JPH0527973B2 - - Google Patents
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- JPH0527973B2 JPH0527973B2 JP60034555A JP3455585A JPH0527973B2 JP H0527973 B2 JPH0527973 B2 JP H0527973B2 JP 60034555 A JP60034555 A JP 60034555A JP 3455585 A JP3455585 A JP 3455585A JP H0527973 B2 JPH0527973 B2 JP H0527973B2
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- bell gear
- wafer
- bell
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、CVD法による薄膜を形成する方
法かかわり、さらに詳しくは、前記方法によつて
ウエハに絶縁膜を形成するための方法の改良に関
している。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for forming a thin film by CVD method, and more specifically, to an improvement in a method for forming an insulating film on a wafer by the method. There is.
CVD（CHEMICAL VAPOUR
DEPOSITION）法によるウエハにたいする絶縁
膜の形成は、ベルジヤ内部に置かれたウエハを
300〜500℃の反応温度に加熱すると共に、モノシ
ラン（S1H4）ガスおよび酸素(O)ガス、あるいは
ホスフイン（PH3）ガスおよび酸素ガス、もしく
はモノシランガス、ホスフインガスおよび酸素ガ
スを反応ガスとし、窒素(N)ガスなどを希釈ガスと
してウエハに二酸化ケイ素（S1O2）の膜のみを、
あるいはPSG（PHOSPHO SILICATE GLASS）
の膜のみを、もしくは二酸化ケイ素およびPSG
とからなる膜をウエハに成膜したあと、ベルジヤ
内部の反応ガスをパージし、ウエハをベルジヤか
ら取り出すことによつてなされている。
CVD (CHEMICAL VAPOR)
The formation of an insulating film on a wafer using the wafer DEPOSITION method involves
While heating to a reaction temperature of 300 to 500°C, monosilane (S 1 H 4 ) gas and oxygen (O) gas, or phosphine (PH 3 ) gas and oxygen gas, or monosilane gas, phosphine gas and oxygen gas are used as reaction gases, Only silicon dioxide (S 1 O 2 ) film is deposited on the wafer using nitrogen (N) gas as a diluent gas.
Or PSG (PHOSPHO SILICATE GLASS)
film only or silicon dioxide and PSG
After forming a film on the wafer, the reaction gas inside the bell gear is purged, and the wafer is taken out from the bell gear.
しかしながら、このような絶縁膜の形成方法で
は、ウエハに絶縁膜を形成したあと、ベルジヤ内
部の反応ガスをパージしても、ベルジヤ内部にあ
る二酸化ケイ素微粒子あるいはPSG微粒子が成
膜のおわつたウエハの表面に残留するため、製品
歩留りがかなり低下している。
However, in this method of forming an insulating film, even if the reactive gas inside the bell gear is purged after the insulating film is formed on the wafer, silicon dioxide fine particles or PSG fine particles inside the bell gear may be removed from the wafer after the film has been formed. Because the product remains on the surface of the product, the product yield is considerably reduced.
本発明の目的は、ウエハにたいする二酸化ケイ
素微粒子あるいはPSG微粒子の付着を減少させ
ることができる、改良されたCVD法による薄膜
形成方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an improved method of forming a thin film by CVD, which can reduce the adhesion of silicon dioxide particles or PSG particles to a wafer.
