JPH054155B2 - - Google Patents

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【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウエハ、各種光学部品或は電
子部品或はそれらの製造用治具などの蒸気洗浄方
法並びに洗浄装置に係り、特に、洗浄に用いる蒸
気の高純度化を可能とし、洗浄効果の高い蒸気洗
浄方法および蒸気洗浄乾燥方法並びに蒸気洗浄乾
燥装置に関する。 〔従来の技術〕 近年、半導体集積度は著しく向上しており、こ
れに伴い半導体ウエハ表面に要求される清浄度も
より高いものになつてきている。昭和61年３月19
〜21日にかけて東京発明会館ホールで開催された
半導体基盤技術研究会主催の超LSIウルトラクリ
ーンテクノロジーシンポジウムNo.２「超純水・高
純度薬品供給系 プロシーデイング」第399〜419
頁には、ウエハ洗浄・乾燥技術について詳しく記
載されている。 前述の文献からも明らかなように、一般に、半
導体ウエハの洗浄は、ウエハ表面に付着した油脂
分を対象として溶剤（トリクレン、アセトン、
H₂O₂−NH₄OH混合液、等）で、また金属分の
除去を対象として酸・アルカリ（HF、H₂O₂−
NH₄OH、HCl−H₂O₂混合液、等）を用いて汚
染物質を順次に洗い落し、最終的に超純水を用い
て洗浄した後、その超純水の水滴を除去（乾燥）
してから次の工程に送られる。ここで、用いる超
純水の純度は皆めて高く、比抵抗18MΩ・cm、
TOC50ppb以下、0.1μｍ以上の微粒子50個／ml以
下の水質を保持している。しかしながら、上記の
超純水を用いて洗浄しても、その水滴をうまく除
去しないと不良品の続出となるため、水滴除去
（乾燥）方法にも工夫がなされている。 従来かかる水滴除去（乾燥）方法には、熱風に
よるもの、水洗後に基板を回転させ、その遠心力
で機械的に水滴に飛散させるもの、有機溶剤の蒸
気（例えばイソプロピルアルコール）を用いて水
と溶剤とを置換してから、溶剤を乾燥させるもの
があり、それぞれ熱風乾燥法、スピンドライ法、
IPA蒸気乾燥法と呼んでおり、実際のウエハ洗浄
工程で用いられている。 超純水を用いた薬液の洗浄は、現状では超純水
を満たし、オーバーフローさせながらウエハーを
浸漬させ、水と薬液を置換させる方式をとつてい
る。 又、最近では、水を加熱して気化した蒸気によ
り洗浄する方法も報告されるようになつてきた。 尚、この種の方法に関連する公知例としては、
前述の文献のほかに特開昭61−174982号、特開昭
61−138582号、特開昭61−138583号、特開昭61−
200885号公報等がある。 〔発明が解決しようとする問題点〕 半導体ウエハ等の洗浄においては、上記のどの
洗浄・乾燥技術においても、最終的に被処理物
（被洗浄物）表面に不純物、例えば溶液中に含ま
れる微粒子や溶解している物質等が残留しないこ
とが望まれる。しかし、上記従来技術において
は、これらの点が不充分であり、不純物が残留す
る恐れがある。すなわち、熱風乾燥法では、基板
表面に付着する水滴を熱風により蒸発させること
から、水滴中に含まれる微粒子や溶解成分が析出
することで最終的にウエハ表面に不純物が残る恐
れがある。同様にスピンドライ法においても、全
ての水滴を除去することは不可能であるため、ウ
エハ表面、特に細かい溝中の水滴が乾燥する際、
熱風乾燥法と同様不純物が被洗浄物表面に残留す
る恐れがある。また、IPA蒸気乾燥法では、実際
