JPH0544155B2 - - Google Patents
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- JPH0544155B2 JPH0544155B2 JP61311075A JP31107586A JPH0544155B2 JP H0544155 B2 JPH0544155 B2 JP H0544155B2 JP 61311075 A JP61311075 A JP 61311075A JP 31107586 A JP31107586 A JP 31107586A JP H0544155 B2 JPH0544155 B2 JP H0544155B2
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパルス電圧の印加により発光する電場
発光素子(以下、EL素子と記す)の発光駆動回
路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a light emission drive circuit for an electroluminescent element (hereinafter referred to as an EL element) that emits light by applying a pulse voltage.
従来の技術
従来よりEL素子にパルス電圧を印加して発光
させるEL素子の発光駆動回路は、例えば特公昭
52ー45466号公報等、種々知られている。Conventional technology Conventionally, a light emitting drive circuit for an EL element that applies a pulse voltage to the EL element to emit light has been developed, for example, by
Various methods are known, such as Japanese Patent No. 52-45466.
上記公報に開示された発光駆動回路は、その略
電気回路図を第4図に示したように、2つのスイ
ツチ素子であるトランジスタTr1、Tr2および
Tr3、Tr4を直列接続した第1、第2のスイツチ
回路1,2を電源Eに対して並列接続すると共
に、EL素子3を第1、第2のスイツチ回路1,
2の2つのトランジスタTr1、Tr2およびTr3、
Tr4の接続点A、B間に接続し、さらに上記トラ
ンジスタTr1、Tr2およびTr3、Tr4にパルス電圧
を適宜タイミングで印加する制御手段4,5を備
え、かかる制御手段4,5により上記4つのトラ
ンジスタTr1〜Tr4の導通タイミングを制御し、
電源Eの電圧を逆方向にパルス的にEL素子3に
供給し、発光させるものである。 The light emitting drive circuit disclosed in the above publication has two switch elements, transistors Tr 1 , Tr 2 and
The first and second switch circuits 1 and 2 in which Tr 3 and Tr 4 are connected in series are connected in parallel to the power supply E, and the EL element 3 is connected to the first and second switch circuits 1 and 2 in series.
2 two transistors Tr 1 , Tr 2 and Tr 3 ,
Control means 4 and 5 are connected between the connection points A and B of Tr 4 and further apply pulse voltages to the transistors Tr 1 , Tr 2 and Tr 3 , Tr 4 at appropriate timing. The conduction timing of the four transistors Tr 1 to Tr 4 is controlled by
The voltage of the power source E is supplied to the EL element 3 in a pulsed manner in the opposite direction to cause it to emit light.
発明が解決しようとする問題点
上述した発光駆動回路は、EL素子3の両端に
対して電源Eの出力電圧を正逆方向に印加できる
ことになり、一般的には有利となるが、高電圧が
簡単に得られる装置に対しての使用、即ち電圧印
加を一方向だけとするいわゆる直流パルス駆動さ
せたい場合を考えてみると、上記電源電圧を正逆
方向に印加するいわゆる交流パルス駆動構成は、
逆にコストアツプ、装置の複雑化の一因となつて
しまう恐れがある。Problems to be Solved by the Invention The above-described light emitting drive circuit can apply the output voltage of the power source E to both ends of the EL element 3 in the forward and reverse directions, which is generally advantageous, but the high voltage Considering the use of a device that can be easily obtained, that is, the case where it is desired to perform so-called DC pulse drive in which voltage is applied only in one direction, the so-called AC pulse drive configuration in which the power supply voltage is applied in forward and reverse directions is as follows.
On the contrary, it may become a cause of increased cost and complexity of the device.
また、トランジスタTr1、Tr2およびTr3、Tr4
に制御手段4,5から印加されるパルス電圧の供
給タイミングによつては、上記4つのトランジス
タTr1〜Tr4が同時に導通し、破壊されてしまう
恐れがある。 Also, transistors Tr 1 , Tr 2 and Tr 3 , Tr 4
Depending on the supply timing of the pulse voltages applied from the control means 4 and 5, the four transistors Tr 1 to Tr 4 may become conductive at the same time and be destroyed.
本発明は上記のような点を考慮してなしたもの
で、電源に対してスイツチ素子が直接接続される
ことのない、かつEL素子の直流パルス駆動に適
した構成の簡単なEL素子の発光駆動回路を提供
することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of the above-mentioned points, and is a light emitting device of an EL element with a simple configuration suitable for direct current pulse drive of the EL element, without the switch element being directly connected to the power source. The purpose is to provide a drive circuit.
問題点を解決するための手段
本発明によるEL素子の発光駆動回路は、電源
の両端に接続される第1のスイツチ素子、ダイオ
ード、第2のスイツチ素子を直列接続してなるス
イツチ回路と、上記電源と上記第1のスイツチ素
子の制御極との間に接続される上記第1のスイツ
チ素子のゲート手段と、上記制御極と上記ダイオ
ードのカソード間とを接続し上記ダイオードに生
じる降下電圧で上記制御極を逆バイアスする逆バ
イアス手段と、上記第2のスイツチ素子の制御極
と接続され上記第2のスイツチ素子の導通、非導
通を制御する制御回路とからなり、上記第1のス
イツチ素子の両端にEL素子を接続することを特
徴とする。Means for Solving the Problems The light emission driving circuit for an EL element according to the present invention includes a switch circuit formed by connecting in series a first switch element, a diode, and a second switch element connected to both ends of a power supply, and the above-mentioned switch circuit. The gate means of the first switch element is connected between the power supply and the control pole of the first switch element, and the control pole is connected between the cathode of the diode, and the drop voltage generated across the diode is The circuit comprises a reverse bias means for reverse biasing the control pole, and a control circuit connected to the control pole of the second switch element to control conduction or non-conduction of the second switch element, It is characterized by connecting an EL element to both ends.
作 用
本発明によるEL素子の発光駆動回路は上記の
ように簡単な構成を有すると共に、スイツチ回路
の第2のスイツチ素子が導通すると、EL素子、
ダイオードを介して電流が流れ、EL素子が発光
しこの時、ダイオードに発生する降下電圧にて第
1のスイツチ素子の制御極は逆バイアスされ、必
ず非導通状態となる。Function The light emitting drive circuit for the EL element according to the present invention has a simple configuration as described above, and when the second switch element of the switch circuit becomes conductive, the EL element
A current flows through the diode, causing the EL element to emit light. At this time, the control pole of the first switch element is reverse biased by the voltage drop generated across the diode, and is always in a non-conducting state.
その後、第2のスイツチ素子が非導通になる
と、EL素子の充電電荷によつて第1のスイツチ
素子が導通することになり、EL素子の充電電荷
は放出され、EL素子は発光する。 Thereafter, when the second switch element becomes non-conductive, the first switch element becomes conductive due to the charge in the EL element, the charge in the EL element is discharged, and the EL element emits light.
尚、EL素子の充電電荷が放出されてしまうと
第1のスイツチ素子は導通を維持できず、非導通
状態となる。 Note that if the charge charged in the EL element is discharged, the first switch element cannot maintain conduction and becomes non-conductive.
実施例
第1図は本発明によるEL素子の発光駆動回路
の一実施例を示す電気回路図であり、図中、第4
図と同図番、同符号のものは同一機能部材を示し
ている。Embodiment FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an embodiment of the light emission driving circuit for an EL element according to the present invention.
The same figure numbers and symbols as in the figures indicate the same functional members.
第1図からも明らかなように、本実施例におい
ては、第1のスイツチ素子であるトランジスタ
7、ダイオード8、第2のスイツチ素子であるト
ランジスタ9からなるスイツチ回路6が電源Eの
両端に接続されている。 As is clear from FIG. 1, in this embodiment, a switch circuit 6 consisting of a transistor 7 as a first switch element, a diode 8, and a transistor 9 as a second switch element is connected to both ends of a power supply E. has been done.
スイツチ回路6の第1のスイツチ素子であるト
ランジスタ7の制御極と電源Eとの間には、抵抗
11からなるトランジスタ7のゲート手段10が
接続されている。 A gate means 10 of the transistor 7 consisting of a resistor 11 is connected between the control pole of the transistor 7, which is the first switch element of the switch circuit 6, and the power supply E.
また、上記トランジスタ7の制御極は、このト
ランジスタ7と直列接続されたダイオード8のカ
ソードと給電絡13によつて接続されている。従
つて、ダイオード8に電流が流れると、その降下
電圧が上記給電路13を介してトランジスタ7の
制御極を逆バイアスすることになる。 Further, the control pole of the transistor 7 is connected to the cathode of a diode 8 connected in series with the transistor 7 through a power supply circuit 13. Therefore, when current flows through the diode 8, the resulting voltage drop reverse biases the control pole of the transistor 7 via the power supply path 13.
即ち、上記給電路13は逆バイアス手段12を
形成する。 That is, the power supply path 13 forms the reverse bias means 12.
