JPH0527445B2 - - Google Patents
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- JPH0527445B2 JPH0527445B2 JP62134303A JP13430387A JPH0527445B2 JP H0527445 B2 JPH0527445 B2 JP H0527445B2 JP 62134303 A JP62134303 A JP 62134303A JP 13430387 A JP13430387 A JP 13430387A JP H0527445 B2 JPH0527445 B2 JP H0527445B2
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、水素又はヘリウムを含む混合ガスか
ら水素又はヘリウムを、水素選択透過性又はヘリ
ウム選択透過性の高い高分子分離膜モジユールを
多段に用いて、低コストで且つ乾燥状態で99.99
モル％以上の高純度で分離できる、高純度水素又
はヘリウムの製造方法に関するものである。 尚、本発明における高分子分離膜モジユールと
は、高分子分離膜によつてガスを分離する装置の
ことをいう。 〔従来の技術〕 従来、水素又はヘリウムを含む混合ガスから水
素又はヘリウムを濃縮・精製する主な工業的プロ
セスとして、深冷法や吸着法が実施されてきた
が、近年、高分子分離膜を用いた膜法も普及して
きている。この膜法による水素又はヘリウムの濃
縮・精製の長所及び短所は、一般的に次のように
認識されている。 長所： 設備がコンパクトで安価である。 操業が容易で、安定操業範囲が広く、メンテナ
ンスが殆ど不要である。 原料ガスに充分な圧力がある場合、外部からエ
ネルギーを加えることなく、水素又はヘリウムを
分離できる。 水素又はヘリウムを分離した残りのガス（非透
過ガス）の圧力は実質的に低下しない。 短所： 分離膜の透過ガスとして分離される水素又はヘ
リウムの圧力が原料ガスの圧力に比べて大きく低
下する。 乾燥状態で99.99モル％（４−ナイン）以上の
高い純度の水素又はヘリウムを得る場合、分離膜
を多段にする必要がある。 多段に膜を使用する場合、先行する段からの透
過ガスの圧力が低下するので、透過ガスを昇圧し
て次の段の分離膜に供給する必要があり、多くの
エネルギーが必要である。 以上の長所及び短所から、膜法は、一般に、水
素又はヘリウムを低コストで大雑把に分離するの
に適したプロセスであり、４−ナイン以上の高純
度の水素又はヘリウムを得るのに経済的に適した
プロセスではないと認識されている。 また、高分子分離膜を多段に用いて、分離膜を
透過し易い水素又はヘリウムを高純度に精製・濃
縮する方法として、特公昭44−5526号公報及び特
開昭54−72778号公報に記載された方法がある。 これらの公報に記載されている方法は、第１４
図のフローシートに示す如く、高分子分離膜モジ
ユールを３段に用いて高純度ガスを得る方法で、
１段目の膜モジユール１から得られる圧力が低下
した透過ガス及び２段目の膜モジユール２から得
られる圧力が低下した透過ガスをそれぞれ昇圧機
X1及びX2により昇圧して次の段のモジユールに
供給している。破線で示したラインは、高純度ガ
スの収率を上げるために、２段目以降のモジユー
ルの非透過ガスを前段の膜モジユールに返送する
ための導管である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述の如く、従来、高分子分離膜モジユールを
多段に用いて高純度ガスを得るには、前段の高分
子分離膜モジユールを透過した透過ガスをモジユ
ール間で昇圧させて後段の高分子分離膜モジユー
ルに供給していた。 即ち、前記公報に記載されている方法は、透過
ガスを昇圧するための昇圧機X1及びX2の存在が、
昇圧機の設備コスト及び大きな所要動力を要する
点で、高純度ガスの得るプロセスの経済性を非常
に大きく低下させており、そのため、経済性が吸
着法による高純度ガス製造プロセスに比して劣つ
ている。 従つて、本発明の目的は、水素又はヘリウムを
含む混合ガスから水素又はヘリウムを、高分子分
離膜を用いて、低コストで且つ乾燥状態で99.99
モル％以上の高純度で分離できる、高純度水素又
はヘリウムの製造方法を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、種々検討した結果、特定の分離
性能を有する高分子分離膜を用いた場合には、透
過ガスを各モジユール間で昇圧させなくとも高純
度（乾燥状態で99.99モル％以上）の水素又はヘ
リウムが得られることを知見した。 本発明は、上記知見に基づきなされたもので、
水素又はヘリウムを90モル％以上含有する、炭酸
ガスを実質的に含まない原料ガスを、分離膜モジ
ユールを多段に用いて処理することにより、透過
ガスとして高純度の水素又はヘリウムの製造する
方法であつて、分離膜モジユールとして、分離性
能（水素又はヘリウムとメタンとの膜透過速度の
比）が100以上である高分子分離膜モジユールを
用い、且つ前段の高分子分離膜モジユールを透過
した透過ガスを高分子分離膜モジユール間で昇圧
することなく後段の高分子分離膜モジユールに供
給することを特徴とする高純度水素又はヘリウム
の製造方法を提供するものである。 以下、本発明の高純度水素又はヘリウムの製造
方法について詳述する。 本発明で用いられる高分子分離膜モジユール
は、下記のガス透過試験法によつて測定された
『水素又はヘリウムとメタンとの膜透過速度の比
（P′H2／P′CH4又はP′He／P′CH4）』で示される
分離性能が100以上、好ましくは150以上、より好
ましくは200以上のもので、かかる高分子分離膜
モジユールとしては、特開昭61−19813号公報及
び特開昭62−42723号公報に記載の芳香族ポリイ
ミド製分離膜モジユール等を挙げることができ
る。 〔ガス透過試験法〕 ステンレス製セルに高分子分離膜モジユールを
設置し、ガスを２Kg／cm2Ｇの圧力及び45℃の温度
で高分子分離膜モジユールの供給し、高分子分離
膜モジユールを透過してくるガス量を流量計で測
定する。各ガスの透過速度（Ｎ−cm3／cm2seccm
Hg）は、次式により算出される。 透過速度（P′）＝ガス透過量（NTR）／膜面積×透過時
間×分圧差 上記高分子分離膜モジユールとしては、有効膜
面積の大きい中空糸の集合体が好ましいが、スパ
イラル状態、平膜などでも良い。 高分子分離膜モジユールとして用いられる中空
糸は、その外径が、通常50〜2000μ、好ましくは
200〜1000μである。中空糸の外径が小さ過ぎる
と中空糸内部を流れるガスの圧力損失が大きくな
り、大き過ぎると分離膜モジユールの単位容積当
りの有効膜面積が減少する。また、上記中空糸と
しては、（厚み／外径）＝0.1〜0.3の条件を満たす
ものを用いるのが好ましい。尚、上記厚み＝（外
径−内径）／２である、中空糸の厚みが小さいと
耐圧性が不充分となり、また厚みが大きいと上記