に洗浄に用いた水をIPAで置換するため、純水中
の不純物の影響は少ないものの、IPAのミスト飛
散によるIPA中の不純物の付着および、水とIPA
との置換の問題が生じる。また、乾燥工程前段の
超純水でのウエハの薬液洗浄工程では、大量の超
純水をオーバーフローさせ、浸漬方法で薬液との
置換を行つているため、多量の水が必要となると
同時に、細かい溝部ではなかなか洗浄効果が上が
らず、集積度の増大に伴ない、不純物が残留しや
すくなる問題が生じる。 蒸気洗浄方法も蒸気中の不純物が被処理物表面
に付着残留するという問題がある。 本発明の目的は、従来の超純水に被処理物を浸
漬する方法及び蒸気洗浄方法にくらべて被処理物
表面の不純物残留を少なくできる高純度化した蒸
気の凝縮液を用いた蒸気洗浄方法および蒸気洗浄
乾燥方法並びに蒸気洗浄乾燥装置を提供するにあ
る。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明による蒸気洗浄方法および蒸気洗浄乾燥
方法並びに蒸気洗浄乾燥装置のそれぞれの要旨
は、特許請求の範囲第１項および第７項並びに第
１１項に記載されたとおりであり、これらの発明
に共通していえる特徴は、洗浄液を加熱して気化
し、その際に蒸気に同伴するミストを微多孔室膜
を透過させることにより除去して高純度化蒸気と
したのち凝縮させ、該凝縮液を被処理物と接触さ
せて被処理物表面を洗浄することである。 被処理物に接触した蒸気は、被処理物に潜熱を
奪われて凝縮し、被処理物を洗浄する作用をな
す。 洗浄液としては、水或は水に不溶性の有機溶剤
などを用いることができる。 本発明の洗浄方法を適用しうる被処理物として
は、半導体ウエハ、光デイスク或は磁気デイスク
を含む各種光学部品や電子部品或はそれらの製造
用治具がある。 半導体ウエハの蒸気洗浄に用いるときの水とし
ては、超純水を用いることが望ましい。 本発明を半導体ウエハの洗浄に適用する場合に
は、薬液処理した直後の半導体ウエハ或は薬液処
理したのち超純水中に浸漬して薬液を洗い落とし
た半導体ウエハに対して適用することが望まし
い。超純水中に半導体ウエハを浸漬して洗浄する
と、超純水中に含まれる微粒子が半導体ウエハの
溝に入り込み残留するおそれがあるが、その後で
本発明の蒸気洗浄を行うことにより残留する不純
物を洗い落とすことができる。 本発明の蒸気洗方法において、洗浄液として水
を用いる場合には、多孔室膜には疎水性多孔質膜
を用いることが望ましい。洗浄液として水に不溶
性の有機溶剤を用いる場合には、多孔質膜には親
水性多孔質膜を用いることが望ましい。 本発明は、洗浄液を気化し、更に気化した蒸気
に同伴するミストを除去した蒸気には、もはや不
揮性の微粒子は含まれていないか或は含まれてい
たとしても非常に僅かであり、従つて、この蒸気
を用いて洗浄すれば不純物の残留を著しくするこ
とができるという着想に基づく。蒸気に同伴する
ミストは、蒸気が水蒸気であれば疎水性多孔質膜
を用いることにより除去でき、蒸気が水に不溶性
の有機溶剤であれば親水性多孔質膜を用いること
により除去できる。 尚、このように多孔質膜を透過した蒸気の凝縮
水を用いて洗浄することも考えられなくはない
が、凝縮したときに容器等からの成分の溶出があ
るので蒸気のままで被処理物に接触させるのがよ
い。 従来の超純水に被処理物を接触させる洗浄方法
は、超純水中に含まれる微粒子を除去することは
意図していないしまた除去できない。従来の蒸気
による洗浄方法も、蒸気に同伴するミスト中の不