スイツチ回路6の第2のスイツチ素子であるト
ランジスタ9の制御極は、パルス信号を出力する
発振器15、抵抗16,17からなる制御回路1
4と接続されている。EL素子3は、スイツチ回
路6の第1のスイツチ素子であるトランジスタ7
の両端に接続されている。 The control pole of the transistor 9, which is the second switch element of the switch circuit 6, is connected to the control circuit 1, which includes an oscillator 15 that outputs a pulse signal, and resistors 16 and 17.
4 is connected. The EL element 3 is a transistor 7 which is the first switch element of the switch circuit 6.
connected to both ends.
以下、上記のような構成からなる一実施例の動
作について説明する。 The operation of one embodiment having the above configuration will be described below.
今、電源Eより所定電圧が出力されると共に制
御回路14の発振器15より高レベルの信号が出
力されると、この高レベル信号は抵抗16,17
を介してトランジスタ9の制御極に供給され、従
つて、トランジスタ9は導通状態になり、電源E
よりEL素子3、ダイオード8、トランジスタ9
を介して電流が流れ、EL素子3は発光する。 Now, when a predetermined voltage is output from the power supply E and a high level signal is output from the oscillator 15 of the control circuit 14, this high level signal is transmitted to the resistors 16 and 17.
is supplied to the control pole of transistor 9 via
EL element 3, diode 8, transistor 9
A current flows through the EL element 3, and the EL element 3 emits light.
この時、ダイオード8に流れる電流により発生
する降下電圧は、逆バイアス手段12である給電
路13を介してトランジスタ7の制御極に印加さ
れ、この制御極を逆バイアスし、従つてトランジ
スタ7は非導通に制御される。 At this time, the voltage drop generated by the current flowing through the diode 8 is applied to the control pole of the transistor 7 via the power supply line 13, which is a reverse bias means 12, and reverse biases this control pole, so that the transistor 7 is turned off. Conduction is controlled.
また、この時、抵抗11を介して電流が流れる
が、抵抗11の抵抗値の適宜の設定により特に問
題は生じない。 Further, at this time, although current flows through the resistor 11, no particular problem occurs as long as the resistance value of the resistor 11 is appropriately set.
一方、EL素子3の充電特性を考慮した適宜時
間後、発振器15の出力する信号レベルが低レベ
ルに反転すると、この低レベル信号は抵抗16,
17を介してトランジスタ9の制御極に供給さ
れ、トランジスタ9は非導通となる。 On the other hand, when the signal level output from the oscillator 15 is reversed to a low level after an appropriate period of time taking into consideration the charging characteristics of the EL element 3, this low level signal is transmitted to the resistor 16,
17 to the control pole of transistor 9, transistor 9 becomes non-conductive.
従つて、電源Eの接続が遮断されると共にダイ
オード8に発生する降下電圧によるトランジスタ
7の逆バイアス状態が解除されることになる。 Therefore, the connection to the power source E is cut off, and the reverse bias state of the transistor 7 due to the voltage drop generated across the diode 8 is released.
この結果、トランジスタ7はEL素子3の充電
電荷のゲート手段10である抵抗11、トランジ
スタ7のベース・エミツタ間を介しての放電によ
り導通し、上記EL素子3の充電電荷を放電する
ことになり、この時、EL素子は発光する。 As a result, the transistor 7 becomes conductive through discharge between the base and emitter of the transistor 7 and the resistor 11 which is the gate means 10 for the charge charged in the EL element 3, thereby discharging the charge charged in the EL element 3. , at this time, the EL element emits light.
EL素子3の充電電荷の放電が進むと、ゲート
手段10に供給されるエネルギーが減少し、任意
の時点でトランジスタ7は自然に非導通状態に制
御されることになる。 トランジスタ7が非導通
になされた後、発振器15の出力信号レベルを高
レベルになすと、先に述べたようなトランジスタ
9の導通によるEL素子3の充電、発光動作が行
なわれることになる。 As the discharge of the charge in the EL element 3 progresses, the energy supplied to the gate means 10 decreases, and the transistor 7 is naturally controlled to be non-conductive at any given time. When the output signal level of the oscillator 15 is set to a high level after the transistor 7 is made non-conductive, the EL element 3 is charged and emitted light by the conduction of the transistor 9 as described above.
以降、発振器15の出力レベルを低あるいは高
レベルに切換えることにより、上述したような動
作が繰り返されることに、即ち、EL素子3は直
流パルス駆動され、所望の発光動作を行なうこと
になる。 Thereafter, by switching the output level of the oscillator 15 to a low or high level, the above-described operation is repeated, that is, the EL element 3 is driven by a DC pulse and performs the desired light emitting operation.
以上述べたように、第1図に示した実施例は、
EL素子3へのエネルギー供給をトランジスタ7
とトランジスタ9の2個のスイツチ素子で制御す
る簡単な構成であると共に、制御回路14により
トランジスタ9が導通している時には、ダイオー
ド8に発生する降下電圧にてトランジスタ7は逆
バイアスされ必ず非導通に制御され、逆にトラン
ジスタ9が非導通になると、EL素子3の充電電
荷により初めてトランジスタ7は導通できること
になり、両トランジスタ7および9が同時に導通
し、電源Eの両端に接続されることはない。 As mentioned above, the embodiment shown in FIG.
Transistor 7 supplies energy to EL element 3
It has a simple configuration that is controlled by two switch elements, ie, transistor 9 and transistor 9. When transistor 9 is conductive by control circuit 14, transistor 7 is reverse biased by the voltage drop generated in diode 8, and is always non-conductive. conversely, when transistor 9 becomes non-conductive, transistor 7 becomes conductive for the first time due to the charge in EL element 3, and it is impossible for both transistors 7 and 9 to become conductive at the same time and to be connected to both ends of power supply E. do not have.
第2図は本発明によるEL素子の発光駆動回路
の他の実施例を示す電気回路図であり、図中、第
1図と同図番、同符号のものは同一機能部材を示
している。 FIG. 2 is an electric circuit diagram showing another embodiment of the light emitting driving circuit for an EL element according to the present invention, and in the figure, the same numbers and symbols as in FIG. 1 indicate the same functional members.
この実施例は図面からも明らかなように、先の
実施例においてはトランジスタを使用していた第
1のスイツチ素子を、サイリスタ18に置換した
実施例である
従つて、その動作は以下に述べるが基本的には
先の実施例と同一となる。 As is clear from the drawings, this embodiment is an embodiment in which the first switch element, which used a transistor in the previous embodiment, is replaced with a thyristor 18. Therefore, its operation will be described below. Basically, it is the same as the previous embodiment.
今、制御回路14の発振器15より高レベルの
信号が出力されると、この高レベル信号は抵抗1
6,17を介してトランジスタ9に供給され、従
つてこのトランジスタ9は導通状態となり電源E
よりEL素子3、ダイオード8、トランジスタ9
を介して電流が流れ、EL素子3は発光する。 Now, when a high level signal is output from the oscillator 15 of the control circuit 14, this high level signal is transmitted to the resistor 1.
6 and 17 to the transistor 9, and therefore, this transistor 9 becomes conductive and the power supply E
EL element 3, diode 8, transistor 9
A current flows through the EL element 3, and the EL element 3 emits light.
この時、ダイオード8に流れる電流により発生
する降下電圧は、逆バイアス手段12である給電
路13を介してサイリスタ18の制御極に印加さ
れ、この制御極を逆バイアスし、従つてこのサイ
リスタ18は非導通に制御される。 At this time, the voltage drop generated by the current flowing through the diode 8 is applied to the control pole of the thyristor 18 via the power supply line 13, which is the reverse bias means 12, and reverse biases this control pole, so that the thyristor 18 Controlled to be non-conductive.
またこの時、第1のスイツチ素子であるサイリ
スタ18のゲート手段10を形成する抵抗19,
20を介して電流が流れるが、両抵抗19,20
の抵抗値を適宜設定することにより特に問題は生
じない。 At this time, the resistor 19 forming the gate means 10 of the thyristor 18, which is the first switch element,
Current flows through 20, but both resistors 19 and 20
No particular problem arises by appropriately setting the resistance value.
一方、EL素子3の充電特性を考慮した適宜時
間後、発振器15の出力する信号レベルが低レベ
ルに反転すると、トランジスタ9が非導通に制御
されることになる。 On the other hand, when the signal level output from the oscillator 15 is reversed to a low level after an appropriate period of time taking into consideration the charging characteristics of the EL element 3, the transistor 9 is controlled to be non-conductive.
すると、ダイオード8に発生する降下電圧によ
るサイリスタ18の制御極の逆バイアス状態が解
除される。 Then, the reverse bias state of the control pole of the thyristor 18 due to the voltage drop generated in the diode 8 is released.
従つて、サイリスタ18はEL素子3のゲート手
段10、即ち、抵抗19,20を介しての放電に
より導通することになり、上記EL素子3の充電
電荷をそのアノード・カソード間を介して急峻に
放電し、EL素子3はこの時発光する。Therefore, the thyristor 18 becomes conductive by discharging through the gate means 10 of the EL element 3, that is, the resistors 19 and 20, and rapidly transfers the charge of the EL element 3 between its anode and cathode. Discharge occurs, and the EL element 3 emits light at this time.