透過速度が不良となる場合がある。 また、本発明で用いられる原料ガスは、水素又
はヘリウムを90モル％以上含有する、実質的に炭
酸ガスを含まないものである。 次に、本発明の好ましい実施態様（プロセス）
の数例を、図面に示すフローシートについて説明
する。 第１図のフローシートに示すプロセスは、高分
子分離膜モジユールを３段に用いた場合の本発明
の典型例を示すものである。 このプロセスにおいては、先ず、原料ガスを、
ライン１１から流量調節弁V1、ガードフイルタ
ーＦ及び温度調節器Ｈの経て、第１段の高分子分
離膜モジユール１に供給する。 ガードフイルターを設置する目的は原料ガス中
にダスト、ミスト等の不純物が含まれる場合、分
離膜モジユールがこれらの不純物に汚染されるの
を防ぐためのものである。従つて原料ガスがクリ
ーンなものである場合には、ガードフイルターを
省略することができる。 また、温度調節器設置には下記の２つの目的が
ある。 高分子分離膜の性能は温度依存性が比較的大
きいため、安定した所望の膜性能を確保する。 高分子分離膜によるガス分離では、分離膜は
乾燥状態で使用するのが基本である。もし膜が
液で濡れると膜性能が大きく変わるばかりでな
く、場合によつては膜がダメージを受ける可能
性がある。そのため、分離膜モジユール内の膜
が、原料ガス中に含まれる凝縮性ガスで濡れる
ことを防止する。 従つて、原料ガスの温度が上記、を満足す
る適温であれば、温度調節器を省略することもで
きる。 上記原料ガスは、最終段の高分子分離膜モジユ
ールを透過した透過ガスの圧力が30mmHgAbs以
下、特に大気圧以上となるような圧力で供給する
のが望ましい。そのためには、原料ガスの圧力
を、本実施態様の如く高分子分離膜モジユールを
３段に用いた場合では、凡そ10〜150Kg／cm2・Ｇ
の範囲内にすれば良い。また、上記原料ガスの温
度は、０〜100℃に温度調節器Ｈで調節するのが
好ましい。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１段の高分子分離膜モジユ
ール１において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 次いで、上記透過ガスは、ライン１２から第２
段の高分子分離膜モジユール２に供給され、第２
段の高分子分離膜モジユール２において透過ガス
と非透過ガスに分離される。 更に、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された透過ガスは、ライン１３から第３
段の高分子分離膜モジユール３に供給され、第３
段の高分子分離膜モジユール３において透過ガス
と非透過ガスに分離される。 然る後、第３段の高分子分離膜モジユール３に
おいて分離された透過ガスは、高純度の水素又は
ヘリウムとしてライン１４から取り出される。 また、第１段、第２段及び第３段の高分子分離
膜モジユールにおいて分離された非透過ガスは、
ライン１５，１６及び１７からそれぞれ系外に排
出される。尚、第１図中、V2，V3，V4は各段の
高分子分離膜モジユールのガス供給側（非透過
側）の圧力調節弁、Ｆ１は流量計、Ｐ１は圧力
計、及びＴ１は温度計である。 また、本発明においては、原料ガスの圧力が充
分でない場合には、第２図のフローシートに示す
プロセスの如く、原料ガスの圧力を昇圧機Ｘを用
いて昇圧しても良い。 また、各段の高分子膜モジユールの複数個、直
列あるいは並列、あるいはその組合せによつて使
用することもできる。 第３図のフローシートに示すプロセスは、１段
目の高分子膜モジユールを２個並列に使用した例
を示すものである。 第３図のフローシートに示すプロセスにおいて
は、先ず、原料ガスを、ライン１１及び１１′か
らそれぞれ第１段の高分子分離膜モジユール１及
び１′に供給する。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１段の高分子分離膜モジユ
ール１において透過ガスと非透過ガスに分離さ
れ、分離された上記透過ガスは、ライン１２から
第２段の高分子分離膜モジユール２に供給され
る。 また、第１段の高分子分離膜モジユール１′に
供給された上記原料ガスは、第１段の高分子分離
膜モジユール１′において透過ガスと非透過ガス
に分離され、分離された上記透過ガスは、ライン
１２′から第２段の高分子分離膜モジユール２に
供給される。 次いで、第２段の高分子分離膜モジユール２に
供給されたガスは、第２段の高分子分離膜モジユ
ール２において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 更に、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された透過ガスは、ライン１３から第３
段の高分子分離膜モジユール３に供給される。 次いで、第３段の高分子分離膜モジユール３に
供給されたガスは、第３段の高分子分離膜モジユ
ール３において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 然る後、第３段の高分子分離膜モジユール３に
おいて分離された透過ガスは、高純度の水素又は
ヘリウムとしてライン１４から取り出される。 また、第１段、第２段及び第３段の高分子分離
膜モジユールにおいて分離された非透過ガスは、
ライン１５，１５′，１６及び１７からそれぞれ
系外に排出される。 また、第４図のフローシートに示すプロセス
は、第３図のフローシートに示すプロセスにおい
て、１段目の高分子膜モジユールを２系列×２段
＝４個、２段目の膜モジユールの１列×２段＝２
個使用した例で、第１段の高分子分離膜モジユー
ル１及び１′において分離された非透過ガス並び
に第２段の高分子分離膜モジユール２において分
離された非透過ガスを、新たに設けた高分子分離
膜モジユール１ａ及び１a′並びに高分子分離膜モ
ジユール２ａに導入して、これらの非透過ガスに
含まれる水素又はヘリウムを回収するようにした
ものである。 即ち、第４図のフローシートに示すプロセスに
おいては、第１段の高分子分離膜モジユール１に
おいて分離された非透過ガスは、ライン１８から
高分子分離膜モジユール１ａに供給され、そこで
透過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガス
は、ライン１９を経てライ１２から第１段の高分
子分離膜モジユール１において分離された透過ガ
スと共に第２段の高分子分離膜モジユール２に供
給される。また、高分子分離膜モジユール１ａに
おいて分離された非透過ガスは、ライン２０から
系外に排出される。 また、第１段の高分子分離膜モジユール１′に
おいて分離された非透過ガスは、ライン１８′か
ら高分子分離膜モジユール１a′に供給され、そこ
で透過ガスと非透過ガスに分離される。高分子分
離膜モジユール１a′において分離された透過ガス
は、ライン１９′を経てライン１２′から第１段の
高分子分離膜モジユール１′において分離された
透過ガスと共に第２段の高分子分離膜モジユール
２に供給される。また、高分子分離膜モジユール