純物を除去することまでは意図していない。 〔作用〕 本発明は、例えば薬液洗浄を終えた半導体ウエ
ハ表面に付着している薬剤を、疎水性多孔質膜を
通つた水蒸気によつて置換洗浄する。疎水性多孔
質膜を用いることで、水蒸気に同伴するミストは
完全に除去できることから、水蒸気中には、水蒸
気と原水中に含まれる揮発成分（例えば有機物、
アンモニア、CO₂ガス等）のみとなる。したがつ
て、水蒸気が半導体ウエハ表面で凝縮する際には
不揮発性成分は全て取り除かれているため、乾燥
後にはウエハ表面には、何の不純物も残らない。
特に本発明の水蒸気洗浄後に、同水蒸気の過熱蒸
気を使用して乾燥すると、蒸発温度よりも高い温
度で再蒸発するため、たとえTOC成分が液化し
いても、蒸発してしまうために、ウエハ上には何
も残らない。また、水蒸気を使用するため、被処
理物の溝の中にも入り易い、細かい部分の洗浄に
も有効となる。 本発明の蒸気洗浄方法は、ミストを除去した蒸
気を被処理物表面で凝縮させ、凝縮水で被処理物
に付着している汚染物を洗い落とす方法である。 蒸気が凝縮するときに、被処理物は蒸気の潜熱
を奪い温度が上昇する。洗浄工程の途中の段階で
被処理品の温度が上昇しすぎると、蒸気が凝縮し
なくなり洗浄工程が中断してしまう。従つて、洗
浄工程の最中には、被処理物表面が常に蒸気の凝
縮温度に保持されるように強制冷却することが望
ましい。この強制冷却方法としては、一例として
被処理物を載せる基板内に冷媒たとえば水の循環
通路を形成し、この通路に冷媒を流すことが望ま
しい。 本発明の洗浄方法において、ミストを除去した
後の水蒸気中には揮発性成分例えば有機物、アン
モニア、CO₂ガス等が含まれている可能性があ
る。洗浄後に揮発性成分が被処理物表面に残留す
るというおそれは殆ど無いと考えられるが、水蒸
気中にはこのような揮発性成分は無いにこしたこ
とはない。以上のことから揮発性成分を予め除去
しておくことは望ましく、このための手段として
洗浄液を気化して多孔質膜を透過させる前の段階
で一度、洗浄液を加熱し沸騰させて揮発性成分を
揮発させて除去する処理を施すことが望ましい。
このように揮発性成分を除去する前処理を施すこ
とにより、揮発性成分及び不揮発性の微粒子を実
質的に含まない高純度の蒸気を用いて被処理物を
洗浄することができるようになる。 なお、蒸気洗浄中は被処理物の周囲の雰囲気を
蒸気飽和状態に保持することが望ましく、従つて
被処理物は密閉した室に収納しておき、蒸気洗浄
工程中、室の一部から不凝縮性ガスを抽気するこ
とが望ましい。 又、半導体ウエハの洗浄において、LSIの集積
度が増大し、パターン寸法が微細化すると、ウエ
ハの溝中に入つて凝縮した水が表面張力の関係か
ら、外に出て来なくなる場合も考えられるが、そ
の際は、上記洗浄工程を数回繰り返したり或はそ
の間に、減圧下でウエハを処理させることで、溝
中の水滴を溝外部に取り出すことが望ましい。 本発明の蒸気洗浄を終了したならば、通常なら
ば次の乾燥工程に移る。半導体ウエハなどでは、
文献「超純水・高純水薬品供給系 プロシーデイ
ング」第411頁に記載されているように乾燥工程
は不可欠である。 本発明では、蒸気洗浄工程で不純物残留を著し
く少なくできるので、従来の熱風乾燥法、スピン
ドライ法、IPA蒸気乾燥法を適用することが可能
である。 本発明の蒸気洗浄後における乾燥方法として、
疎水性多孔質膜を透過した過熱蒸気を用いる方法
を提案する。 過熱蒸気すなわち蒸気を沸点よりも高温に昇温
した蒸気は、被処理物表面の凝縮液を乾燥する作