EL素子3の充電電荷の放電によりサイリスタ
18に流れる電流が保持電流以下になると、サイ
リスタ18は非導通状態となる。 When the current flowing through the thyristor 18 becomes equal to or less than the holding current due to discharge of the charge in the EL element 3, the thyristor 18 becomes non-conductive.
以降、発振器15の出力レベルを高あるいは低
レベルに切換えることにより上述したような動作
が繰り返されることに、即ち、EL素子3は直流
パルス駆動され、所望の発光動作を行なうことに
なる。 Thereafter, by switching the output level of the oscillator 15 to a high or low level, the above-described operation is repeated, that is, the EL element 3 is driven by a DC pulse, and performs the desired light emitting operation.
尚、上記発振器15の高レベルの反転動作が
EL素子3の充電電荷のサイリスタ18を介して
の放電途上において行なわれたと仮定すると、サ
イリスタ18のゲートがダイオード8により逆バ
イアスされサイリスタ18は非導通状態へ反転し
ようとするが、場合によつては反転しきれず、従
来装置同様、サイリスタ18とトランジスタ9が
同時に導通状態になる可能性があるが、現実には
EL素子3の安定した発光動作を行なうために必
要な駆動周期に比して上記サイリスタ18を介し
ての放電期間が短かくなることから、逆バイアス
されることと合わせて特に問題は生じない。ま
た、サイリスタ18としてゲートターンオフサイ
リスタの使用も考えられる。 Note that the high-level inversion operation of the oscillator 15
Assuming that this occurs while the charge in the EL element 3 is discharging through the thyristor 18, the gate of the thyristor 18 is reverse biased by the diode 8, and the thyristor 18 attempts to reverse to a non-conducting state. cannot be completely inverted, and as with the conventional device, there is a possibility that the thyristor 18 and the transistor 9 become conductive at the same time, but in reality,
Since the discharge period through the thyristor 18 is shorter than the drive cycle required for stable light emitting operation of the EL element 3, no particular problem arises in conjunction with the fact that it is reverse biased. Further, it is also possible to use a gate turn-off thyristor as the thyristor 18.
以上の説明から明らかなように、本実施例も先
の実施例同様、EL素子3へのエネルギー供給を
2個のスイツチ素子で制御する簡単な構成である
と共に、制御回路14によりトランジスタ9が導
通している時には、ダイオード8に発生する降下
電圧にてサイリスタ18は逆バイアスされ必ず非
導通に制御され、逆にトランジスタ9が非導通に
なるとEL素子3の充電電荷により初めてサイリ
スタ18は導通できることになり、トランジスタ
9およびサイリスタ18が同時に導通し、電源E
の両端に接続されることはない。 As is clear from the above explanation, like the previous embodiment, this embodiment has a simple configuration in which the energy supply to the EL element 3 is controlled by two switch elements, and the transistor 9 is turned on by the control circuit 14. When the transistor 9 is turned off, the thyristor 18 is reverse-biased by the voltage drop generated across the diode 8 and is always controlled to be non-conductive.On the other hand, when the transistor 9 becomes non-conductive, the thyristor 18 becomes conductive for the first time due to the charge in the EL element 3. The transistor 9 and the thyristor 18 become conductive at the same time, and the power supply E
is not connected to both ends.
また、本実施例においては、第1のスイツチ素
子としてサイリスタ18を用いているため、トラ
ンジスタとサイリスタのスイツチ特性の違いによ
り先の実施例に比してEL素子3の充電電荷の放
電特性は急峻となる。 Furthermore, in this embodiment, since the thyristor 18 is used as the first switch element, the discharge characteristic of the charge charged in the EL element 3 is steeper than in the previous embodiment due to the difference in switching characteristics between the transistor and the thyristor. becomes.
第3図は本発明によるEL素子の発光駆動回路
のさらに他の実施例を示し、図中第1図、第2図
と同図番、同符号のものは同一機能部材を示す。 FIG. 3 shows still another embodiment of the light emitting driving circuit for an EL element according to the present invention, in which the same figure numbers and symbols as in FIGS. 1 and 2 indicate the same functional members.
この実施例は第3図からも明らかなように、第
2図に示した実施例にトランジスタ22、定電圧
素子であるツエナーダイオード23、上記トラン
ジスタ22のゲート手段を形成する抵抗24から
なる定電圧手段21を付加したものである。 As is clear from FIG. 3, this embodiment includes a constant voltage transistor 22, a Zener diode 23 which is a constant voltage element, and a resistor 24 forming a gate means of the transistor 22 in addition to the embodiment shown in FIG. A means 21 is added.