上記目的を達成するために、本発明は、モノシ
ランガスおよび酸素ガス、あるいはホスフインガ
スおよび酸素ガス、もしくはモノシランガス、ホ
スフインガスおよび酸素ガスを反応ガスとし、窒
素ガスを希釈ガスとしてベルジヤ内部にあるウエ
ハに成膜をおこなう工程と、ベルジヤ内部にパー
ジガスを送り込み、反応ガスを排出する工程と、
成膜のおわつたウエハをベルジヤから取り出す工
程とを含んでいるCVD法による薄膜形成方法に
おいて、反応ガスを排出する工程とウエハをベル
ジヤから取り出す工程とのあいだに、ベルジヤ内
部に酸素ガスを送り込んだあと、ベルジヤ内部に
パージガスをふたたび送り込む工程を具備させた
ことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the present invention uses monosilane gas and oxygen gas, phosphine gas and oxygen gas, or monosilane gas, phosphine gas and oxygen gas as reaction gases, and nitrogen gas as diluent gas to form a film on a wafer inside a bell gear. a process of sending purge gas into the inside of the bell gear and discharging the reaction gas;
In a thin film forming method using the CVD method, which includes the step of taking out the wafer after film formation from the bell gear, oxygen gas is sent into the bell gear between the step of discharging the reaction gas and the step of taking out the wafer from the bell gear. Another feature is that it includes a step to feed purge gas into the bell gear again.
成膜のおわつたウエハをベルジヤから取り出す
工程とこれの直前になされる反応ガスをパージす
る工程とのあいだに、ベルジヤに酸素ガスのみを
送り込むと、ガスが希釈されていないため、酸素
ガスがベルジヤを構成している壁に吸着されてい
た反応ガスと急速に反応して、二酸化ケイ素微粒
子あるいはPSG微粒子がベルジヤ内部に生成さ
れる。が、これにひきつづいて、パージガスがベ
ルジヤ内部に送り込まれることによつて、生成さ
れた二酸化ケイ素微粒子あるいはPSG微粒子は
酸素ガスといつしよにパージガスによつて強制的
に排出され、ウエハにたいする二酸化ケイ素微粒
子あるいはPSG微粒子の付着が防止される。
If only oxygen gas is fed into the bell gear between the step of taking out the wafer after film formation from the bell gear and the step of purging the reaction gas, which is done immediately before this, the oxygen gas will not be diluted because the gas is not diluted. Silicon dioxide particles or PSG particles are generated inside the bell gear by rapidly reacting with the reactive gas adsorbed on the walls that make up the bell gear. However, subsequent to this, the purge gas is sent into the inside of the bell gear, and the generated silicon dioxide fine particles or PSG fine particles are forcibly discharged by the purge gas together with the oxygen gas, and the silicon dioxide on the wafer is Adhesion of fine particles or PSG particles is prevented.
ウエハにたいする絶縁膜の形成は、たとえば、
ウエハをCVD成長装置を構成するベルジヤ内部
にセツトしたあと、ベルジヤ内部に窒素ガスを送
り込み、窒素ガスによつてベルジヤ内部に残留し
ているガスを外部にパージすると共に、この窒素
ガスを希釈ガスとし、モノシランガスおよび酸素
ガス、あるいはホスフインガスおよび酸素ガス、
もしくはモノシランガス、ホスフインガスおよび
酸素ガスからなる反応ガスをベルジヤ内部に送り
込んでウエハに成膜をおこない、これからベルジ
ヤ内部に窒素ガスを送り込んでベルジヤ内部のガ
スをパージし、そしてベルジヤからウエハを取り
出すことによつてなされる。
For example, the formation of an insulating film on a wafer is
After setting the wafer inside the bell gear that constitutes the CVD growth apparatus, nitrogen gas is fed into the bell gear, and the gas remaining inside the bell gear is purged to the outside by the nitrogen gas, and this nitrogen gas is used as a diluting gas. , monosilane gas and oxygen gas, or phosphine gas and oxygen gas,
Alternatively, a reaction gas consisting of monosilane gas, phosphine gas, and oxygen gas is sent into the bell gear to form a film on the wafer, and then nitrogen gas is sent into the bell gear to purge the gas inside the bell gear, and then the wafer is taken out from the bell gear. I am treated well.