用を有する。このような過熱蒸気は、液体を加熱
して気化した蒸気が多孔質膜を透過する前後の一
方の側又は両側にヒータを設けて蒸気を過熱する
ことにより、容易に作ることができる。従つて、
過熱蒸気を用いれば、洗浄及び乾燥の両方の工程
を同一の洗浄液を用いて実施することが可能とな
る。 更に過熱蒸気だけを用いて洗浄および乾燥の両
工程を実施することも可能である。これについて
は、別途第２図を用いて説明する。 なお、過熱蒸気を用いて乾燥する場合には、水
が切れにくいので、被処理物を収納する室を真空
ポンプで排気して被処理物の周囲を減圧したり或
はスピンドライ法と同じく被処理物を回転し、遠
心力を利用して水が切れやすくすることが望まし
い。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を示す図面について詳細
に説明する。本発明は、これらの実施例に限定さ
れるものではない。 実施例 １ 第１図に本発明に係る洗浄装置の基本的実施例
を示す。ここでは洗浄液として水を用いる場合に
ついて説明する。本発明に係る蒸気洗浄装置１０
０は、水蒸気発生部１１１と凝縮洗浄部１１２と
その間に存在する疎水性多孔質膜１０１とで構成
される。原水は原水入口１０５より水蒸気発生部
１１１に送られ、ヒータ１０２によつて加熱さ
れ、蒸発する。発生した水蒸気１０３は疎水性多
孔質膜１０１を通り、その際に同伴するミストを
分離する。膜を通過した水蒸気は、被洗浄物（被
処理物）１０７上で凝縮し、その凝縮水によつて
被洗浄物１０７上を洗浄する。被洗浄物１０７は
そのままでは温度が上昇し、凝縮できなくなるお
それがあるため、裏面を冷却水１０８によつて冷
却し、被洗浄物表面を蒸気が凝縮するように100
℃未満の温度に保持することが望ましい。洗浄し
汚れた水は、ドレン口１０９より洗浄装置の外部
に放出される。尚、凝縮洗浄部内は水蒸気飽和状
態が望ましいことから、抽気口１１０より不凝縮
性ガスを抽気することが望ましい。本実施例によ
れば、疎水性多孔質膜を通つた水蒸気によつて洗
浄できることから、少量の水でえ果的に洗浄が行
なえるとともに、乾燥後に被洗浄物表面に不純物
が残留することも非常に少なく、高い洗浄効果を
あげることができる。なお符号１０４は洗浄水の
液面を示し、符号１０９は洗浄水の排出口を示し
ている。 実施例 ２ 第２図に、過熱水蒸気による乾燥をも含めた場
合の一実施例を示す。本実施例の蒸気洗浄装置２
００は、水蒸気発生部１１１、水蒸気過熱部２０
２、洗浄・乾燥部２０３とから成り、水蒸気過熱
部２０２と洗浄・乾燥部２０３の間に疎水性多孔
質膜１０１が配置される。蒸気発生部１１１中の
原水がヒータ１０２によつて加熱され水蒸気が発
生する。発生した水蒸気１０３は、さらに水蒸気
過熱部２０２において過熱用ヒータ２０７によつ
て過熱水蒸気となり、疎水性多孔質膜１０１を通
り、洗浄・乾燥部２０３に送られる。洗浄・乾燥
部２０３内には、被洗浄物１０７が移動可能洗浄
器２０８に設置されている。洗浄・乾燥部２０３
内に送られた過熱蒸気は、移動洗浄器２０８に取
り付けられた被洗浄物１０７表面に付着している
水滴を乾燥しながら飽和蒸気となり、後半は水蒸
気による洗浄を行なう。移動可能洗浄器２０８は
洗浄の最中に徐々に疎水性多孔質膜１０１の方向
に移動し、初めは洗浄工程を通り、次に乾燥工程
を経て装置外に出る。余つた水蒸気は、水蒸気循
環系２０９を通り、再び水蒸気過熱部に送られ
る。凝縮し、洗浄に用いた水はドレン出口１０９
より装置外に放出される。本実施例によれば、被