ー１a′において分離された非透過ガスは、ライン
２０′から系外に排出される。 また、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された非透過ガスは、ライン２１から高
分子分離膜モジユール２ａに供給され、そこで透
過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガスは、
ライン１３′を経てライン１３から第２段の高分
子分離膜モジユール２において分離された透過ガ
スと共に第３段の高分子分離膜モジユール３に供
給される。また、高分子分離膜モジユール２ａに
おいて分離された非透過ガスは、ライン２２から
排出される。 また、第５図のフローシートに示すプロセス
は、非透過ガスに含まれる水素又はヘリウムを回
収するための高分子分離膜モジユールを４段に配
置し、２段目の膜モジユールとして、２個直列に
使用した例である。 第５図のフローシートに示すプロセスにおいて
は、先ず、原料ガスを、ライン１１から第１段の
高分子分離膜モジユール１に供給する。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１段の高分子分離膜モジユ
ール１において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 次いで、第１段の高分子分離膜モジユール１に
おいて分離された透過ガスは、ライン１２から第
２段の高分子分離膜モジユール２に供給される。 また、第１段の高分子分離膜モジユール１にお
いて分離された非透過ガスは、ライン１５から系
外に排出される。 次いで、第２段の高分子分離膜モジユール２に
供給されたガスは、第２段の高分子分離膜モジユ
ール２において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 次いで、第２段の高分子分離膜モジユール２に
おいて分離された透過ガスは、ライン２３から高
純度の水素又はヘリウムとして取り出される。 また、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された非透過ガスは、ライン２４から高
分子分離膜モジユール２ａに供給され、そこで透
過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガスは、
ライン２５から高純度の水素又はヘリウムとして
取り出される。また、非透過ガスは、ライン２６
から高分子分離膜モジユール３ａに供給される。 次いで、高分子分離膜モジユール３ａに供給さ
れたガスは、高分子分離膜モジユール３ａにおい
て透過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガス
は、ライン２７から高分子分離膜モジユール４ａ
に供給される。また、非透過ガスは、ライン２８
から系外に排出される。 次いで、高分子分離膜モジユール４ａに供給さ
れたガスは、高分子分離膜モジユール４ａにおい
て透過ガスと非透過ガスに分離される。 然る後、高分子分離膜モジユール４ａにおいて
分離された透過ガスは、高純度の水素又はヘリウ
ムとしてライン２９から取り出される。 また、高分子分離膜モジユール４ａにおいて分
離された非透過ガスは、ライン３０から系外に排
出される。 また、第６図のフローシートに示すプロセス及
び第７図のフローシートに示すプロセスは、それ
ぞれ、２段目以降の高分子分離膜モジユールにお
いて分離された非透過ガスを、該非透過ガスの分
離された高分子分離膜モジユールより前に位置す
る高分子分離膜モジユールに返送して、非透過ガ
スに含まれる水素又はヘリウムを回収する例を示
すものである。 第６図のフローシートに示すプロセスにおいて
は、先ず、原料ガスを、ライン１１から第１段の
高分子分離膜モジユール１に供給する。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１図のフローシートに示す
プロセスと同様にして、第１段、第２段及び第３
段の高分子分離膜モジユール１，２及び３により
処理され、その結果、透過ガスとしてライン１４
から高純度の水素又はヘリウムが取り出される。 一方、第１段の高分子分離膜モジユール１にお
いて分離された非透過ガスは、ライン１５から系
外に排出されるが、第２段の高分子分離膜モジユ
ール２において分離された非透過ガスは、ライン
３１を経て昇圧機X1で原料ガスの圧力迄昇圧し
た後、ライン１１から第１段の高分子分離膜モジ
ユール１に返送され、且つ、第３段の高分子分離
膜モジユール３において分離された非透過ガス
は、ライン３２を経て昇圧機X2で第１段の高分
子分離膜モジユールにおいて分離された透過ガス
の圧力迄昇圧した後、ライン１２から第２段の高
分子分離膜モジユール２に返送される。 また、第７図のフローシートに示すプロセス
は、第２段及び第３段の高分子分離膜モジユール
２及び３において分離された非透過ガスそれぞれ
を、ライン３１及び３２を経て昇圧機Ｘで原料ガ
スの圧力迄昇圧した後、ライン３３を経てライン
１１から第１段の高分子分離膜モジユール１に返
送するようにしたもので、その他は第６図のフロ
ーシートに示すプロセスと同様に実施される。 また、第８図及び第９図のフローシートに示す
プロセスは、各段間の透過ガスの温度を調節する
ことにより、各段の高分子分離膜モジユールにお
ける操業温度を調節した例である。 即ち、第８図のフローシートに示すプロセス
は、第１段の高分子分離膜モジユール１において
分離された透過ガスの温度を温度調節器H2によ
り調節するようにしたもので、その他は第１図の
フローシートに示すプロセスと同様に実施され
る。 また、第９図のフローシートに示すプロセス
は、第２段の高分子分離膜モジユールにおいて分
離された透過ガスの温度を温度調節器H2により
調節し、且つ第３段の高分子分離膜モジユールに
おいて分離された透過ガスを更に第４段の高分子
分離膜モジユール４で処理するようにしたもので
ある。尚、第４段の高分子分離膜モジユール４に
おいて分離された非透過ガスはライン３５から系
外に排出される。 本発明において、各段の高分子分離膜モジユー
ルにおける操業温度は、約−100〜150℃、特に−
70〜120℃、さらに好ましくは０〜100℃に調節す
るのが好ましく、その調節は、上記の第８図及び
第９図のフローシートに示すプロセスの他に、各
段の高分子分離膜モジユール及び／又は各段間の
導入管（ライン）を断熱材により保温するか、ス
チームトレース又は電熱により積極的に保温する
ことにより行つても良い。 また、本発明においては、各段の高分子分離膜
モジユールのガス供給側（非透過側）の圧力は、
第１図のフローシートに示すプロセスではV2，
V3，V4によつて調節される。第１図のフローシ
ートに示すプロセスのように高分子分離膜モジユ
ールを３段に使用した場合には、第１段の高分子
分離膜モジユールのガス供給側の圧力は、供給原
料ガスの圧力を減じて操作することも可能である