が、本発明による方法では、ウエハをベルジヤ
から取り出す工程とこれの直前になされるベルジ
ヤ内部の反応ガスのパージ工程とのあいだに、ベ
ルジヤ内部に酸素ガスを送り込み、ベルジヤを構
成している壁に吸着されている反応ガスを酸素ガ
スと反応させ、それからベルジヤ内部に窒素ガス
をふたたび送り込み、ベルジヤ内部の反応物を窒
素ガスといつしよに排出させている。 However, in the method according to the present invention, between the step of taking out the wafer from the bellgear and the step of purging the reaction gas inside the bellgear, which is performed immediately before this step, oxygen gas is sent into the bellgear, and the wall forming the bellgear is heated. The adsorbed reaction gas is reacted with oxygen gas, and then nitrogen gas is fed into the bell gear again, and the reactants inside the bell gear are discharged together with the nitrogen gas.
ウエハをベルジヤから取り出す工程の直前にな
されるパージ工程において、窒素ガスによつて反
応ガスをパージしたあとの状態におけるベルジヤ
を構成する壁１１の内面には、第４図に示すよう
に、反応ガスの分子１２が吸着されている。吸着
された反応ガスの分子１２は窒素ガスによる反応
ガスのパージに際して、壁１１からベルジヤ内部
に放出されるが、放出速度はベルジヤからの反応
ガスのパージ速度に比較してかなり遅い。 In the purging step performed immediately before the step of taking out the wafer from the bell gear, after purging the reactive gas with nitrogen gas, the inner surface of the wall 11 constituting the bell gear is filled with reactive gas as shown in FIG. molecules 12 are adsorbed. The adsorbed reaction gas molecules 12 are released from the wall 11 into the bell gear when the reaction gas is purged with nitrogen gas, but the release rate is considerably slow compared to the purge speed of the reaction gas from the bell gear.
第５図は従来の方法におけるベルジヤにおける
反応ガス濃度と時間との関係を示している。横軸
は時間を、縦軸はベルジヤ内部の反応ガス濃度、
t0は反応が開始される時点、t1はCVD反応終了時
点、t2は成膜のおわつたウエハをベルジヤから取
り出す時点をそれぞれ示している。窒素ガスによ
る反応ガスのパージは反応終了時点t1でおこなう
ので、この時点t1から反応ガス濃度が急減して時
点t2でほぼ０になる。ベルジヤからのウエハの取
り出し時点t2からベルジヤの壁１１に吸着されて
いた反応ガスの放出（斜線を付してある領域）が
はじまるため、時点t2においてベルジヤを開放し
かつウエハを取り出すと、壁１１から放出された
反応ガスがベルジヤ内部にはいり込む外部空気に
含まれる酸素ガスと反応し、壁１１の表面に二酸
化ケイ素（S1O2）の微粒子あるいはPSG
（PHOSPHO SILICATE GLASS）の微粒子が
生成される。この微粒子がウエハに付着する。 FIG. 5 shows the relationship between reactant gas concentration in the bell gear and time in the conventional method. The horizontal axis is time, the vertical axis is the reaction gas concentration inside the bell gear,
t 0 indicates the time when the reaction starts, t 1 indicates the time when the CVD reaction ends, and t 2 indicates the time when the wafer on which the film has been formed is taken out from the bell gear. Since the reaction gas is purged with nitrogen gas at the end of the reaction time t 1 , the reaction gas concentration rapidly decreases from this time t 1 to almost 0 at time t 2 . The reaction gas adsorbed on the wall 11 of the bell gear starts to be released (shaded area) from the time t 2 when the wafer is taken out from the bell gear, so when the bell gear is opened and the wafer is taken out at the time t 2 , The reaction gas released from the wall 11 reacts with the oxygen gas contained in the external air that enters the bell gear, and fine particles of silicon dioxide (S 1 O 2 ) or PSG are formed on the surface of the wall 11.
(PHOSPHO SILICATE GLASS) fine particles are generated. These fine particles adhere to the wafer.
本発明による方法では、前述のように、ウエハ
をベルジヤから取り出す工程とこれの直前になさ
れるパージ工程とのあいだに、ベルジヤ内部に酸
素ガスのみを送り込んで、つまり希釈されていな
い酸素ガスをベルジヤ内部に送り込んで、ベルジ
ヤを構成する壁１１に吸着されていた反応ガスを
酸素ガスと急速に反応させ、壁１１に二酸化ケイ
素微粒子あるいはPSG微粒子を形成させ、それ
から窒素ガスをベルジヤ内部に送り込み、強制的
に生成させた二酸化ケイ素微粒子あるいはPSG
微粒子における、壁１１に強固に付着していない
これらの微粒子を窒素ガスによつてパージして、
壁１１に形成された二酸化ケイ素微粒子あるいは
PSG微粒子がベルジヤ内部にあるウエハ５の表
面に付着しないようにさせている。 As described above, in the method according to the present invention, only oxygen gas is fed into the bell gear between the step of removing the wafer from the bell gear and the purge step performed immediately before this, that is, undiluted oxygen gas is fed into the bell gear. The reactant gas adsorbed on the wall 11 constituting the bell gear rapidly reacts with oxygen gas to form silicon dioxide fine particles or PSG fine particles on the wall 11, and then nitrogen gas is fed into the bell gear to force the reaction gas to react with oxygen gas. silicon dioxide fine particles or PSG produced by
Among the fine particles, those fine particles that are not firmly attached to the wall 11 are purged with nitrogen gas,
Silicon dioxide fine particles formed on the wall 11 or
PSG particles are prevented from adhering to the surface of the wafer 5 inside the bell gear.
図１は本発明の薄膜形成方法において使用され
るCVD成長装置を示している。この装置はベル
ジヤ、サセプタ、反応ガスおよび希釈ガスをベル
ジヤに供給する配管を具備している。 FIG. 1 shows a CVD growth apparatus used in the thin film forming method of the present invention. This apparatus includes a bell gear, a susceptor, and piping for supplying reaction gas and diluent gas to the bell gear.
ベルジヤ１は円錐形のカバー３およびシリンダ
形の本体をもつ密閉容器からなつている。サセブ
タはテーブル４を具備している。テーブル４は、
この装置において処理されるウエハ５の外径より
も大きな巾からなるリングの形態をもつもので、
リングの中心がベルジヤ１を構成するカバー３の
中心に一致するようにベルジヤ内部に配置されて
いると共に、リングの中心を中心に回転可能にベ
ルジヤ内部にある台に保持されている。 The bell gear 1 consists of a closed container with a conical cover 3 and a cylindrical body. The successor is equipped with table 4. Table 4 is
It has the form of a ring with a width larger than the outer diameter of the wafer 5 processed in this device,
The ring is arranged inside the bell gear so that its center coincides with the center of the cover 3 constituting the bell gear 1, and is held on a stand inside the bell gear so as to be rotatable about the center of the ring.
ガスを供給する配管はノズル８ａ，９ａを具備
している。これらのノズルは、同軸配置されてい
ると共に、ベルジヤ１を構成しているカバー３の
頂点付近に取り付けられている。これらのノズル
８ａ，９ａは管８，９によつて切換弁Ｖにつなが
れ、そして切換弁Ｖはモノシランガスあるいはホ
スフインガス源、酸素ガス源、窒素ガス源に接続
されている。切換弁自体は、たとえば５ポート６
位置のスプール弁からなつていて、ソレノイドに
よつてスプールを移動させることによつて、各々
のガス源のガスをベルジヤ内部に導くことができ
る。これらと共に、ベルジヤ１には供給されたガ
スを整流するバツフア２が組み込まれている。こ
のバツフア２は、ほぼ円錐の形態をもつもので、
頂点をベルジヤ１を構成しているカバー３の中心
に一致させかつテーブル４の中央に位置させて、
ベルジヤ１の内部に組み込まれていると共に、頂
点と底面をつなぐ面がノズル８ａ，９ａからのガ
スがテーブル４に搭載されるウエハに均一に流れ
るような形状に形成されている。なお、図示され
ていないが、ベルジヤ１には排気管、排気弁およ
び排気ポンプが取り付けられ、排気弁が開きかつ
排気ポンプが作動すると、ベルジヤ内部のガスを
強制排させることができる。 The gas supply piping is equipped with nozzles 8a and 9a. These nozzles are arranged coaxially and are attached near the top of the cover 3 that constitutes the bell gear 1. These nozzles 8a, 9a are connected by pipes 8, 9 to a switching valve V, which is connected to a monosilane or phosphine gas source, an oxygen gas source, and a nitrogen gas source. The switching valve itself is, for example, 5 ports and 6 ports.
The gas from each gas source can be directed into the interior of the bell gear by moving the spool with a solenoid. Along with these, the bell gear 1 incorporates a buffer 2 for rectifying the supplied gas. This buffer 2 has an almost conical shape,
By aligning the apex with the center of the cover 3 constituting the bell gear 1 and positioning it in the center of the table 4,
It is incorporated inside the bell gear 1, and the surface connecting the apex and the bottom is formed in such a shape that the gas from the nozzles 8a and 9a flows uniformly to the wafer mounted on the table 4. Although not shown, an exhaust pipe, an exhaust valve, and an exhaust pump are attached to the bell gear 1, and when the exhaust valve opens and the exhaust pump operates, the gas inside the bell gear can be forcibly exhausted.
また、ベルジヤ１の外部には未処理のウエハを
ベルジヤ１の内部に送り込み、処理されたウエハ
を外部に取り出す搬入搬出手段がある。この搬入
搬出手段はウエハ移動機構６およびベルジヤ１に
組み込まれた搬入搬出口からなつている。ウエハ
移動機構６はテーブル４と間欠搬送コンベアとの
あいだを往復移動するロツドをもつている。搬入
搬出口はシヤツタをもつもので、ベルジヤ１にお
けるロツドの移動路に対応する部分に設けられ、
ロツドの移動に同期して開閉するようになつてい
る。 Further, outside the bell gear 1, there is a loading/unloading means for feeding unprocessed wafers into the inside of the bell gear 1 and taking out processed wafers to the outside. This loading/unloading means consists of a wafer moving mechanism 6 and a loading/unloading port built into the bell gear 1. The wafer moving mechanism 6 has a rod that moves back and forth between the table 4 and the intermittent transfer conveyor. The loading/unloading exit has a shutter and is provided at a portion of the bell gear 1 corresponding to the rod movement path.
It opens and closes in synchronization with the movement of the rod.
未処理のウエハはコンベアによつてCVD成長
装置まで搬送される。コンベアが停止すると、ベ
ルジヤ１の搬入搬出口にあるシヤツタがひらき、
ウエハ移動機構６のロツドがコンベア上のウエハ
をベルジヤ１の内部にあるテーブル４にむかつて
押し出し、ロツドがもどり、コンベアがつぎのウ
エハをベルジヤへの送り込み位置に移動させ、テ
ーブルがウエハの直径に関連する角度回転する。
これらのコンベアによるウエハの間欠移動、ロツ
ドの往復動およびテーブル４の回転が繰り返され
ることによつて、ウエハがテーブル４にならんで
搭載される。 Unprocessed wafers are transported to a CVD growth device by a conveyor. When the conveyor stops, the shutter at the loading/unloading exit of Belgear 1 opens.
The rod of the wafer moving mechanism 6 pushes the wafer on the conveyor onto the table 4 inside the bellgear 1, the rod returns, the conveyor moves the next wafer to the position to feed into the bellgear, and the table adjusts to the diameter of the wafer. Rotate the relevant angle.
By repeating the intermittent movement of the wafers by the conveyor, the reciprocating movement of the rods, and the rotation of the table 4, the wafers are mounted in line on the table 4.
