびアドレス
データの入力に共用されるデータ入出力端子と、 前記メモリチツプをリード/ライトアクセスす
るためのメモリアドレスを出力するアドレスカウ
ンタと、 前記データ処理装置本体からのアドレス設定指
令に応じて、前記データ処理装置本体によつて前
記データ入出力端子に供給されるメモリアドレス
を前記アドレスカウンタに設定するアドレス設定
手段と、 前記メモリチツプへのリード/ライトアクセス
毎に前記アドレスカウンタの内容を更新する更新
手段とを具備することを特徴とするメモリカー
ド。[Scope of Claims] 1. In a memory card that has a built-in readable/writable memory chip and is removably attached to a data processing unit, a data input/output terminal that is shared for read/write data input/output and address data input. an address counter that outputs a memory address for read/write access to the memory chip; and an address counter that outputs a memory address for read/write access to the memory chip; and an address counter that is supplied to the data input/output terminal by the data processing device main body in response to an address setting command from the data processing device main body. and address setting means for setting a memory address to be stored in the address counter. 2. In a memory card that has a built-in readable/writable memory chip and is removably attached to the data processing unit, a data input/output terminal that is shared for input/output of read/write data and input of address data, and a terminal for reading/writing the memory chip / an address counter that outputs a memory address for write access; and an address counter that outputs a memory address for write access; A memory card comprising: address setting means for setting an address counter; and updating means for updating the contents of the address counter each time the memory chip is read/written.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017816A JPS62177695A (en) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | memory card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017816A JPS62177695A (en) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | memory card |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177695A JPS62177695A (en) | 1987-08-04 |
| JPH0525154B2 true JPH0525154B2 (en) | 1993-04-12 |
Family
ID=11954260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017816A Granted JPS62177695A (en) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | memory card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177695A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012081043A1 (en) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Conser Spa | An improved process for recovery of maleic anhydride by using organic solvent |
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1986
- 1986-01-31 JP JP61017816A patent/JPS62177695A/en active Granted
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| WO2012081043A1 (en) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Conser Spa | An improved process for recovery of maleic anhydride by using organic solvent |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62177695A (en) | 1987-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |