JPH0534810B2 - - Google Patents
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- JPH0534810B2 JPH0534810B2 JP7333684A JP7333684A JPH0534810B2 JP H0534810 B2 JPH0534810 B2 JP H0534810B2 JP 7333684 A JP7333684 A JP 7333684A JP 7333684 A JP7333684 A JP 7333684A JP H0534810 B2 JPH0534810 B2 JP H0534810B2
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- voltage
- switching element
- varistor
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、任意のON電圧を調整できる電流制
御方式のスイツチング素子を提供するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention provides a current control type switching element that can adjust any ON voltage.
従来例の構成とその問題点
近年、デイスプレイ方式として、従来のCRT
奉仕に変わるフラツトな液晶デイスプレイが壁掛
けTV用として注目されている。これに使用され
る液晶のスイツチングには、低電流領域で高い電
圧非直線性指数を持つ電流制御方式のスイツチン
グ素子が必要である。ここで、電圧非直線性指数
は次式で示される。Conventional configurations and their problems In recent years, conventional CRTs have become popular as display systems.
Flat LCD displays that can be used as a substitute for wall-mounted TVs are attracting attention. Switching of the liquid crystal used in this requires a current control type switching element that has a high voltage nonlinearity index in a low current region. Here, the voltage nonlinearity index is expressed by the following formula.
I1／I2＝（V1／V2）a、
但しI1＜I2
上式でａは電圧非直線性指数、V1およびV2は
それぞれ電流I1およびI2が流れる時にスイツチン
グ素子にかる電圧である。従つて、ａが高いもの
程、スイツチング特性が優れている。 I 1 /I 2 = (V 1 /V 2 ) a , where I 1 < I 2 In the above equation, a is the voltage nonlinearity index, and V 1 and V 2 are the switching elements when currents I 1 and I 2 flow, respectively. voltage. Therefore, the higher a is, the better the switching characteristics are.
一方、セラミツクバリスタは電圧非直線性抵抗
体の一つであり、低電流領域でスイツチング特性
を示し、しかもａが高いことから、液晶デイスプ
レイのスイツチング素子としての使用が期待され
る。 On the other hand, a ceramic varistor is a type of voltage nonlinear resistor, exhibits switching characteristics in a low current region, and has a high a, so it is expected to be used as a switching element for liquid crystal displays.
以降、酸化亜鉛を主成分とするバリスタを代表
例とし、その特性について説明する。第１図は、
酸化亜鉛型バリスタの電圧−電流特性である。領
域は粒界層の抵抗に対応する領域でａは低い。
領域はバリスタ特性を示す領域でａは高い。領
域は酸化亜鉛の抵抗を示す領域でａは低い。ス
イツチング素子として用いる場合、領域は
OFF状態、領域はON状態に対応する。しかし
ながら、従来のセラミツクバリスタは第２図に示
すような構造をとり、主としてサージ吸収やノイ
ズ吸収に用いられてきた。第２図において１は板
状バリスタ素子で、例えば酸化亜鉛を主成分とし
た焼結体であり、２および３（３は図示せず）は
板状バリスタ素子１の表、裏面に設けられた電極
で、例えば銀の焼付け、アルミの溶射等により形
成されている。以上のように構成されたバリスタ
素子をスイツチング素子として用いる場合、ON
電圧(A)はバリスタ素子の厚みによつて決まり、素
子成型上の制約を受け、時にON電圧が低い場
合、作成が非常に困難であつた。 Hereinafter, a varistor whose main component is zinc oxide will be taken as a representative example, and its characteristics will be explained. Figure 1 shows
This is the voltage-current characteristic of a zinc oxide type varistor. The region corresponds to the resistance of the grain boundary layer, and a is low.
The region exhibits varistor characteristics and a is high. The region exhibits the resistance of zinc oxide, and a is low. When used as a switching element, the area is
OFF state, area corresponds to ON state. However, conventional ceramic varistors have a structure as shown in FIG. 2, and have been mainly used for surge absorption and noise absorption. In FIG. 2, 1 is a plate-shaped varistor element, for example, a sintered body mainly composed of zinc oxide, and 2 and 3 (3 not shown) are provided on the front and back surfaces of the plate-shaped varistor element 1. The electrode is formed by baking silver, thermal spraying aluminum, etc. When using the varistor element configured as above as a switching element, ON
The voltage (A) is determined by the thickness of the varistor element, and is subject to restrictions on element molding, making it sometimes extremely difficult to manufacture when the ON voltage is low.
発明の目的
本発明は、上記のような従来の欠点に鑑みてな
されたものであり、任意のON電圧の電流制御方
式のスイツチング素子を容易に提供するものであ
る。OBJECTS OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the conventional art, and it is an object of the present invention to easily provide a switching element of a current control type with an arbitrary ON voltage.