所定数のウエハ５がテーブル４に載せられ、シ
ヤツタが閉じると、切換弁Ｖのスプールが移動さ
れ、排気弁が閉じかつ排気ポンプが作動して、窒
素ガスがベルジヤ１の内部に供給され、残留ガス
がこのパージガスによつて排気管に押し出され、
排気ポンプによつて外部に排出される。 When a predetermined number of wafers 5 are placed on the table 4 and the shutter is closed, the spool of the switching valve V is moved, the exhaust valve is closed, and the exhaust pump is activated to supply nitrogen gas to the inside of the bell gear 1 and remove the remaining gas. Gas is forced out into the exhaust pipe by this purge gas,
Exhausted to the outside by an exhaust pump.
残留ガスがパージされると、切換弁Ｖが閉じ、
ヒータ１０がウエハ５を反応温度、たとえば温度
500℃に加熱する。加熱がなされると、切換弁Ｖ
が開いて、希釈ガスとしての窒素ガスがノズル９
ａからベルジヤ１の内部に送り込まれる。所定ガ
ス濃度になると、切換弁Ｖのスプールが移動さ
れ、モノシランガスおよび酸素ガス、あるいはホ
スフインガスおよび酸素ガス、もしくはモノシラ
ンガス、ホスフインガスおよび酸素ガスなどの反
応ガス、たとえばモノシランガスがノズル８ａか
らベルジヤ１の内部に送り込まれる。このとき
に、ベルジヤ内部に送り込まれたガスは、図１に
おいて矢印ａ，a′で示すように、バツフア２にお
ける頂点と底面とをつなぐ面によつて流れを制御
されたあと、矢印ｂ，b′で示すようにテーブル４
に搭載されているウエハ５に導かれ、同時にテー
ブル４が回転して、各々のウエハ５の表面に均一
が流れ、二酸化けい素の薄膜からなる絶縁膜がウ
エハ５に形成される。絶縁膜がウエハ５の各々に
形成されると、切換弁Ｖのスプールが移動され、
窒素ガスのみがノズル９ａからベルジヤ内部に送
り込れ、ベルジヤ内部に残留している反応ガスお
よび希釈ガスを排気管および排気ポンプをつうじ
て外部にパージする。 When the residual gas is purged, the switching valve V closes,
A heater 10 heats the wafer 5 to a reaction temperature, e.g.
Heat to 500℃. When heating is done, the switching valve V
opens and nitrogen gas as diluent gas flows into nozzle 9.
It is fed into the bell gear 1 from a. When a predetermined gas concentration is reached, the spool of the switching valve V is moved, and a reactive gas such as monosilane gas and oxygen gas, phosphine gas and oxygen gas, or monosilane gas, phosphine gas and oxygen gas, such as monosilane gas, is sent into the interior of the bell gear 1 from the nozzle 8a. It will be done. At this time, the flow of the gas sent into the bell gear is controlled by the surface connecting the top and bottom of the buffer 2, as shown by arrows a and a' in FIG. ’ as shown in Table 4
At the same time, the table 4 rotates to flow uniformly onto the surface of each wafer 5, and an insulating film made of a thin film of silicon dioxide is formed on the wafer 5. When the insulating film is formed on each of the wafers 5, the spool of the switching valve V is moved,
Only nitrogen gas is sent into the bell gear from the nozzle 9a, and the reaction gas and diluent gas remaining inside the bell gear are purged to the outside through the exhaust pipe and the exhaust pump.
