JPH0543168B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0543168B2 JPH0543168B2 JP59079008A JP7900884A JPH0543168B2 JP H0543168 B2 JPH0543168 B2 JP H0543168B2 JP 59079008 A JP59079008 A JP 59079008A JP 7900884 A JP7900884 A JP 7900884A JP H0543168 B2 JPH0543168 B2 JP H0543168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- sensitive body
- alignment
- exposure
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は原板の像を記録体上に投影する光学装
置に関し、特にフオトマスクやレチクル（以下、
両者を総称してマスクと云う）の集積回路パター
ンをフオトレジスト層を具えたウエハに投影露光
するに先立つて、マスクのウエハを高精度でアラ
イメントするに適した光学装置に関する。
置に関し、特にフオトマスクやレチクル（以下、
両者を総称してマスクと云う）の集積回路パター
ンをフオトレジスト層を具えたウエハに投影露光
するに先立つて、マスクのウエハを高精度でアラ
イメントするに適した光学装置に関する。
（従来技術）
近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、集積
回路パターンの焼付け用として、高解像の投影レ
ンズを搭載したいわゆるステツパーシステムが盛
んに用いられるようになつて来た。ステツパーに
搭載される投影レンズは通常10×10〜15×15mm2の
比較的小さな画面サイズしか有しておらず、５〜
６インチをウエハ全面にパターンの露光を行う為
には、マスク、ウエハのアライメントと露光とを
繰り返して多数回行わなければならない。従つて
ステツパーシステムにおいては装置のスループツ
トを上げる為に、いかに高速にかつ高精度なアラ
イメントを行うかが重要な技術的課題となる。高
精度なアライメントを行うには焼付け用投影レン
ズを通してアライメントパターンの結像を行う方
法が最も確実である。ただしこの時、焼付け露光
とアライメントは異なる波長で行われるのが望ま
しい。
回路パターンの焼付け用として、高解像の投影レ
ンズを搭載したいわゆるステツパーシステムが盛
んに用いられるようになつて来た。ステツパーに
搭載される投影レンズは通常10×10〜15×15mm2の
比較的小さな画面サイズしか有しておらず、５〜
６インチをウエハ全面にパターンの露光を行う為
には、マスク、ウエハのアライメントと露光とを
繰り返して多数回行わなければならない。従つて
ステツパーシステムにおいては装置のスループツ
トを上げる為に、いかに高速にかつ高精度なアラ
イメントを行うかが重要な技術的課題となる。高
精度なアライメントを行うには焼付け用投影レン
ズを通してアライメントパターンの結像を行う方
法が最も確実である。ただしこの時、焼付け露光
とアライメントは異なる波長で行われるのが望ま
しい。
例えば露光は超高圧水銀灯の遠紫外光で行い、
アライメントは高輝度照明の得られるレーザ光を
使つて自動アライメントを行う場合や、アライメ
ント光によるレジストの感光をさける為にアライ
メント光の波長を露光波長とは異なる、非感体波
長にする場合が有る。露光とアライメント光を別
波長で行う方法としては例えば、露光波長（λ1）
とアライメント波長（λ2）の２波長について収差
補正した投影レンズを使うことが考えられる。し
かしこのようにした場合のピント位置の波長依存
性は第３図に示すような特性になり、波長λ1にお
ける曲線の傾きが大きくなる。即ち第３図の横座
標を正規のピント位置とすると、波長λ1とλ2でピ
ントが合うことになるが、λ1の位置から少しでも
外れるとピント位置が大きく変化するので、露光
用光源のスペクトルの広がりが大きい場合、投影
レンズの像性能は劣化する。これを避けるために
は第４図の実線Ａに示すピント位置曲線になるよ
うにして波長のずれがあまりピントの移動を引起
こさない様に収差補正するのが一法であるが、ア
ライメント波長λ2のピント位置が大きくずれると
いう問題が発生する。この問題を回避する為に、
アライメント時にウエハを上下してピントを取り
直す方法も考えられるが、この時ウエハの横ずれ
が生じやすく、アライメント精度を維持すること
が難しい。
アライメントは高輝度照明の得られるレーザ光を
使つて自動アライメントを行う場合や、アライメ
ント光によるレジストの感光をさける為にアライ
メント光の波長を露光波長とは異なる、非感体波
長にする場合が有る。露光とアライメント光を別