が、通常は供給原料ガスに近い圧力で操作する。
第２段の高分子分離膜モジユールのガス供給側の
圧力は第１段のガス供給側圧力のおよそ30〜80
％、第３段の高分子分離膜モジユールのガス供給
側の圧力は第２段のガス供給側圧力のおよそ30〜
80％に設定するのが、使用する膜モジユールの大
きさ（膜面積）を、各段で同様にするために好ま
しい。 〔実施例〕 以下、本発明で用いられる高分子分離膜モジユ
ールの製造例、本発明の実施例、及び比較例を挙
げ、本発明を更に詳細に説明する。 製造例 １ 下記の芳香族ポリイミド製中空糸約840本を使
用し、特開昭61−19813号公報に記載された方法
により、有効糸長さ200mmを有する高分子分離膜
モジユールＡ，Ｂ，Ｃ及びＤを製作した。これら
の高分子分離膜モジユールＡ，Ｂ，Ｃ及びＤの有
効膜面積は、外径規準で凡そ0.20m2であつた。 〔芳香族ポリイミド製中空糸〕 ビフエニルテトラカルボン酸二無水物100重量
部と、ジアミノ−ジメチル−ジフエニレンスルホ
ン異性体混合物80重量部及び２，６−ジアミノピ
リジン20重量部とから形成された芳香族ポリイミ
ド製中空糸であり、外径；約380μ、内径；約
210μである。 製造例 ２ 下記の中空糸約850本を使用し、特開昭61−
19813号公報に記載された方法により、有効糸長
さ200mmを有する高分子分離膜モジユールＥ，Ｆ，
Ｇ及びＨを製作した。これらの高分子分離膜モジ
ユールＥ，Ｆ，Ｇ及びＨの有効膜面積は、外径規
準で凡そ0.20m2であつた。 〔中空糸〕 ポリイミド製中空糸に、特開昭58−8514号公報
の実施例２に記載された方法により、ポリシロキ
サンをベースとしたポリマーをコートした複合膜
であり、外径；約375μ、内径；約210μである。 上記の製造例１及び２で得られた高分子分離膜
モジユールＡ〜Ｅについて、温度45℃、圧力２
Kg／cm2・Ｇの条件で、ヘリウム、水素、メタン、
窒素、酸素の純ガスを用いて、各ガスの透過速度
を測定した。その結果を下記表−１に示す。尚、
透過速度は、０℃、１気圧の標準状態に換算した
ガス透過量を基準として算出した数値である。
ら水素又はヘリウムを、水素選択透過性又はヘリ
ウム選択透過性の高い高分子分離膜モジユールを
多段に用いて、低コストで且つ乾燥状態で99.99
モル％以上の高純度で分離できる、高純度水素又
はヘリウムの製造方法に関するものである。 尚、本発明における高分子分離膜モジユールと
は、高分子分離膜によつてガスを分離する装置の
ことをいう。 〔従来の技術〕 従来、水素又はヘリウムを含む混合ガスから水
素又はヘリウムを濃縮・精製する主な工業的プロ
セスとして、深冷法や吸着法が実施されてきた
が、近年、高分子分離膜を用いた膜法も普及して
きている。この膜法による水素又はヘリウムの濃
縮・精製の長所及び短所は、一般的に次のように
認識されている。 長所： 設備がコンパクトで安価である。 操業が容易で、安定操業範囲が広く、メンテナ
ンスが殆ど不要である。 原料ガスに充分な圧力がある場合、外部からエ
ネルギーを加えることなく、水素又はヘリウムを
分離できる。 水素又はヘリウムを分離した残りのガス（非透
過ガス）の圧力は実質的に低下しない。 短所： 分離膜の透過ガスとして分離される水素又はヘ
リウムの圧力が原料ガスの圧力に比べて大きく低
下する。 乾燥状態で99.99モル％（４−ナイン）以上の
高い純度の水素又はヘリウムを得る場合、分離膜
を多段にする必要がある。 多段に膜を使用する場合、先行する段からの透
過ガスの圧力が低下するので、透過ガスを昇圧し
て次の段の分離膜に供給する必要があり、多くの
エネルギーが必要である。 以上の長所及び短所から、膜法は、一般に、水
素又はヘリウムを低コストで大雑把に分離するの
に適したプロセスであり、４−ナイン以上の高純
度の水素又はヘリウムを得るのに経済的に適した
プロセスではないと認識されている。 また、高分子分離膜を多段に用いて、分離膜を
透過し易い水素又はヘリウムを高純度に精製・濃
縮する方法として、特公昭44−5526号公報及び特
開昭54−72778号公報に記載された方法がある。 これらの公報に記載されている方法は、第１４
図のフローシートに示す如く、高分子分離膜モジ
ユールを３段に用いて高純度ガスを得る方法で、
１段目の膜モジユール１から得られる圧力が低下
した透過ガス及び２段目の膜モジユール２から得
られる圧力が低下した透過ガスをそれぞれ昇圧機
X1及びX2により昇圧して次の段のモジユールに
供給している。破線で示したラインは、高純度ガ
スの収率を上げるために、２段目以降のモジユー
ルの非透過ガスを前段の膜モジユールに返送する
ための導管である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述の如く、従来、高分子分離膜モジユールを
多段に用いて高純度ガスを得るには、前段の高分
子分離膜モジユールを透過した透過ガスをモジユ
ール間で昇圧させて後段の高分子分離膜モジユー
ルに供給していた。 即ち、前記公報に記載されている方法は、透過
ガスを昇圧するための昇圧機X1及びX2の存在が、
昇圧機の設備コスト及び大きな所要動力を要する
点で、高純度ガスの得るプロセスの経済性を非常
に大きく低下させており、そのため、経済性が吸
着法による高純度ガス製造プロセスに比して劣つ
ている。 従つて、本発明の目的は、水素又はヘリウムを
含む混合ガスから水素又はヘリウムを、高分子分
離膜を用いて、低コストで且つ乾燥状態で99.99
モル％以上の高純度で分離できる、高純度水素又
はヘリウムの製造方法を提供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、種々検討した結果、特定の分離
性能を有する高分子分離膜を用いた場合には、透
過ガスを各モジユール間で昇圧させなくとも高純
度（乾燥状態で99.99モル％以上）の水素又はヘ
リウムが得られることを知見した。 本発明は、上記知見に基づきなされたもので、
水素又はヘリウムを90モル％以上含有する、炭酸
ガスを実質的に含まない原料ガスを、分離膜モジ
ユールを多段に用いて処理することにより、透過
ガスとして高純度の水素又はヘリウムの製造する
方法であつて、分離膜モジユールとして、分離性
能（水素又はヘリウムとメタンとの膜透過速度の
比）が100以上である高分子分離膜モジユールを
用い、且つ前段の高分子分離膜モジユールを透過
した透過ガスを高分子分離膜モジユール間で昇圧
することなく後段の高分子分離膜モジユールに供
給することを特徴とする高純度水素又はヘリウム
の製造方法を提供するものである。 以下、本発明の高純度水素又はヘリウムの製造
方法について詳述する。 本発明で用いられる高分子分離膜モジユール
は、下記のガス透過試験法によつて測定された
『水素又はヘリウムとメタンとの膜透過速度の比
（P′H2／P′CH4又はP′He／P′CH4）』で示される
分離性能が100以上、好ましくは150以上、より好
ましくは200以上のもので、かかる高分子分離膜
モジユールとしては、特開昭61−19813号公報及