発明の構成
この目的を達成するために本発明のスイツチン
グ素子は、板状バリスタ素子上に、非平行に一対
の電極を設けてなるものである。Structure of the Invention In order to achieve this object, the switching element of the present invention has a pair of non-parallel electrodes provided on a plate-shaped varistor element.
実施例の説明
以下、本発明に係るスイツチング素子の一実施
例を第３図とともに説明する。第３図で４は板状
バリスタ素子、で例えば酸化亜鉛を主成分とする
焼結体であり、５および６は板状バリスタ素子４
上に、銀の焼付けやアルミの蒸着、溶射等によつ
て非平行に設けられた一対の電極であり、従つて
その距離は徐々に変化している。DESCRIPTION OF EMBODIMENTS An embodiment of the switching element according to the present invention will be described below with reference to FIG. In FIG. 3, 4 is a plate-shaped varistor element, for example, a sintered body whose main component is zinc oxide, and 5 and 6 are plate-shaped varistor elements 4.
A pair of electrodes are provided on the top in a non-parallel manner by baking silver, vapor-depositing aluminum, thermal spraying, etc., and therefore the distance between them gradually changes.
以上のように構成されたスイツチング素子につ
いて、以下その動作を説明する。スイツチング素
子にON電流（第１図、領域に相当する電流）
が印加されると、電流は板状バリスタ素子４の最
も抵抗が低い部分、すなわち電極５，６の最短距
離の部分を選択的に流れる。従つて、スイツチン
グ素子のON電圧(A)は電極５，６の最短距離ｌに
より決まり、ｌを長くとれば上昇し、短かくとれ
ば下降する。この調整は、例えば板状バリスタ素
子４上に電極５，６を形成したのち、端面の研磨
や切断により容易に可能である。一方、OFF電
圧は電流を十分小さく設定すれば、ｌの調整によ
る変化は無視できる程小さい。このようにスイツ
チング素子のON電圧(A)は、板状バリスタ素子４
の成型上の制約を受けることなく、任意の電圧に
設定することができるのである。 The operation of the switching element configured as described above will be explained below. ON current in the switching element (Fig. 1, current corresponding to the area)
When is applied, the current selectively flows through the portion of the plate-shaped varistor element 4 having the lowest resistance, that is, the portion of the shortest distance between the electrodes 5 and 6. Therefore, the ON voltage (A) of the switching element is determined by the shortest distance 1 between the electrodes 5 and 6, and if 1 is made long, it increases, and if 1 is made short, it decreases. This adjustment is easily possible, for example, by forming the electrodes 5 and 6 on the plate-shaped varistor element 4 and then polishing or cutting the end face. On the other hand, if the OFF voltage is set to a sufficiently small current, the change due to the adjustment of l is so small that it can be ignored. In this way, the ON voltage (A) of the switching element is
Any voltage can be set without being subject to molding restrictions.
発明の効果
以上のように本発明は、板状バリスタ素子上に
非平行に一対の電極を形成することにより、任意
のON電圧を持つ電流制御方式のスイツチング素
子を提供するものである。さらに、素子のバリス
タ特性より、サージ吸収の能力も同時に有してい
る。Effects of the Invention As described above, the present invention provides a current control type switching element having an arbitrary ON voltage by forming a pair of non-parallel electrodes on a plate-shaped varistor element. Furthermore, due to the varistor characteristics of the element, it also has the ability to absorb surges.
第１図は酸化亜鉛型バリスタの電圧−電流特性
を示す図、第２図は従来のスイツチング素子を示
す斜視図、第３図は本発明の一実施例に係るスイ
ツチング素子を示す斜視図である。
４……板状バリスタ素子、５，６……電極。
FIG. 1 is a diagram showing voltage-current characteristics of a zinc oxide type varistor, FIG. 2 is a perspective view showing a conventional switching element, and FIG. 3 is a perspective view showing a switching element according to an embodiment of the present invention. . 4...Plate varistor element, 5, 6... Electrode.
Claims (1)
を設けてなるスイツチング素子。1 A switching element consisting of a pair of non-parallel electrodes on a plate-shaped varistor element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073336A JPS60216502A (en) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | switching element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073336A JPS60216502A (en) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | switching element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60216502A JPS60216502A (en) | 1985-10-30 |
| JPH0534810B2 true JPH0534810B2 (en) | 1993-05-25 |
Family
ID=13515217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073336A Granted JPS60216502A (en) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | switching element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60216502A (en) |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP59073336A patent/JPS60216502A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60216502A (en) | 1985-10-30 |
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