波長で行う方法としては例えば、露光波長（λ1）
とアライメント波長（λ2）の２波長について収差
補正した投影レンズを使うことが考えられる。し
かしこのようにした場合のピント位置の波長依存
性は第３図に示すような特性になり、波長λ1にお
ける曲線の傾きが大きくなる。即ち第３図の横座
標を正規のピント位置とすると、波長λ1とλ2でピ
ントが合うことになるが、λ1の位置から少しでも
外れるとピント位置が大きく変化するので、露光
用光源のスペクトルの広がりが大きい場合、投影
レンズの像性能は劣化する。これを避けるために
は第４図の実線Ａに示すピント位置曲線になるよ
うにして波長のずれがあまりピントの移動を引起
こさない様に収差補正するのが一法であるが、ア
ライメント波長λ2のピント位置が大きくずれると
いう問題が発生する。この問題を回避する為に、
アライメント時にウエハを上下してピントを取り
直す方法も考えられるが、この時ウエハの横ずれ
が生じやすく、アライメント精度を維持すること
が難しい。
従来より、露光々とアライメント光の波長に差
異があつてピントずれが生ずる場合、投影レンズ
内のエレメントレンズを別のレンズと交換して補
正する方法が特公昭55−10884号で知られている。
しかしレンズを正しい位置に傾きが生じない様に
光軸を一致させて交換し、且つステツパーの様に
頻繁に交換を行うことは機構部に著しい負担を掛
けるため、経年変化に関して不安が残る。他方、
アライメントは投影レンズを通すことなく露光位
置以外の所で実施する方法が行われているが、精
度の点で投影レンズを介してアライメントする方
が望ましい。従つてIBM Technical Disclosuke
Bulletin、Vol.18、No.２、July 1975の385、386
頁に提案されている様に露光々とアライメント光
の波長を同一とし、アライメント光が実素子パタ
ーンの転写される領域を露光しない様に制限する
方法が採用されているが、フオトレジスト層の露
光波長に対する吸収率が高い場合、ウエハから戻
る光が少なくなつてアライメントに差し支える場
合がある。
異があつてピントずれが生ずる場合、投影レンズ
内のエレメントレンズを別のレンズと交換して補
正する方法が特公昭55−10884号で知られている。
しかしレンズを正しい位置に傾きが生じない様に
光軸を一致させて交換し、且つステツパーの様に
頻繁に交換を行うことは機構部に著しい負担を掛
けるため、経年変化に関して不安が残る。他方、
アライメントは投影レンズを通すことなく露光位
置以外の所で実施する方法が行われているが、精
度の点で投影レンズを介してアライメントする方
が望ましい。従つてIBM Technical Disclosuke
Bulletin、Vol.18、No.２、July 1975の385、386
頁に提案されている様に露光々とアライメント光
の波長を同一とし、アライメント光が実素子パタ
ーンの転写される領域を露光しない様に制限する
方法が採用されているが、フオトレジスト層の露
光波長に対する吸収率が高い場合、ウエハから戻
る光が少なくなつてアライメントに差し支える場
合がある。
（目的）
本発明は露光とアライメントで波長を変えるこ
とを可能とし、且つ投影レンズを通して高精度か
つ高速度のアライメントを達成することを目的と
する。
とを可能とし、且つ投影レンズを通して高精度か
つ高速度のアライメントを達成することを目的と
する。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面に従つて説明す
る。
る。
第１図は本発明に係る露光装置の一実施例の説
明図である。１は超高圧水銀灯等のレジスト露光
用光源、２は光源１からの光束によりマスクを一
様に証明するための照明光学系、４は集積回路作
製の為のパターンが形成されまたアライメントマ
ークを左右に具えたマスク、５はマスクパターン
の結像を行う投影光学系で、例えば縮小投影レン
ズである。６と６′は例えば厚さを異にする平行
平面板等のピント補正用光学部材で、投影光路特
に投影光学系５とフオトレジストが塗布されたウ
エハ７との間に交換的に挿着する。後述の様にア
ライメント波長の光に対して薄い光学部材６を挿
入した時のピントの位置が露光波長の光に対して
厚い光学部材６′を挿入した時のピントの位置に
一致する。
明図である。１は超高圧水銀灯等のレジスト露光
用光源、２は光源１からの光束によりマスクを一
様に証明するための照明光学系、４は集積回路作
製の為のパターンが形成されまたアライメントマ
ークを左右に具えたマスク、５はマスクパターン
の結像を行う投影光学系で、例えば縮小投影レン
ズである。６と６′は例えば厚さを異にする平行
平面板等のピント補正用光学部材で、投影光路特
に投影光学系５とフオトレジストが塗布されたウ
エハ７との間に交換的に挿着する。後述の様にア
ライメント波長の光に対して薄い光学部材６を挿
入した時のピントの位置が露光波長の光に対して
厚い光学部材６′を挿入した時のピントの位置に
一致する。
ウエハ７にはマスク４のアライメントマークと
組合うマークが設けられており、８はウエハ７を
載置してアライメントのための移動とステツプア
ンドリピート運動を行うステージである。９はア
ライメント用の光学系で、１０はヘリウム・ネオ
ンレーザの様なアライメント用光源、１１はアラ
イメントマークの位置ずれを検出する光電検出装
置である。
組合うマークが設けられており、８はウエハ７を
載置してアライメントのための移動とステツプア
ンドリピート運動を行うステージである。９はア
ライメント用の光学系で、１０はヘリウム・ネオ
ンレーザの様なアライメント用光源、１１はアラ
イメントマークの位置ずれを検出する光電検出装
置である。
アライメント用光源１０及びアライメント用光
学系９により、マスク４上にアライメントマーク
とウエハ７上のアライメントマークが投影光学系
５及び光学部材６を通して同時に観察又は計測さ
れ、その結果に基づいて、マスク４又はステージ
８の移動により両者の位置合わせが行われる。こ
の時、高精度に位置合わせを行う為に、アライメ
ントマークが形成されているマスク面とウエハ面
とは、投影光学系５及び光学部材６より成る光学
系について完全に共役な位置関係になるように配
置されている。位置合わせが終了する光学部材６
が光路外に移動され、代りに光学部材６′が光路
中に挿入される。次に不図示のシヤツタが開くと
露光用光源１の光で照明光学系２を通してマスク
４が照射され、マスク４上の集積回路パターンが
ウエハ７上に転写される。光学部材６及び６′は
例えば平行平面板を用いることができる。光学部
材６及び６′の板厚差をΔd、屈折率をＮとする
と、平行平面板は(1)式で示されるようなピント補
正能力を有することは良く知られている。
学系９により、マスク４上にアライメントマーク
とウエハ７上のアライメントマークが投影光学系
５及び光学部材６を通して同時に観察又は計測さ
れ、その結果に基づいて、マスク４又はステージ
８の移動により両者の位置合わせが行われる。こ
の時、高精度に位置合わせを行う為に、アライメ
ントマークが形成されているマスク面とウエハ面
とは、投影光学系５及び光学部材６より成る光学
系について完全に共役な位置関係になるように配
置されている。位置合わせが終了する光学部材６
が光路外に移動され、代りに光学部材６′が光路
中に挿入される。次に不図示のシヤツタが開くと
露光用光源１の光で照明光学系２を通してマスク
４が照射され、マスク４上の集積回路パターンが
ウエハ７上に転写される。光学部材６及び６′は
例えば平行平面板を用いることができる。光学部
材６及び６′の板厚差をΔd、屈折率をＮとする
と、平行平面板は(1)式で示されるようなピント補
正能力を有することは良く知られている。
ΔS＝Ｎ−１／ＮΔd (1)
露光用波長λ1とアライメントλ2とが異なること
によつて生ずるピント誤差を補正するべく、平行
平面板６及び６′の板厚差を設定する。この時の
ピント位置の波長依存性を第４図に示す。曲線Ａ
が露光時の特性、曲線Ｂがアライメント時の特性
を表わす。これにより、露光が行われる時も、マ
スク面とウエハ面は完全に共役な位置関係に配置
されることになり、高解像なパターンの転写が可
能となる。また平行平面板は光軸方向及び光軸に
垂直な方向に移動しても光学系の結像性能に影響
を与えないという性質を持つているので、これら
の切換えに高い位置精度は必要でない。従つて高
速度な切換え動作を行わせることが出来、装置の
スループツトを向上させることができる。
によつて生ずるピント誤差を補正するべく、平行
平面板６及び６′の板厚差を設定する。この時の
ピント位置の波長依存性を第４図に示す。曲線Ａ
が露光時の特性、曲線Ｂがアライメント時の特性
を表わす。これにより、露光が行われる時も、マ
スク面とウエハ面は完全に共役な位置関係に配置
されることになり、高解像なパターンの転写が可
能となる。また平行平面板は光軸方向及び光軸に
垂直な方向に移動しても光学系の結像性能に影響
を与えないという性質を持つているので、これら
の切換えに高い位置精度は必要でない。従つて高
速度な切換え動作を行わせることが出来、装置の
スループツトを向上させることができる。
尚、ピント補正用の光学部材は投影光学系とマ
スクの間に配置しても良いが、縮小投影の場合、
２枚の光学部材の光路差は倍率の逆数の２乗に比
例するため平行板の厚さがかなり厚くなり、他
方、転写視野もウエハ側に比して大きいので交換
の容易さを考慮すれば投影光学系とウエハの間に
配置する方が好ましい。一方、以上の実施例でピ
ント位置のずれは補正されるが倍率の違いは残る
から、アライメントマークは正規の位置から半径
方向に微小量偏倚する。これに対処するためには
マスクのアライメントマークの位置を予め所定量
だけずらして作成しておくとか、光電検出装置が
既知の偏倚を含めて整合信号が出される様に調整
しておけば問題ないが、マスクの汎用性やアライ
メント精度を考えた場合、次の実施例を採用する
ことができる。
スクの間に配置しても良いが、縮小投影の場合、
２枚の光学部材の光路差は倍率の逆数の２乗に比
例するため平行板の厚さがかなり厚くなり、他
方、転写視野もウエハ側に比して大きいので交換
の容易さを考慮すれば投影光学系とウエハの間に
配置する方が好ましい。一方、以上の実施例でピ
ント位置のずれは補正されるが倍率の違いは残る
から、アライメントマークは正規の位置から半径
方向に微小量偏倚する。これに対処するためには
マスクのアライメントマークの位置を予め所定量
だけずらして作成しておくとか、光電検出装置が
既知の偏倚を含めて整合信号が出される様に調整
しておけば問題ないが、マスクの汎用性やアライ
メント精度を考えた場合、次の実施例を採用する
ことができる。
第２図に他の実施例を示す。１２，１２′はア
ライメント系の倍率調整用光学部材で、マスク４
及び投影光学系５の間に配置される。他の構成は
第１図の実施例と同じである。１２，１２′は単
なる平行平面板でも良く、この場合、像の横方向
移動量Ｙ（mm）は、平行平面板の傾き角θ（ラジア
ン）平行平面板の厚さｄ（mm）、平行平面 板の屈
折率Ｎとにより(2)式で表わされる。
ライメント系の倍率調整用光学部材で、マスク４
及び投影光学系５の間に配置される。他の構成は
第１図の実施例と同じである。１２，１２′は単
なる平行平面板でも良く、この場合、像の横方向
移動量Ｙ（mm）は、平行平面板の傾き角θ（ラジア
ン）平行平面板の厚さｄ（mm）、平行平面 板の屈
折率Ｎとにより(2)式で表わされる。
Ｙ＝Ｎ−１／Ｎｄ・θ (2)
平行平面板の傾き角θを調整することにより、ア
ライメント光学系の倍率を、露光用光学系の倍率
に正確に合致させることが出来、その結果、高い
重ね合わせ精度を得ることが可能となる。
ライメント光学系の倍率を、露光用光学系の倍率
に正確に合致させることが出来、その結果、高い
重ね合わせ精度を得ることが可能となる。
倍率調整用光学部材は、マスクの実素子回路パ
ターン像を形成する結像光束の通る領域の外側に
配されるならば鏡筒等に固定することができる。
もし回路パターンとアライメントパターンが近接
していて、倍率調整用光学部材が結像光束を蹴る
時はピント補正用光学部材の交換に連動させて挿
入離脱させるものとする。
ターン像を形成する結像光束の通る領域の外側に
配されるならば鏡筒等に固定することができる。
もし回路パターンとアライメントパターンが近接
していて、倍率調整用光学部材が結像光束を蹴る
時はピント補正用光学部材の交換に連動させて挿
入離脱させるものとする。
（効果）
以上説明したように本発明は平行平面板等の簡
単な光学部材により、露光用光源の波長と異なつ
た波長のアライメント用光源の使用を可能とし、
これにより、高い解像性能、高度なアライメント
精度及び迅速な露光処理を実現するマスクパター
ン投影焼付け装置を提供し得るものである。
単な光学部材により、露光用光源の波長と異なつ
た波長のアライメント用光源の使用を可能とし、
これにより、高い解像性能、高度なアライメント
精度及び迅速な露光処理を実現するマスクパター
ン投影焼付け装置を提供し得るものである。
第１図と第２図は夫々本発明の実施例を示す光
学断面図。第３図と第４図は夫々波長とピント位
置の関係を示す図。 図中、１は露光用光源、４はマスク（原板）、
５は投影光学系、６と６′はピント補正用の光学
部材、７はウエハ（感体）、１０はアライメント
用光源、１２と１２′は倍率調整用光学部材であ
る。
学断面図。第３図と第４図は夫々波長とピント位
置の関係を示す図。 図中、１は露光用光源、４はマスク（原板）、
５は投影光学系、６と６′はピント補正用の光学
部材、７はウエハ（感体）、１０はアライメント
用光源、１２と１２′は倍率調整用光学部材であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 縮小投影光学系により原板の縮小像を感体上
に投影して感体の露光を行なう装置において、前
記光学系を用いて前記原板と前記感体の位置合せ
を行なう為のアライメント光と前記光学系を用い
て前記感体の露光を行なう為の露光光は互いに波
長が異なつており、前記原板と前記感体は前記光
学系に関して前記アライメント光と露光光の各波
長で非共役な関係にあり、位置合せ時と露光時に
前記光学系と前記感体の間に交換的に挿着する光
路長を異にした第１、第２平行平面板を備え、位
置合せ時に前記第１平行平面板を前記光学系と前
記感体の間に配することにより前記原板と前記感
体を前記アライメント光の波長で共役な関係に
し、露光時には前記第２平行平面板を前記光学系
と前記感体の間に配することにより前記原板と前
記感体を前記露光光の波長で共役な関係にするこ
とを特徴とする投影露光装置。 ２ 縮小投影光学系により原板の縮小像を感体上