び特開昭62−42723号公報に記載の芳香族ポリイ
ミド製分離膜モジユール等を挙げることができ
る。 〔ガス透過試験法〕 ステンレス製セルに高分子分離膜モジユールを
設置し、ガスを２Kg／cm2Ｇの圧力及び45℃の温度
で高分子分離膜モジユールの供給し、高分子分離
膜モジユールを透過してくるガス量を流量計で測
定する。各ガスの透過速度（Ｎ−cm3／cm2seccm
Hg）は、次式により算出される。 透過速度（P′）＝ガス透過量（NTR）／膜面積×透過時
間×分圧差 上記高分子分離膜モジユールとしては、有効膜
面積の大きい中空糸の集合体が好ましいが、スパ
イラル状態、平膜などでも良い。 高分子分離膜モジユールとして用いられる中空
糸は、その外径が、通常50〜2000μ、好ましくは
200〜1000μである。中空糸の外径が小さ過ぎる
と中空糸内部を流れるガスの圧力損失が大きくな
り、大き過ぎると分離膜モジユールの単位容積当
りの有効膜面積が減少する。また、上記中空糸と
しては、（厚み／外径）＝0.1〜0.3の条件を満たす
ものを用いるのが好ましい。尚、上記厚み＝（外
径−内径）／２である、中空糸の厚みが小さいと
耐圧性が不充分となり、また厚みが大きいと上記
透過速度が不良となる場合がある。 また、本発明で用いられる原料ガスは、水素又
はヘリウムを90モル％以上含有する、実質的に炭
酸ガスを含まないものである。 次に、本発明の好ましい実施態様（プロセス）
の数例を、図面に示すフローシートについて説明
する。 第１図のフローシートに示すプロセスは、高分
子分離膜モジユールを３段に用いた場合の本発明
の典型例を示すものである。 このプロセスにおいては、先ず、原料ガスを、
ライン１１から流量調節弁V1、ガードフイルタ
ーＦ及び温度調節器Ｈの経て、第１段の高分子分
離膜モジユール１に供給する。 ガードフイルターを設置する目的は原料ガス中
にダスト、ミスト等の不純物が含まれる場合、分
離膜モジユールがこれらの不純物に汚染されるの
を防ぐためのものである。従つて原料ガスがクリ
ーンなものである場合には、ガードフイルターを
省略することができる。 また、温度調節器設置には下記の２つの目的が
ある。 高分子分離膜の性能は温度依存性が比較的大
きいため、安定した所望の膜性能を確保する。 高分子分離膜によるガス分離では、分離膜は
乾燥状態で使用するのが基本である。もし膜が
液で濡れると膜性能が大きく変わるばかりでな
く、場合によつては膜がダメージを受ける可能
性がある。そのため、分離膜モジユール内の膜
が、原料ガス中に含まれる凝縮性ガスで濡れる
ことを防止する。 従つて、原料ガスの温度が上記、を満足す
る適温であれば、温度調節器を省略することもで
きる。 上記原料ガスは、最終段の高分子分離膜モジユ
ールを透過した透過ガスの圧力が30mmHgAbs以
下、特に大気圧以上となるような圧力で供給する
のが望ましい。そのためには、原料ガスの圧力
を、本実施態様の如く高分子分離膜モジユールを
３段に用いた場合では、凡そ10〜150Kg／cm2・Ｇ
の範囲内にすれば良い。また、上記原料ガスの温
度は、０〜100℃に温度調節器Ｈで調節するのが
好ましい。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１段の高分子分離膜モジユ
ール１において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 次いで、上記透過ガスは、ライン１２から第２
段の高分子分離膜モジユール２に供給され、第２
段の高分子分離膜モジユール２において透過ガス
と非透過ガスに分離される。 更に、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された透過ガスは、ライン１３から第３
段の高分子分離膜モジユール３に供給され、第３
段の高分子分離膜モジユール３において透過ガス
と非透過ガスに分離される。 然る後、第３段の高分子分離膜モジユール３に
おいて分離された透過ガスは、高純度の水素又は
ヘリウムとしてライン１４から取り出される。 また、第１段、第２段及び第３段の高分子分離
膜モジユールにおいて分離された非透過ガスは、
ライン１５，１６及び１７からそれぞれ系外に排
出される。尚、第１図中、V2，V3，V4は各段の
高分子分離膜モジユールのガス供給側（非透過
側）の圧力調節弁、Ｆ１は流量計、Ｐ１は圧力
計、及びＴ１は温度計である。 また、本発明においては、原料ガスの圧力が充
分でない場合には、第２図のフローシートに示す
プロセスの如く、原料ガスの圧力を昇圧機Ｘを用
いて昇圧しても良い。 また、各段の高分子膜モジユールの複数個、直
列あるいは並列、あるいはその組合せによつて使
用することもできる。 第３図のフローシートに示すプロセスは、１段
目の高分子膜モジユールを２個並列に使用した例
を示すものである。 第３図のフローシートに示すプロセスにおいて
は、先ず、原料ガスを、ライン１１及び１１′か
らそれぞれ第１段の高分子分離膜モジユール１及
び１′に供給する。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１段の高分子分離膜モジユ
ール１において透過ガスと非透過ガスに分離さ
れ、分離された上記透過ガスは、ライン１２から
第２段の高分子分離膜モジユール２に供給され
る。 また、第１段の高分子分離膜モジユール１′に
供給された上記原料ガスは、第１段の高分子分離
膜モジユール１′において透過ガスと非透過ガス
に分離され、分離された上記透過ガスは、ライン
１２′から第２段の高分子分離膜モジユール２に
供給される。 次いで、第２段の高分子分離膜モジユール２に
供給されたガスは、第２段の高分子分離膜モジユ
ール２において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 更に、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された透過ガスは、ライン１３から第３
段の高分子分離膜モジユール３に供給される。 次いで、第３段の高分子分離膜モジユール３に
供給されたガスは、第３段の高分子分離膜モジユ
ール３において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 然る後、第３段の高分子分離膜モジユール３に
おいて分離された透過ガスは、高純度の水素又は
ヘリウムとしてライン１４から取り出される。 また、第１段、第２段及び第３段の高分子分離
膜モジユールにおいて分離された非透過ガスは、
ライン１５，１５′，１６及び１７からそれぞれ
系外に排出される。 また、第４図のフローシートに示すプロセス
は、第３図のフローシートに示すプロセスにおい
て、１段目の高分子膜モジユールを２系列×２段
＝４個、２段目の膜モジユールの１列×２段＝２
個使用した例で、第１段の高分子分離膜モジユー
ル１及び１′において分離された非透過ガス並び
に第２段の高分子分離膜モジユール２において分
離された非透過ガスを、新たに設けた高分子分離
膜モジユール１ａ及び１a′並びに高分子分離膜モ
ジユール２ａに導入して、これらの非透過ガスに
含まれる水素又はヘリウムを回収するようにした
ものである。 即ち、第４図のフローシートに示すプロセスに
おいては、第１段の高分子分離膜モジユール１に
おいて分離された非透過ガスは、ライン１８から
高分子分離膜モジユール１ａに供給され、そこで
透過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガス
は、ライン１９を経てライ１２から第１段の高分
子分離膜モジユール１において分離された透過ガ
スと共に第２段の高分子分離膜モジユール２に供
給される。また、高分子分離膜モジユール１ａに
おいて分離された非透過ガスは、ライン２０から
系外に排出される。 また、第１段の高分子分離膜モジユール１′に
おいて分離された非透過ガスは、ライン１８′か
ら高分子分離膜モジユール１a′に供給され、そこ
で透過ガスと非透過ガスに分離される。高分子分
離膜モジユール１a′において分離された透過ガス
は、ライン１９′を経てライン１２′から第１段の
高分子分離膜モジユール１′において分離された
透過ガスと共に第２段の高分子分離膜モジユール
２に供給される。また、高分子分離膜モジユール
ー１a′において分離された非透過ガスは、ライン
２０′から系外に排出される。 また、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された非透過ガスは、ライン２１から高
分子分離膜モジユール２ａに供給され、そこで透
過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガスは、
ライン１３′を経てライン１３から第２段の高分
子分離膜モジユール２において分離された透過ガ
スと共に第３段の高分子分離膜モジユール３に供
給される。また、高分子分離膜モジユール２ａに
おいて分離された非透過ガスは、ライン２２から
排出される。 また、第５図のフローシートに示すプロセス
は、非透過ガスに含まれる水素又はヘリウムを回
収するための高分子分離膜モジユールを４段に配
置し、２段目の膜モジユールとして、２個直列に
使用した例である。 第５図のフローシートに示すプロセスにおいて
は、先ず、原料ガスを、ライン１１から第１段の
高分子分離膜モジユール１に供給する。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１段の高分子分離膜モジユ
ール１において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 次いで、第１段の高分子分離膜モジユール１に
おいて分離された透過ガスは、ライン１２から第
２段の高分子分離膜モジユール２に供給される。 また、第１段の高分子分離膜モジユール１にお
いて分離された非透過ガスは、ライン１５から系
外に排出される。 次いで、第２段の高分子分離膜モジユール２に
供給されたガスは、第２段の高分子分離膜モジユ
ール２において透過ガスと非透過ガスに分離され
る。 次いで、第２段の高分子分離膜モジユール２に
おいて分離された透過ガスは、ライン２３から高
純度の水素又はヘリウムとして取り出される。 また、第２段の高分子分離膜モジユール２にお
いて分離された非透過ガスは、ライン２４から高
分子分離膜モジユール２ａに供給され、そこで透
過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガスは、
ライン２５から高純度の水素又はヘリウムとして
取り出される。また、非透過ガスは、ライン２６
から高分子分離膜モジユール３ａに供給される。 次いで、高分子分離膜モジユール３ａに供給さ
れたガスは、高分子分離膜モジユール３ａにおい
て透過ガスと非透過ガスに分離される。透過ガス
は、ライン２７から高分子分離膜モジユール４ａ
に供給される。また、非透過ガスは、ライン２８
から系外に排出される。 次いで、高分子分離膜モジユール４ａに供給さ
れたガスは、高分子分離膜モジユール４ａにおい
て透過ガスと非透過ガスに分離される。 然る後、高分子分離膜モジユール４ａにおいて
分離された透過ガスは、高純度の水素又はヘリウ
ムとしてライン２９から取り出される。 また、高分子分離膜モジユール４ａにおいて分
離された非透過ガスは、ライン３０から系外に排
出される。 また、第６図のフローシートに示すプロセス及
び第７図のフローシートに示すプロセスは、それ
ぞれ、２段目以降の高分子分離膜モジユールにお
いて分離された非透過ガスを、該非透過ガスの分
離された高分子分離膜モジユールより前に位置す
る高分子分離膜モジユールに返送して、非透過ガ
スに含まれる水素又はヘリウムを回収する例を示
すものである。 第６図のフローシートに示すプロセスにおいて
は、先ず、原料ガスを、ライン１１から第１段の
高分子分離膜モジユール１に供給する。 第１段の高分子分離膜モジユール１に供給され
た上記原料ガスは、第１図のフローシートに示す
プロセスと同様にして、第１段、第２段及び第３
段の高分子分離膜モジユール１，２及び３により
処理され、その結果、透過ガスとしてライン１４
から高純度の水素又はヘリウムが取り出される。 一方、第１段の高分子分離膜モジユール１にお
いて分離された非透過ガスは、ライン１５から系
外に排出されるが、第２段の高分子分離膜モジユ
ール２において分離された非透過ガスは、ライン
３１を経て昇圧機X1で原料ガスの圧力迄昇圧し
た後、ライン１１から第１段の高分子分離膜モジ
ユール１に返送され、且つ、第３段の高分子分離
膜モジユール３において分離された非透過ガス
は、ライン３２を経て昇圧機X2で第１段の高分
子分離膜モジユールにおいて分離された透過ガス
の圧力迄昇圧した後、ライン１２から第２段の高
分子分離膜モジユール２に返送される。 また、第７図のフローシートに示すプロセス
は、第２段及び第３段の高分子分離膜モジユール
２及び３において分離された非透過ガスそれぞれ
を、ライン３１及び３２を経て昇圧機Ｘで原料ガ
スの圧力迄昇圧した後、ライン３３を経てライン
１１から第１段の高分子分離膜モジユール１に返
送するようにしたもので、その他は第６図のフロ
ーシートに示すプロセスと同様に実施される。 また、第８図及び第９図のフローシートに示す
プロセスは、各段間の透過ガスの温度を調節する
ことにより、各段の高分子分離膜モジユールにお
ける操業温度を調節した例である。 即ち、第８図のフローシートに示すプロセス
は、第１段の高分子分離膜モジユール１において
分離された透過ガスの温度を温度調節器H2によ
り調節するようにしたもので、その他は第１図の
フローシートに示すプロセスと同様に実施され
る。 また、第９図のフローシートに示すプロセス
は、第２段の高分子分離膜モジユールにおいて分
離された透過ガスの温度を温度調節器H2により
調節し、且つ第３段の高分子分離膜モジユールに
おいて分離された透過ガスを更に第４段の高分子
分離膜モジユール４で処理するようにしたもので
ある。尚、第４段の高分子分離膜モジユール４に