尚、上記トランジスタ22は電源Eとスイツチ
回路6との間に、またツエナーダイオード23は
上記トランジスタ22のベースとダイオード8の
カソード間に、さらに抵抗24は電源Eと上記ト
ランジスタ22のベースとの間に接続されてい
る。 The transistor 22 is connected between the power supply E and the switch circuit 6, the Zener diode 23 is connected between the base of the transistor 22 and the cathode of the diode 8, and the resistor 24 is connected between the power supply E and the base of the transistor 22. It is connected to the.
以下、上記のような構成からなる第3図に示し
た実施例の動作について説明する。 尚、上述し
た定電圧手段21以外の動作は第2図に示した実
施例と同一であり、その部分の説明については簡
略化する。 The operation of the embodiment shown in FIG. 3 having the above configuration will be described below. Note that the operations other than the constant voltage means 21 described above are the same as those in the embodiment shown in FIG. 2, and the explanation of those parts will be simplified.
今、電源Eより所定電圧が出力されると共に制
御回路19の発振器20より高レベルの信号が出
力されると、トランジスタ9が導通状態となる。 Now, when a predetermined voltage is output from the power supply E and a high level signal is output from the oscillator 20 of the control circuit 19, the transistor 9 becomes conductive.
従つて、電源Eより抵抗24、ツエナーダイオー
ド23、トランジスタ9のループで電流が流れる
ことになり、トランジスタ22が導通せしめら
れ、ツエナーダイオード23の両端に発生する定
電圧が上記トランジスタ22のエミツタ側に出力
される。Therefore, a current flows from the power supply E through the loop of the resistor 24, the Zener diode 23, and the transistor 9, making the transistor 22 conductive, and the constant voltage generated across the Zener diode 23 is applied to the emitter side of the transistor 22. Output.
この定電圧は、EL素子3とダイオード8ある
いは抵抗19,20等に印加されることになり、
この結果、EL素子3、ダイオード8を介して電
流が流れEL素子3は発光することになる。 This constant voltage will be applied to the EL element 3 and the diode 8 or the resistors 19 and 20, etc.
As a result, a current flows through the EL element 3 and the diode 8, causing the EL element 3 to emit light.
この時、ダイオード8に発生する降下電圧が逆
バイアス手段12である給電路13を介してサイ
リスタ18の制御極に印加されることになり、こ
のサイリスタ18は必ず非導通に制御されること
になる。尚、この時、抵抗後19,20を介して
も電流が流れるが、両抵抗19,20の抵抗値の
適宜の設定により特に問題は生じない。 At this time, the voltage drop generated in the diode 8 is applied to the control pole of the thyristor 18 via the power supply line 13, which is the reverse bias means 12, and the thyristor 18 is always controlled to be non-conductive. . At this time, current also flows through the resistors 19 and 20, but this does not cause any particular problem by appropriately setting the resistance values of both resistors 19 and 20.
一方、EL素子3の充電特性を考慮した適宜時
間後、発振器15の出力する信号レベルが低レベ
ルに反転すると、トランジスタ9は非導通に制御
され、電源Eよりのツエナーダイオード23に対
しての電流供給ループが遮断されるため、トラン
ジスタ22も非導通となる。 On the other hand, when the signal level output from the oscillator 15 is reversed to a low level after an appropriate period of time taking into consideration the charging characteristics of the EL element 3, the transistor 9 is controlled to be non-conductive, and the current from the power source E to the Zener diode 23 is Since the supply loop is interrupted, transistor 22 is also non-conducting.
従つて、ダイオード8によるサイリスタ18の
制御極の逆バイアス状態が解除され、この結果、
サイリスタ18はEL素子3の充電電荷の抵抗1
9,20を介しての放電により導通し、上記EL
素子3の充電電荷は急峻に放出され、もちろんこ
の時EL素子3は発光する。 Therefore, the reverse bias state of the control pole of the thyristor 18 by the diode 8 is released, and as a result,
The thyristor 18 is the resistance 1 for charging the EL element 3.
9 and 20, conduction occurs and the above EL
The charge charged in the element 3 is rapidly discharged, and of course the EL element 3 emits light at this time.