に投影して感体の露光を行なう装置において、前
記光学系を用いて前記原板と前記感体の位置合せ
を行なう為のアライメント光と前記光学系を用い
て前記感体の露光を行なう為の露光光は互いに波
長が異なつており、前記原板と前記感体は前記光
学系に関して前記アライメント光と露光光の各波
長で非共役な関係にあり、位置合せ時と露光時に
前記光学系と前記感体の間に交換的に挿着する光
路長を異にした第１、第２平行平面板と、位置合
せ時と露光時の前記光学系の倍率変化を補償する
べく前記原板と前記光学系の間に斜設した第３平
行平面板とを備え、位置合せ時に前記第１平行平
面板を前記光学系と前記感体の間に配することに
より前記原板と前記感体を前記アライメント波長
で共役な関係にして且つ前記第３平行平面板によ
り倍率を露光時の倍率とほぼ一致させ、露光時に
前記第２平行平面板を前記光学系と前記感体の間
に配することにより前記原板と前記感体を前記露
光光の波長で共役な関係にすることを特徴とする
投影露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079008A JPS60223122A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 投影露光装置 |
| US06/722,015 US4616130A (en) | 1984-04-19 | 1985-04-11 | Projection exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59079008A JPS60223122A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60223122A JPS60223122A (ja) | 1985-11-07 |
| JPH0543168B2 true JPH0543168B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=13677916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59079008A Granted JPS60223122A (ja) | 1984-04-19 | 1984-04-19 | 投影露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4616130A (ja) |
| JP (1) | JPS60223122A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706093A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-10 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for aligning a mask and a workpiece |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4708484A (en) * | 1984-10-24 | 1987-11-24 | Hitachi, Ltd. | Projection alignment method and apparatus |
| US4703185A (en) * | 1984-12-20 | 1987-10-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Arrangement for optical imaging of two subjects located in different object planes |
| JPS61236116A (ja) * | 1985-04-12 | 1986-10-21 | Hitachi Ltd | 縮小投影式アライメント方法 |
| US4795244A (en) * | 1985-09-20 | 1989-01-03 | Nikon Corporation | Projection type exposure apparatus |
| US5137363A (en) * | 1986-06-04 | 1992-08-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus |
| US5171999A (en) * | 1989-02-28 | 1992-12-15 | Nikon Corporation | Adjustable beam and interference fringe position |
| US5070250A (en) * | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