洗浄物の洗浄と乾燥が一度に、クリーンな水蒸気
雰囲気中で行なえるため、使用する水量が減少す
るとともに、効果的な洗浄が行なえる。 実施例 ３ 第３図は第１図の実施例に、スピン洗浄法を加
えたものである。本実施例の蒸気洗浄装置３００
は、水蒸気発生部１１１と洗浄・乾燥部３０８と
からなり、その間に疎水性多孔質膜１０１が設置
されている。本実施例では、洗浄と乾燥はバツチ
操作で繰り返される。まず洗浄工程では、原水を
加熱ヒータ１０２で蒸発させ、発生した蒸気１０
３を疎水性多孔質膜１０１でろ過し、洗浄・乾燥
部３０８に送る。洗浄・乾燥部３０８内にはスピ
ナー３１１が配置され、その表面に被洗浄物１０
７が取り付けられ、回転用モータ３０７によつて
矢印方向に回転される。水蒸気は被洗浄物１０７
上に凝縮し、表面の不純物とともに、遠心力によ
つて表面から除去され、新しい水蒸気によつて再
度洗浄される。上記手法にて充分に洗浄された
後、乾燥工程に移る。乾燥工程では、水蒸気発生
部１１１にて発生した水蒸気１０３をさらに過熱
用ヒータ２０７により昇温して過熱蒸気とし、洗
浄・乾燥部３０８に送られる。本工程でも、スピ
ナー３１１を回転させることで、過熱蒸気を用い
て乾燥させ、飽和蒸気となつた蒸気は循環系３１
０を通り再び水蒸気発生部１１１に送られる。尚
循環系入口部に疎水性膜を設置すると、スピナー
より発生するミストを除去することができるの
で、さらに効果的となる。本実施例によると、ス
ピナーを用いることで、被洗浄物表面の細かい溝
中にある水滴も除去できることから、より洗浄効
果を上げることができる。 なお、第３図において、過熱用ヒータ２０７を
洗浄・乾燥部側に設けるようにしてもよい。 実施例 ４ 第４図は、第１図の実施例の変形例である。 この実施例の蒸気洗浄装置は、水蒸気発生部１
１１の上方に凝縮洗浄部１１２を位置させ、両者
間を疎水性多孔質膜１０１よりなる隔壁で仕切つ
てある。ヒータ１０２によつて加熱され気化した
蒸気１０３は疎水性多孔質膜１０１を透過する際
に同伴するミストが除去され、高純度の蒸気とな
つて被洗浄物１０７に接触し凝縮する。そして凝
縮水によつて洗浄がなされる。被洗浄物より落下
した凝縮水１０４ａは、受け皿１１５に溜まる。 この実施例によれば、第１図の構造にくらべて
装置をコンパクトにできる。 実施例 ５ 水蒸気発生部の前段に、洗浄水中の揮発性成分
除去手段を設けた実施例について説明する。 第５図は、第１図の洗浄装置に揮発性成分除去
部５００を付設したものである。水蒸気発生部に
送られる原水５０１をヒータ５０２で加熱して沸
騰させ、原水中に含まれる揮発性成分を揮発除去
させたのち、原水入口１０５を通して水蒸気発生
部１１１に導入するようにしたものである。揮発
性成分の除去は、原水の量にもよるが通常、原水
を沸騰させたのち十数分ないし数十分も保持すれ
ば十分である。 この実施例によれば、揮発性成分及び不揮発性
成分ともに非常に少ない蒸気によつて洗浄を行う
ことができ、洗浄に対する信頼性を高めることが
できる。 実施例 ６ 第６図は、洗浄・乾燥部に真空排気口を設けた
蒸気洗浄装置の実施例を示している。蒸気洗浄時
には、ヒータ１０２によつて原水を加熱して蒸気
１０３を発生させ、疎水性多孔質膜１０１を透過
させたのち被洗浄物１０７に接触させ、凝縮させ
て凝縮水により洗浄する。洗浄が終了したならば
ヒータ１０２のほかに過熱用ヒータ２０７を作動
し疎水性多孔質膜１０１を透過した蒸気を沸点よ
りも高い温度に上昇する。なお、この実施例では
過熱用ヒータ２０７を洗浄・乾燥部６１０側に設
けているが、第３図のように蒸気発生部側に設け
てもよい。過熱水蒸気２５０は、被洗浄物表面の
凝縮水を気化して乾燥させる作用がある。但し、
過熱水蒸気２５０で乾燥するだけでは水切れが悪
い。そこで乾燥工程中、真空ポンプ６２０により
洗浄・乾燥部６１０を減圧する。これにより被洗
浄物表面の水滴が飛散しやすくなり、水切れを良
くすることができる。 以上の実施例１〜５は、いずれも洗浄液として
水を用いた場合について説明したが、有効溶剤或
はその他の薬液洗浄においても、同様に適用でき
ることはいうまでもない。 〔発明の効果〕 本発明によると、多孔質膜を透過することで同
伴するミストを完全に除去し高純度化した蒸気を
凝縮させ、該凝縮液によつて、被洗浄物の洗浄を
行なうことから、洗浄後の不純物残渣を著しく少
なくすることができる。 さらに、過熱蒸気中での乾燥工程と併用するこ
とで、同一雰囲気下での洗浄・乾燥が実施できる
ため、外部からの汚染も無く、高い洗浄効果が得
られる。さらに、膜蒸留し、不揮発性の不純物は
ほぼ完全に除去できていることから、洗浄・乾燥
後に不純物が残留することも無く、効果的な洗浄
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は、いずれも本発明の実施
例を示す概略構成図である。 １０１……疎水性多孔質膜、１０２……ヒー
タ、１０３……水蒸気、１０７……被洗浄物、１
１１……水蒸気発生部、１１２……凝縮洗浄部、
２０７……過熱用ヒータ、２５０……過熱水蒸
気、５００……揮発性成分除去部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 微多孔質膜により仕切られた洗浄液蒸気発生
   室と、洗浄処理すべき被処理物を収める蒸気洗浄
   室と、を具備する蒸気洗浄装置を使用し、洗浄液
   蒸気発生室において発生させた洗浄液蒸気を微多
   孔質膜を通して蒸気洗浄室へ移行させ、その際洗
   浄液蒸気に同伴するミストを微多孔質膜により除
   去し、該同伴ミストが除去された洗浄液蒸気を蒸
   気洗浄室内において凝縮させて被処理物表面に凝
   縮液として付着させ、該凝縮液により被処理物表
   面の洗浄を行なうことを特徴とする蒸気洗浄方
   法。 ２ 前記洗浄液は、該液中の揮発成分が前処理に
   よつて除去されていることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項に記載の蒸気洗浄方法。 ３ 前記洗浄液蒸気が純水を蒸発させて得られる
   水蒸気である場合において、前記微多孔質膜は疎
   水性微多孔質膜であることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項または第２項記載の蒸気洗浄方法。 ４ 前記被処理物が、蒸気洗浄処理の前処理とし
   て、薬液処理された半導体ウエハ、磁気デイスク
   および光デイスクのいずれかであることを特徴と
   する特許請求の範囲第３項記載の蒸気洗浄方法。 ５ 前記洗浄液蒸気が水に対して不溶性の有機溶
   剤を蒸発させて得られる蒸気である場合におい
   て、前記微多孔質膜は親水性微多孔質膜であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
   項記載の蒸気洗浄方法。 ６ 前記被処理物表面に付着される凝縮液は、該
   被処理物表面を前記蒸気が凝縮する温度に強制冷
   却することにより得られることを特徴とする特許
