JPH053438B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH053438B2 JPH053438B2 JP59268045A JP26804584A JPH053438B2 JP H053438 B2 JPH053438 B2 JP H053438B2 JP 59268045 A JP59268045 A JP 59268045A JP 26804584 A JP26804584 A JP 26804584A JP H053438 B2 JPH053438 B2 JP H053438B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- lithium tantalate
- single crystal
- tantalate single
- point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はタンタル酸リチウム単結晶ウエーハの
周囲エツジ部分の特定領域を面取り加工してなる
該ウエーハの製造方法に関するものである。
周囲エツジ部分の特定領域を面取り加工してなる
該ウエーハの製造方法に関するものである。
（従来の技術）
タルタン酸リチウム単結晶は表面が研磨された
ウエーハとしてSAWデバイス等各種デバイス用
に提供されているが、チヨクラルスキー法により
引上げ製造されたタンタル酸リチウム単結晶をス
ライスして得たウエーハは、従来、面取り加工が
施されずにそのまま研磨工程、さらにはデバイス
作成工程に供されていた。
ウエーハとしてSAWデバイス等各種デバイス用
に提供されているが、チヨクラルスキー法により
引上げ製造されたタンタル酸リチウム単結晶をス
ライスして得たウエーハは、従来、面取り加工が
施されずにそのまま研磨工程、さらにはデバイス
作成工程に供されていた。
しかし、結晶の｛102｝面がへきかい面であり、
エツジ部からクラツクが入りやすく小片のかけを
発生しやすいため、歩留りが低い欠点があつた。
エツジ部からクラツクが入りやすく小片のかけを
発生しやすいため、歩留りが低い欠点があつた。
（発明の構成）
本発明者らはタンタル酸リチウム単結晶ウエー
ハについて、周囲エツジ部分の特定領域を面取り
加工することにより、研磨工程さらにデバイス作
成にクラツクが入つたりかけが生じたりすること
が大幅に少なくなり、歩留りが格段に向上するこ
とを見出し本発明を完成した。
ハについて、周囲エツジ部分の特定領域を面取り
加工することにより、研磨工程さらにデバイス作
成にクラツクが入つたりかけが生じたりすること
が大幅に少なくなり、歩留りが格段に向上するこ
とを見出し本発明を完成した。
すなわち本発明は、タンタル酸リチウム単結晶
ウエーハの周囲エツジ部分を、ウエーハの厚さ方
向断面において、エツジ部頂点Ｐと、Ｐ点とウエ
ーハ中心点０との線上でＰ点から 0.1t≦Ｘ≦1.5t （ｔ＝ウエーハの厚さ）の範囲内の距離にある点
Ｘと、Ｐ点から厚さ方向の線上で 0.1t≦Ｙ≦0.5t の範囲内の距離にある点Ｙとを結ぶ△PXY相当
部でそのへきかい面を含まない方向で面取り加工
してなることを特徴とするタンタル酸リチウム単
結晶ウエーハの製造方法に関するものである。
ウエーハの周囲エツジ部分を、ウエーハの厚さ方
向断面において、エツジ部頂点Ｐと、Ｐ点とウエ
ーハ中心点０との線上でＰ点から 0.1t≦Ｘ≦1.5t （ｔ＝ウエーハの厚さ）の範囲内の距離にある点
Ｘと、Ｐ点から厚さ方向の線上で 0.1t≦Ｙ≦0.5t の範囲内の距離にある点Ｙとを結ぶ△PXY相当
部でそのへきかい面を含まない方向で面取り加工
してなることを特徴とするタンタル酸リチウム単
結晶ウエーハの製造方法に関するものである。
以下添付図面に基づいて詳しく説明する。
第１図はタンタル酸リチウム単結晶ウエーハの
厚さ方向断面を示したものである。同図において
Ｐはウエーハの円周エツジ部分の頂点、０はウエ
ーハ中心点、ｔはウエーハの厚さをそれぞれ示
す。そしてＸはＰ点とウエーハ中心点０を結ぶ線
上にあつて、かつＰ点から0.1t≦Ｘ≦1.5tの範囲
内の距離にあり、またＹはＰ点からウエーハ厚さ
方向の線上にあつてかつＰ点から0.1t≦Ｙ≦0.5t
の距離にある。本発明はＸおよびＹがかかる条件
を満足する特定領域である。△PXY部分で、か
つそのへきかい面を含まない部分である。このへ
きかい面はタンタル酸リチウム単結晶では例えば
Ｖ軸引上げの場合、Ｚ面から見て30゜、Ｙ面から
見て53゜の方向にあるので、その方向を含まない
△PXY部分相当のウエーハエツジ部分を円周全