| JPH0574684A (ja) * | 1991-09-13 | 1993-03-26 | Nikon Corp | 位置合わせ装置 |
| JP2994991B2 (ja) * | 1995-09-19 | 1999-12-27 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの位置合わせ方法および装置 |
| EP1030222B1 (en) * | 1999-02-18 | 2006-01-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
| TW405062B (en) | 1999-02-18 | 2000-09-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus |
| US6278116B1 (en) * | 1999-08-09 | 2001-08-21 | United Microelectronics Corp. | Method of monitoring deep ultraviolet exposure system |
| EP1396761A3 (en) * | 2002-08-29 | 2008-12-10 | ASML Netherlands B.V. | An alignment tool, a lithographic apparatus, an alignment method and a device manufacturing method |
| EP1394616A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-03 | ASML Netherlands BV | An alignment tool, a lithographic apparatus, an alignment method and a device manufacturing method |
| EP1492325A1 (de) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Agfa-Gevaert AG | Vorrichtung und Verfahren zum Aufbelichten von in einzelne Pixel aufgeteilten Bildinformationen auf lichtempfindliches Material |
| US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
| CN104155850B (zh) * | 2013-05-13 | 2017-06-27 | 上海微电子装备有限公司 | 用于光刻设备的正面与背面对准测量装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3897138A (en) * | 1971-11-24 | 1975-07-29 | Canon Kk | Projection lens for mask pattern printing |
| DE2845603C2 (de) * | 1978-10-19 | 1982-12-09 | Censor Patent- und Versuchs-Anstalt, 9490 Vaduz | Verfahren und Einrichtung zum Projektionskopieren |
| JPS56110234A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-01 | Canon Inc | Projection printing device |
-
1984
- 1984-04-19 JP JP59079008A patent/JPS60223122A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-11 US US06/722,015 patent/US4616130A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0706093A1 (en) * | 1994-10-06 | 1996-04-10 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for aligning a mask and a workpiece |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60223122A (ja) | 1985-11-07 |
| US4616130A (en) | 1986-10-07 |
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