パージがおわると、切換弁Ｖのスプールが移動
され、酸素ガスのみがベルジヤ１の内部に送り込
まれる。このときに、酸素ガスは、窒素ガスによ
つて希釈されていないので、ベルジヤ１の壁に吸
着されていた反応ガスと急速に反応して、二酸化
けい素微粒子がベルジヤ１を構成する壁内面に生
成される。そのあと、切換弁Ｖのスプールが移動
され、窒素ガスのみがベルジヤ１の内部に送り込
まれ、酸素ガスといつしよに、酸素ガスとの反応
によつて強制的に生成され二酸化けい素微粒子が
排気管および排気ポンプをつうじてベルジヤ外部
にパージされる。 When the purge is finished, the spool of the switching valve V is moved, and only oxygen gas is sent into the bell gear 1. At this time, since the oxygen gas has not been diluted with nitrogen gas, it rapidly reacts with the reaction gas adsorbed on the wall of the bell gear 1, and silicon dioxide fine particles are deposited on the inner surface of the wall of the bell gear 1. generated. After that, the spool of the switching valve V is moved, and only nitrogen gas is sent into the bell gear 1, and silicon dioxide fine particles are forcibly generated by the reaction with the oxygen gas. It is purged to the outside of the bell gear through the exhaust pipe and exhaust pump.
二回目の窒素ガスによるパージがおわると、切
換弁Ｖが閉じ、搬入搬出口のシヤツタがひらき、
搬入搬出手段６がテーブル４から成膜のおわつた
ウエハ５を搬送機構に引き出し、テーブル４がウ
エハの直径に関連する角度回転しかつコンベアが
間欠移動する。テーブル上の残るウエハは、これ
らを繰り返すことによつて、ベルジヤ外部に搬出
される。 When the second purge with nitrogen gas is finished, the switching valve V closes and the shutter at the loading/unloading port opens.
The loading/unloading means 6 pulls out the film-formed wafer 5 from the table 4 to the transport mechanism, the table 4 rotates at an angle related to the diameter of the wafer, and the conveyor moves intermittently. The remaining wafers on the table are carried out to the outside of the bell gear by repeating these steps.
ベルジヤ１から搬出されたウエハ５は、ベルジ
ヤ１の壁に吸着されている反応ガスが搬出直前に
なされたベルジヤ１への酸素ガスの供給によつて
二酸化けい素微粒子に強制的にさせられているば
かりか、窒素ガスにつてベルジヤ１の外部に追い
出され、たとえウエハ５に付着したとしても、窒
素ガスによつて酸素ガスといつしよにベルジヤ１
の外部に追い出されるため清浄である。実験によ
れば、ウエハにたいして付着する二酸化けい素微
粒子あるいはPSG微粒子の量は従来の方法に比
較して１／10に減少させることができた。 In the wafer 5 carried out from the bell gear 1, the reaction gas adsorbed on the wall of the bell gear 1 is forcibly converted into silicon dioxide fine particles by supplying oxygen gas to the bell gear 1 immediately before carrying out the wafer 5. Not only that, even if the nitrogen gas is forced out of the bell gear 1 and adheres to the wafer 5, the nitrogen gas will destroy the oxygen gas and the bell gear 1.
It is clean because it is expelled from the outside. According to experiments, the amount of silicon dioxide fine particles or PSG fine particles adhering to the wafer could be reduced to 1/10 compared to the conventional method.
本発明のCVD法による薄膜形成方法は、以上
説明したように、ベルジヤを構成している壁に吸
着されている反応ガスに起因する二酸化けい素微
粒子あるいはPSG微粒子もベルジヤの外部に排
出して、成膜のおわつたウエハに付着しないよう
させているので、従来の方法に比較して、製品歩
留りをいちじるしく向上させることができる。
As explained above, the thin film forming method using the CVD method of the present invention discharges silicon dioxide fine particles or PSG fine particles caused by the reaction gas adsorbed on the walls constituting the bell gear to the outside of the bell gear. Since the film is prevented from adhering to the wafer after film formation, the product yield can be significantly improved compared to conventional methods.