以降、発振器15の出力レベルを高あるいは低
レベルに切換えることにより、上述したような動
作が繰り返されることに、即ちEL素子3は安定
した電圧値で直流パルス駆動され、所望の発光動
作を行なうことになる。 Thereafter, by switching the output level of the oscillator 15 to a high or low level, the above-described operation is repeated, that is, the EL element 3 is driven with a DC pulse at a stable voltage value, and the desired light emitting operation is performed. become.
以上述べたように上記実施例は、EL素子3へ
のエネルギー供給タイミングを2つのスイツチ素
子で、また供給電圧の安定化、即ち低電圧化をト
ランジスタ22およびツエナーダイオード23に
より制御する簡単な構成であると共に、トランジ
スタ9が導通している時、ダイオード8に発生す
る降下電圧でサイリスタ18は非導通に制御さ
れ、同時にツエナーダイオード23等の定電圧構
成によりEL素子に定電圧が供給され、逆にトラ
ンジスタ9が非導通の時、上記定電圧構成は不作
動となりEL素子3への電圧供給が遮断され、同
時にEL素子3の充電電荷によつてサイリスタ1
8が初めて導通することになる。 As described above, the above embodiment has a simple configuration in which the timing of energy supply to the EL element 3 is controlled by two switch elements, and the stabilization of the supply voltage, that is, the voltage reduction is controlled by the transistor 22 and the Zener diode 23. At the same time, when the transistor 9 is conductive, the thyristor 18 is controlled to be non-conductive due to the voltage drop generated in the diode 8, and at the same time, a constant voltage is supplied to the EL element by a constant voltage configuration such as the Zener diode 23, and vice versa. When the transistor 9 is non-conducting, the constant voltage configuration is inactive and the voltage supply to the EL element 3 is cut off, and at the same time the thyristor 1 is
8 becomes conductive for the first time.
尚、第3図に図示した実施例は第1のスイツチ
素子としてサイリスタを使用しているが、第1図
に示したようなトランジスタを使用しても良いこ
とはいうまでもない。 Although the embodiment shown in FIG. 3 uses a thyristor as the first switch element, it goes without saying that a transistor as shown in FIG. 1 may also be used.
発明の効果
本発明によるEL素子の発光駆動回路は、電源
に接続される第1のスイツチ素子とダイオードと
第2のスイツチ素子との直列接続体からなるスイ
ツチ回路の上記第1のスイツチ素子の両端にEL
素子を接続し、さらに第1のスイツチ素子の制御
極にゲート手段および上記第2のスイツチ素子の
導通時、上記ダイオードの降下電圧を供給する逆
バイアス手段を接続しており、極めて簡単な構成
となると共に、上記第1、第2のスイツチ素子が
同時に導通し電源の両端に接続されることがな
く、よつて両スイツチ素子の同時導通による破壊
を防止できる効果を有している。Effects of the Invention The light emitting driving circuit for an EL element according to the present invention includes a switch circuit including a series connection body of a first switch element connected to a power supply, a diode, and a second switch element. to EL
The gate means and the reverse bias means for supplying the voltage drop of the diode when the second switch element is conductive are connected to the control pole of the first switch element, resulting in an extremely simple structure. In addition, the first and second switch elements are not rendered conductive at the same time and are not connected to both ends of the power supply, which has the effect of preventing damage caused by simultaneous conduction of both switch elements.
また、第1のスイツチ素子の導通動作が、並列
接続されたEL素子の充電電荷を使用して行なわ
れることから、回路系全体における消費電力を少
なくできる効果も有する。 Furthermore, since the conduction operation of the first switch element is performed using the charged charges of the EL elements connected in parallel, it also has the effect of reducing power consumption in the entire circuit system.
さらに、電源とスイツチ回路との間に第2のス
イツチ素子の導通時のみ働きEL素子に定電圧を
供給する定電圧手段を設けることにより、電源の
電圧変動によるEL素子の発光輝度のばらつきを
防止できる効果も期待できる。 Furthermore, by providing a constant voltage means between the power supply and the switch circuit that operates only when the second switch element is conductive and supplies a constant voltage to the EL element, variations in the luminance of the EL element due to voltage fluctuations in the power supply are prevented. You can also expect some positive effects.
さらに、第1のスイツチ素子としてサイリスタ
を用いることにより、トランジスタとサイリスタ
のスイツチ特性の違いからEL素子の充電電荷の
放出特性をトランジスタの場合に比して良好な特
性とでき、EL素子の発光輝度面でも有利となる
効果を有している。 Furthermore, by using a thyristor as the first switch element, the discharge characteristics of the charged charges of the EL element can be made better than those of a transistor due to the difference in switching characteristics between a transistor and a thyristor. It also has an advantageous effect.