   請求の範囲第３項または第５項に記載の蒸気洗浄
   方法。 ７ 微多孔質膜により仕切られた洗浄液蒸気発生
   室と、洗浄乾燥処理すべき被処理物を収める蒸気
   洗浄乾燥室と、を具備する蒸気洗浄乾燥装置を使
   用し、洗浄液蒸気発生室において発生した洗浄液
   蒸気を微多孔質膜を通して蒸気洗浄乾燥質へ移行
   させ、その際洗浄液蒸気に同伴するミストを微多
   孔質膜により除去し、該同伴ミストが除去された
   洗浄液蒸気を蒸気洗浄乾燥室内において凝縮させ
   て被処理物表面に凝縮液として付着させ、該凝縮
   液により被処理物表面の洗浄を行ない、次いで乾
   燥手段を用いて乾燥を行なうことを特徴とする蒸
   気洗浄乾燥方法。 ８ 前記乾燥手段は、洗浄液蒸気を過熱蒸気にす
   る加熱手段であり、該過熱蒸気により乾燥を行な
   うことを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載
   の蒸気洗浄乾燥方法。 ９ 前記乾燥手段は、被処理物を装着するように
   した回転体からなるスピナーであり、該スピナー
   の高速回転により被処理表面に付着する凝縮液を
   遠心力を利用して飛散させ乾燥を行なうことを特
   徴とする特許請求の範囲第７項記載の蒸気洗浄乾
   燥方法。 １０ 前記乾燥手段は、洗浄液蒸気を過熱蒸気に
   する加熱手段および被処理物を装着するようにし
   た回転体からなるスピナーの組合せであり、過熱
   蒸気による乾燥とスピナーの高速回転により被処
   理物表面に付着する凝縮液を遠心力を利用して飛
   散させる乾燥とを併用したことを特徴とする特許
   請求の範囲第７項記載の蒸気洗浄乾燥方法。 １１ 洗浄用液体を収容する洗浄液槽および該槽
   内の液体を加熱して洗浄液蒸気を発生するための
   加熱手段を有する洗浄蒸気発生室と、該洗浄蒸気
   発生室に隣接して配設され、洗浄処理すべき被処
   理物を収容し該被処理物表面を洗浄蒸気の凝縮液
   により洗浄する蒸気洗浄乾燥室と、を具備し、洗
   浄蒸気発生室と蒸気洗浄乾燥室との間を洗浄蒸気
   発生室にて発生した洗浄液蒸気に同伴するミスト
   を透過させない微多孔性膜で仕切るとともに、蒸
   気洗浄乾燥室には被処理物表面に付着する洗浄液
   蒸気の凝縮液の乾燥により除去するための乾燥手
   段を設けたことを特徴とする蒸気洗浄乾燥装置。 １２ 前記被処理物表面を洗浄する凝縮液を得る
   手段として、被処理物表面を蒸気が凝縮する温度
   に強制冷却する手段を設けたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１１項記載の蒸気洗浄乾燥装置。 １３ 前記乾燥手段は、洗浄液蒸気を加熱手段に
   より過熱蒸気とし、該過熱蒸気を用いて乾燥を行
   なうものであることを特徴とする特許請求の範囲
   第１１項記載の蒸気洗浄乾燥装置。 １４ 前記乾燥手段は、被処理物を装着するよう
   にした回転体からなるスピナーであり、該スピナ
   ーの高速回転により被処理物表面に付着する凝縮
   液を遠心力を利用して飛散させ乾燥を行なうもの
   であることを特徴とする特許請求の範囲第１１項
   記載の蒸気洗浄乾燥装置。 １５ 前記蒸気洗浄乾燥室には、洗浄処理中、該
   室内を蒸気飽和状態に保つための不凝縮性ガス抽
   気手段が付設されていることを特徴とする特許請
   求の範囲第１１項記載の蒸気洗浄乾燥装置。