第１図は本発明のCVD法による薄膜形成方法
において使用されるCVD成長装置の一例を示す
断面図である。第２図は従来の絶縁膜の形成方法
において使用されるCVD成長装置の断面図、第
３図は平面図、第４図はCVD成長装置における
二酸化けい素微粒子あるいはPSG微粒子の発生
状態を示す説明図、第５図は時間とCVD成長装
置のベルジヤを構成する壁からの反応ガス放出量
との関係を示す説明図である。
１…ベルジヤ、２…バツフア、３…カバー、４
…テーブル、５…ウエハ、８…反応ガスの供給
管、９…パージガスの供給管、１０…ヒータ、１
１…ベルジヤの壁、１２…反応ガス、１３…ベル
ジヤの壁に発生する微粒子。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of a CVD growth apparatus used in the CVD thin film forming method of the present invention. Figure 2 is a cross-sectional view of a CVD growth apparatus used in a conventional insulating film forming method, Figure 3 is a plan view, and Figure 4 is an explanation showing the generation state of silicon dioxide fine particles or PSG fine particles in the CVD growth apparatus. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the relationship between time and the amount of reaction gas released from the wall constituting the bell gear of the CVD growth apparatus. 1... Berjia, 2... Batsuhua, 3... Cover, 4
…Table, 5…Wafer, 8…Reaction gas supply pipe, 9…Purge gas supply pipe, 10…Heater, 1
1... Wall of the bell gear, 12... Reaction gas, 13... Fine particles generated on the wall of the bell gear.
Claims (1)
スフインガスおよび酸素ガス、もしくはモノシラ
ンガス、ホスフインガスおよび酸素ガスを反応ガ
スとし、窒素ガスを希釈ガスとしてベルジヤ内部
にあるウエハに成膜をおこなう工程と、ベルジヤ
内部にパージガスを送り込み、反応ガスを排出す
る工程と、成膜のおわつたウエハをベルジヤから
取り出す工程とを含んでいるCVD法による薄膜
形成方法において、反応ガスを排出する工程とウ
エハをベルジヤから取り出す工程とのあいだに、
ベルジヤ内部に酸素ガスを送り込んだあと、ベル
ジヤ内部にパージガスをふたたび送り込む工程を
具備させられていることを特徴とするCVD法に
よる薄膜形成方法。1. A step of forming a film on the wafer inside the bell gear using monosilane gas and oxygen gas, or phosphine gas and oxygen gas, or monosilane gas, phosphine gas and oxygen gas as reaction gases and nitrogen gas as a diluent gas, and sending purge gas inside the bell gear, In a thin film forming method using the CVD method, which includes the step of discharging a reactive gas and the step of taking out the wafer after film formation from the bell gear, there is a step between the step of discharging the reactive gas and the step of taking out the wafer from the bell gear. ,
A method for forming a thin film using a CVD method, which is characterized by having a step of feeding oxygen gas into the bell gear and then feeding purge gas into the bell gear again.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034555A JPS61194838A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Thin film forming method by cvd and equipment therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60034555A JPS61194838A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Thin film forming method by cvd and equipment therefor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61194838A JPS61194838A (en) | 1986-08-29 |
| JPH0527973B2 true JPH0527973B2 (en) | 1993-04-22 |
Family
ID=12417556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60034555A Granted JPS61194838A (en) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | Thin film forming method by cvd and equipment therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61194838A (en) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62218574A (en) * | 1986-03-20 | 1987-09-25 | Shinku Zairyo Kk | Chemical vapor deposition method |
| JPS6389668A (en) * | 1986-10-03 | 1988-04-20 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Vapor phase reaction apparatus and method for controlling said apparatus |
| JPH01125923A (en) * | 1987-11-11 | 1989-05-18 | Sumitomo Chem Co Ltd | Vapor growth apparatus |
| JPH02222134A (en) * | 1989-02-23 | 1990-09-04 | Nobuo Mikoshiba | Thin film forming equipment |
| JP4878830B2 (en) * | 2005-12-12 | 2012-02-15 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing equipment |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59224118A (en) * | 1983-06-03 | 1984-12-17 | Hitachi Ltd | Photochemical vapor-phase reaction method |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP60034555A patent/JPS61194838A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61194838A (en) | 1986-08-29 |
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