体にわたつて面取り加工することを特徴とする。
この場合線分Ｘ−Ｙは直線状もしくは弧状のいず
れでもよい（後記第２図参照）。
厚さ方向断面を示したものである。同図において
Ｐはウエーハの円周エツジ部分の頂点、０はウエ
ーハ中心点、ｔはウエーハの厚さをそれぞれ示
す。そしてＸはＰ点とウエーハ中心点０を結ぶ線
上にあつて、かつＰ点から0.1t≦Ｘ≦1.5tの範囲
内の距離にあり、またＹはＰ点からウエーハ厚さ
方向の線上にあつてかつＰ点から0.1t≦Ｙ≦0.5t
の距離にある。本発明はＸおよびＹがかかる条件
を満足する特定領域である。△PXY部分で、か
つそのへきかい面を含まない部分である。このへ
きかい面はタンタル酸リチウム単結晶では例えば
Ｖ軸引上げの場合、Ｚ面から見て30゜、Ｙ面から
見て53゜の方向にあるので、その方向を含まない
△PXY部分相当のウエーハエツジ部分を円周全
体にわたつて面取り加工することを特徴とする。
この場合線分Ｘ−Ｙは直線状もしくは弧状のいず
れでもよい（後記第２図参照）。
第２図は本発明になる面取り加工されたウエー
ハの具体例を示したものであり、第２図は線分Ｘ
−Ｙ相当部が直線状である。第２図において＊印
を付した曲折部はなめらかに削り取ることが望ま
しい。なお、ウエーハの少なくとも上面あるいは
上面と下面の両方の円周エツジ部分を面取り加工
するが、この面取り形状は両面において同形であ
つてもまた異なつていてもよい。
ハの具体例を示したものであり、第２図は線分Ｘ
−Ｙ相当部が直線状である。第２図において＊印
を付した曲折部はなめらかに削り取ることが望ま
しい。なお、ウエーハの少なくとも上面あるいは
上面と下面の両方の円周エツジ部分を面取り加工
するが、この面取り形状は両面において同形であ
つてもまた異なつていてもよい。
本発明において、ウエーハの面取り加工はタン
タル酸リチウム単結晶を内周刃等を用いてスライ
スして得たウエーハの円周エツジ部分をたとえば
研磨皿および砥粒（GC＃1000等）を用いて削り
取る方法により行われるが、もちろん他の方法で
行つてもよい。
タル酸リチウム単結晶を内周刃等を用いてスライ
スして得たウエーハの円周エツジ部分をたとえば
研磨皿および砥粒（GC＃1000等）を用いて削り
取る方法により行われるが、もちろん他の方法で
行つてもよい。
本発明になるタンタル酸リチウム単結晶ウエー
ハは、砥粒によりラツピング工程、研磨工程、さ
らにSAWデバイス等のデバイス作成工程におい
て、クラツクが入つたり特に0.1mmよりも大きい
かけが生じたりすることがなく、したがつて従来
の面取り加工が施こされていないタンタル酸リチ
ウム単結晶ウエーハに比べて、高い歩留りを達成
することができる。
ハは、砥粒によりラツピング工程、研磨工程、さ
らにSAWデバイス等のデバイス作成工程におい
て、クラツクが入つたり特に0.1mmよりも大きい
かけが生じたりすることがなく、したがつて従来
の面取り加工が施こされていないタンタル酸リチ
ウム単結晶ウエーハに比べて、高い歩留りを達成
することができる。
つぎに具体例実施例をあげる。
実施例
Ｘ軸引上げタンタル酸リチウム単結晶（直径３
インチ）を0.7mm厚さにスライスしてウエーハを
作り、これを70Rの研磨皿およびGC＃1000の砥
粒を用いて、第２図に示す断面形状となるよう
に、ハンドラツピング面取り加工を施したが、こ
の面取り方向は20゜であつた。
インチ）を0.7mm厚さにスライスしてウエーハを
作り、これを70Rの研磨皿およびGC＃1000の砥
粒を用いて、第２図に示す断面形状となるよう
に、ハンドラツピング面取り加工を施したが、こ
の面取り方向は20゜であつた。
上記のようにして面取り加工を施こしたウエー
ハについて、GC＃1000の砥粒を用いて両面ラツ
ピングを行い、ついでコロイダルシリカによる片
面研磨加工を行つて厚さ0.5mmのタンタル酸リチ
ウム単結晶ウエーハを得、これを用いてSAWデ
バイス素子を作つた。このラツピング工程、研磨
工程、およびデバイス素子作成工程において0.1
mmよりも大きいかけ（チツプ）の発生は皆無であ
り、面取り加工を施こさなかつた場合に比べて、
歩留りが著しく向上した。
ハについて、GC＃1000の砥粒を用いて両面ラツ
ピングを行い、ついでコロイダルシリカによる片
面研磨加工を行つて厚さ0.5mmのタンタル酸リチ
ウム単結晶ウエーハを得、これを用いてSAWデ
バイス素子を作つた。このラツピング工程、研磨
工程、およびデバイス素子作成工程において0.1
mmよりも大きいかけ（チツプ）の発生は皆無であ
り、面取り加工を施こさなかつた場合に比べて、