第1図は本発明によるEL素子の発光駆動回路
の一実施例を示す電気回路図、第2図および第3
図は同他の実施例を示す電気回路図、第4図は従
来のEL素子の発光駆動回路の一例の略電気回路
図である。
3……EL素子、6……スイツチ回路、7,9
……トランジスタ、8……ダイオード、10……
ゲート回路、11,16,17,19,20……
抵抗、12……逆バイアス手段、13……給電
路、14……制御回路、15……発振器、18…
…サイリスタ。
FIG. 1 is an electric circuit diagram showing an embodiment of the light emitting drive circuit for an EL element according to the present invention, and FIGS.
The figure is an electric circuit diagram showing another embodiment, and FIG. 4 is a schematic electric circuit diagram of an example of a conventional light emission driving circuit for an EL element. 3...EL element, 6...Switch circuit, 7,9
...Transistor, 8...Diode, 10...
Gate circuit, 11, 16, 17, 19, 20...
Resistor, 12... Reverse bias means, 13... Power supply path, 14... Control circuit, 15... Oscillator, 18...
...thyristor.
Claims (1)
子、ダイオード、第2のスイツチ素子を直列接続
したスイツチ回路と、前記電源と前記第1のスイ
ツチ素子の制御極との間に接続される前記第1の
スイツチ素子のゲート手段と、前記制御極と前記
ダイオードのカソード間とを接続し前記ダイオー
ドに生じる降下電圧で前記制御極を逆バイアスす
る逆バイアス手段と、前記第2のスイツチ素子の
導通、非導通を制御する制御回路とからなり、前
記第1のスイツチ素子の両端にEL素子を接続す
るEL素子の発光駆動回路。 2 電源の両端に接続されるトランジスタ、第1
のスイツチ素子、ダイオード、第2のスイツチ素
子からなる直列接続体と、前記電源と前記第1の
スイツチ素子の制御極との間に前記トランジスタ
のコレクタ〜エミツタ間を介して接続される前記
第1のスイツチ素子のゲート手段と、前記制御極
と前記ダイオードのカソード間を接続し前記ダイ
オードに発生する降下電圧にて前記制御極を逆バ
イアスする逆バイアス手段と、前記トランジスタ
のベースと前記カソード間に接続される定電圧素
子と、前記ベースと前記電源との間に接続される
前記トランジスタのゲート手段と、前記第2のス
イツチ素子の制御極と接続され前記第2のスイツ
チ素子の導通、非導通を制御する制御回路とから
なり、前記第1のスイツチ素子の両端にEL素子
を接続するEL素子の発光駆動回路。[Scope of Claims] 1. A switch circuit in which a first switch element, a diode, and a second switch element connected in series are connected to both ends of a power supply, and between the power supply and a control pole of the first switch element. a gate means of the first switch element connected to the first switch element; a reverse bias means connecting the control pole and the cathode of the diode and reverse biasing the control pole with a voltage drop generated across the diode; a control circuit for controlling conduction and non-conduction of a switch element, and an EL element light emission drive circuit that connects an EL element to both ends of the first switch element. 2 Transistors connected to both ends of the power supply, the first
a series connection body consisting of a switch element, a diode, and a second switch element, and the first switch element connected between the power source and the control pole of the first switch element via the collector-emitter of the transistor. gate means for the switch element; reverse bias means for connecting the control pole and the cathode of the diode and reverse biasing the control pole with a voltage drop generated across the diode; A constant voltage element connected, a gate means of the transistor connected between the base and the power source, and a conduction or non-conduction of the second switch element connected to the control pole of the second switch element. and a control circuit for controlling an EL element, the EL element being connected to both ends of the first switch element.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311075A JPS63168997A (en) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | Light emitting drive circuit for EL element |
| US07/138,487 US4899086A (en) | 1986-12-29 | 1987-12-28 | Electroluminescence light emission apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61311075A JPS63168997A (en) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | Light emitting drive circuit for EL element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168997A JPS63168997A (en) | 1988-07-12 |
| JPH0544155B2 true JPH0544155B2 (en) | 1993-07-05 |
Family
ID=18012814
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61311075A Granted JPS63168997A (en) | 1986-12-29 | 1986-12-29 | Light emitting drive circuit for EL element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63168997A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10179809A (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Tsuneo Suzuki | Sphere capture device |
-
1986
- 1986-12-29 JP JP61311075A patent/JPS63168997A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10179809A (en) * | 1996-12-20 | 1998-07-07 | Tsuneo Suzuki | Sphere capture device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63168997A (en) | 1988-07-12 |
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