おいて分離された非透過ガスはライン３５から系
外に排出される。 本発明において、各段の高分子分離膜モジユー
ルにおける操業温度は、約−100〜150℃、特に−
70〜120℃、さらに好ましくは０〜100℃に調節す
るのが好ましく、その調節は、上記の第８図及び
第９図のフローシートに示すプロセスの他に、各
段の高分子分離膜モジユール及び／又は各段間の
導入管（ライン）を断熱材により保温するか、ス
チームトレース又は電熱により積極的に保温する
ことにより行つても良い。 また、本発明においては、各段の高分子分離膜
モジユールのガス供給側（非透過側）の圧力は、
第１図のフローシートに示すプロセスではV2，
V3，V4によつて調節される。第１図のフローシ
ートに示すプロセスのように高分子分離膜モジユ
ールを３段に使用した場合には、第１段の高分子
分離膜モジユールのガス供給側の圧力は、供給原
料ガスの圧力を減じて操作することも可能である
が、通常は供給原料ガスに近い圧力で操作する。
第２段の高分子分離膜モジユールのガス供給側の
圧力は第１段のガス供給側圧力のおよそ30〜80
％、第３段の高分子分離膜モジユールのガス供給
側の圧力は第２段のガス供給側圧力のおよそ30〜
80％に設定するのが、使用する膜モジユールの大
きさ（膜面積）を、各段で同様にするために好ま
しい。 〔実施例〕 以下、本発明で用いられる高分子分離膜モジユ
ールの製造例、本発明の実施例、及び比較例を挙
げ、本発明を更に詳細に説明する。 製造例 １ 下記の芳香族ポリイミド製中空糸約840本を使
用し、特開昭61−19813号公報に記載された方法
により、有効糸長さ200mmを有する高分子分離膜
モジユールＡ，Ｂ，Ｃ及びＤを製作した。これら
の高分子分離膜モジユールＡ，Ｂ，Ｃ及びＤの有
効膜面積は、外径規準で凡そ0.20m2であつた。 〔芳香族ポリイミド製中空糸〕 ビフエニルテトラカルボン酸二無水物100重量
部と、ジアミノ−ジメチル−ジフエニレンスルホ
ン異性体混合物80重量部及び２，６−ジアミノピ
リジン20重量部とから形成された芳香族ポリイミ
ド製中空糸であり、外径；約380μ、内径；約
210μである。 製造例 ２ 下記の中空糸約850本を使用し、特開昭61−
19813号公報に記載された方法により、有効糸長
さ200mmを有する高分子分離膜モジユールＥ，Ｆ，
Ｇ及びＨを製作した。これらの高分子分離膜モジ
ユールＥ，Ｆ，Ｇ及びＨの有効膜面積は、外径規
準で凡そ0.20m2であつた。 〔中空糸〕 ポリイミド製中空糸に、特開昭58−8514号公報
の実施例２に記載された方法により、ポリシロキ
サンをベースとしたポリマーをコートした複合膜
であり、外径；約375μ、内径；約210μである。 上記の製造例１及び２で得られた高分子分離膜
モジユールＡ〜Ｅについて、温度45℃、圧力２
Kg／cm2・Ｇの条件で、ヘリウム、水素、メタン、
窒素、酸素の純ガスを用いて、各ガスの透過速度
を測定した。その結果を下記表−１に示す。尚、
透過速度は、０℃、１気圧の標準状態に換算した
ガス透過量を基準として算出した数値である。
【表】
実施例 １
第１０図のフローシートに示す装置を用い、高
純度の水素を得た、第１０図のフローシートに示
す装置は、第１図のフローシートに示すプロセス
において、第１段、第２段及び第３段の高分子分
離膜モジユール１，２及び３として、製造例１で
得られた高分子分離膜モジユールＡ，Ｂ及びＣを
用いたものである。第１０図における〜の箇
所を通過するガスの圧力、温度、流量及び組成、
並びに原料ガスに対する高純度ガスの水素回収率
下記表−２に示す。 実施例 ２ 組成及び圧力の異なる原料ガスを用いた以外は
実施例１と同様にして実施した。その結果を下記
表−３に示す。 実施例 ３ 第１段、第２段及び第３段の高分子分離膜モジ
ユール１，２及び３として、製造例１で得られた
高分子分離膜モジユールＡ，Ｃ及びＤを用い、且
つ組成及び圧力の異なる原料ガスを用いた以外は
実施例１と同様にして実施した。その結果を下記
表−４に示す。 実施例 ４ 第１１図のフローシートに示す装置を用い、高
純度のヘリウムを得た。第１１図のフローシート
に示す装置は、実施例１で用いた第１０図のフロ
ーシートに示す装置に、更に第４段の高分子分離
膜モジユールとして製造例１で得られた高分子分
離膜モジユールＤを加えたものである。第１１図
における〜の箇所を通過するガスの圧力、温
度、流量及び組成、並びに原料ガスに対する高純
度ガスのヘリウム回収率を下記表−５に示す。 比較例 １ 第１段、第２段及び第３段の高分子分離膜モジ
ユール１，２及び３として、製造例２で得られた
高分子分離膜モジユールＥ，Ｆ及びＧを用い、且
つ組成及び圧力の異なる原料ガスを用いた以外は
実施例１と同様にして実施した。その結果を下記
表−６に示す。 比較例 ２ 第１段、第２段、第３段及び第４段の高分子分
離膜モジユール１，２，３及び４として、製造例
２で得られた高分子分離膜モジユールＥ，Ｆ，Ｇ
及びＨを用い、且つ圧力の異なる原料ガスを用い
た以外は実施例４と同様にして実施した。その結
果を下記表−７に示す。 実施例 ５ 第１２図のフローシートに示す装置を用い、高
純度の水素を得た。第１２図のフローシートに示
す装置は、高分子分離膜モジユールを２段で用い
たもので、第１段及び第２段の高分子分離膜モジ
ユール１及び２として、製造例１で得られた高分
子分離膜モジユールＢ及びＤを用いたものであ
る。第１２図における〜の箇所を通過するガ
スの圧力、温度、流量及び組成、並びに原料ガス
に対する高純度ガスの水素回収率を下記表−８に
示す。 実施例 ６ 第１３図のフローシートに示す装置を用い、高
純度の水素を得た。第１３図のフローシートに示
す装置は、第３図のフローシートに示すプロセス
において、第１段、第２段及び第３段の高分子分
離膜モジユール１，１′，２及び３として、製造
例１で得られた高分子分離膜モジユールＡ，Ｂ，
Ｃ及びＤを用いたものである。第１３図における
〜の箇所を通過するガスの圧力、温度、流量
及び組成、並びに原料ガスに対する高純度ガスの
水素回収率を下記表−９に示す。
純度の水素を得た、第１０図のフローシートに示
す装置は、第１図のフローシートに示すプロセス
において、第１段、第２段及び第３段の高分子分
離膜モジユール１，２及び３として、製造例１で
得られた高分子分離膜モジユールＡ，Ｂ及びＣを
用いたものである。第１０図における〜の箇
所を通過するガスの圧力、温度、流量及び組成、
並びに原料ガスに対する高純度ガスの水素回収率
下記表−２に示す。 実施例 ２ 組成及び圧力の異なる原料ガスを用いた以外は
実施例１と同様にして実施した。その結果を下記
表−３に示す。 実施例 ３ 第１段、第２段及び第３段の高分子分離膜モジ
ユール１，２及び３として、製造例１で得られた
高分子分離膜モジユールＡ，Ｃ及びＤを用い、且
つ組成及び圧力の異なる原料ガスを用いた以外は
実施例１と同様にして実施した。その結果を下記
表−４に示す。 実施例 ４ 第１１図のフローシートに示す装置を用い、高
純度のヘリウムを得た。第１１図のフローシート
に示す装置は、実施例１で用いた第１０図のフロ
ーシートに示す装置に、更に第４段の高分子分離
膜モジユールとして製造例１で得られた高分子分
離膜モジユールＤを加えたものである。第１１図
における〜の箇所を通過するガスの圧力、温
度、流量及び組成、並びに原料ガスに対する高純
度ガスのヘリウム回収率を下記表−５に示す。 比較例 １ 第１段、第２段及び第３段の高分子分離膜モジ
ユール１，２及び３として、製造例２で得られた
高分子分離膜モジユールＥ，Ｆ及びＧを用い、且
つ組成及び圧力の異なる原料ガスを用いた以外は
実施例１と同様にして実施した。その結果を下記
表−６に示す。 比較例 ２ 第１段、第２段、第３段及び第４段の高分子分
離膜モジユール１，２，３及び４として、製造例
２で得られた高分子分離膜モジユールＥ，Ｆ，Ｇ
及びＨを用い、且つ圧力の異なる原料ガスを用い
た以外は実施例４と同様にして実施した。その結
果を下記表−７に示す。 実施例 ５ 第１２図のフローシートに示す装置を用い、高
純度の水素を得た。第１２図のフローシートに示
す装置は、高分子分離膜モジユールを２段で用い
たもので、第１段及び第２段の高分子分離膜モジ
ユール１及び２として、製造例１で得られた高分
子分離膜モジユールＢ及びＤを用いたものであ
る。第１２図における〜の箇所を通過するガ
スの圧力、温度、流量及び組成、並びに原料ガス
に対する高純度ガスの水素回収率を下記表−８に
示す。 実施例 ６ 第１３図のフローシートに示す装置を用い、高
純度の水素を得た。第１３図のフローシートに示
す装置は、第３図のフローシートに示すプロセス
において、第１段、第２段及び第３段の高分子分
離膜モジユール１，１′，２及び３として、製造
例１で得られた高分子分離膜モジユールＡ，Ｂ，
Ｃ及びＤを用いたものである。第１３図における
〜の箇所を通過するガスの圧力、温度、流量
及び組成、並びに原料ガスに対する高純度ガスの
水素回収率を下記表−９に示す。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
本発明の製造方法によれば、水素又はヘリウム
を含む混合ガスから水素又はヘリウムを、高分子
分離膜を用いて、低コストで且つ乾燥状態で
99.99モル％以上の高純度で分離できる。
を含む混合ガスから水素又はヘリウムを、高分子
分離膜を用いて、低コストで且つ乾燥状態で
99.99モル％以上の高純度で分離できる。
第１〜９図はそれぞれ本発明の実施態様（プロ
セス）の一例を示すフローシート、第１０〜１３
図は本発明の実施例で用いた装置の概略を示すフ
ローシート、第１４図は従来の方法の概略を示す
フローシートである。
セス）の一例を示すフローシート、第１０〜１３
図は本発明の実施例で用いた装置の概略を示すフ
ローシート、第１４図は従来の方法の概略を示す
フローシートである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 水素又はヘリウムを90モル％以上含有する、
炭酸ガスを実質的に含まない原料ガスを、分離膜
モジユールを多段に用いて処理することにより、
透過ガスとして高純度の水素又はヘリウムを製造
する方法であつて、分離膜モジユールとして、分
離性能（水素又はヘリウムとメタンとの膜透過速
度の比）が100以上である高分子分離膜モジユー
ルを用い、且つ前段の高分子分離膜モジユールを
透過した透過ガスを高分子分離膜モジユール間で
昇圧することなく後段の高分子分離膜モジユール
に供給することを特徴とする高純度水素又はヘリ
ウムの製造方法。 ２ 高分子分離膜モジユールが、芳香族ポリイミ
ド製分離膜モジユールである、特許請求の範囲第
１項記載の高純度水素又はヘリウムの製造方法。 ３ 純度99.99％以上の水素又はヘリウムを製造
する、特許請求の範囲第１項記載の高純度水素又
はヘリウムの製造方法。 ４ 原料ガスに水分を含む、特許請求の範囲第１
項記載の高純度水素又はヘリウムの製造方法。 ５ 乾燥状態で純度99.99モル％以上の水素又は
ヘリウムを製造する、特許請求の範囲第４項記載
の高純度水素又はヘリウムの製造方法。 ６ 原料ガスを、最終段の高分子分離膜モジユー
ルを透過した透過ガスの圧力が30mmHgAbs以上、
好ましくは大気圧以上となるように昇圧する、特
許請求の範囲第１項記載の高純度水素又はヘリウ
ムの製造方法。 ７ 非透過ガスを、透過ガスの精製に用いる高分
子分離膜モジユールとは別の高分子分離膜モジユ
ールに供給して、非透過ガスに含まれる水素又は
ヘリウムを回収する、特許請求の範囲第１項記載
の高純度水素又はヘリウムの製造方法。 ８ ２段目以降の高分子分離膜モジユールで分離
された非透過ガスを、該非透過ガスの分離された
高分子分離膜モジユールより前に位置する高分子
分離膜モジユールのガス供給側に返送して、非透
過ガスに含まれる水素又はヘリウムを回収する、
特許請求の範囲第１項記載の高純度水素又はヘリ
ウムの製造方法。 ９ 高分子分離膜モジユールにおけるガス分離を
−70〜120℃の温度で行う、特許請求の範囲第１
項記載の高純度水素又はヘリウムの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134303A JPS63296820A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 高純度水素又はヘリウムの製造方法 |
| US07/199,319 US5064446A (en) | 1987-05-29 | 1988-05-26 | Method of preparing high purity light gas by multiple-step gas separation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62134303A JPS63296820A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 高純度水素又はヘリウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296820A JPS63296820A (ja) | 1988-12-02 |
| JPH0527445B2 true JPH0527445B2 (ja) | 1993-04-21 |
Family
ID=15125134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62134303A Granted JPS63296820A (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 高純度水素又はヘリウムの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5064446A (ja) |
| JP (1) | JPS63296820A (ja) |
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