歩留りが著しく向上した。
第１図はタンタル酸リチウム単結晶ウエーハに
ついて、面取り部分を説明するための、ウエーハ
厚さ方向の断面図を示したものであり、また第２
図は本発明により面取り加工されたウエーハの一
部断面図を例示したものである。
ついて、面取り部分を説明するための、ウエーハ
厚さ方向の断面図を示したものであり、また第２
図は本発明により面取り加工されたウエーハの一
部断面図を例示したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ タンタル酸リチウム単結晶ウエーハの周囲エ
ツジ部分を、ウエーハの厚さ方向断面において、
エツジ部頂点Ｐと、Ｐ点とウエーハ中心点０との
線上でＰ点から 0.1t≦Ｘ≦1.5t （ｔ＝ウエーハの厚さ）の範囲内の距離にある点
Ｘと、Ｐ点から厚さ方向の線上で 0.1t≦Ｙ≦0.5t の範囲内の距離にある点Ｙとを結ぶ△PXY相当
部でそのへきかい面を含まない方向で面取り加工
することを特徴とするタンタル酸リチウム単結晶
ウエーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26804584A JPS61146799A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | タンタル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26804584A JPS61146799A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | タンタル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61146799A JPS61146799A (ja) | 1986-07-04 |
| JPH053438B2 true JPH053438B2 (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=17453111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26804584A Granted JPS61146799A (ja) | 1984-12-19 | 1984-12-19 | タンタル酸リチウム単結晶ウエーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61146799A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020061974A1 (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 盐城市振弘电子材料厂 | 一种钽酸锂单晶棒 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52144269A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Mitsubishi Metal Corp | Method of chamfering single crystal wafers |
| JPS54129995A (en) * | 1978-03-31 | 1979-10-08 | Jiekoo Kk | Method of trimming crystal plate |
| JPS55113332A (en) * | 1979-02-23 | 1980-09-01 | Hitachi Ltd | Manufacture of wafer |
| JPS55165638A (en) * | 1979-06-13 | 1980-12-24 | Nec Kyushu Ltd | Semiconductor wafer |
| JPS59188921A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-26 | Nec Corp | 誘電体分離基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-12-19 JP JP26804584A patent/JPS61146799A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61146799A (ja) | 1986-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |